專利名稱：半導(dǎo)體器件及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種半導(dǎo)體器件及其形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件不斷向高密度、高集成化以及高性能方向發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)也不斷向深微米方向發(fā)展，對制造工藝和材料提出了更高的要求。目前在半導(dǎo)體制造工藝中，為了連接各個(gè)部件構(gòu)成集成電路，通常使用具有相對高導(dǎo)電率的金屬材料例如銅進(jìn)行布線，也就是金屬布線。而用于金屬布線之間連接的通常為導(dǎo)電插塞。現(xiàn)有導(dǎo)電插塞通過通孔工藝或雙鑲嵌工藝形成。在現(xiàn)有形成銅布線或?qū)щ姴迦倪^程中，通過刻蝕介質(zhì)層形成溝槽或通孔，然后于溝槽或通孔中填充導(dǎo)電物質(zhì)。然而，當(dāng)特征尺寸達(dá)到32納米及以下的工藝的時(shí)候，在制作銅布線或?qū)щ姴迦麜r(shí)，為防止RC效應(yīng)，須使用超低介電常數(shù)(Ultra low k，ULK)的介電材料作為介質(zhì)層(所述超低k為介電常數(shù)小于等于2.5)。更多關(guān)于ULK的技術(shù)方案可參考申請?zhí)枮閁S201113023315的美國專利申請。在半導(dǎo)體器件的后段制作過程中，在制作銅金屬布線過程中采用超低k介質(zhì)層的工藝如圖1至圖4所示。如圖1所示，提供半導(dǎo)體襯底10，所述半導(dǎo)體襯底10上形成有如晶體管、電容器、導(dǎo)電插塞等結(jié)構(gòu)；在半導(dǎo)體襯底10上形成刻蝕阻擋層20 ;在刻蝕阻擋層20上形成超低k介質(zhì)層30 ;在超低k介質(zhì)層30上形成抗反射層(BARC) 40 ;在抗反射層40上涂覆光刻膠層50 ;經(jīng)過曝光顯影工藝，在光刻膠層50上定義出開口的圖案。如圖2所示，以光刻膠層50為掩膜，沿開口的圖案刻蝕超低k介質(zhì)層30至露出半導(dǎo)體襯底10，形成溝槽60。如圖3所示，去除光刻膠層50和抗反射層40 ;用濺鍍工藝在超低k介質(zhì)層30上形成銅金屬層70，且所述銅金屬層70填充滿溝槽。如圖4所示，采用化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP)平坦化銅金屬層70至露出超低k介質(zhì)層30,形成金屬布線層70a。但是現(xiàn)有技術(shù)在超低k介質(zhì)層中形成金屬布線或?qū)щ姴迦麜r(shí),超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)k值會發(fā)生漂移，從而導(dǎo)致超低k介質(zhì)層電容值發(fā)生變化(如超低k介質(zhì)層的電容比低k介質(zhì)層電容高出40% )，使半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重問題。因此，如何在制作金屬布線層或?qū)щ姴迦麜r(shí)，防止超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)k值發(fā)生漂移就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，防止在制作金屬布線層或?qū)щ姴迦麜r(shí)，超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)k值發(fā)生漂移，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性問題。
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括步驟:提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層，所述保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括:2.2 2.5，所述保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)；依次刻蝕所述保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出所述半導(dǎo)體襯底，形成溝槽；在所述溝槽中填充滿金屬層；對所述金屬層進(jìn)行平坦化處理，并去除部分保護(hù)層，剩余的保護(hù)層的上表面與金屬層的上表面齊平?？蛇x地，所述超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)為小于或等于2.5。可選地，所述超低k介質(zhì)層的材料為SiOCH?？蛇x地，所述保護(hù)層的材料包括氮化硼?？蛇x地，所述保護(hù)層的厚度范圍包括250A 1000A?？蛇x地，所述剩余的保護(hù)層的厚度大于或等于50 A?？蛇x地，所述金屬層的材料包括銅。可選地，所述半導(dǎo)體器件的形成方法還包括:在形成溝槽之前，在所述保護(hù)層上依次形成絕緣層、抗反射層和光刻膠層；對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，形成開口圖形；以所述光刻膠層為掩模，沿開口圖形依次刻蝕所述抗反射層、絕緣層、保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出所述半導(dǎo)體襯底，形成溝槽；在所述溝槽中填充滿金屬層之前，依次去除所述光刻膠層和抗反射層；在對所述金屬層進(jìn)行平坦化處理時(shí)，去除所述絕緣層。可選地，所述半導(dǎo)體器件的形成方法還包括:在形成溝槽之前，在所述保護(hù)層上依次形成抗反射層和光刻膠層；對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，形成開口圖形；以所述光刻膠層為掩模，沿開口圖形依次刻蝕所述抗反射層、保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出所述半導(dǎo)體襯底，形成溝槽；在所述溝槽中填充滿金屬層之前，依次去除所述光刻膠層和抗反射層。