專利名稱：微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子封裝領(lǐng)域的微互聯(lián)技術(shù)，具體地說是一種可焊性良好的微電子封裝中焊料凸點/金屬化(過渡)層連接結(jié)構(gòu)體及其應(yīng)用，適用于一般微電子連接中基板和印刷電路板焊盤上，以及芯片倒裝焊互聯(lián)中焊料凸點下的金屬化過渡層的制作技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路元件被稱為“工業(yè)之米”。但在一般情況下，人們所使用的是帶有外殼的封裝體。電子封裝具有機械支撐、電氣連接、外場屏蔽、應(yīng)力緩和、散熱防潮等多種功能。現(xiàn)今，電子設(shè)備迅速輕、薄、短、小型化促進電子封裝產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。特別是芯片性能的不斷提高，對電子封裝密度提出更高的要求。這主要表現(xiàn)在封裝的引腳數(shù)越來越多；布線節(jié)距越來越??；封裝厚度越來越??；封裝體所占面積比例越來越大等。在電子封裝工程的四大基礎(chǔ)技術(shù)，即薄厚膜技術(shù)、微互聯(lián)技術(shù)、基板技術(shù)、封接與封裝技術(shù)中，微互聯(lián)技術(shù)起著呈上啟下的作用。無論芯片裝連到載體上，還是封裝體實裝到基板上，都要用到微互聯(lián)技術(shù)。倒裝焊微互聯(lián)(FCB)技術(shù)是在整個芯片表面按柵陣形狀布置I/O端子，芯片直接以倒扣方式安裝到布線板上，通過柵陣I/O端子與布線板上相應(yīng)的電極焊盤實現(xiàn)電氣連接。這樣，可以在有限的面積內(nèi)，布置更多的端子，從而滿足高密度封裝中引腳窄節(jié)距化的要求。倒裝焊微連接中的關(guān)鍵技術(shù)是在原芯片Al布線電極區(qū)形成凸點，其中焊料凸點最為普遍。為達到凸點與Al及鈍化層有良好的黏附性，又要防止凸點金屬與Al之間的元素擴散，一般先在凸點下制備多層金屬化層，即UBMOmder bump metallization)。典型的粘附金屬有Ti、Cr、TiN等，它們必須同芯片上電極形成足夠強的粘附。典型的阻擋金屬有W、Mo、Ni、Cu等，作為阻擋層，能有效阻擋因元素擴散而生成脆性化合物。典型的接連層有Au、Cu、Pd等，它們應(yīng)該與焊料合金良好的可焊性能。同樣，焊料凸點同基板上金屬布線焊盤連接時，也需要基板焊盤的金屬化，即TSM(topside metallization)。在一般的BGA (ball grid array)封裝中，將芯片封裝體實裝到印刷電路板上，也需要在印刷電路板上制備與焊料球連接的金屬化層。在微電子連接過程中，過去一般使用共晶錫鉛焊料，其中37%是鉛。全世界每年約有20，000噸的鉛作為焊料使用。若這些含鉛的電子產(chǎn)品被廢棄和掩埋后，合金中的鉛會逐漸被自然環(huán)境中的水溶液腐蝕、溶解、擴散和富集，最終對自然環(huán)境、土壤、天然水體及其動植物生物鏈造成不可恢復(fù)的環(huán)境污染。由此人們開始尋找錫鉛焊料的替代品，目前主要集中在錫銀、錫銅及錫銀銅上，這幾種焊料的熔點都較傳統(tǒng)的錫鉛焊料高出30-40°C。若這些無鉛焊料作為凸點材料，當它們與凸點下或者焊盤金屬層液態(tài)反應(yīng)時，則需要更高的回流溫度。在這種高溫度條件下的回流工藝過程中，則會使金屬化層與焊料反應(yīng)速率加快，液態(tài)焊料與金屬化層發(fā)生反應(yīng)時，則容易使金屬化層被快速消耗掉，使其失去應(yīng)有的功能。