專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。本發(fā)明還涉及這種半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展，對于半導(dǎo)體器件的性能、特別是器件的速度提出了更高的要求。為了改善半導(dǎo)體器件的性能，已經(jīng)提出了在半導(dǎo)體器件中、比如晶體管的溝道中引入機(jī)械應(yīng)力的技術(shù)。這些引入應(yīng)力的技術(shù)包括在頂部使用應(yīng)力襯層(liner)以及在源/漏區(qū)中嵌入半導(dǎo)體。然而，這些引入應(yīng)力的技術(shù)增加了半導(dǎo)體器件制造工藝的復(fù)雜度，同時(shí)由于工藝限制而不能應(yīng)用于各種集成電路中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的其中一個(gè)目的是克服以上缺點(diǎn)中的至少一些，并提供一種改進(jìn)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括提供襯底；在所述襯底上形成器件區(qū)并且形成與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)；在所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間形成隔離結(jié)構(gòu)；使所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化；以及利用激光照射所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶，從而在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入應(yīng)力。在所述的制造半導(dǎo)體器件的方法中，使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化并且利用激光照射所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶，從而在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入應(yīng)力。換言之，本發(fā)明提出了一種利用激光進(jìn)行選擇性再結(jié)晶而產(chǎn)生應(yīng)力的技術(shù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，這種技術(shù)更為簡單，且可以廣泛應(yīng)用于各種集成電路的制造中。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，襯底可以為半導(dǎo)體襯底，并且，在襯底上形成器件區(qū)并且形成與器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)可以包括使所述半導(dǎo)體襯底的上部的至少一部分圖案化，從而形成器件區(qū)和與器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，在襯底上形成器件區(qū)并且形成與器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)可以包括在襯底上形成半導(dǎo)體層；以及，使所述半導(dǎo)體層的至少一部分圖案化，從而形成所述器件區(qū)和與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，在器件區(qū)和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間形成隔離結(jié)構(gòu)可以包括利用電介質(zhì)填充所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間的間隔。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，可以通過將離子選擇性注入到至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分而使所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的所述至少一部分非晶化。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例， 可以在使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化的步驟之前，形成至少覆蓋器件區(qū)的蓋層。所述蓋層例如可以包括能夠反射激光的金屬層。所述蓋層例如還可以包括位于金屬層之下的緩沖層。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，可以在襯底上形成器件區(qū)之后，在所述器件區(qū)中形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，可以在器件區(qū)和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間形成隔離結(jié)構(gòu)之后，在所述器件區(qū)中形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，還可以在使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分再結(jié)晶從而在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入應(yīng)力之后，去除蓋層。在去除蓋層之后，可以在器件區(qū)中形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括襯底；位于所述襯底上的器件區(qū)；以及通過隔離結(jié)構(gòu)與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)，在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分中引入了應(yīng)力，其中，在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分中引入的應(yīng)力是通過利用激光照射包括在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶而產(chǎn)生的。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，襯底可以為半導(dǎo)體襯底，并且器件區(qū)和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)可以形成在該半導(dǎo)體襯底的上部中。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件還可以包括形成在襯底上的半導(dǎo)體層，器件區(qū)和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)形成在該半導(dǎo)體層中。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，隔離結(jié)構(gòu)可以包括填充在器件區(qū)和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間的間隔中的電介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，器件區(qū)可以包括形成在其中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。


