專利名稱：光刻方法、刻蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用在半導(dǎo)體制程的光刻方法及一種刻蝕方法。
背景技術(shù)：
光刻的本質(zhì)是把臨時電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上。通常的光刻是這樣進行的:首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠，即光阻層(PR)，再將其曝露與某種光源下，如紫外光、電子束或者X-射線，對光阻層(PR)進行選擇性曝光。再經(jīng)過顯影工藝，仍保留在硅片上光阻層(PR)就形成了圖形，保護著其所覆蓋的區(qū)域。然后對已去除光阻的部分進行一系列增加(如淀積金屬膜)或去除(如腐蝕)工藝，以將光阻層(PR)的圖形轉(zhuǎn)印到襯底表面。隨著集成電路工藝中的關(guān)鍵尺寸的縮小，如何使光刻工藝在越來越小的尺寸下保持精準是業(yè)界一直致力的方向。在光刻膠涂層方面，通過增加底部抗反射層(BARC)來減小來自光刻膠下面反射層的光反射，底部抗反射涂層(BARC)是有機或者無機絕緣材料，在涂光阻層(PR)之前被加到硅片上。底部抗反射層(BARC)通過吸收光來減少反射。選擇底部抗反射層(BARC)時，除了考慮其對光的反射的減小作用，還要考慮其與光阻層(PR)的粘附力，若光阻層(PR)對其粘附力不夠，在后面的工藝處理中，光阻層(PR)容易發(fā)生偏移，影響圖形轉(zhuǎn)移的精準。另外，再在底部抗反射層(BARC)下增加硬掩膜層，讓光阻層(PR)的圖形轉(zhuǎn)移到其上，使其作為待圖形化的介質(zhì)層的掩膜。這樣避免了一般為有機物的光阻材料在刻蝕待圖形化介質(zhì)層的過程中，被刻蝕劑逐漸分解，影響刻蝕中圖形轉(zhuǎn)移的精準的情況。在利用光阻層(PR)作為硬掩膜層的掩膜，對硬掩膜層的刻蝕中，為了避免對待圖形化介質(zhì)層的損傷，再在硬掩膜層下面增加一層刻蝕阻擋層。也就是說，為實現(xiàn)較精準的圖形轉(zhuǎn)移，從上到下，要覆蓋光阻層(PR)、底部抗反射層(BARC)、硬掩膜層和阻擋層共四層，且需要進行兩次刻蝕?，F(xiàn)也有利用一層S1-BARC材料就實現(xiàn)底部抗反射層(BARC)和硬掩膜層兩者的功能的方式。在這種方式中，為實現(xiàn)較精準的圖形轉(zhuǎn)移，從上到下，需要覆蓋光阻層(PR)、S1-BARC層、阻擋層三層，進行兩次刻蝕。為避免在刻蝕的過程中被去除，光阻層(PR)需要滿足一定的厚度。而集成電路關(guān)鍵尺寸卻在不斷縮小，這要求光阻層的寬度尺寸也隨之變小。這兩個因素導(dǎo)致圖形化的光阻層(PR)的深寬比增大。這樣，在光阻層(PR)與下面一層材料的粘附力不夠的情況下，會發(fā)生光阻層(PR)坍塌的情況，嚴重影響刻蝕的精準，繼而嚴重影響良率。因而，需要一種方法，滿足在集成電路關(guān)鍵尺寸漸漸縮小的情況下，保持光刻中圖形轉(zhuǎn)移的精準
發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一種光刻方法，包括:提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底形成有待圖形化介質(zhì)層；在待圖形化介質(zhì)層上形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層；在所述低介電常數(shù)材料層上形成光阻層?？蛇x的，在待圖形化介質(zhì)層上形成阻擋層，而后進行所述形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的步驟?？蛇x的，所述阻擋層為有機抗反射聚合物或無定形碳?？蛇x的，形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的方式為以有機硅氧烷和碳氟化合物為反應(yīng)氣體進行化學(xué)氣相沉積?？蛇x的，所述有機硅氧烷為八甲基環(huán)化四硅氧烷、四甲基環(huán)化四硅氧烷與乙基氧甲基硅烷中的一種或多種?？