專利名稱：半導(dǎo)體器件封裝方法及半導(dǎo)體器件封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如二極管的分立半導(dǎo)體器件的封裝方法。本發(fā)明進一步涉及一種通過這種方法獲得的分立半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
例如二極管的分立半導(dǎo)體器件在上市時典型地設(shè)置在封裝中。這種封裝保護分立半導(dǎo)體器件免受意外損壞，并提供接觸(contact)，以例如通過將分立半導(dǎo)體器件安裝到印刷電路板上(PCB)，將分立半導(dǎo)體器件集成到更大電子設(shè)備上。在已知的封裝方法中，由于當(dāng)前沒有制造方法能以直接并且節(jié)省成本的方式在封裝級別再生產(chǎn)小尺寸分立半導(dǎo)體器件，所以封裝接觸典型地是分立半導(dǎo)體器件接觸的扇形展開(fan-out)，即具有較大的面積。包含分立半導(dǎo)體器件在內(nèi)的半導(dǎo)體器件的不斷微型化導(dǎo)致對應(yīng)的封裝尺寸也必須微型化。然而這不是微不足道的，因為封裝接觸的扇形展開給出了封裝尺寸的下限。例如，對于二極管封裝，難以將封裝微型化到超過0. 6mmX0. 3mmX0. 3mm的尺寸。這種封裝通稱為0603封裝。這種下限主要是由封裝接觸的扇形展開尺寸來決定的。因此，需要一種封裝方法，其能夠以相對直接并且節(jié)省成本的方式促進分立半導(dǎo)體器件特別是二極管封裝的進一步微型化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種制造分立半導(dǎo)體器件封裝的方法，該方法能夠促進比0603 封裝更小的封裝的制造。本發(fā)明還旨在提供利用這種方法獲得的分立半導(dǎo)體器件封裝。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造分立半導(dǎo)體器件封裝的方法，該方法包括 提供引線框；在引線框中形成凹部(recess)，所述凹部具有實質(zhì)上等于分立半導(dǎo)體器件厚度的深度，其中引線框的與凹部相鄰的凸出部(raised portion)限定了第一接觸區(qū)；將分立半導(dǎo)體器件放置在凹部中，其中分立半導(dǎo)體器件的有源側(cè)面向下，分立半導(dǎo)體器件的暴露表面限定了第二接觸區(qū)；將生成的產(chǎn)品模制(mold)在保護層中，使得包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的表面暴露；以及用相應(yīng)的鍍層(plating layer)覆蓋暴露的第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)。通過確保凹部的深度接近于要放置在凹部中的分立半導(dǎo)體器件的厚度，可以制造非常緊湊的減小了尺寸的封裝。通過以下操作可以進一步促進封裝尺寸的減小對封裝進行部分模制，并在暴露的接觸區(qū)上提供可軟焊的(solderable)鍍層，使得這些接觸區(qū)可以用于將封裝附著到合適的載體上而不需要接觸區(qū)扇形展開，從而進一步減小封裝的形狀系數(shù)(form factor)?？梢酝ㄟ^沖壓或刻蝕形成凹部，在必要時可以結(jié)合使用平坦化(flattening)步驟，以確保凹部具有合適的深度。
這種分立半導(dǎo)體器件的有源側(cè)面向下放置，即，面向凹部表面。這便于使第二接觸區(qū)和載體之間的接觸在分立半導(dǎo)體封裝的側(cè)面上延伸，而在有源側(cè)面向上的情況下，使第二接觸區(qū)和載體之間的接觸在分立半導(dǎo)體封裝的側(cè)面上延伸是不可能的，因為在接觸在封裝側(cè)面上延伸的情況下，這種布置可能導(dǎo)致電短路。在實施例中，將分立半導(dǎo)體器件放置在凹部中的步驟包括使用導(dǎo)電固定劑 (fixating agent)將放置的分立半導(dǎo)體器件與引線框互連。導(dǎo)電固定劑例如可以是導(dǎo)電粘合膠(adhesive paste)或?qū)щ娋惩繉?wafer back coating)。