為了解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:半導(dǎo)體襯底；依次位于所述半導(dǎo)體襯底上的刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層，所述保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括:2.2 2.5，所述保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)；位于所述半導(dǎo)體襯底上，且依次被所述保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層所包圍的金屬布線層或?qū)щ姴迦??？蛇x地，所述保護(hù)層的材料包括氮化硼。可選地，所述保護(hù)層的厚度范圍大于或等于50 A且小于1000A?？蛇x地，所述超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)為小于或等于2.5?？蛇x地，所述超低k介質(zhì)層的材料為SiOCH。可選地，所述金屬布線層或?qū)щ姴迦牟牧习ㄣ~。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):在形成半導(dǎo)體器件時(shí)，在超低k介質(zhì)層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括2.2 2.5，且所述保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)，并在溝槽中填充滿金屬層后，對金屬層進(jìn)行平坦化處理的過程中去除部分保護(hù)層，使剩余的保護(hù)層的上表面與所述金屬層的上表面齊平，即在使金屬層的上表面平坦化的過程中，不直接接觸超低k介質(zhì)層，從而不會對超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)造成影響，避免了超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)發(fā)生漂移的可能性；且剩余的保護(hù)層的介電常數(shù)與超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)相對應(yīng)，不影響半導(dǎo)體器件的性能，最終提高了半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性。


圖1至圖4為現(xiàn)有技術(shù)形成包含超低k介質(zhì)層的金屬布線的示意圖；圖5是本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法具體實(shí)施方式
流程示意圖；圖6至圖14是本發(fā)明實(shí)施例一半導(dǎo)體器件的形成方法的示意圖；圖15至圖19是本發(fā)明實(shí)施例二半導(dǎo)體器件的形成方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。在深亞微米以下的工藝，在后段工藝中制作金屬布線層或?qū)щ姴迦麜r(shí)，采用超低k介電材料作為介質(zhì)層過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)由于超低k介質(zhì)層是多孔材料(圖1至圖4所示)，因此在采用CMP工藝平坦化介質(zhì)層的過程中，介質(zhì)層內(nèi)的孔曝露，CMP工藝中使用的雙氧水(H2O2)會反應(yīng)去除超低k介質(zhì)層中的CH3+,導(dǎo)致超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)k值發(fā)生偏移(通常平坦化后k值會由2.5偏移至2.8)，進(jìn)而會導(dǎo)致超低k介質(zhì)層電容發(fā)生變化(比低k介質(zhì)層電容高出40% )，從而導(dǎo)致超低k介質(zhì)層的絕緣效果變差，后續(xù)形成的半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性問題。發(fā)明人針對上述技術(shù)問題，經(jīng)過對原因的分析，不斷研究發(fā)現(xiàn)通過在超低k介質(zhì)層上形成介電常數(shù)位于2.2 2.5且結(jié)構(gòu)致密的保護(hù)層，在溝槽中填充滿金屬層后，對金屬層進(jìn)行平坦化處理的過程中去除部分保護(hù)層，使剩余的保護(hù)層的上表面與所述金屬層的上表面齊平，即在使金屬層的上表面平坦化的過程中，CMP工藝雖然會使剩余的保護(hù)層的介電常數(shù)發(fā)生變化，但卻并不直接接觸超低k介質(zhì)層，從而不會對超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)造成影響，避免了平坦化工藝對超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)的影響，有效防止了超低k介質(zhì)層的k值漂移及電容的大幅變化，保證半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性。圖5為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法具體實(shí)施方式
流程示意圖，如圖5所示，所述半導(dǎo)體器件的形成方法包括:步驟SI，提供半導(dǎo)體襯底；步驟S2，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層，所述保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括:2.2 2.5，所述保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)；步驟S3，依次刻蝕所述保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出所述半導(dǎo)體襯底，形成溝槽；步驟S4，在所述溝槽中填充滿金屬層；步驟S5，對所述金屬層進(jìn)行平坦化處理，并去除部分保護(hù)層，剩余的保護(hù)層的上表面與金屬層的上表面齊平。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。實(shí)施例一圖6至圖11為本發(fā)明形成包含超低k介質(zhì)層的半導(dǎo)體器件的方法的實(shí)施例一示意圖。本實(shí)施例以形成金屬布線層為例，但其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，如還可以用于形成導(dǎo)電插塞等。如圖6所示，提供半導(dǎo)體襯底100。所述半導(dǎo)體襯底100上通常經(jīng)過前段工藝已形成有如晶體管、電容器、金屬布線
