專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，特別是指一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管做為第三代光源，具有體積小、節(jié)能環(huán)保、發(fā)光效率高等優(yōu)點(diǎn)，得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。而一般發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)往往是將一 LED芯片封裝于該封裝結(jié)構(gòu)的中心，但是這種封裝結(jié)構(gòu)的正向出光強(qiáng)度往往較高，而周圍的出光強(qiáng)度較小，且只具有較小的出光角度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種具有較大的出光角度的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的電極、與所述電極電性連接的發(fā)光二極管芯片及封裝層。 在所述封裝層內(nèi)對(duì)應(yīng)所述發(fā)光二極管芯片的正向出光路徑上設(shè)置偏轉(zhuǎn)部。該偏轉(zhuǎn)部具有與所述封裝層相接的入光面。該偏轉(zhuǎn)部的折射率小于封裝層的折射率，使得發(fā)光二極管芯片發(fā)出的部分光線在所述入光面處發(fā)生全反射，而射向偏轉(zhuǎn)部周圍的區(qū)域。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，由于在所述封裝層內(nèi)對(duì)應(yīng)所述發(fā)光二極管芯片的正向出光路徑上設(shè)置一偏轉(zhuǎn)部，該偏轉(zhuǎn)部具有一與所述封裝層相接的入光面，該偏轉(zhuǎn)部的折射率小于封裝層的折射率，使得發(fā)光二極管芯片發(fā)出的部分光線在所述入光面處發(fā)生全反射，而射向偏轉(zhuǎn)部周圍的區(qū)域，因此增大了該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光角度。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3是圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光線路示意圖。圖4是圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的光強(qiáng)與出光角度的關(guān)系圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的電極、與所述電極電性連接的發(fā)光二極管芯片及封裝層，其特征在于，在所述封裝層內(nèi)對(duì)應(yīng)所述發(fā)光二極管芯片的正向出光路徑上設(shè)置偏轉(zhuǎn)部，該偏轉(zhuǎn)部具有與所述封裝層相接的入光面，該偏轉(zhuǎn)部的折射率小于封裝層的折射率，使得發(fā)光二極管芯片發(fā)出的部分光線在所述入光面處發(fā)生全反射，而射向偏轉(zhuǎn)部周圍的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述入光面為一個(gè)向基板方向彎曲的曲面。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述偏轉(zhuǎn)部具有一與所述入光面相對(duì)設(shè)置的出光面，該出光面為粗糙表面。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電極所用的材料為金、銀、銅、鉬、鋁、鎳、錫或鎂中的一種或幾種的合金。
5.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述發(fā)光二極管芯片采用覆晶的方式固定于基板表面的電極上。
6.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝層由封裝膠固化形成。
7.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板材料為 PPA。
8.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述偏轉(zhuǎn)部位于發(fā)光二極管芯片正上方。
9.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:發(fā)光二極管的光強(qiáng)在出光角度為70度附近最大。
10.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該入光面的曲率半徑大于所述發(fā)光二極管芯片的尺寸。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的電極、與所述電極電性連接的發(fā)光二極管芯片及封裝層。在所述封裝層內(nèi)對(duì)應(yīng)所述發(fā)光二極管芯片的正向出光路徑上設(shè)置偏轉(zhuǎn)部。該偏轉(zhuǎn)部具有與所述封裝層相接的入光面。該偏轉(zhuǎn)部的折射率小于封裝層的折射率，使得發(fā)光二極管芯片發(fā)出的部分光線在所述入光面處發(fā)生全反射，而射向偏轉(zhuǎn)部周圍的區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L33/58GK103187507SQ20111045352
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者張超雄, 林厚德 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司