專利名稱：封裝裝置及電子設備的制作方法
技術領域：
本申請總體上涉及封裝裝置(packaged device)及用于制造這種裝置的方法。更特別地，本申請涉及高壓封裝裝置及用于制造所述高壓封裝裝置的方法和使用所述高壓封裝裝置的方法。
背景技術：
包含一個或多個集成電路(IC)或者其它電子元件的封裝件廣泛地用在各種電子設備中。通常，裝置(或者芯片)組成一個完整的或部分最小化的電子電路。裝配工序中的一個接近終了的步驟形成了用于保護裝置免受環(huán)境危害的封裝件。在已形成封裝件之后，封裝件(或者封裝裝置)經常用在不斷增長的各種電子應用中，例如用在計算機裝置、通信設備等中。根據應用的類型，封裝件可能需要能夠在相對高的工作電壓下起作用而未遭受電壓擊穿。

發(fā)明內容
本申請涉及封裝裝置及用于制造所述封裝裝置的方法和使用所述封裝裝置的方法。通常，封裝裝置包括一個或多個電路元件，諸如晶粒(die，裸片)，所述晶粒附接至具有第一引線、第二引線、以及第三引線的引線框。電路元件的一部分和引線框封裝在模塑的殼體中，從而使得第一引線從殼體的第一端露出，同時使得第二引線和第三引線(并且在一些應用中，是一根或多根額外的和/或單獨的引線)從殼體的第二端露出。在一些構造中，封裝裝置不包括既電連接至第一引線又從模塑的殼體的第二端露出的第四引線。在其它構造中，在模塑的殼體中從第二引線延伸至第三引線的區(qū)域包含具有大致均一的導電率的絕緣材料。因此，封裝裝置在第一引線與第二引線和第三引線之間具有相對大的爬電 (creepage)距離和間隙距離。結果，封裝裝置能夠在相對高的工作電壓下工作而未遭受電壓擊穿。


根據圖能更好地理解以下描述，圖中圖IA示出了三管腳(three-pin)高壓封裝裝置的一些實施例的側視圖，其中將模塑的殼體示出為透明的；圖IB示出了封裝裝置的一些實施例的透視圖；圖2A示出了與高壓封裝裝置一起使用的引線框和晶粒的一些實施例的俯視圖；圖2B示出了用于與高壓封裝裝置一起使用的引線框的一些實施例的側視圖；圖3示出了在模塑的殼體中包含一凹槽的高壓封裝裝置的一些實施例的透視圖， 所述凹槽使第一引線的一部分從殼體的側面露出。圖4示出了高壓封裝裝置的一些實施例的俯視圖，所述高壓封裝裝置沒有電連接至第一引線的中央引線；
圖5示出了高壓封裝裝置的一些實施例的俯視圖，其中所述裝置包括未從模塑的殼體向外露出的中央引線；圖6示出了高壓封裝裝置的一些實施例的俯視圖，其中所述裝置包括從模塑的殼體露出但與第一引線電隔離的中央引線；圖7示出了用于制造高壓封裝裝置的方法的一些實施例；圖8A示出了現有技術D2PAK裝置的透視圖；圖8B示出了高壓封裝裝置的一些實施例的透視圖；圖9示出了現有技術引線框條帶的俯視圖；以及圖10示出了與高壓封裝裝置一起使用的引線框條帶的一些實施例的俯視圖。這些圖示出了所描述的高壓封裝裝置和用于制造這種裝置的方法的特定方面。連同以下描述，這些圖展示并解釋了在此所描述的方法的原理、原理、以及所生產的結構。在圖中，為了清晰起見，層和區(qū)域的厚度可能被放大。另外，還應理解的是，當一個層、部件、或者基板被稱為在另一個層、部件、或者基板“之上”時，它能夠直接位于其它層、部件、或者基板之上，或者還可能存在中間層。不同的圖中的相同的參考標號代表相同的元件，且因此將不再重復對它們的描述。