此外，在固態(tài)擴散過程中，界面化合物層迅速生長，厚的脆性化合物以及產(chǎn)生的柯肯達爾孔洞都將嚴重影響連接體的可靠性。此外，在封裝體的使用過程中，由于器件與電路板材料的熱不匹配，將會使連接體處于熱循環(huán)應(yīng)力場，從而導(dǎo)致連接體發(fā)生疲勞失效。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的實際情況，本發(fā)明的目的在于提供一種可焊性良好的微電子封裝中焊料凸點/金屬化(過渡)層連接結(jié)構(gòu)體及其應(yīng)用，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的無鉛焊料與金屬化層連接時，容易使金屬化層被快速消耗掉，使其失去應(yīng)有的功能，以及連接體發(fā)生疲勞失效等問題。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體，該連接結(jié)構(gòu)體為焊料凸點與金屬化層連接而成，金屬化層為鐵、鎳、鈷元素共沉積的合金層，鐵重量百分比范圍為 59-69%，鎳重量百分比范圍為31-41%，其余為鈷；焊料為熔點相對較高的錫_銀或者錫-銀-銅系無鉛焊料合金。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體，金屬化層中，鐵重量百分比優(yōu)選范圍為60-65%，鎳重量百分比優(yōu)選范圍為32-35%，鈷重量百分比優(yōu)選范圍3_8%。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體，焊料成份中，銀重量百分比范圍為1-4%，銅重量百分比范圍為0-3%，其余為錫。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，在導(dǎo)電基體表面， 或者在導(dǎo)電薄膜覆蓋的非導(dǎo)電基體表面電鍍或化學(xué)鍍一層鐵鎳鈷合金；焊料通過用焊膏模板印刷方式或者置球方式定位，然后經(jīng)回流后形成結(jié)構(gòu)體。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，鐵鎳鈷合金鍍層作為球柵陣列(BGA)封裝、芯片倒裝(flip chip)、疊層芯片封裝或微機電系統(tǒng)(MEMS)的微器件封裝中，焊料凸點下金屬化層或者基板焊盤金屬化層。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，鐵鎳鈷合金鍍層用作最外層與焊料凸點形成連接結(jié)構(gòu)體。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，鐵鎳鈷合金鍍層在表面另外沉積金、鉬、鈀、錫或其合金鍍層，然后與焊料凸點形成連接結(jié)構(gòu)體。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，該結(jié)構(gòu)體作為球柵陣列(BGA)封裝、芯片倒裝(flip chip)、疊層芯片封裝或微機電系統(tǒng)(MEMS)的微器件封裝中，微器件與基板或者印刷電路板之間的連接。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，鐵鎳鈷合金鍍層的膨脹系數(shù)通過鍍層中鐵的含量進行調(diào)節(jié)，適用于不同要求的基體；Sn-Ag-Cu焊料根據(jù)工藝條件以及產(chǎn)品類型調(diào)整銀和銅的含量。