本發(fā)明的這些和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)從結(jié)合附圖對于本發(fā)明示例性實(shí)施例的以下詳細(xì)描述中變得更為清楚明了。在附圖中
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第一步驟，在該步驟中提供了襯底。圖2A和2B示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第二步驟，在該步驟中，在襯底上形成器件區(qū)并且形成與器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第三步驟，在該步驟中，在器件區(qū)和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間形成隔離結(jié)構(gòu)。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的可選的第四步驟，在該步驟中，形成至少覆蓋器件區(qū)的蓋層。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第五步驟，在該步驟中，使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第六步驟，在該步驟中，利用激光照射至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。附圖是示意性的，并未按比例繪制，且只是為了說明本發(fā)明的實(shí)施例而并不意圖限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。為了使本發(fā)明的技術(shù)方案更加清楚，本領(lǐng)域熟知的工藝步驟及器件結(jié)構(gòu)在此省略。首先，參照圖1-6詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第一步驟。在該步驟中，提供襯底101。襯底101可以由半導(dǎo)體材料形成。例如，襯底101可以包括但不限于從以下材料構(gòu)成的組中選取的材料或材料組合硅、鍺硅、碳化硅等。襯底101也可以由其它材料形成。例如，襯底101可以包括但不限于從以下材料構(gòu)成的組中選取的材料或材料組合藍(lán)寶石、玻璃、有機(jī)材料。襯底101也可以根據(jù)需要而由多個(gè)層疊加形成。例如，襯底101可以包括絕緣層和位于絕緣層上的半導(dǎo)體層從而形成所謂的SOI襯底。圖2A和2B示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第二步驟。在該步驟中，在襯底101上形成器件區(qū)102并且形成與器件區(qū)102分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103。器件區(qū)102是用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的區(qū)域，所述半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)例如可以是晶體管、MEMs器件等。要形成的應(yīng)力引入?yún)^(qū)103的數(shù)目可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇?？梢詢H形成一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)，也可以形成多個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)。在一個(gè)實(shí)例中，襯底101可以為半導(dǎo)體襯底。在這種情況下，可以使半導(dǎo)體襯底101的上部的至少一部分圖案化，從而形成器件區(qū)102和與器件區(qū)102分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103，如圖2A所示。在另一個(gè)實(shí)例中，可以首先在襯底101上形成半導(dǎo)體層，然后使所述半導(dǎo)體層的至少一部分圖案化，從而形成器件區(qū)102和與器件區(qū)102分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103，如圖2B所示。
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需要注意的是，盡管在本發(fā)明的一些實(shí)施例中可以同時(shí)形成器件區(qū)和應(yīng)力引入?yún)^(qū)，但本發(fā)明不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇器件區(qū)和應(yīng)力引入?yún)^(qū)的形成順序。例如，可以先形成器件區(qū)，然后再形成與器件區(qū)分開的應(yīng)力引入?yún)^(qū)。如之前所描述的，器件區(qū)102是用于形成期望的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法中，可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇何時(shí)形成期望的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。例如，可以在襯底101上形成器件區(qū)102之后，在器件區(qū)102中形成期望的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，例如晶體管。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第三步驟。在該步驟中，在器件區(qū)102和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103之間形成隔離結(jié)構(gòu)104。隔離結(jié)構(gòu)104例如可以是淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)例中，可以通過利用電介質(zhì)填充器件區(qū)102和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103之間的間隔來形成隔離結(jié)構(gòu)104。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇隔離結(jié)構(gòu)的類型。例如，隔離結(jié)構(gòu)也可以是場氧化物。如之前所描述的，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法中，可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇何時(shí)形成期望的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)例中，可以在形成隔離結(jié)構(gòu)104之后，在器件區(qū)102中形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，例如晶體管。