具體實施例方式為了提供全面的理解，以下描述提供了特定細節(jié)。然而，本領域普通技術人員應理解的是，所描述的高壓封裝裝置及制造和使用所述裝置的相關方法能在不采用這些特定細節(jié)的情況下實施和使用。事實上，所述封裝裝置及相關方法能通過改變所示出的裝置和方法而付諸實施，并能與通常用在工業(yè)中的任何其它設備和技術結合使用。例如，雖然以下描述聚焦在用于制造和使用D2PAK和DPAK裝置中所使用的高壓封裝裝置上，但是能將它改變成用于任何其它適當的裝置，例如整流器、TVS、或者任何其它適當的其中能去除引線以提高相鄰引線之間的絕緣電壓的電裝置。并且雖然所描述的裝置被稱為高壓裝置，但是應理解的是，它們能夠在較低電壓下工作。如所提及的，本申請論述了能夠在相對高的電壓下起作用而未遭受由于電弧放電、感應、飛弧等所引起的電壓擊穿的封裝裝置。所述高壓封裝裝置包括從模塑的殼體的第一端露出的第一引線以及從殼體的第二端露出的第二引線和第三引線。在一些構造中，所描述的封裝裝置不包括電耦接至第一引線且從殼體的第二端向外露出的第四引線。例如， 雖然封裝裝置可能具有從殼體的第二端延伸的一根或多根額外的引線(除了第二引線和第三引線之外)，但是在這些實施方式中，額外的引線與第一引線電隔離。由于沒有既電耦接至第一引線又從殼體的第二端延伸的這種第四引線，因此所描述的封裝裝置在第一引線與任何其它封裝件引線之間能具有相對長的電壓爬電距離和電壓間隙距離，允許所述裝置在相對高的工作電壓下起作用。術語電壓爬電可以是指兩個導電元件之間的絕緣材料的表面上的最短距離。同樣，術語電壓間隙可以是指穿過兩個導電元件之間的空氣的最短距離。雖然所描述的高壓封裝裝置能包括其它已知的元件，但是圖IA示出了一些實施例，其中高壓封裝裝置(或者封裝裝置)10包括電路元件(例如，晶粒15)和引線框20。并且圖IB示出了其它實施例，其中封裝裝置10也包括第一引線25、第二引線30、第三引線35、以及具有第一端45和第二端50的模塑的殼體40。關于電路元件(例如，晶粒1 ，高壓封裝裝置10能包括任何適當數量的電路元件。另外，電路元件能包括本領域已知的任何適當的電路元件。在這點上，適當的電路元件的一些實例包括一個或多個晶粒、半成品、電阻器、整流器、二極管、TVS、兩端交流開關元件、三端雙向可控硅開關元件、SCS、SCR、由兩個以上的裝置組成的三管腳電路、和/或任何其它適當的裝置。事實上，在一些實施例中，電路元件包括晶粒。當電路元件包括半導體晶粒15時，該晶?？梢杂杀绢I域已知的任何適當的半導體材料制成。在這點上，這種半導體材料的一些實例包括硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵、鍺、及
其組合。晶粒15能由任何適當數量和/或類型的集成電路(IC)裝置組成。具體地，這種 IC裝置的一些實例能包括但不限于晶體管(例如，雙極結晶體管(BJT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、隔離柵場效應晶體管(IGFET)、和/或任何其它類型的晶體管)、邏輯或者數字IC裝置、線性調節(jié)器、聲頻功率放大器、LD0、驅動器IC、二極管(例如，穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、小信號二極管等等)、存儲器(例如，RAM)、模擬電路、電源電路、處理器、保護裝置(例如，TVS、變阻器等等)、和/或觸發(fā)裝置(例如，三端雙向可控硅開關、兩端交流開關元件、SCS、SCR等等)。在一些實施例中，所述裝置包括一個或多個晶體管或者從M0SFET、BJT、兩端交流開關元件、二極管、整流器、TVS、電阻器等等中選擇的其它部件。晶粒15上的裝置能包括任何適當的特征，包括但不限于接合焊盤。例如，當晶粒包括BJT時，BJT能包括連接至它的集電極區(qū)、基極區(qū)、以及發(fā)射極區(qū)(未示出)的接合焊盤。