蛇x的，形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的過程中，調(diào)節(jié)有機碳氟化合物的C-F基團的比率，以控制所述低介電常數(shù)材料層的折射率和疏水性?？蛇x的，采用旋轉(zhuǎn)涂布方式形成所述光阻層。本發(fā)明還提供了一種刻蝕方法，包括:提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底形成有待圖形化介質(zhì)層；在待圖形化介質(zhì)層上形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層；在所述低介電常數(shù)材料層上涂覆光阻層；曝光、顯影，形成圖形化光阻層；利用所述圖形化光阻層為掩膜進行第一次刻蝕，將所述光阻層的圖形轉(zhuǎn)移到所述低介電常數(shù)材料層；利用所述低介電常數(shù)材料層的圖形為掩膜進行第二次刻蝕，刻穿所述阻擋層，并將所述低介電常數(shù)材料層的圖形轉(zhuǎn)移到待圖形化介質(zhì)層?？蛇x的，所述第一次刻蝕所用刻蝕劑為四氟化碳與氧氣的混合物，或三氟甲烷與氧氣的混合物?？蛇x的，所述曝光采用氟化氬準分子激光步進和掃描曝光機曝光?？蛇x的，在待圖形化介質(zhì)層上形成阻擋層，而后進行所述形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的步驟。可選的，所述阻擋層為有機抗反射聚合物或無定形碳?？蛇x的，形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的方式為以有機硅氧烷和碳氟化合物為反應(yīng)氣體進行化學(xué)氣相沉積?？蛇x的，所述有機硅氧烷為八甲基環(huán)化四硅氧烷、四甲基環(huán)化四硅氧烷與乙基氧甲基硅烷中的一種或多種?？蛇x的，形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的過程中，調(diào)節(jié)有機碳氟化合物的C-F基團的比率，以控制所述低介電常數(shù)材料層的折射率和疏水性。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:A.只用一層材料就實現(xiàn)了底部抗反射層(BARC)和硬掩膜層兩者的功能的優(yōu)點，使得總的工藝步驟較少。B.利用沉積工藝形成低介電常數(shù)材料，容易實現(xiàn)。
C.在沉積的過程中通過控制C-F基團的量，可以控制沉積的低介電常數(shù)材料的疏水性和折射率，容易實現(xiàn)增加其與光阻層(PR)的粘附力和調(diào)節(jié)其對于光的反射作用。


圖1為本發(fā)明的光刻方法的流程示意圖。圖2為本發(fā)明的刻蝕方法的流程示意圖。圖3到圖7為第一實施例中光刻方法的各步驟的示意圖。圖8到圖10為圖3到圖7所示的光刻方法形成圖形化光阻層后的刻蝕方法的各步驟的示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明的光刻方法采用阻擋層、經(jīng)氟烷基化處理的低介電常數(shù)材料層、光阻層三層不同材料的復(fù)合層來作為光刻膠復(fù)合層。其中，采用低介電常數(shù)材料層來實現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中底部抗反射層(BARC)和硬掩膜層兩者的功能。并且，解決了現(xiàn)有技術(shù)中光阻層(PR)與下面一層材料的粘附力不夠，發(fā)生光阻層(PR)坍塌的情況，從而嚴重影響刻蝕的精準，繼而嚴重影響良率的問題。本發(fā)明能實現(xiàn)所述效果的原因在于:現(xiàn)在半導(dǎo)體工藝制造過程中常用的低介電常數(shù)材料一般都為有機低介電常數(shù)材料，且疏水性較好。本發(fā)明在光阻層(PR)之下的低介電常數(shù)材料層通過了氟烷基化處理加入C-F基團，更確保了其具有良好的疏水性。由于光阻材料是親油的，即是疏水的。