專利名稱：一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容。本發(fā)明還涉及一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容的制作方法
背景技術(shù)：
在射頻應(yīng)用中，隨著技術(shù)的進步需要越來越高的器件特征頻率，RFCMOS (射頻互補金屬氧化層半導(dǎo)體場效晶體管)雖然在先進的工藝技術(shù)中可實現(xiàn)較高頻率，但還是難以完全滿足射頻要求，如很難實現(xiàn)40GHz以上的特征頻率，要實現(xiàn)40GHz以上的特征頻率其先進工藝的研發(fā)成本是非常高?；衔锇雽?dǎo)體能實現(xiàn)非常高的特征頻率器件，但由于材料成本高、尺寸小的缺點，加上大多數(shù)化合物半導(dǎo)體有毒，限制了其應(yīng)用。SiGe HBT (硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)是常用超高頻器件的選擇。首先，SiGe HBT利用SiGe (硅鍺)與Si (硅)的能帶差別，提高發(fā)射區(qū)的載流子注入效率，增大器件的電流放大倍數(shù)；其次，SiGe HBT利用SiGe基區(qū)的高摻雜，降低基區(qū)電阻，提高特征頻率；再次SiGe 工藝基本與硅工藝相兼容，目前SiGe HBT已經(jīng)成為超高頻器件的主力軍。常規(guī)的SiGe HBT采用高摻雜的集電區(qū)埋層，以降低集電區(qū)電阻；采用深槽隔離降低集電區(qū)和襯底之間的寄生電容，改善HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)的頻率特性。目前，此種常規(guī)的SiGe HBT器件往往只應(yīng)用于射頻領(lǐng)域，功能單一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容。打破了現(xiàn)有SiGe HBT器件結(jié)構(gòu)中沒有MOS相關(guān)結(jié)構(gòu)的局限。本發(fā)明還提供了一種采用SiGe HBT 工藝的MOS可變電容的制作方法。為解決上述技術(shù)問題本發(fā)明的MOS可變電容，包括輕摻雜的P型襯底上形成有集電區(qū)，所述集中電區(qū)上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上形成有多晶硅層，其中所述多晶硅層由接觸孔引出作為MOS可變電容的一端，所述輕摻雜的P型襯底上部形成有N型贗埋層連接所述集電區(qū)，所述N型贗埋層由深接觸孔引出作為MOS可變電容的另一端。所述多晶硅層注入雜質(zhì)為磷或砷。所述集電區(qū)注入雜質(zhì)為磷或砷。所述介質(zhì)層厚度為5納米至30納米。本發(fā)明的MOS可變電容制作方法，包括(1)在輕摻雜的P型襯底刻蝕淺槽用作隔離；(2)進行N型贗埋層注入；(3)進行集電區(qū)注入；(4)在集電區(qū)上形成氧化層；(5)在氧化層上形成外延層；
(6)刻蝕去除外延層和氧化層；(7)在集電區(qū)上形成介質(zhì)層；(8)沉積多晶硅層；(9)將多晶硅層利用接觸孔弓丨出，將N型贗埋層利用深接觸孔弓I出。其中，實施步驟(3)吋，注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為50Kev 500Kev，劑量為 5ellcm 5el3cm 。其中，實施步驟(7)吋，所述介質(zhì)層厚度為5納米至30納米。其中，實施步驟(8)吋，注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為50Kev至500Kev，劑量為 lel4cnT2 至 lel7cnT2。本發(fā)明的MOS可變電容及其制作方法，打破了現(xiàn)有SiGe HBT器件結(jié)構(gòu)中沒有MOS 相關(guān)結(jié)構(gòu)的局限，能做為MOS可變電容使用。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進ー步詳細的說明圖1是ー種現(xiàn)有SiGe HBT器件結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明的SiGe HBT器件結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明的MOS可變電容制作方法示意圖(一)，其顯示步驟(1)的內(nèi)容。圖4是本發(fā)明的MOS可變電容制作方法示意圖(ニ)，其顯示步驟O)的內(nèi)容。圖5是本發(fā)明的MOS可變電容制作方法示意圖(三)，其顯示步驟(3)的內(nèi)容。圖6是本發(fā)明的MOS可變電容制作方法示意圖(四)，其顯示步驟⑷和(5)的內(nèi)容。圖7是本發(fā)明的MOS可變電容制作方法示意圖(五)，其顯示步驟(6)和(7)的內(nèi)容。圖8是本發(fā)明的MOS可變電容制作方法示意圖(六)，其顯示步驟(8)的內(nèi)容。附圖標(biāo)記說明1是淺槽2是N型贗埋層，3是集電區(qū)4是外延層5是介質(zhì)層6是多晶硅層7是側(cè)墻8是深接觸孔9是接觸孔10是金屬連線11是氧化層。