所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，鐵鎳鈷合金鍍層在常見的銅或鎳金屬層上電沉積；或者，鐵鎳鈷合金鍍層在其他類型的過渡金屬層上電沉積。本發(fā)明具有如下優(yōu)點1、本發(fā)明利用鐵鎳鈷鍍層與錫-銀或者錫-銀-銅無鉛焊料形成連接結(jié)構(gòu)體， 錫-銀或者錫-銀-銅焊料在該金屬化層表面表現(xiàn)良好的潤濕性能及抗氧化性能，可用作為外表面層，此連接結(jié)構(gòu)可以通過焊料與金屬化層的外表面層直接反應(yīng)而形成。2、本發(fā)明鐵鎳鈷鍍層(金屬化層)與錫-銀或者錫-銀-銅焊料間潤濕性能良好，與焊料界面的液態(tài)反應(yīng)速度非常慢，生成極其薄(亞微米級厚度)而且平整的鐵錫化合物層，滿足無鉛焊接工藝中回流溫度較高的需要；在在電器正常工作溫度范圍內(nèi)和固態(tài)時效中，化合物生長速度極慢。并且與焊料形成的連接界面具有良好的可靠性能，非常適合微電子封裝中無鉛連接技術(shù)的需要。3、本發(fā)明鐵鎳鈷鍍層/錫-銀或者錫-銀-銅焊料連接結(jié)構(gòu)體具有良好的力學(xué)可靠性能，在高溫環(huán)境時效后，此連接體保持與銅/錫-銀或者錫-銀-銅焊料結(jié)構(gòu)相當?shù)募羟袕姸?。斷裂主要發(fā)生在靠近化合物層的焊料內(nèi)，說明界面可靠性良好且穩(wěn)定。4、本發(fā)明鍍層中鐵的含量可以在一定范圍內(nèi)調(diào)整，得到最接近其他層的熱膨脹系數(shù)；焊料中銀和銅的焊料可以根據(jù)工藝需要進行調(diào)整，調(diào)整后不影響界面化合物生長速率及連接體可靠性。5、本發(fā)明鐵鎳鈷鍍層/錫-銀或者錫-銀-銅焊料連接結(jié)構(gòu)體的制作工藝相對簡單，適用性強。6、本發(fā)明可以在導(dǎo)電基體如銅或鎳的表面，或者在導(dǎo)電薄膜覆蓋的非導(dǎo)電基體表面來實現(xiàn)；可以作為微器件與基板上或印刷電路板之間的連接，以及芯片凸點的制作工藝使用。7、本發(fā)明中可以在鐵鎳鈷鍍層鍍層外表面沉積金、鉬、鈀、錫及其合金等其他鍍層，提高抗氧化和潤濕性能，然后與錫銀銅焊料反應(yīng)形成連接體。8、本發(fā)明金屬化層與焊料間的界面在回流和固態(tài)時效過程中，化合物生長緩慢， 能夠起到擴散阻擋層的作用。9、本發(fā)明金屬化層與焊料的連接界面具有良好的力學(xué)可靠性能。在高溫環(huán)境時效后，連接界面保持較高的剪切強度。斷裂主要發(fā)生在靠近化合物層的焊料內(nèi)，說明界面可靠性良好且穩(wěn)定。10、本發(fā)明通過鈷含量的調(diào)節(jié)，使鐵、鎳百分比在較寬范圍變化，金屬化層具有較低的熱熱膨脹系數(shù)，減小在使用過程中循環(huán)熱應(yīng)力造成的損傷，提高器件的使用壽命和安全可靠性。所以，鐵鎳鈷鍍層可以在相對較寬的成份比例范圍內(nèi)實現(xiàn)低熱膨脹系數(shù)，并在較寬的溫度范圍內(nèi)保持恒定。11、本發(fā)明鐵、鎳重量百分比接近因瓦合金成份(i^64Ni36)，相對于具有極低熱膨脹系數(shù)的因瓦合金(Fe64Ni36)金屬化層，可以允許鐵、鎳成份比例在一定范圍內(nèi)浮動，該金屬化層仍能夠保持低的熱膨脹系數(shù)，因此其工藝容易控制，適用性強。12、本發(fā)明以鐵鎳鈷合金鍍層作為微電子互聯(lián)技術(shù)中焊料凸點連接金屬化層，可以廣泛應(yīng)用于微電子封裝行業(yè)，特別適合于球柵陣列、芯片倒裝等形式的高密度微互聯(lián)技術(shù)。