層等結(jié)構(gòu)。如圖7所示，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成刻蝕阻擋層200。所述刻蝕阻擋層200作為后續(xù)的刻蝕停止層，以防止刻蝕過程中刻蝕氣體或液體損傷到下面的膜層。本實(shí)施例中，為了與后續(xù)形成的超低k介質(zhì)層更好地匹配，刻蝕阻擋層200 —般選用含氧、氮的碳娃化合物材料；優(yōu)選含氮的碳娃化合物。所示刻蝕阻擋層200的具體形成工藝對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是熟知的，在此不再贅述。如圖8所示，在所述刻蝕阻擋層200上形成超低k介質(zhì)層300。所述超低k介質(zhì)層300的介電常數(shù)可以小于或等于2.5，如:2.2,2.3,2.4或2.5。所述超低k介質(zhì)層300為多孔材料，其材料具體可以為SiOCH，所述SiOCH的原子間間隔較為稀疏。形成超低k介質(zhì)層300的方法可以為化學(xué)氣相沉積法。如圖9所示，在所述超低k介質(zhì)層300上形成保護(hù)層400。所述保護(hù)層400的介電常數(shù)與所述超低k介質(zhì)層300的介電常數(shù)相對應(yīng)。所述保護(hù)層400的介電常數(shù)范圍可以包括:2.2 2.5，如:2.2、2.3、2.4或2.5。具體地，所述保護(hù)層400的材料可以為氮化硼(BN)。由于氮化硼中沒有氣孔，且其介電常數(shù)與超低k介質(zhì)層300的介電常數(shù)相對應(yīng)，因此在后續(xù)平坦化過程中，可以保留一定厚度的保護(hù)層400，保留的保護(hù)層可以保護(hù)超低k介質(zhì)層300的介電常數(shù)不受平坦化工藝的影響。所述氮化硼的厚度范圍可以包括250A 1000A,如:250人、500 A, 800A或IOOOA0所述氮化硼可以采用化學(xué)氣相沉積方法形成，也可以采用現(xiàn)有技術(shù)其他工藝形成，其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。如圖10所示,在所述保護(hù)層400表面形成抗反射層600,且在抗反射層600上旋涂光刻膠層700。所述抗反射層600用以在后續(xù)曝光工藝中保護(hù)下面的膜層，避免下面膜層受到光的影響而改變性質(zhì)。如圖11所示，對所述光刻膠層700進(jìn)行圖案化處理，形成開口圖形；以所述光刻膠層700為掩模，沿開口圖形依次刻蝕所述抗反射層600、保護(hù)層400、超低k介質(zhì)層300和刻蝕阻擋層200至露出所述半導(dǎo)體襯底100，形成溝槽，所述溝槽用以后續(xù)填充形成金屬布線層。
如圖12所示，用灰化工藝等去除光刻膠層700，然后用濕法蝕刻等去除殘留的光刻膠層700和抗反射層600。如圖13所示，在所述溝槽中填充滿金屬層800。本實(shí)施例中，所述金屬層800的材料可以為銅，此時(shí)，在形成金屬層800之前，在溝槽底部還應(yīng)用物理氣相沉積法形成一層銅籽晶層(圖中未示出)，使金屬層800圍繞其生長。如圖14所示，對所述金屬層800進(jìn)行平坦化處理，并去除部分保護(hù)層400，使剩余的保護(hù)層400a的上表面與平坦化處理后金屬層800的上表面齊平。至此，形成金屬布線層800a。為了更好地保護(hù)超低k介質(zhì)層在CMP工藝中不受影響，所述剩余的保護(hù)層400a的厚度可以大于或等于50 A,如:50 A、100 A、200 A或500 A等。此時(shí)，在對金屬層800
的上表面平坦化的過程中，不直接接觸超低k介質(zhì)層300，從而不會對超低k介質(zhì)層300的介電常數(shù)造成影響，避免了超低k介質(zhì)層300的介電常數(shù)發(fā)生漂移的可能性；此外，剩余的保護(hù)層400a的介電常數(shù)與超低k介質(zhì)層300的介電常數(shù)相對應(yīng)，不影響半導(dǎo)體器件的性能，最終提高了半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性。采用本實(shí)施例方法形成的半導(dǎo)體器件，包括:半導(dǎo)體襯底；依次位于所述半導(dǎo)體襯底上的刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層，所述保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括:2.2 2.5，所述保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)；位于所述半導(dǎo)體襯底上，且依次被所述保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層所包圍的金屬布線層或?qū)щ姴迦?其中，所述保護(hù)層的材料可以包括氮化硼。其中，所述保護(hù)層的厚度范圍可以大于或等于50 A且小于1000A。其中，所述超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)可以為小于或等于2.5。其中，所述超低k介質(zhì)層的材料可以為SiOCH。其中，所述金屬布線層或?qū)щ姴迦牟牧峡梢园ㄣ~。實(shí)施例二與實(shí)施例一相比，本實(shí)施例在形成溝槽之前，參考圖15所示，在所述保護(hù)層400上先形成絕緣層500，然后再在所述絕緣層500上依次形成抗反射層600和光刻膠層700 ;參考圖16所示，對所述光刻膠層700進(jìn)行圖案化處理，形成開口圖形，且以所述光刻膠層700為掩模，沿開口圖形依次刻蝕所述抗反射層600、絕緣層500、保護(hù)層400、超低k介質(zhì)層300和刻蝕阻擋層200至露出所述半導(dǎo)體襯底100，形成溝槽；參考圖17所示，在所述溝槽中填充滿金屬層800之前，依次去除所述光刻膠層700和抗反射層600 ;參考圖18所示，在所述溝槽中填充滿金屬層800 ;參考圖19所示，對所述金屬層800進(jìn)行平坦化處理，并去除所述絕緣層500和部分保護(hù)層400，使剩余的保護(hù)層400a的上表面與平坦化處理后金屬層800的上表面齊平。其中，所述絕緣層500的材料可以為TEOS (正硅酸乙酯)。本實(shí)施例其余步驟與實(shí)施例一相同，在此不再贅述。本實(shí)施例在抗反射層600和保護(hù)層400之間增加了一層絕緣層500。所述絕緣層500是一層致密的氧化層，其可以進(jìn)一步改善抗反射層600與保護(hù)層400之間的結(jié)合力。采用本實(shí)施例方法形成的半導(dǎo)體器件與實(shí)施例一形成的半導(dǎo)體器件相同，在此不再贅述。