可以使用非常薄的固定劑層來實現(xiàn)這種固定技術(shù)，從而進一步有助于限制封裝的總尺寸。在另一實施例中，所述放置步驟包括將分立半導(dǎo)體器件放置在凹部中，其中分立半導(dǎo)體器件的有源側(cè)向下。有利地，刻蝕凹部的步驟包括刻蝕引線框中的多個凹部，其中引線框的與每個凹部相鄰的凸出部限定各自的第一接觸區(qū)；將分立半導(dǎo)體器件放置在凹部中的步驟包括在每個凹部中放置分立半導(dǎo)體器件，分立半導(dǎo)體器件的暴露表面限定了相應(yīng)的第二接觸區(qū)； 所述方法還包括將引線框分離成各個獨立的的分立半導(dǎo)體器件封裝。從而，可以基于單個引線框形成多個封裝。優(yōu)選地，分立半導(dǎo)體器件的厚度與凹部的深度之間的差值小于0. 1mm。這確保有效地將第一和第二接觸區(qū)安裝到平坦表面上。附加地或可選地，模制步驟可以用于消除凹部的深度和分立半導(dǎo)體器件的厚度之間的任何差異。在另一實施例中，將生成的產(chǎn)品模制在保護層中的步驟包括用保護箔 (protective foil)覆蓋第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)。這確保了接觸區(qū)不會被模制材料 (molding material)污染。在模制步驟中，例如利用標準的引線框膠帶(tape)，來防止引線框的背側(cè)(即容納分立半導(dǎo)體器件的有源側(cè)的那一側(cè))被模制材料覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種分立半導(dǎo)體器件封裝，包括引線框部，所述引線框部包括凹部，所述凹部具有實質(zhì)上等于分立半導(dǎo)體器件厚度的深度，其中引線框部的與凹部相鄰的凸出部限定了第一接觸區(qū)；在凹部中的分立半導(dǎo)體器件，其中分立半導(dǎo)體器件的暴露表面限定了第二接觸區(qū)；保護層，覆蓋所述引線框部和分立半導(dǎo)體器件，但不覆蓋第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)；以及覆蓋第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的相應(yīng)的鍍層。這種封裝可以制造得比當(dāng)前可能的封裝尺寸更小，從而有助于進一步微型化這種封裝。在實施例中，在施加保護性的模塑料(protective molding compound)后，用保護性的電絕緣層覆蓋與包括第一接觸和第二接觸的表面相對的表面?？梢圆捎闷帷⒛z帶 (tape)、箔等形成電絕緣層。在實施例中，相應(yīng)的鍍層分別蓋住(cap)封裝的相應(yīng)的端面。這種結(jié)構(gòu)具有的優(yōu)點是，將接觸區(qū)與相應(yīng)的載體接觸互連的焊劑可以垂直地延伸到這些鍍蓋(plating cap) 上，從而改善了分立半導(dǎo)體器件封裝和載體之間的接觸質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種載體，包括第一載體接觸和第二載體接觸， 所述載體還包括根據(jù)本發(fā)明實施例的分立半導(dǎo)體器件封裝，其中第一載體接觸通過相應(yīng)的焊劑部導(dǎo)電連接到第一接觸區(qū)，第二載體接觸通過相應(yīng)的焊劑部導(dǎo)電連接到第二接觸區(qū)。 這種載體例如可以是電子設(shè)備、印刷電路板、多芯片模塊等等。


通過非限制性示例并參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的實施例，其中圖1-3示意性描述了根據(jù)本發(fā)明實施例的方法多個階段；圖4示意性描述了根據(jù)本發(fā)明實施例的完成的封裝；圖5-11示意性描述了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的方法多個階段；圖12-13示意性描述了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的方法多個階段；以及圖14示意性描述了包括根據(jù)本發(fā)明實施例的分立半導(dǎo)體器件封裝的載體。