另外，當晶粒包括MOSFET時，MOSFET能包括連接至它的漏極區(qū)、柵極區(qū)、以及源極區(qū) (未示出)的接合焊盤。如果晶粒包括無源電元件，諸如電阻器，在一些實例中，接合焊盤能連接至電阻器的任一端，而不需要考慮極化或者特化。關于引線框20，它可以由任何適當的引線框材料制成，包括組合基板或者基于標準引線框的材料，例如銅、合金42、或者銅合金。由于基于標準引線框的材料可能比一些組合基板便宜，因此引線框的一些實施例包括標準引線框材料。引線框20能具有任何本領域已知的特征。在一些實施例中，引線框可選地包括金屬鍍覆層(未示出)。在此類實施例中，金屬鍍覆層可包括NiPdAu、粘附子層、導電子層、防氧化層、和/或任何其它適當的金屬鍍覆。例如，引線框可包括含有粘附子層和可濕性子層 /保護子層的鍍覆。在其它實施例中，引線框可選地包括通過鍍覆和/或其它方法而變得粗糙或者產生毛邊的一個或多個表面，以增強模塑的復合物與晶粒附接(die-attach)環(huán)氧之間的鎖定和/或增強引線與印刷電路板(PCB)之間的鎖定。在另外其它實施例中，引線框可選地電鍍或者以其它方式涂覆有可軟焊的導電材料層，諸如錫、金、鉛、銀、和/或其它可軟焊的材料。弓丨線框20還能包括本領域已知的任何元件。例如，引線框能包括任何適當數量的引線框部分。以非限定性的圖示的方式，圖2A和圖2B示出了一些實施例，其中引線框20包括第一引線框部分陽，包括第一引線25和晶粒附接焊盤60 ；以及第二引線框部分65，包括第二引線30和第三引線35。雖然圖2A示出了附接至額外的引線框材料的第一引線25、 第二引線30和第三引線35，但是本領域普通技術人員將認識到能以任何適當的方式(例如通過沖壓、切割、蝕刻等等)且在任何適當的位置(包括但不限于在虛線處)去除多余的材料。第一引線25能具有任何允許它從模塑的殼體40的第一端45向外露出且另外作為用于封裝件的引線的結構。在一個實例中，圖2A(和圖1B)示出了一些實施例，其中第一引線25(其也可被稱為突起(tab)或者接合焊盤)大致在封裝裝置10的寬度W上延伸。在另一實例中，第一引線可選地包括安裝孔和/或延伸的金屬突起，以用于高功率耗散。在再一實例中，第一引線25能電耦接至電路元件(例如，晶粒15)的任何適當的區(qū)。例如，當電路元件包括具有BJT或者MOSFET的晶粒時，第一引線能以任何本領域已知的方式(包括通過使用焊接和/或引線接合法)分別電耦接至晶粒的集電極區(qū)或者漏極區(qū)。 類似地，當電路元件包括SCR或者三端雙向可控硅開關元件時，第一引線能電連接至SCR或者三端雙向可控硅開關元件的陽極區(qū)。而且，當電路元件包括一個或多個電阻器、整流器、 二極管、晶體管、SCR、三端雙向可控硅開關元件、和/或電路或網絡中的其它電裝置時，第一引線能電耦接至電路或者網絡的適當節(jié)點。第二引線30和第三引線35能具有任何允許它們在殼體40的第二端50處向外露出且另外允許它們作為引線的構造。在一種構造中，圖2A示出了一些實施例，其中第二引線30和第三引線35包括細長的條帶(strip)。在另一構造中，圖IB示出了能彎曲第二引線30和第三引線35，以接觸印刷電路板(PCB)或者其它適當的基板。在再一構造中，第二引線30和第三引線35能電耦接至電路元件(例如，晶粒15)。 例如，當電路元件包括具有BJT的晶粒時，第二引線和第三引線能各自電耦接至晶粒的不同區(qū)，從而使得一根引線耦接至基極區(qū)，而另一根引線耦接至發(fā)射極區(qū)。類似地，當電路元件包括具有MOSFET的晶粒時，第二引線和第三引線能各自電耦接，從而使得一根引線耦接至晶粒的柵極區(qū)，而另一根引線耦接至源極區(qū)。