故光阻材料與疏水性良好的材料之間的粘附性很強，這樣，用疏水性良好的氟烷基化的低介電常數(shù)材料層與光阻層(PR)層直接接觸，避免了原本光阻層(PR)坍塌的現(xiàn)象的發(fā)生。另外，在氟烷基化處理過程中，低介電常數(shù)材料層的折射率能通過加入的C-F基團的CxFy中x:y的值來改變。使之能符合不同條件的光刻抗反射層的要求。并且，低介電常數(shù)材料層也能起到增加掩膜的厚度。避免了只用相對較薄的光阻層做掩膜的情況下，在較長時間的刻蝕中，光阻層的邊緣被刻蝕劑腐蝕掉影響刻蝕精度的現(xiàn)象。應(yīng)用本發(fā)明的方法進行光刻的步驟如圖1所示，主要包括:提供半導(dǎo)體基底，半導(dǎo)體基底上形成有需要被圖形化的介質(zhì)層，如需要形成溝槽的硅襯底，或要形成通孔的介質(zhì)層。于所述介質(zhì)層上形成阻擋層。形成方式可以為沉積。于阻擋層上形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層。運用等離子增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)進行，以有機硅氧烷和有機碳氟化合物CxHyFz-R為反應(yīng)氣體，反應(yīng)生成氟烷基化的低電常數(shù)電介質(zhì)。其中，有機硅氧烷可以為八甲基環(huán)化四硅氧烷、四甲基環(huán)化四硅氧烷或乙基氧甲基硅烷中的一種或多種。其中R為H、F、烷基等等，CxHyFz為全氟或多氟烷基。旋涂光阻層(PR)。曝光，顯影，形成圖形化光阻層(PR)。本發(fā)明還提出一種能保持圖形轉(zhuǎn)移精準的刻蝕方法，如圖2所示，包括:提供半導(dǎo)體基底，半導(dǎo)體基底上有需要被圖形化的介質(zhì)層，如需要形成溝槽的硅襯底，或要形成通孔的介質(zhì)層。于所述介質(zhì)層上形成阻擋層。形成方式可以為旋轉(zhuǎn)涂膜或化學(xué)氣相沉積。于阻擋層上形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層。運用等離子增強化學(xué)氣相沉積法進行(PECVD)，以有機硅氧烷為反應(yīng)氣體，和有機碳氟化合物CxHyFz-R,反應(yīng)生成氟烷基化的低電常數(shù)電介質(zhì)。其中，有機硅氧烷可以為八甲基環(huán)化四硅氧烷、四甲基環(huán)化四硅氧烷或乙基氧甲基硅烷。其中R為H、F、烷基等等，CxHyFz為全氟或多氟烷基。旋涂光阻層(PR)。曝光，顯影，形成圖形化光阻層(PR)。進行第一次刻蝕，以圖形化光阻層(PR)為掩膜，把圖形轉(zhuǎn)移到低介電常數(shù)材料層上。進行第二次刻蝕，以低介電常數(shù)材料層為掩膜，把圖形轉(zhuǎn)移待圖形化介質(zhì)層上。去除圖形化好的待圖形化介質(zhì)層上的殘留物。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。需要說明的是，提供這些附圖的目的是有助于理解本發(fā)明的實施例，而不應(yīng)解釋為對本發(fā)明的不當?shù)南拗?。為了更清楚起見，圖中所示尺寸并未按比例繪制，可能會作放大、縮小或其他改變。實施例一本實施例以詳細的工藝描述闡述本發(fā)明提出的光刻的方法。具體如下:如圖3所示，提供半導(dǎo)體基底300，其上有需要被圖形化的介質(zhì)層302。這里的介質(zhì)層302可以是需要形成溝槽、或通孔的氧化硅層。如圖4所示，在所述介質(zhì)層302上形成阻擋層304。阻擋層304的材料為有機聚合物或無定形碳，形成方式可以為旋轉(zhuǎn)涂膜或化學(xué)氣相沉積。這里阻擋層304的作用是防止后續(xù)對硬掩膜層的刻蝕時對介質(zhì)層302產(chǎn)生損傷。如圖5所示，在阻擋層304上形成低介電常數(shù)材料層306。運用等離子增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)進行，采用CF4、CH2F2、CnF2n+1-R等碳氟化合物中一種或多種與有機硅氧烷的混合氣體作為反應(yīng)氣體，在等離子腔室中進行。