專利名稱：提高染料調(diào)q薄膜片激光透過率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及激光染料調(diào)Q薄膜片技術(shù)，尤其涉及一種提高染料調(diào)Q薄膜片激光透過率的方法。
背景技術(shù)：
激光調(diào)Q技術(shù)包括轉(zhuǎn)鏡調(diào)Q技術(shù)、聲光調(diào)Q技術(shù)、電光調(diào)Q技術(shù)、染料調(diào)Q技術(shù)等，各種調(diào)Q技術(shù)具有不同的特點，應(yīng)用在不同的場合。尤其是染料調(diào)Q器件，目前已做成了薄膜片，更加適應(yīng)輕量化、小型化、集成化的應(yīng)用場合，同時在降低成本、方便集成等方面具有較大的優(yōu)勢。目前，市場上的染料調(diào)Q薄膜片產(chǎn)品基本上是采用獲得國家發(fā)明獎的E法成型工藝生產(chǎn)的(獲獎名稱RT-106染料片Q開關(guān)的E法成型工藝；獲獎編號06114 ;獲獎時間1983. I ;獲獎等級國家發(fā)明四等獎)。用這種工藝方法生產(chǎn)染料調(diào)Q薄膜片已多 年，在軍品和民品的實際應(yīng)用中，發(fā)揮了巨大作用。E法成型工藝的流程主要包括配料、攪拌、過濾、成型、定型、檢測等工序，仍存在著一些缺陷和問題。因薄膜片成型過程是表面先固化，而基片內(nèi)部的有機溶劑仍在揮發(fā)，所以內(nèi)部極易形成一些微觀氣泡，影響激光的透過率；同時，這一工藝成型過程也容易使薄膜片的表面產(chǎn)生微觀凹凸不平的現(xiàn)象，因而增強了激光的反射與散射；其結(jié)果是激光透過率降低，損耗增大，對激光器調(diào)Q的效果產(chǎn)生不利影響。隨著社會的進(jìn)步與科技的發(fā)展，染料調(diào)Q薄膜片的應(yīng)用環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，對調(diào)Q薄膜片的性能提出了更高的要求，如在高溫狀態(tài)、低溫狀態(tài)、高速移動、快速轉(zhuǎn)動等情況下，目標(biāo)的跟蹤、定位、測距等工作，原先的調(diào)Q薄膜片已不適用。現(xiàn)實要求盡快改進(jìn)調(diào)Q薄膜片的性能，尤其要保證許多特殊場合應(yīng)用的可行性、可靠性與穩(wěn)定性。而提高染料調(diào)Q薄膜片激光透過率是提升調(diào)Q薄膜片使用性能的有效方法，是一項基礎(chǔ)性工作，也是首先需要突破的創(chuàng)新點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)與方法的不足，提供一種新的工藝方法，達(dá)到提高染料調(diào)Q薄膜片激光透過率的目的，實現(xiàn)提升染料調(diào)Q薄膜片的使用性能的效果，使其適應(yīng)更復(fù)雜的應(yīng)用環(huán)境，滿足更苛刻的需求條件，在社會經(jīng)濟發(fā)展的諸多領(lǐng)域中發(fā)揮更大的作用。為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明是通過如下措施來達(dá)到的該技術(shù)方案的特征是在染料調(diào)Q薄膜片表面鍍制激光增透膜；所述的激光增透膜鍍制在薄膜片表面的無機性過渡膜上面；所述的無機性過渡膜是在染料調(diào)Q薄膜片成型開始固化時涂敷硅試劑形成的；為實現(xiàn)無機性過渡膜的均勻涂敷，必須延長薄膜片成型固化的時間，這一目的是通過在染料調(diào)Q薄膜片配料內(nèi)增加輔料C2H4Cl2實現(xiàn)的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的方法具有如下有益效果現(xiàn)有技術(shù)完成的染料調(diào)Q薄膜片基片的激光透過率最高達(dá)到94%，激光器的單脈沖電壓工作坪區(qū)彡70V，高溫(+50°C )和低溫(_40°C )時激光器的閾值電壓變化分別為30V，動靜比為I : 4至I : 5;本發(fā)明產(chǎn)生的有益效果是基片的激光透過率增幅為3 4%，透過率達(dá)到97 98%，激光器的單脈沖電壓工作坪區(qū)展寬到90V，高溫(+50°C )和低溫(_40°C )時激光器的閾值電壓的變化值之和為30V，動靜比提高到I : 2至I : 3。