具體實施例方式應(yīng)該理解，所述附圖僅僅是示意性的并且不按比例繪制。還應(yīng)該理解，在所有附圖中使用的相同的附圖標記用于表示相同或類似的部件。如圖1所示，提供合適的引線框10，例如，諸如方形扁平無引線(QFN，quad flat no leads)或MCD引線框之類的無引線載體，其中例如通過沖壓或以任何合適刻蝕方法 (etching recipe)的刻蝕來提供凹部14，從而提供引線框10，其中第一接觸部12被限定為與凹部14相鄰。凹部14的深度等于或接近于要放置在凹部14中的分立半導(dǎo)體器件的厚度。例如可以通過將刻蝕或沖壓步驟與隨后的平坦化步驟相結(jié)合，來實現(xiàn)期望的凹部深度。 在優(yōu)選實施例中，分立半導(dǎo)體器件的厚度與凹部14的深度之間的差值小于0. 1mm。更優(yōu)選地，分立半導(dǎo)體器件的厚度與凹部深度相同，以至于分立半導(dǎo)體器件的暴露表面與第一接觸部12的表面區(qū)域處于相同平面內(nèi)。為了清楚起見，圖1描述了包括單個凹部14和單個接觸部12的引線框10。但是， 應(yīng)該理解，在優(yōu)選實施例中引線框10包括由凹部14和相鄰的接觸部12組成的陣列，使得可以基于單個引線框10形成多個封裝。下一步驟中，將分立半導(dǎo)體器件20放置在凹部14中。在圖2中示出了這一點。 分立半導(dǎo)體器件20具有限定第二接觸區(qū)的接觸表面22。如前所述，接觸表面22優(yōu)選地與第一接觸部12的表面處于同一平面內(nèi)。分立半導(dǎo)體器件20可以任何合適的方式與引線框 10導(dǎo)電互連。例如，可以利用導(dǎo)電粘合膠或晶片背涂層形成該導(dǎo)電互連。如果將分立半導(dǎo)體器件20以其有源側(cè)朝下的方式放置在引線框10上，這意味著要把晶片背涂層施加在分立半導(dǎo)體器件20的晶片頂側(cè)。在這個階段，應(yīng)注意到分立半導(dǎo)體器件20可以是任何合適的半導(dǎo)體器件。特別地，分立半導(dǎo)體器件20可以是分立二極管，當(dāng)然也可以等效的應(yīng)用其他的分立器件，例如晶體管。形成分立半導(dǎo)體器件20的晶片材料可以是任何合適的半導(dǎo)體材料，例如硅、SiGe寸寸。優(yōu)選地，分立半導(dǎo)體器件20的包括封密環(huán)在內(nèi)的有源區(qū)保持小于0. 2mm,以使得總的封裝寬度限制在0. 2mm。下一步驟中，如圖3所示，利用保護性樹脂對生成的結(jié)構(gòu)進行模制，該樹脂包圍引線框10和放置在引線框10上的分立半導(dǎo)體器件20。但是暴露出第一接觸表面22和第二接觸表面22?？梢杂萌魏芜m當(dāng)?shù)姆绞綄崿F(xiàn)這一點，例如通過用箔覆蓋這些接觸表面以避免這些接觸表面被保護性樹脂覆蓋。在模制步驟之后，可以簡單地去除箔以暴露出第一接觸表面12和第二接觸表面22?？梢允褂萌魏芜m當(dāng)?shù)谋Ｗo性樹脂，例如環(huán)氧模塑料(印oxy molding compound)0在將引線框10分離成各個獨立的分立半導(dǎo)體封裝之前，將保護性的電絕緣層32 施加到引線框的背側(cè)，如圖3所示。這將分立半導(dǎo)體器件20的有源側(cè)電絕緣，從而在將封裝安裝到載體上時，降低在載體和分立半導(dǎo)體器件20的有源側(cè)之間發(fā)生短路的風(fēng)險。特別地，第一接觸表面12和分立半導(dǎo)體器件20通過引線框10連接，第一接觸表面12與第二接觸表面22之間僅通過IC的功能部件(例如二極管功能部件)連接，IC的剩余部件需要與第一接觸表面12絕緣,這是電絕緣層32的用涂。在這個階段，引線框10可以用任何適當(dāng)?shù)姆绞椒蛛x成獨立化的 (individualized)分立半導(dǎo)體封裝，例如通過劃(dicing)、切(cutting)或鋸(sawing)。 這一點沒有被明確的示出。在獨立化之后，如圖4所示，為分離的分立半導(dǎo)體封裝的接觸表面12和22提供可軟焊的鍍層40，以最終完成分離的分立半導(dǎo)體器件封裝100?？