反應(yīng)溫度250°C 400°C，壓力為2 6Torr，反應(yīng)能量:200 600W，有機硅氧烷流量為IOOOsccm lOOOOsccm，碳氟化合物為200sccm 500sccm,生長時間為 60sec 180sec。低介電常數(shù)材料層306是通過沉積的方式覆蓋在硅片上的，可以通過調(diào)節(jié)沉積的反應(yīng)氣體中的C-F基團的量來控制低介電常數(shù)材料層306中C-F的含量，從而調(diào)節(jié)低介電常數(shù)材料層的疏水性和折射率。其中，C-F基團的含量越高，則所述低介電常數(shù)材料層306的疏水性越好。因為，低介電常數(shù)材料通常是高分子有機材料，高分子材料中CxHy的含量越多，越容易被水溶解，即親水性越好。而若其中C-F基團的含量越多，相對的，則CxHy的含量越少，疏水性越好。另外，通過調(diào)節(jié)有機硅氧烷等的反應(yīng)濃度得到不同C-F基團的氟化深度的低介電常數(shù)材料，其中的C-F基團的鏈長不同，使得所得到的材料的分子極性不同，于是所得的材料的折射率也不同。再結(jié)合調(diào)整低介電常數(shù)材料的厚度可以實現(xiàn)控制低介電常數(shù)材料層306的反射率，達到曝光圖形的要求。如圖6所示，旋涂光阻層(PR) 308。光阻層308可以是正光刻膠，也可以是負光刻膠，正光刻膠在本發(fā)明的實施中更是優(yōu)選的。光阻層的厚度優(yōu)選為1000 A 2000 A。如圖7所示，曝光，顯影，形成圖形化光阻層(PR) 308。這一步驟可以采用本領(lǐng)域熟知的方法進行，如可以采用紫外光源通過合適的掩膜板對光阻層308進行曝光，然后使用合適的溶劑顯影，例如堿的水溶液。之后，可以把光阻層308加熱以固化其成像部分，然后去除非成像部分。本步驟的曝光采用氟化氬準分子激光步進和掃描曝光機曝光。本實施例中形成的低介電常數(shù)材料層通過了氟烷基化處理加入C-F基團，更確保了其具有良好的疏水性。另外，在氟烷基化處理過程中，低介電常數(shù)材料層的折射率能通過加入的C-F基團的CxFy中x:y的值來改變。使之能符合不同條件的光刻抗反射層的要求。實施例二本實施例以詳細的工藝描述闡述本發(fā)明提出的刻蝕的方法。具體如下:提供半導(dǎo)體基底300，其上有需要被圖形化的介質(zhì)層302。這里的介質(zhì)層302可以是需要形成溝槽、或通孔的氧化硅層。這里與實施例一中圖3所示的類似。在所述介質(zhì)層302上形成阻擋層304。阻擋層304的材料為有機聚合物或無定形碳，形成方式可以為旋轉(zhuǎn)涂膜或化學(xué)氣相沉積。這里阻擋層304的作用是防止后續(xù)對硬掩膜層的刻蝕時產(chǎn)生對介質(zhì)層302的損傷。這里與實施例一中圖4所示的類似。在阻擋層304上形成低介電常數(shù)材料層306。運用等離子增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)進行，采用CF4、CH2F2、CnF2n+1-R等碳氟化合物中一種或多種與有機硅氧烷的混合氣體作為反應(yīng)氣體，在等離子腔室中進行。反應(yīng)溫度250°C 400°C，壓力為2 6Torr，反應(yīng)能量:200 600W，有機硅氧烷流量為IOOOsccm lOOOOsccm，碳氟化合物為200sccm 500sccm，生長時間為60sec 180sec。這里與實施例一中圖5所示的類似。低介電常數(shù)材料層是通過沉積的方式覆蓋在硅片上的，可以通過調(diào)節(jié)沉積的反應(yīng)氣體中的C-F基團的量來控制低介電常數(shù)材料層中C-F的含量，從而調(diào)節(jié)低介電常數(shù)材料層的疏水性和折射率。其中，C-F基團的含量越高，則所述低介電常數(shù)材料層的疏水性越好。因為，低介電常數(shù)材料通常是高分子有機材料，高分子材料中CxHy的含量越多，越容易被水溶解，即親水性越好。而若其中C-F基團的含量越多，相對的，則CxHy的含量越少，疏水性越好。