圖I 是本發(fā)明方法的工序流程圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明方法的作業(yè)流程作進(jìn)一步的說明。I、配料工序保持原主料，本發(fā)明的特征在于添加了輔料C2H4Cl2。輔料的作用是延長薄膜片成型的固化時間，目的有兩個其一是保持涂敷硅試劑有足夠的時間，保證固化后在薄膜片表面形成均勻的無機性過渡膜，為鍍制激光增透膜打好基礎(chǔ)；其二是在較長的固化時間內(nèi)，能使基片內(nèi)部的有機溶劑徹底揮發(fā)，從而避免微觀氣泡的形成，提高激光的透過率。一個批量的材料如下主料PMMA-248g ；BDN 液-365ml ；CH2Cl2-425ml ；Nd-911-23.5ml;輔料C2H4Cl2-150ml.2、攪拌工序把配料工序所述的主料和輔料置入專用攪拌器，攪拌速度設(shè)為2檔，攪拌7小時，保證用料的充分混合。3、過濾工序?qū)嚢韫ば虺浞只旌系陌枇现萌脒^濾器，濾層為真絲綢濾布3層，力口壓O. 5KPa，濾液封蓋。4、成型工序本工序要完成薄膜片成型和無機性過渡膜的生成兩項內(nèi)容。薄膜片成型室溫，將過濾工序的濾液置入成型均布器3#，下口面高度1mm，支持體2#，速度3檔，正面操作；過渡膜形成在薄膜片已成型并開始固化的時機，啟動過渡膜涂敷機，將含硅的化學(xué)試劑涂敷于薄膜片的表面，并反復(fù)3遍，經(jīng)過涂敷的薄膜片在固化的過程中，硅成分將滲入到薄膜片有機基體的表層，待完全固化后，在薄膜片表面便形成了一層均勻的無機性過渡膜。5、定型工序?qū)⒈砻嫘纬闪藷o機性過渡膜的薄膜片，置入定型器，在恒溫60°C，定型4小時。6、鍍增透膜工序?qū)⒍ㄐ秃蟮谋∧て萌脲兡C，完成增透膜的鍍制。此時，無機性過渡膜起到了關(guān)鍵的作用，它將無機的激光增透膜和有機的薄膜片結(jié)合成一體。7、檢驗工序本發(fā)明完成的染料調(diào)Q薄膜片技術(shù)指標(biāo)為①薄膜片基片激光透過率增透效果提高3 4%，透過率達(dá)97 98% ;
②染料調(diào)Q薄膜片透過率范圍15 80% ;③工作溫度范圍(_40°C ) (+50°C )；④存儲溫度范圍(_50°C ) (+70°C )；⑤抗激光輻射能力激光輻射強度300MW/cm2 ；⑥激光器的單脈沖工作坪區(qū)在常溫、高溫(+50°C )和低溫(_40°C )下均不小于90V ；⑦激光器的閾值電壓變化高溫(+50°C )和低溫(_40°C )的變化值之和為30V ；⑧工作重復(fù)頻率1Hz。
本發(fā)明實施的檢驗按以下方法進(jìn)行用VSU-2G分光光度計，波長I. 06 μ m,檢測薄膜片基片的激光增透效果和染料調(diào)Q薄膜片的透過率范圍；用高、低溫試驗箱檢測工作溫度、存儲溫度；用YAG激光試驗儀，檢測染料調(diào)Q薄膜片抗激光輻射能力、激光器的單脈沖工作坪區(qū)、激光器的閾值電壓變化、工作重復(fù)頻率；用本發(fā)明的方法完成的染料調(diào)Q薄膜片的激光透過率有較大提高，因而其使用性能明顯提升，能適應(yīng)更復(fù)雜的應(yīng)用環(huán)境，滿足更苛刻的需求條件，在社會經(jīng)濟發(fā)展的諸多領(lǐng)域如軍工、科研、教學(xué)、工業(yè)、醫(yī)療、美容等應(yīng)用中能發(fā)揮更大的作用，產(chǎn)生更大的效益。
權(quán)利要求
1.一種提高染料調(diào)Q薄膜片激光透過率的方法，其特征是在染料調(diào)Q薄膜片表面鍍制激光增透膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述在染料調(diào)Q薄膜片表面鍍制激光增透膜，其特征在于所述的激光增透膜是鍍制在薄膜片表面的無機性過渡膜上面的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光增透膜是鍍制在薄膜片表面的無機性過渡膜上面的，其特征在于所述的無機性過渡膜是在染料調(diào)Q薄膜片成型開始固化時涂敷硅試劑形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無機性過渡膜是在染料調(diào)Q薄膜片成型開始固化時涂敷硅試劑形成的，其特征在于為實現(xiàn)無機性過渡膜的均勻涂敷，必須延長薄膜片成型固化的時間，這一目的是通過在染料調(diào)Q薄膜片配料時增加輔料C2H4Cl2實現(xiàn)的。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高染料調(diào)Q薄膜片激光透過率的方法，該技術(shù)方法的特征是在染料調(diào)Q薄膜片表面鍍制激光增透膜；所述的激光增透膜鍍制在薄膜片表面的無機性過渡膜上面；所述的無機性過渡膜是在染料調(diào)Q薄膜片成型開始固化時涂敷硅試劑形成的。為此，須延長薄膜片成型固化的時間，而這一目的的實現(xiàn)是通過在染料調(diào)Q薄膜片配料內(nèi)增加輔料C2H4Cl2完成的。用本發(fā)明的方法完成的染料調(diào)Q薄膜片的激光透過率有較大提高，促使其性能明顯提升，能適應(yīng)更復(fù)雜的應(yīng)用環(huán)境，滿足更苛刻的需求條件，在社會經(jīng)濟發(fā)展的諸多領(lǐng)域如軍工、科研、教學(xué)、工業(yè)、醫(yī)療、美容等應(yīng)用中能發(fā)揮更大的作用，產(chǎn)生更大的效益。
文檔編號H01S3/11GK102842846SQ20111036261
公開日2012年12月26日 申請日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者邢子紅, 張桂華, 張瑞, 趙媛媛, 張珊 申請人:天津市激光技術(shù)研究所