技術編號：7164654
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種應用在半導體制程的光刻方法及一種刻蝕方法。背景技術光刻的本質是把臨時電路結構復制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上。通常的光刻是這樣進行的首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠，即光阻層(PR)，再將其曝露與某種光源下，如紫外光、電子束或者X-射線，對光阻層(PR)進行選擇性曝光。再經過顯影工藝，仍保留在硅片上光阻層(PR)就形成了圖形，保護著其所覆蓋的區(qū)域。然后對已去除光阻的部分進行一系列增加(如淀積金屬膜)或去除(如腐蝕)工藝...
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