另外，當電路元件包括電阻器、TVS、或者其它適當的元件時，電路元件的一根引線能連接至第二引線30和第三引線35，并且另一根元件引線能連接至封裝裝置的第一引線25。另外，當電路元件包括SCR或者三端雙向可控硅開關元件時，第二引線能電耦接至SCR的柵極區(qū)或者三端雙向可控硅開關元件的柵極區(qū)， 并且第三引線能電耦接至SCR或者三端雙向可控硅開關元件的陰極區(qū)。另外，當電路元件包括一個或多個電阻器、整流器、二極管、晶體管、SCR、三端雙向可控硅開關元件、和/或電路或者網絡中的其它裝置時，第二引線和第三引線能各自電耦接至電路或者網絡的適當節(jié)點ο第二引線30和第三引線35能以本領域已知的任何方式(包括通過使用焊接和/ 或引線接合法)電耦接至電路元件(例如，晶粒15)。例如，圖2A示出了一些實施例，其中第二引線30和第三引線35通過使用接合線70電耦接至晶粒15。關于模塑的殼體40，它能構造成使得它包圍電路元件(例如，晶粒15)，同時保持第一引線25、第二引線30、以及第三引線35的一部分向外露出。模塑的殼體能包括任何適當的封裝材料，包括環(huán)氧模塑料、熱固性樹脂、熱塑性材料、陶瓷制造材料、或者其組合。在一些實施例中，然而，模塑的殼體包括環(huán)氧模塑料。模塑的殼體40能以本領域已知的任何方式成型，包括通過傳遞模塑工藝、薄膜輔助模塑工藝、和/或壓縮模塑工藝。在其它實施例中，能改變封裝裝置10。圖3示出了一些實施例，其中模塑的殼體 40可選地限定凹槽部分75，所述凹槽部分允許將第一引線25的一部分插入到裝置10中， 從而使得第一引線25在裝置10的側面80上向外露出。在裝置的側面上露出的第一引線的量能改變成任何適當的量，并出于任何適當的原因。例如，能改變在封裝裝置的側面上露出的第一引線的量，以增大和/或減小第一引線25與第二引線30和第三引線35之間的爬電距離而不需要明顯改變裝置的底座(footprint)。另外，可改變從裝置的側面露出的第一引線的量，以增大或者減小用于將封裝裝置耦接至PCB或者其它基板的焊料嵌條(solder fillet)的尺寸。類似地，能改變從封裝裝置的側面露出的第一引線的量，以適應多個不同的加工工藝和工業(yè)標準(即，對于D2PAK裝置的JEDEC標準)。例如，能改變從裝置的側緣露出的第一引線的量，以允許第一引線從裝置的本體彎向PCB。如上所述地，雖然封裝裝置10包括從模塑的殼體40的第一端45向外露出的第一引線25以及從殼體的第二端50露出的第二引線30和第三弓丨線35，但是所述裝置不包括電耦接至第一引線且從殼體的第二端向外露出的額外的(或者第四)引線。因此，封裝裝置能具有任何允許它不向外露出同時電耦接至相同的內部接線(connection)的兩根引線的構造。在這種構造的一個實例中，圖4示出了一些實施例，其中封裝裝置10具有由第一引線25、第二引線30、以及第三引線35組成的三根引線。在這些實施例中，封裝裝置不包括任何布置在第二引線與第三引線之間的導電元件。即便如此，在一些實施例中，第二引線 30和第三引線35可出于任何原因(包括允許封裝裝置處理更高的電流和/或滿足任何其它適當的電需求)在內部連接至相同的點。在任何情況下，第二引線與第三引線之間的區(qū)域典型地填充有具有大致均一的導電水平的絕緣材料(例如，模塑)。因此，由于在第二引線與第三引線之間未設置任何引線或者其它導電材料，因此封裝裝置可具有相對長的電壓爬電距離和電壓間隙距離。在封裝裝置10的一些實施例中，第二引線30與第三引線35之間的爬電和間隙使得，除了第一引線25與其它兩根引線之間的高壓之外，高壓能存在于第二引線與第三引線之間。