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括步驟: 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層，所述保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括:2.2 2.5，所述保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)； 依次刻蝕所述保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出所述半導(dǎo)體襯底，形成溝槽； 在所述溝槽中填充滿金屬層； 對所述金屬層進(jìn)行平坦化處理，并去除部分保護(hù)層，剩余的保護(hù)層的上表面與金屬層的上表面齊平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)為小于或等于2.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述超低k介質(zhì)層的材料為SiOCH。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料包括氮化硼。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度范圍包括250人 1000人。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述剩余的保護(hù)層的厚度大于或等于50 A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料包括銅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，還包括:在形成溝槽之前，在所述保護(hù)層上依次形成絕緣層、抗反射層和光刻膠層；對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，形成開口圖形；以所述光刻膠層為掩模，沿開口圖形依次刻蝕所述抗反射層、絕緣層、保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出所述半導(dǎo)體襯底，形成溝槽；在所述溝槽中填充滿金屬層之前，依次去除所述光刻膠層和抗反射層；在對所述金屬層進(jìn)行平坦化處理時(shí)，去除所述絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，還包括:在形成溝槽之前，在所述保護(hù)層上依次形成抗反射層和光刻膠層；對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，形成開口圖形；以所述光刻膠層為掩模，沿開口圖形依次刻蝕所述抗反射層、保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出所述半導(dǎo)體襯底，形成溝槽；在所述溝槽中填充滿金屬層之前，依次去除所述光刻膠層和抗反射層。
10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括: 半導(dǎo)體襯底； 依次位于所述半導(dǎo)體襯底上的刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層；所述保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括:2.2 2.5，所述保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)； 位于所述半導(dǎo)體襯底上，且依次被所述保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層所包圍的金屬布線層或?qū)щ姴迦?br> 11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述保護(hù)層的材料包括氮化硼。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度范圍大于或等于50 A且小于ΙΟΟΟΑ。
13.如權(quán)利要求 ο所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述超低k介質(zhì)層的介電常數(shù)為小于或等于2.5。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述超低k介質(zhì)層的材料為SiOCH。
15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬布線層或?qū)щ姴迦牟牧习ㄣ~。`
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件及其形成方法。所述形成方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上依次形成刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層，保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括2.2～2.5，保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)；依次刻蝕保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出半導(dǎo)體襯底，形成溝槽；在溝槽中填充滿金屬層；對金屬層進(jìn)行平坦化處理，并去除部分保護(hù)層，剩余的保護(hù)層的上表面與金屬層的上表面齊平。所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底；依次位于半導(dǎo)體襯底上的刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層；位于半導(dǎo)體襯底上，且依次被保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層所包圍的金屬布線層或?qū)щ姴迦?。本發(fā)明可以提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性。
文檔編號H01L23/532GK103107125SQ20111035830
公開日2013年5月15日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者周鳴 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司