專(zhuān)利名稱(chēng)：一種溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(如圖1所示)，其溝槽用來(lái)隔離不同的P阱，確保柵極加電位時(shí)整個(gè)P型阱溝槽區(qū)域可以被反型。通過(guò)對(duì)器件的耐壓特性進(jìn)行仿真，當(dāng)此種器件的柵源接地，而背面的漏極加高壓時(shí)，電場(chǎng)最強(qiáng)的區(qū)域是集中在柵極正下方的硅表面區(qū)域。而此區(qū)域都是N型的外延層，當(dāng)此場(chǎng)效應(yīng)管的背面電位抬高時(shí)，此區(qū)域最先發(fā)生反型，碰撞電離就容易在此發(fā)生，限制了器件的耐壓性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管能提高器件的耐壓性能。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，包括:P型注入?yún)^(qū)上方形成有N型外延層，N型外延層上方形成有多個(gè)P型阱和溝槽，各P型阱通過(guò)溝槽彼此隔離；每個(gè)P型阱的頂部形成有N型有源區(qū)和P型有源區(qū)，所述P型有源區(qū)將N型有源區(qū)隔離成兩部分，所述N型有源區(qū)與溝槽相鄰，所述溝槽內(nèi)具有氧化層和多晶硅；其中，所述溝槽下方具有P型摻雜區(qū)。所述溝槽深度大于P型阱的深度。所述P型摻雜區(qū)的寬度小于等于所述溝槽的寬度。本發(fā)明的溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在溝槽下方增加輕摻雜P型注入?yún)^(qū)，對(duì)溝槽正下方的電場(chǎng)分布仿真測(cè)試(如圖3所示)，結(jié)果顯示本發(fā)明的溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在靠近氧化層界面附近的電場(chǎng)會(huì)由于P型摻雜區(qū)的存在而明顯減小，這樣碰撞電離也會(huì)明顯得到抑制，從而器件耐壓能力也大幅提升。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:圖1是一種傳統(tǒng)溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的示意圖。圖2是本發(fā)明溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的示意圖。圖3是傳統(tǒng)溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和本發(fā)明溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管電場(chǎng)仿真比較示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖2所示，本發(fā)明的溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，包括:P型注入?yún)^(qū)上方形成有N型外延層，N型外延層上方形成有多個(gè)P型阱和溝槽，各P型阱通過(guò)溝槽彼此隔離；每個(gè)P型阱的頂部形成有N型有源區(qū)和P型有源區(qū)，所述P型有源區(qū)將N型有源區(qū)隔離成兩部分，所述N型有源區(qū)與溝槽相鄰，所述溝槽內(nèi)具有氧化層和多晶硅；其中，所述溝槽下方具有P型摻雜區(qū)，所述溝槽深度大于P型阱的深度，所述P型摻雜區(qū)的寬度小于等于所述溝槽的寬度。以上通過(guò)具體實(shí)施方式
和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，包括P型注入?yún)^(qū)上方形成有N型外延層，N型外延層上方形成有多個(gè)P型阱和溝槽，各P型阱通過(guò)溝槽彼此隔離；每個(gè)P型阱的頂部形成有N型有源區(qū)和P型有源區(qū)，所述P型有源區(qū)將N型有源區(qū)隔離成兩部分，所述N型有源區(qū)與溝槽相鄰，所述溝槽內(nèi)具有氧化層和多晶硅；其特征是:所述溝槽下方具有P型摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，其特征是:所述溝槽深度大于P型阱的深度。
3.如權(quán)利要求1所述的溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，其特征是:所述P型摻雜區(qū)的寬度小于等于所述溝槽的寬度。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，包括P型注入?yún)^(qū)上方形成有N型外延層，N型外延層上方形成有多個(gè)P型阱和溝槽，各P型阱通過(guò)溝槽彼此隔離；每個(gè)P型阱的頂部形成有N型有源區(qū)和P型有源區(qū)，所述P型有源區(qū)將N型有源區(qū)隔離成兩部分，所述N型有源區(qū)與溝槽相鄰，所述溝槽內(nèi)具有氧化層和多晶硅；其中，所述溝槽下方具有P型摻雜區(qū)。本發(fā)明的溝槽型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在多晶硅柵下方增加輕摻雜P型摻雜區(qū)能提高器件的耐壓性能。
文檔編號(hào)H01L29/06GK103107193SQ20111035790
公開(kāi)日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者王邦麟 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司