在封裝裝置10的一種構造的另一實例中，圖5示出了一些實施例，其中封裝裝置 10包括電耦接至第一引線25的額外的引線或者中央引線85。圖5示出了在這種實施例中， 模塑的殼體40延伸(如由虛線部分90示出的)成完全封住中央引線85。如此，封裝裝置可包括中央引線，所述中央引線能用于在組裝過程中保持裝置，同時具有比裝置包括電耦接至第一引線的向外露出的中央引線時所能具有的更大的電壓爬電和/或間隙距離。圖6示出了一種構造的另一實例，在此封裝裝置10具有向外露出但未電耦接至第一引線25的中央引線85。在這些實施例中，裝置10包括從第一引線25切斷的或者通過其它方式與第一引線電隔離的中央引線85。如此，此裝置能包括中央引線，同時仍確保第一引線與第二引線和第三引線之間的電壓爬電或間隙距離在尺寸上足以允許封裝裝置在期望的工作電壓下起作用。在這些實施例中，當保留中央引線但未連接至第一引線25時，中央引線能用于任何適當的目的，包括作為用于第四引線電路(例如，SCS (硅控開關)、PUT (可編程單結晶體管)、ESBC(發(fā)射極開關BJT/M0SFET級聯))、或者可使用模塑的殼體來封裝更復雜的功能元件或者裝置的IC的連接點。第一引線25與第二引線30或者第三引線35之間的電壓爬電和/或間隙距離能夠是任何允許封裝裝置10按照所預期地起作用的適當距離。在一些實施例中，裝置上的最小電壓爬電距離能在約2mm到約5mm的范圍內變化。在其它實施例中，裝置上的最小電壓爬電距離能在約5mm到約8mm的范圍內變化。在另外的其它實施例中，第一引線與第二引線或者第三引線之間的最小電壓爬電距離能夠是約6. 3mm或者約6. 35mm。在另外的其它實施例中，能出于多種因素改變最小電壓爬電距離，包括工作電壓、將使用封裝裝置的濕度、 安全規(guī)程等等。封裝裝置10能在任何適當的工作電壓下起作用。在一些實施例中，封裝裝置能在從小于約0. 1伏特到大于約2. 5KV之間變化的一電壓下工作。事實上，在一些實施例中，封裝裝置能在高達從約1. 8KV、約2KV、約2. 5KV、以及約2. 8KV中選擇的一電壓下工作。在一些實施例中，封裝裝置還能在低至從約0. IV、約0. 5KV、約1. 8KV、以及約2KV中選擇的一電壓下工作。然而，在一些實施例中，其中將封裝裝置用在開關裝置中，當電路元件(例如，晶粒15上的BJT)導電時，封裝裝置必須能夠承受0. IV左右，并且當切斷封裝裝置時，高達約 2. 5KV。然而，在另外的其它實施例中，封裝裝置能夠在約1. 8KV到約2. 5KV之間工作。在此所描述的封裝裝置10能以形成所述結構的任何方式來制造。圖7示出了用于制造封裝裝置10的方法的一些實施例。雖然圖7示出了一特定方法100，但是能以允許生產所描述的封裝裝置的任何適當的方式重新布置、增加、縮短、或者通過其它方式改變該方法。圖7中示出的方法100起始于方框105，在此能通過提供一個或多個電路元件(例如，晶粒1 而開始所述方法，所述電路元件通常具有接合焊盤。方框110示出了通過提供引線框20來繼續(xù)所述方法。接下來，方框115示出了能通過任何適當的已知技術使電路元件(例如，晶粒15)和引線框彼此附接。一旦將電路元件(例如，晶粒15)附接至引線框20， 方框120示出了當將電路元件的一部分和引線框封裝在模塑的殼體40中時繼續(xù)方法100。最后，方框125示出了方法100不包括形成既電連接至第一引線又從模塑的殼體的第二端露出的第四引線。即便如此，在未示出的實施例中，封裝裝置的外部管腳可包括電耦接至相同的內部接線(例如，連接至大功率元件(諸如整流器)，并與第一引線隔離)的兩根或更多根向外露出的引線(例如，第二引線30、第三引線35、和/或中央引線85)。