梢杂萌魏芜m當(dāng)?shù)姆绞降氖┘渝儗?0，例如可以使用滾鍍(barrel plating)或者備選地?zé)o電鍍 (electroless plating)0在圖4中，僅作為非限制性示例，分立半導(dǎo)體器件20的第二接觸表面22僅部分地被鍍層40覆蓋。應(yīng)該理解，也可以利用鍍層40覆蓋整個接觸表面22。這典型地由分立半導(dǎo)體器件20的尺寸決定?？梢圆捎枚喾N適當(dāng)?shù)姆绞綄嵤┙柚綀D1-3描述的工藝步驟，下面借助附圖5-12 給出這些方式的非限制性示例。圖5示出了在前述具有凸出接觸部12的引線框10上放置管芯20。引線框10可以包括引線框膠帶31以將引線框的底部電絕緣。在將管芯20放置在引線框10上之后，可以利用保護性樹脂30對得到的結(jié)構(gòu)進行模制，以使得第一接觸表面12和第二接觸表面22 保持暴露。優(yōu)選地，模制步驟是借助于箔的模制步驟，其中，在模制過程中利用箔(未示出) 來保護第一接觸表面12和第二接觸表面22，以避免這些接觸表面被污染。在模制步驟后， 引線框膠帶31可以被去除并替換為如圖3所示的電絕緣層32，例如Lintec Corporation, Japan銷售的膠帶，從而將引線框的底部電絕緣。從前面的內(nèi)容可以看出，可以對工藝流程進行多種變型。在第一非限制性示例中，可以如圖7所示將引線框10分成條帶(strip)34?？梢杂萌魏芜m當(dāng)?shù)姆绞綄崿F(xiàn)這一點，例如采用劃、鋸、激光切割等等。如圖8示意性所示，可以將條帶34順序堆疊(應(yīng)該理解，為了清楚示出的目的，條帶34示出為彼此分開；實際上這些條帶；34是以彼此物理接觸的形式堆疊的)，然后將種子層(seed layer) 36噴涂(sputter) 到要被鍍的表面上，如圖9所示?？梢詫⑷魏芜m當(dāng)?shù)慕饘儆糜谶@種種子層。在實施例中，在形成種子層之前，可以對用于容納該種子層的表面進行例如等離子刻蝕，以增強種子層與表面的粘合。如圖10所示，工藝繼續(xù)進行到鍍接觸(contact plating)步驟，以形成側(cè)面接觸40，然后將條帶分成各個獨立的分立半導(dǎo)體器件封裝100，如圖11所示。應(yīng)該理解，鍍接觸步驟也可以覆蓋第一接觸區(qū)12和第二接觸區(qū)22，例如如圖10所示的。在第二非限制性示例中，如圖12所示，工藝可以從圖6開始繼續(xù)進行，其中將引線框10和安裝的管芯20分成獨立組件50，然后如圖13所示將這些組件放置在框60中?？梢岳弥文z帶70來支撐框60，以改善獨立組件50的固定。在將組件放置在框60中之后，將導(dǎo)電粘劑施加到要被鍍的獨立組件50的表面，然后執(zhí)行鍍接觸步驟，從而最終形成分立半導(dǎo)體器件封裝100?？梢圆捎眠@種方式對組件50的兩個側(cè)面進行鍍敷。應(yīng)該理解，這種鍍敷工藝例如在例如多層片式電容器(chip capacitor)或薄膜電阻等無源組件的生產(chǎn)中是已知。合適的鍍敷材料包括錫、銀、金屬合金以及層堆疊(例如 niAu 涂復(fù)層(niAu finish)、NiPdAu)等。返回圖4時，注意圖4描述了分立半導(dǎo)體器件封裝100的優(yōu)選實施例，其中鍍層40 蓋住了封裝的端部。將借助圖14更詳細地的描述這一點。但是，應(yīng)該理解，鍍層40不必須完全覆蓋住封裝100的端部。備選實施例，例如以下實施例也同樣是可行的鍍層40僅覆蓋相應(yīng)的表面12和22的實施例也是可行的。需要指出的是，利用上述方法可以制造出尺寸不超過0.4X0. 2X0. 2mm(長度X 寬度X高度)的分立半導(dǎo)體器件封裝100。但是，應(yīng)該理解在不偏離本發(fā)明情況下，也可以實現(xiàn)更小尺寸和更大尺寸的封裝。傳統(tǒng)上，將分立半導(dǎo)體器件封裝例如沿著頂部/底部接觸方向安裝在諸如PCB 之類的載體上，其中底部接觸直接接合到載體，頂部接觸是線接合接觸(wire bonding contact)，用于將頂部接觸線接合到載體。提供線接合接觸需要最小面積，該最小面積防止封裝尺寸的減小超出特定的尺寸。不同的是，通過將線接合接觸替換為在分立半導(dǎo)體器件20和引線框10之間的導(dǎo)電粘合層，促進了這種封裝在載體200(例如圖14所示的PCB)上的側(cè)向安裝(sideway mounting)，同時可軟焊的鍍層40提供了從封裝100到外界的接觸。