圖1為本發(fā)明鍍層適用的芯片倒裝焊互連技術(shù)示意圖。其中，4芯片；5下鐵鎳鈷金屬化層；6錫銀銅焊料凸點；7焊盤鐵鎳鈷金屬化層；8印刷電路板。圖2為鐵鎳鈷鍍層/錫銀銅球形凸點連接體宏觀截面圖。圖3為鐵鎳鈷鍍層/錫銀銅界面微觀組織。圖4為銅/錫銀銅界面微觀組織。
圖5為回流焊接工藝曲線。圖6為鐵鎳鈷鍍層/錫銀銅界面化合物厚度隨時效天數(shù)的變化曲線。圖7為鐵鎳鈷鍍層/錫銀銅連接體斷裂后的斷口表面形貌。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進一步詳細說明實施例1在導(dǎo)電基體如銅或鎳的表面，或者在導(dǎo)電薄膜覆蓋的非導(dǎo)電基體表面電鍍一層鐵鎳鈷合金，其成份和電鍍層厚度均可以根據(jù)實際要求進行調(diào)節(jié)。如圖1所示，本發(fā)明所實現(xiàn)的鍍層可以作為基板上和印刷電路板8上的焊盤鐵鎳鈷金屬化層7，以及芯片4倒裝焊連接中錫銀銅焊料凸點6的下鐵鎳鈷金屬化層5使用。如圖2所示，鐵鎳鈷鍍層/錫銀銅球形凸點連接體宏觀截面圖。 采用電鍍方法在銅基體上鍍薄層鐵鎳鈷層，其成份為鐵60 %，鎳35 %，鈷5 % (重量百分含量)。對鍍層表面利用丙酮試劑進行清洗，利用孔徑為0. 75mm掩模板在鍍層表面印制焊膏凸點，然后在其上對中放置錫銀銅焊球。焊膏和焊球的成份百分比為錫 95. 8%，銀3. 5%，銅0. 7%?；亓骱附舆^程在美國ok公司生產(chǎn)的BGA&CSP返修工作站設(shè)備中進行，其所用回流工藝曲線如圖5所示。把回流焊接后樣品固封在環(huán)氧樹脂中，沿截面進行磨制、拋光、以及腐蝕，利用掃描電鏡觀察其組織結(jié)構(gòu)。連接結(jié)構(gòu)體的宏觀截面圖如圖3 所示，界面的微觀組織如圖4所示。圖中標號1代表錫銀銅焊料；2代表鐵鎳鈷鍍層；箭頭所指部分為所生成的化合物層3，其厚度約為0. 2 μ m。與其相比，銅/錫銀銅焊料的界面生成了非常不規(guī)則的銅錫化合物層(如圖5所示)，其峰厚度達到10 μ m。由此可見，鐵鎳鈷鍍層與焊料的反應(yīng)速度非常慢。本實施例鍍層的熱膨脹系數(shù)約為4-10X10_6/°C，與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)(約為5-7X 10_6/°C )相匹配。如上所制備的鐵鎳鈷/錫銀銅焊料連接體，進行在125°C環(huán)境下不同天數(shù)時效，然后對其連接界面化合物厚度進行測量。圖6顯示了兩種界面化合物厚度隨時效天數(shù)的變化曲線，圖中SnAgCu/Cu為銅/錫銀銅焊料連接體，SnAgCu/Cu (FeNiCo)為鐵鎳鈷/錫銀銅焊料連接體?？梢钥闯觯诠虘B(tài)時效過程中鐵鎳鈷/錫銀銅焊料連接體界面化合物生長速率遠低于銅/錫銀銅連接體界面，鐵鎳鈷/焊料連接體的界面化合物厚度生長及其緩慢。在焊料球在刮切試驗后，圖7顯示了該連接結(jié)構(gòu)體斷裂后韌性的斷裂表面形貌。這些都說明了該鍍層與焊料形成的界面具有較好的力學(xué)可靠性。由此可見，本發(fā)明鐵鎳鈷鍍層/錫銀銅連接結(jié)構(gòu)體不僅具有較低的化合物生成和生長速率而且具有較可靠的力學(xué)性能。本發(fā)明中鍍層中的鐵含量可以根據(jù)不同連接材料進行調(diào)節(jié)，以使連接層具有較好的熱匹配性能，焊料中銀和銅的含量也可以根據(jù)工藝需要進行調(diào)整。所以，本發(fā)明非常適用于微電子封裝中微器件與基板或印刷電路板之間連接、以及芯片倒裝技術(shù)中的凸點制作等技術(shù)領(lǐng)域。實施例2與實施例1不同之處在于鐵鎳層的成份為鐵59 %，鎳35 %，鈷6 % ；焊料成份錫95. 8 %，銀 3. 5 %，銅 0. 7 %。