在這些實施例中，在殼體內，可在內部縮短第二引線30、第三引線35、和/或中央引線85。能以任何已知的方式執(zhí)行由方框125描述的方法的部分，包括以下三個步驟。第一，不形成布置在第二引線30與第三引線35之間的引線。第二，完全封裝電耦接至第一引線25且至少部分地布置在第二引線與第三引線之間的任何引線(例如，中央引線85)。以及第三，將第一引線與布置在第二引線與第三引線之間的任何其它引線(或者導電材料) 隔尚。在此所描述的封裝裝置10呈現出幾個特征。第一，所描述的封裝裝置比某些傳統(tǒng)的D2PAK裝置可具有更長的電壓爬電和/或間隙距離。例如，不像圖8A中的D2PAK裝置 130，所述裝置包括電耦接至D2PAK的第一引線140且在D2PAK的第二引線145與第三引線 150之間向外露出的短中央引線135，圖8B中的封裝裝置10在它的第一引線25 (或者連接至第一引線的任何可能引線)與它的第二引線30和第三引線35之間具有較長的電壓爬電和間隙距離。第二，不像圖9中示出的現有技術引線框條帶155，圖10中示出的用在封裝裝置 10的一些實施例中的引線框條帶160在第二引線30與第三引線35之間不需要包括中央引線(如圖9中的165所示)。因此，在此所描述的封裝裝置比一些傳統(tǒng)的D2PAK和DPAK裝置可具有更高的電壓擊穿點。例如，盡管一些現有技術D2PAK和T0-220裝置上的最小引線間距可小到約1. 52mm，但是如上所述地，在所描述的封裝裝置的一些實施例上的最小引線間距可更小。因此，當一些傳統(tǒng)的D2PAK和T0-220封裝件能夠在高達800V左右下工作時， 如上所述地，所描述的封裝裝置的一些實施例能夠在更高的電壓下工作。作為邊注，圖8A中的中央引線135可用于多種原因。例如，中央引線135能可用于在裝置130的組裝過程中為第一引線140提供支撐。在另一實例中，當通過熱糊(絕緣的)將裝置130安裝至散熱片時，或者當使用者未將第一引線135焊接至PCB而是將它用螺栓旋緊至PCB時，中央引線135可提供與第一引線140的電連接。相反，由于所描述的封裝裝置的一些實施例不包括這種中央引線，因此這些實施例沒有這些特征。在此所描述的封裝裝置的第三特征在于，它們能夠通過能用于生產傳統(tǒng)的D2PAK 和DPAK裝置的基本相同的處理和封裝件布置設備來制造。在此所描述的封裝裝置的第四特征在于，與傳統(tǒng)的D2PAK和DPAK裝置相似的底座。因此，所描述的封裝裝置能取代傳統(tǒng)的D2PAK和DPAK裝置用在PCB上而基本不需要改變PCB。在這點上，封裝裝置能包括改良的D2PAK或DPAK裝置。在此所描述的封裝裝置的第五特征在于，能自動進行它們的表面安裝。第六特征在于，由于所描述的封裝裝置能在相對高的電壓下工作，因此它們能用在一些某些傳統(tǒng)的 D2PAK和DPAK裝置沒有足夠的電壓擊穿的高壓應用中(諸如用在智能電表、智能斷路器、風車、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、電源、鎮(zhèn)流器等等中)。在一些實施例中，本申請設計一種用于形成封裝裝置的方法，包括提供電路元件；提供包括三根引線的引線框；將電路元件附接至引線框；在電路元件的至少一部分和引線框周圍形成模塑的殼體，從而使得第一引線從模塑的殼體的第一端露出，并且使得第二引線和第三引線從模塑的殼體的第二端露出，其中，第二端與第一端相對地布置，且未形成既電耦接至第一引線又從模塑的殼體的第二端露出的第四引線。在此方法中，電路元件可包括晶體管。