具體實施例方式如圖2所示，本發(fā)明的MOS可變電容，包括輕摻雜的P型襯底上形成有集電區(qū)3， 集中電區(qū)3上形成有介質(zhì)層5，介質(zhì)層5上形成有多晶硅層6，其中多晶硅層6由接觸孔9引出作為MOS可變電容的一端，輕摻雜的P型襯底上部形 成有N型贗埋層2連接所述集電區(qū)3，N型贗埋層4由深接觸孔8引出作為MOS可變電容的
另ー立面。本發(fā)明的MOS可變電容制作方法，包括
(1)如圖3所示，在輕摻雜的P型襯底刻蝕淺槽1用作隔離；(2)如圖4所示，進行N型贗埋層2注入；(3)如圖5所示，進行集電區(qū)3注入，注入雜質(zhì)為磷，注入能量為50Kev，劑量為 5ellcm2 ；(4)如圖6所示，在集電區(qū)3上形成氧化層11 ；(5)在氧化層11上形成外延層4 ；(6)如圖7所示，刻蝕去除外延層4和氧化層11 ；(7)在集電區(qū)3上形成介質(zhì)層5，介質(zhì)層厚度為5納米；(8)如圖8所示，沉積多晶硅層6，注入雜質(zhì)為磷，注入能量為50Kev，劑量為 IeHcnT20(9)將多晶硅層6利用接觸孔8引出作為MOS電容的一端，將N型贗埋層2利用深接觸孔9引出作為MOS電容的另一端，形成如圖2所示器件結(jié)構(gòu)。以上通過具體實施方式
和實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容，包括輕摻雜的P型襯底上形成有集電區(qū)， 所述集中電區(qū)上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上形成有多晶硅層，其特征是所述多晶硅層由接觸孔引出作為MOS可變電容的一端，所述輕摻雜的P型襯底上部形成有N型贗埋層連接所述集電區(qū)，所述N型贗埋層由深接觸孔引出作為MOS可變電容的另一端。
2.如權(quán)利要求1所述的MOS可變電容，其特征是所述多晶硅層注入雜質(zhì)為磷或砷。
3.如權(quán)利要求1所述的MOS可變電容，其特征是所述集電區(qū)注入雜質(zhì)為磷或砷。
4.如權(quán)利要求1所述的MOS可變電容，其特征是所述介質(zhì)層厚度為5納米至30納米。
5.一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容的制作方法，包括以下步驟(1)在輕摻雜的P型襯底刻蝕淺槽用作隔離；(2)進行N型贗埋層注入；(3)進行集電區(qū)注入；(4)在集電區(qū)上形成氧化層；(5)在氧化層上形成外延層；(6)刻蝕去除外延層和氧化層；(7)在集電區(qū)上形成介質(zhì)層；(8)沉積多晶硅層；(9)將多晶硅層利用接觸孔弓丨出，將N型贗埋層利用深接觸孔弓I出。
6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征是實施步驟(3)時，注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為 50Kev 500Kev，劑量為 5ellcnT2 kl3cnT2。
7.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征是實施步驟(7)時，所述介質(zhì)層厚度為5納米至30納米。
8.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征是實施步驟(8)時，注入雜質(zhì)為磷或砷，注入能量為 50Kev 至 500Kev，劑量為 IeHcnT2 至 lel7cnT2。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容，包括輕摻雜的P型襯底上形成有集電區(qū)，所述集中電區(qū)上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上形成有多晶硅層，其中所述多晶硅層由接觸孔引出作為MOS可變電容的一端，所述輕摻雜的P型襯底上部形成有N型贗埋層連接所述集電區(qū)，所述N型贗埋層由深接觸孔引出作為MOS可變電容的另一端。本發(fā)明還公開了一種采用SiGe HBT工藝的MOS可變電容的制作方法。本發(fā)明的的MOS可變電容及其制作方法打破了現(xiàn)有SiGe HBT器件結(jié)構(gòu)中沒有MOS相關(guān)結(jié)構(gòu)的局限，能做為MOS可變電容使用。
文檔編號H01L21/02GK102412313SQ201110311539
公開日2012年4月11日 申請日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者劉冬華, 段文婷, 石晶, 胡君, 錢文生 申請人:上海華虹Nec電子有限公司