另外，通過調(diào)節(jié)有機硅氧烷等的反應(yīng)濃度得到不同C-F基團的氟化深度的低介電常數(shù)材料，其中的C-F基團的鏈長不同，使得所得到的材料的分子極性不同，于是所得的材料的折射率也不同。再結(jié)合調(diào)整低介電常數(shù)材料的厚度可以實現(xiàn)控制低介電常數(shù)材料層306的反射率，達到曝光圖形的要求。旋涂光阻層(PR)308。光阻層308可以是正光刻膠，也可以是負光刻膠，正光刻膠在本發(fā)明的實施中更是優(yōu)選的。光阻層的厚度優(yōu)選為1000 A 2000 A。這里與實施例一中圖6所示的類似。曝光，顯影，形成圖形化光阻層(PR) 308。這一步驟可以采用本領(lǐng)域熟知的方法進行，如可以采用紫外光源通過合適的掩膜板對光阻層308進行曝光，然后使用合適的溶劑顯影，例如堿的水溶液。之后，可以把光阻層308加熱以固化其成像部分，然后去除非成像部分。本步驟的曝光采用氟化氬準分子激光步進和掃描曝光機曝光。這里與實施例一中圖7所示的類似。然后進行第一次刻蝕，以圖形化光阻層(PR)308為掩膜，把圖形轉(zhuǎn)移到低介電常數(shù)材料層306上，如圖8所示。這一步刻蝕所用刻蝕劑對低介電常數(shù)材料層306和阻擋層304的刻蝕選擇比為5: I到10: 3，所用刻蝕劑為四氟化碳與氧氣的混合物，或三氟甲烷與氧氣的混合物。經(jīng)過這一步的刻蝕，光阻層308也被刻蝕劑消耗掉一些。光阻層在刻蝕過程中消耗是不可避免的，所以，實際應(yīng)用中，這里的光阻層要滿足一定的厚度要求。進行第二次刻蝕，以低介電常數(shù)材料層306為掩膜，把圖形轉(zhuǎn)移到阻擋層304進而轉(zhuǎn)移到待圖形化介質(zhì)層302上。光阻層308和低介電常數(shù)材料層306在這一次刻蝕中，幾乎完全被刻蝕劑消耗掉。形成的結(jié)構(gòu)如圖9所示。如圖10所示，去除阻擋層304。去除的方法為干法刻蝕灰化法。在等離子腔室中進行，溫度為200-300°C，壓力為500 2000mTorr，功率為500 3000W，導(dǎo)入的O2流量為200 lOOOsccm。本實施例中，作為光阻輔助層的低介電常數(shù)材料層通過了氟烷基化處理，確保了其具有良好的疏水性。由于光阻材料是親油的，即是疏水的。故光阻材料與疏水性良好的材料之間的粘附性很強，這樣，用疏水性良好的氟烷基化的低介電常數(shù)材料層與光阻層(PR)層直接接觸，避免了原本光阻層(PR)坍塌的現(xiàn)象的發(fā)生。另外，在氟烷基化處理過程中，低介電常數(shù)材料層的折射率能通過加入的C-F基團的CxFy中x:y的值來改變。使之能符合光刻抗反射層的要求。所以本實施例中的刻蝕方法滿足在集成電路關(guān)鍵尺寸漸漸縮小的情況下，保持圖形轉(zhuǎn)移的精準的要求。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光刻方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底形成有待圖形化介質(zhì)層； 在待圖形化介質(zhì)層上形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層； 在所述低介電常數(shù)材料層上形成光阻層。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在待圖形化介質(zhì)層上形成阻擋層，而后進行所述形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述阻擋層為有機抗反射聚合物或無定形碳。
4.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的方式為以有機硅氧烷和碳氟化合物為反應(yīng)氣體進行化學(xué)氣相沉積。
5.如權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述有機硅氧烷為八甲基環(huán)化四硅氧烷、四甲基環(huán)化四硅氧烷與乙基氧甲基硅烷中的一種或多種。