載體200具有第一接觸210和第二接觸220，利用焊劑150將分立半導(dǎo)體器件封裝100焊接到第一接觸210和第二接觸220上。通過提供鍍層40作為分立半導(dǎo)體器件封裝100的端部上的蓋子(cap)， 使得焊劑150能夠從相應(yīng)的接觸210和220垂直地延伸。分立半導(dǎo)體器件封裝100的側(cè)向安裝允許將該封裝應(yīng)用到已被設(shè)計為容納更大形狀系數(shù)組件(例如0603 二極管封裝)的 PCB 上。應(yīng)注意到，上述實施例用于示例性說明而不是限制本發(fā)明，在不偏離所附權(quán)利要求的范圍的情況下，本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員能夠設(shè)計許多可選的實施例。在這些權(quán)利要求中，括號中的任何附圖標記不應(yīng)解釋為限制該權(quán)利要求。術(shù)語“包括”不排除除了那些列舉在權(quán)利要求中的元件或步驟之外的其他元件或步驟。在元件之前的術(shù)語“一”或“一種”不排除存在多個這種元件。可以利用包含多個不同元件的硬件來實現(xiàn)本發(fā)明。在列舉了多個裝置的設(shè)備權(quán)利要求中，這些裝置中的若干裝置可以由同一硬件來實施。在彼此不同的從屬權(quán)利要求中所記載特定的措施不代表不能有利地使用這些措施的組合。
權(quán)利要求
1.一種制造分立半導(dǎo)體器件封裝(100)的方法，包括 提供引線框(10)；在引線框中形成凹部(14)，所述凹部具有實質(zhì)上等于分立半導(dǎo)體器件厚度的深度，其中引線框的與凹部相鄰的凸出部限定了第一接觸區(qū)(12)；將分立半導(dǎo)體器件00)放置在凹部中，其中分立半導(dǎo)體器件00)的有源區(qū)面向下，分立半導(dǎo)體器件的暴露表面0 限定了第二接觸區(qū)；將生成的產(chǎn)品模制在保護層(30)中，使得包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的表面暴露； 用保護性電絕緣層覆蓋與包含第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的表面相對的表面；以及用相應(yīng)的鍍層GO)覆蓋暴露的第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將分立半導(dǎo)體器件OO)放置在凹部(14)中的步驟包括使用導(dǎo)電固定劑將放置的分立半導(dǎo)體器件與引線框(10)互連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中導(dǎo)電固定劑是導(dǎo)電粘合膠或?qū)щ娋惩繉印?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的方法，其中形成凹部的步驟是通過刻蝕或沖壓來執(zhí)行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，其中刻蝕凹部(14)的步驟包括在引線框(10)中刻蝕多個凹部，其中引線框的與每個凹部相鄰的凸出部限定了相應(yīng)的第一接觸區(qū)(12)；并且將分立半導(dǎo)體器件00)放置在凹部(14)中的步驟包括在每個凹部中放置分立半導(dǎo)體器件，分立半導(dǎo)體器件的暴露表面0 限定了相應(yīng)的第二接觸區(qū)；所述方法還包括將引線框(10)分離成各個獨立的分立半導(dǎo)體器件封裝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的方法，分立半導(dǎo)體器件OO)的厚度與凹部(14) 的深度之間的差值小于0. 1mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的方法，其中將生成的產(chǎn)品模制在保護層(30)中的步驟包括用保護箔覆蓋第一接觸區(qū)(1 和第二接觸區(qū)0 ，以防止模制材料形成在第一接觸區(qū)(1 和第二接觸區(qū)0 上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的方法，其中引線框(10)是方形扁平無引線QFN引線框。