實施例3與實施例1不同之處在于鐵鎳層的成份為鐵63 %，鎳33 %，鈷4 % ；
焊料成份錫98. 5 %，銀1 %，銅0. 5 %。實施例4與實施例1不同之處在于鐵鎳層的成份為鐵67 %，鎳31 %，鈷2 % ；焊料成份錫95. 8 %，銀 3. 5 %，銅 0. 7 %。實施例5與實施例1不同之處在于鐵鎳層的成份為鐵65 %，鎳32 %，鈷3 % ；焊料成份錫98. 5 %，銀1 %，銅0. 5 %。實施例6與實施例1不同之處在于鐵鎳層的成份為鐵61 %，鎳34 %，鈷5 % ；焊料成份錫95. 8 %，銀 3. 5 %，銅 0. 7 %。實施例7與實施例1不同之處在于鐵鎳層的成份為鐵69%，鎳31% ；焊料成份錫98%，銀2%。實驗結(jié)果表明，在本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)，鐵鎳鈷鍍層/錫銀銅連接結(jié)構(gòu)體具有較低的化合物生成和生長速率以及較好的連接可靠性能，鐵鎳鈷合金鍍層具有優(yōu)良的潤濕性能及抗氧化性能，較低的界面化合物生長速度以及較好的力學(xué)可靠性。本發(fā)明中鐵鎳鈷鍍層中的組成成份可以在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，其鐵重量百分比為59-69% ；對于鐵鎳鈷合金鍍層，只有鐵和鎳的成份在接近因瓦合金成份的極小范圍內(nèi)，材料才可獲得零或者負膨脹系數(shù)。通過少量鈷元素添加，可以允許鐵和鎳成份比例在一定范圍內(nèi)浮動，該合金鍍層仍能夠保持極低或零膨脹系數(shù)，因此其工藝適用性更強。錫銀銅焊料中銀和銅的成份也可以調(diào)整，其銀重量百分比范圍為1_4%，銅重量百分比范圍為0-3%。本發(fā)明可以在導(dǎo)電基體表面，或者在導(dǎo)電薄膜覆蓋的非導(dǎo)電基體表面實現(xiàn)。鐵鎳鈷鍍層/錫銀銅連接結(jié)構(gòu)體可以作為BGA封裝形式中微器件與基板或印刷電路板之間的連接結(jié)構(gòu)，也可以作為芯片倒裝焊互聯(lián)中的凸點制作工藝。因此，該合金鍍層可以作為微電子互聯(lián)技術(shù)中焊料凸點連接金屬化層使用。鐵鎳鈷合金鍍層還可以用作最外層與焊料凸點直接連接；也可以在表面另外沉積金、鉬、鈀、錫或其合金鍍層，然后與焊料凸點進行連接。鐵鎳鈷合金鍍層可以在常見的銅或鎳金屬層電沉積；或者，在其他類型的過渡金屬層上電沉積。
權(quán)利要求
1.一種微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)體為焊料凸點與金屬化層連接而成，金屬化層為鐵、鎳、鈷元素共沉積的合金層，鐵重量百分比范圍為59-69%，鎳重量百分比范圍為31-41%，其余為鈷；焊料為熔點相對較高的錫-銀或者錫-銀-銅系無鉛焊料合金。
2.按照權(quán)利要求1所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體，其特征在于 金屬化層中，鐵重量百分比優(yōu)選范圍為60-65%，鎳重量百分比優(yōu)選范圍為32-35%，鈷重量百分比優(yōu)選范圍3-8%。
3.按照權(quán)利要求1所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體，其特征在于 焊料成份中，銀重量百分比范圍為1_4%，銅重量百分比范圍為0-3%，其余為錫。