在此方法中，晶體管包括M0SFET，并且其中，第一引線電耦接至MOSFET的漏電區(qū)，第二引線電耦接至MOSFET的柵極區(qū)，并且第三弓I線電連接至MOSFET的源極區(qū)。在此方法中，晶體管包括BJT，并且其中，第一引線電耦接至BJT的集電極區(qū)，第二引線電耦接至BJT的基極區(qū)，并且第三引線電耦接至BJT的發(fā)射極區(qū)。在此方法中，電路元件包括SCR 或者三端雙向可控硅開關元件，并且第一引線電耦接至SCR的陽極區(qū)或者三端雙向可控硅開關元件的陽極區(qū)，第二引線電耦接至SCR的柵極區(qū)或者三端雙向可控硅開關元件的柵極區(qū)，并且第三引線電耦接至SCR的陰極區(qū)或者三端雙向可控硅開關元件的陰極區(qū)。在此方法中，電路元件包括從電路或者網絡中的電阻器、整流器、二極管、晶體管、SCR、以及三端雙向可控硅開關元件中選擇的裝置，并且其中，第一引線電耦接至電路或者網絡的適當電節(jié)點，第二引線電耦接至電路或者網絡的適當電節(jié)點，并且第三引線電耦接至電路或者網絡的適當電節(jié)點。此方法進一步包括形成具有既電耦接至第一引線又布置在第二引線與第三引線之間的中央引線的引線框，以及封裝中央引線，從而使它未從模塑的殼體的第二端露出。此方法進一步包括在第二引線與第三引線之間包括與第一引線電隔離的中央引線，以及使中央引線從模塑的殼體的第二端露出。此方法進一步包括在第二引線與第三引線之間放置模塑材料，從而使得從第二引線延伸至第三引線的區(qū)域在導電率上是基本均一的。除了任何先前指出的修改以外，在不背離本描述的精神和范圍的情況下，本領域技術人員可想出各種其它的變型和可替換的布置，并且所附權利要求旨在涵蓋這些修改和布置。因此，雖然以上已結合目前被認為是最實用的且優(yōu)選的方面特定地且詳細地描述了該信息，但是對于本領域普通技術人員顯而易見的是，在不背離在此所闡述的原理和構思的情況下，可做出各種修改，包括但不限于形式、功能、工作方式和用途。而且，如在此所使用的，所有方面中的這些實例和實施例都僅意在說明，而不應理解成以任何方式進行限定。
權利要求
1.一種封裝裝置，包括 電路元件；模塑的殼體，封裝所述電路元件的至少一部分，其中，所述殼體包括第一端和第二端； 第一引線，從所述模塑的殼體的所述第一端露出；以及第二引線和第三引線，從所述模塑的殼體的所述第二端露出，其中，所述封裝裝置不包括既電連接至所述第一引線又從所述模塑的殼體的所述第二端露出的第四引線。
2.根據權利要求1所述的封裝裝置，其中，所述模塑的殼體限定一凹槽，所述凹槽使所述第一引線的一部分從所述模塑的殼體的側面露出。
3.根據權利要求1所述的封裝裝置，進一步包括中央引線，所述中央引線電耦接至所述第一引線，并封裝在所述模塑的殼體中，從而未從所述殼體露出。
4.根據權利要求1所述的封裝裝置，進一步包括中央引線，所述中央引線未電耦接至所述第一引線，并從所述模塑的殼體的所述第二端露出。
5.根據權利要求1所述的封裝裝置，其中，從所述第二引線延伸至所述第三引線的區(qū)域由非導電材料構成。
6.根據權利要求1所述的封裝裝置，其中，所述電路元件包括從晶體管、三端雙向可控硅開關元件、兩端交流開關元件、電阻器、二極管、SCR、SCS、以及整流器中選擇的部件。
7.根據權利要求1所述的封裝裝置，其中，所述電路元件包括具有MOSFET的晶體管。
8.根據權利要求1所述的封裝裝置，其中，所述電路元件包括具有BJT的晶體管。
9.根據權利要求7所述的封裝裝置，其中，所述第一引線電耦接至所述MOSFET的漏極區(qū)，所述第二引線電耦接至所述MOSFET的柵極區(qū)，并且所述第三弓I線電耦接至所述MOSFET 的源極區(qū)。