6.如權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的過程中，調(diào)節(jié)有機碳氟化合物的C-F基團的比率，以控制所述低介電常數(shù)材料層的折射率和疏水性。
7.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用旋轉(zhuǎn)涂布方式形成所述光阻層。
8.一種刻蝕方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底形成有待圖形化介質(zhì)層； 在待圖形化介質(zhì)層上形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層； 在所述低介電常數(shù)材料層上涂覆光阻層； 曝光、顯影，形成圖形化光阻層； 利用所述圖形化光阻層為掩膜進行第一次刻蝕，將所述光阻層的圖形轉(zhuǎn)移到所述低介電常數(shù)材料層； 利用所述低介電常數(shù)材料層的圖形為掩膜進行第二次刻蝕，刻穿所述阻擋層，并將所述低介電常數(shù)材料層的圖形轉(zhuǎn)移到待圖形化介質(zhì)層。
9.如權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一次刻蝕所用刻蝕劑為四氟化碳與氧氣的混合物，或三氟甲烷與氧氣的混合物。
10.如權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，所述曝光采用氟化氬準分子激光步進和掃描曝光機曝光。
11.如權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，在待圖形化介質(zhì)層上形成阻擋層，而后進行所述形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的步驟。
12.如權(quán)利要求11所述的刻蝕方法，其特征在于，所述阻擋層為有機抗反射聚合物或無定形碳。
13.如權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的方式為以有機硅氧烷和碳氟化合物為反應(yīng)氣體進行化學(xué)氣相沉積。
14.如權(quán)利要求13所述的刻蝕方法，其特征在于，所述有機硅氧烷為八甲基環(huán)化四硅氧烷、四甲基環(huán)化四硅氧烷與乙基氧甲基硅烷中的一種或多種。
15.如權(quán)利要求13所述的亥Ij蝕方法，其特征在于，形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層的過程中，調(diào)節(jié)有機碳氟化合物的C-F基團的比率，以控制所述低介電常數(shù)材料層的折射率和疏水性。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光刻方法，其包括，提供形成有待圖形化介質(zhì)層半導(dǎo)體基底；然后形成氟烷基化的低介電常數(shù)材料層；再涂覆光阻層；曝光、顯影，形成圖形化光阻層；本發(fā)明另提供了一種刻蝕方法，其包括利用前述光刻方法形成的圖形化光阻層為掩膜進行刻蝕。本發(fā)明中的低介電常數(shù)材料層被氟烷基化的方式為以有機硅氧烷和有機碳氟化合物為反應(yīng)氣體進行化學(xué)氣相沉積。在低介電常數(shù)材料層被氟烷基化的過程中，可通過控制所述有機碳氟化合物的C-F基團的比率來控制所述低介電常數(shù)材料層的折射率和疏水性。容易實現(xiàn)調(diào)節(jié)其對于光的反射作用和增加其與光阻層(PR)的粘附力，從而實現(xiàn)調(diào)節(jié)其反射率滿足曝光要求和避免產(chǎn)生光刻膠在刻蝕過程中倒塌的現(xiàn)象。
文檔編號H01L21/027GK103105736SQ20111035799
公開日2013年5月15日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者沈滿華 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司