4.按照權(quán)利要求1所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，其特征在于在導(dǎo)電基體表面，或者在導(dǎo)電薄膜覆蓋的非導(dǎo)電基體表面電鍍或化學(xué)鍍一層鐵鎳鈷合金；焊料通過用焊膏模板印刷方式或者置球方式定位，然后經(jīng)回流后形成結(jié)構(gòu)體。
5.按照權(quán)利要求4所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，其特征在于鐵鎳鈷合金鍍層作為球柵陣列封裝、芯片倒裝、疊層芯片封裝或微機電系統(tǒng)的微器件封裝中，焊料凸點下金屬化層或者基板焊盤金屬化層。
6.按照權(quán)利要求4所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，其特征在于鐵鎳鈷合金鍍層用作最外層與焊料凸點形成連接結(jié)構(gòu)體。
7.按照權(quán)利要求4所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，其特征在于鐵鎳鈷合金鍍層在表面另外沉積金、鉬、鈀、錫或其合金鍍層，然后與焊料凸點形成連接結(jié)構(gòu)體。
8.按照權(quán)利要求4所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，其特征在于該結(jié)構(gòu)體作為球柵陣列封裝、芯片倒裝、疊層芯片封裝或微機電系統(tǒng)的微器件封裝中，微器件與基板或者印刷電路板之間的連接。
9.按照權(quán)利要求4所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，其特征在于鐵鎳鈷合金鍍層的膨脹系數(shù)通過鍍層中鐵的含量進行調(diào)節(jié)，適用于不同要求的基體；Sn-Ag-Cu焊料根據(jù)工藝條件以及產(chǎn)品類型調(diào)整銀和銅的含量。
10.按照權(quán)利要求4所述的微電子封裝中焊料凸點/金屬化層連接結(jié)構(gòu)體的應(yīng)用，其特征在于鐵鎳鈷合金鍍層在常見的銅或鎳金屬層上電沉積；或者，鐵鎳鈷合金鍍層在其他類型的過渡金屬層上電沉積。
全文摘要
本發(fā)明涉及微電子封裝領(lǐng)域的微互聯(lián)技術(shù)，具體地說是一種可焊性良好的微電子封裝中焊料凸點/金屬化(過渡)層連接結(jié)構(gòu)體及其應(yīng)用，適用于一般微電子連接中基板和印刷電路板焊盤上，以及芯片倒裝焊互聯(lián)中焊料凸點下的金屬化過渡層的制作技術(shù)領(lǐng)域。該連接結(jié)構(gòu)體為焊料凸點與金屬化層連接而成，金屬化層為鐵、鎳、鈷元素共沉積的合金層，鐵重量百分比范圍為59-69％，鎳重量百分比范圍為31-41％，其余為鈷；焊料為熔點相對較高的錫-銀或者錫-銀-銅系無鉛焊料合金。本發(fā)明采用電鍍的方法在銅(或鎳)層上鍍鐵鎳鈷合金層。相對鐵鎳鍍層，少量鈷的添加可以允許鐵、鎳含量比例在更寬的范圍內(nèi)保持較低的膨脹系數(shù)和在較寬的溫度范圍內(nèi)保持恒定。
文檔編號H01L23/488GK102420203SQ20111036253
公開日2012年4月18日 申請日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者劉海燕, 尚建庫, 祝清省, 郭敬東 申請人:中國科學(xué)院金屬研究所