10.根據權利要求8所述的封裝裝置，其中，所述第一引線電耦接至所述BJT的集電極區(qū)，所述第二引線電耦接至所述BJT的基極區(qū)，并且所述第三弓I線電耦接至所述BJT的發(fā)射極區(qū)。
11.根據權利要求6所述的封裝裝置，其中，所述模塑的殼體包括一凹槽，所述凹槽使所述第一引線的一部分從所述模塑的殼體的側面露出。
12.根據權利要求1所述的封裝裝置，其中，半導體裝置在約1.8KV以上的電壓下起作用而未經歷電壓擊穿。
13.根據權利要求1所述的封裝裝置，其中，所述電路元件包括電裝置或集成電路的網絡。
14.一種封裝裝置，包括 半導體晶粒，具有晶體管；模塑的殼體，封裝所述半導體晶粒的至少一部分，其中，所述殼體包括第一端和第二端；第一引線，從所述模塑的殼體的所述第一端露出；以及第二引線和第三引線，從所述模塑的殼體的所述第二端露出，其中，在所述模塑的殼體中從所述第二引線延伸至所述第三引線的區(qū)域包含具有大致均一的導電率的絕緣材料。
15.根據權利要求14所述的封裝裝置，其中，所述模塑的殼體包括一凹槽，所述凹槽使所述第一引線的一部分從所述模塑的殼體的側面露出。
16.根據權利要求14所述的封裝裝置，其中，所述半導體晶粒包括從MOSFET和BJT中選擇的晶體管。
17.根據權利要求14所述的封裝裝置，其中，所述半導體裝置在高達約2.5KV的電壓下起作用而未經歷電壓擊穿。
18.一種電子設備，包括電路板；以及封裝裝置，連接至所述電路板，所述封裝裝置包括電路元件；模塑的殼體，封裝所述電路元件的至少一部分，其中，所述殼體包括第一端和第二端；第一引線，從所述模塑的殼體的所述第一端露出；以及第二引線和第三引線，從所述模塑的殼體的所述第二端露出，其中，半導體裝置不包括既電連接至所述第一引線又從所述模塑的殼體的所述第二端露出的第四引線。
19.根據權利要求18所述的電子設備，其中，在所述模塑的殼體中從所述第二引線延伸至所述第三引線的區(qū)域包含具有大致均一的導電率的絕緣材料。
20.根據權利要求18所述的電子設備，其中，所述模塑的殼體包括一凹槽，所述凹槽使所述第一引線的一部分從所述模塑的殼體的側面露出。
21.根據權利要求18所述的電子設備，其中，所述電路元件包括具有從MOSFET和BJT 中選擇的晶體管的半導體晶粒。
22.根據權利要求18所述的電子設備，其中，所述封裝裝置在高達約2.5KV的電壓下起作用而未經歷電壓擊穿。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種封裝裝置及電子設備。封裝裝置包括一個或多個電路元件，諸如晶粒，所述晶粒附接至具有第一引線、第二引線、以及第三引線的引線框。電路元件的一部分和引線框封裝在模塑的殼體中，從而使得第一引線從殼體的第一端露出，同時使得第二引線和第三引線從殼體的第二端露出。在一些構造中，封裝裝置不包括既電連接至第一引線又從模塑的殼體的第二端露出的第四引線。在其它構造中，在模塑的殼體中從第二引線延伸至第三引線的區(qū)域包含具有大致均一的導電率的絕緣材料。因此，封裝裝置在第一引線與第二引線和第三引線之間具有相對大的爬電距離和間隙距離。結果，封裝裝置能夠在相對高的工作電壓下工作而未經歷電壓擊穿。描述了其他實施例。
文檔編號H01L21/60GK102468193SQ201110358210
公開日2012年5月23日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權日2010年11月11日
發(fā)明者理查德·A·杜尼帕斯 申請人:飛兆半導體公司