9.一種分立半導(dǎo)體器件封裝(100)，包括引線框部(10)，包括凹部(14)，所述凹部(14)具有實質(zhì)上等于分立半導(dǎo)體器件OO) 厚度的深度，其中引線框部的與凹部相鄰的凸出部限定了第一接觸區(qū)(12)；在凹部中的分立半導(dǎo)體器件(20)，其中分立半導(dǎo)體器件的暴露表面0 限定了第二接觸區(qū)；保護層(30)，覆蓋所述引線框部和分立半導(dǎo)體器件，但不覆蓋第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)；另一保護絕緣層，在與包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的表面相對的表面上；和覆蓋第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的相應(yīng)的鍍層GO)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分立半導(dǎo)體器件封裝(100)，其中分立半導(dǎo)體器件OO)通過導(dǎo)電固定劑與引線框部(10)互連。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分立半導(dǎo)體器件封裝(100)，其中導(dǎo)電固定劑是導(dǎo)電粘合膠、導(dǎo)電晶片背涂層或焊接互連。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一項所述的分立半導(dǎo)體器件封裝(100)，其中分立半導(dǎo)體器件00)以其有源側(cè)向下的方式放置在所述凹部(14)中。
13.根據(jù)權(quán)利要求9-12中任一項所述的分立半導(dǎo)體器件封裝(100)，其中分立半導(dǎo)體器件00)的厚度與凹部(14)的深度之間的差值小于0. 1mm。
14.根據(jù)權(quán)利要求9-13中任一項所述的分立半導(dǎo)體器件封裝(100)，其中相應(yīng)的鍍層 (40)分別蓋住分立半導(dǎo)體器件封裝的相應(yīng)的端面。
15.一種載體000)，包括第一載體接觸(210)和第二載體接觸020)，所述載體還包括根據(jù)權(quán)利要求9-14中任一項所述的分立半導(dǎo)體器件封裝(100)，其中第一載體接觸通過相應(yīng)的焊劑部(150)導(dǎo)電地連接到第一接觸區(qū)，第二載體接觸通過相應(yīng)的焊劑部(150)導(dǎo)電地連接到第二接觸區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種分立半導(dǎo)體器件封裝(100)，包括引線框部(10)，引線框部(10)包括凹部(14)，所述凹部(14)具有實質(zhì)上等于分立半導(dǎo)體器件(20)的厚度的深度，其中引線框部的與凹部相鄰的凸出部限定了第一接觸區(qū)(12)；在凹部中的分立半導(dǎo)體器件(20)，其中分立半導(dǎo)體器件的暴露表面(22)限定了第二接觸區(qū)；保護層(30)，覆蓋引線框部和分立半導(dǎo)體器件，但不覆蓋第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)；以及覆蓋第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的相應(yīng)的鍍層(40)。本發(fā)明還披露了一種制造這種封裝的方法和一種包含這種封裝的載體。
文檔編號H01L21/60GK102468194SQ20111035841
公開日2012年5月23日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月12日
發(fā)明者保羅·戴克斯特拉, 斯文·瓦爾奇克, 洛爾夫·安科約科伯·格羅恩休斯, 艾米勒·德·布魯因 申請人:Nxp股份有限公司