需要注意的是，為了簡便起見，在圖3中，以通過圖案化形成于襯底上的半導(dǎo)體層而形成器件區(qū)和應(yīng)力引入?yún)^(qū)的情形(如圖2B所示)為例進(jìn)行了圖示。然而，盡管沒有示出，但如圖3所示的步驟同樣適用于使半導(dǎo)體襯底的上部圖案化而形成器件區(qū)和應(yīng)力引入?yún)^(qū)的情形(如圖2A所示)。對于圖4至圖6，也是如此。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的可選的第四步驟。在該可選的步驟中，形成至少覆蓋器件區(qū)102的蓋層105。蓋層105可以用作后續(xù)工藝步驟中用于保護(hù)器件區(qū)102的掩蔽物，以避免器件區(qū)102被非晶化或者受到激光照射。在一個(gè)實(shí)例中，蓋層105可以包括能夠反射激光的金屬層105b。金屬層105b可以包括但不限于從以下材料構(gòu)成的組中選取的材料或材料組合Al、W、Ti。在另一個(gè)實(shí)例中，蓋層105可以進(jìn)一步包括位于金屬層105b之下的緩沖層105a。緩沖層105a可以包括但不限于從以下材料構(gòu)成的組中選取的材料或材料組合Si02、Si3N4。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第五步驟。在該步驟中，使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103的至少一部分非晶化。在圖5中，用附圖標(biāo)記103’來表示應(yīng)力引入?yún)^(qū)的已經(jīng)非晶化的部分。在一個(gè)實(shí)例中，可以通過將離子選擇性注入到至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103的至少一部分而使所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的所述至少一部分非晶化(如圖5中的箭頭所示)。注入的離子例如可以是Ge或Xe。離子的能量可以為50至400 KeV0注入的劑量例如可以大于IXlO14 cm_2。需要注意的是，本發(fā)明并不限于以上實(shí)例，也可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的其他方法來使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化。如之前所描述的，在進(jìn)行非晶化的步驟之前，可以執(zhí)行如圖4所示的可選的步驟以形成至少覆蓋器件區(qū)10 2的蓋層105，該蓋層可以用作掩蔽物以避免器件區(qū)102被非晶化。在圖5中，也示出了蓋層105。然而，需要注意的是，用于形成蓋層的步驟并非是必須的，也可以通過其他方式來掩蔽器件區(qū)。例如，在進(jìn)行非晶化之前，可以直接在器件區(qū)上方且與器件區(qū)相距一定距離處設(shè)置遮蓋物，從而避免器件區(qū)被非晶化。盡管在圖5中示出了所有應(yīng)力引入?yún)^(qū)均被非晶化以形成非晶化的應(yīng)力引入?yún)^(qū)103’，但是應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇應(yīng)力引入?yún)^(qū)的需要被非晶化的部分。也就是說，通過根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的非晶化的步驟，可以使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法的第六步驟。在該步驟中，利用激光照射至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶以形成再結(jié)晶的部分103’’，從而在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入應(yīng)力。在一個(gè)實(shí)例中，所使用的激光的波長例如可以處于200nm至600nm的范圍內(nèi)。通過激光照射而使應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分再結(jié)晶的溫度例如大于1400°C。然而，本發(fā)明不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇所使用的激光的波長以及再結(jié)晶的溫度等。如圖6中的箭頭所示，在應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入的應(yīng)力可以作用于器件區(qū)102，從而改善形成于器件區(qū)中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的性能。例如，在器件區(qū)中形成的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)為晶體管的情況下，在應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入的應(yīng)力可以作用于晶體管的溝道，從而提高溝道中載流子的遷移率以改善器件的速度。
如之前所描述的，可以可選地形成至少覆蓋器件區(qū)102的蓋層105，該蓋層可以用作掩蔽物以避免器件區(qū)102受到激光照射。在圖6中，也示出了蓋層105。然而，需要注意的是，所述蓋層并非是必須的，也可以通過其他方式來掩蔽器件區(qū)。例如，在進(jìn)行激光照射之前，可以直接在器件區(qū)上方且與器件區(qū)相距一定距離處設(shè)置遮蓋物，從而避免器件區(qū)受到激光照射。在形成了蓋層的一個(gè)實(shí)例中，可選地，可以在使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分再結(jié)晶從而在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入應(yīng)力之后，去除所述蓋層。如以上所描述的，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法中，可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇何時(shí)形成期望的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)例中，可以在去除蓋層之后或者在移除設(shè)置在器件區(qū)上方的遮蓋物之后，在器件區(qū)中形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，例如晶體管。在如圖1至6所示的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的方法中，使至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化并且利用激光照射所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶，從而在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入應(yīng)力。因此，本發(fā)明提出了一種利用激光進(jìn)行選擇性再結(jié)晶而產(chǎn)生應(yīng)力的技術(shù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，這種技術(shù)更為簡單，且可以廣泛應(yīng)用于各種集成電路的制造中。下面，參照圖7詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面示意圖。該半導(dǎo)體器件例如可以通過如圖1至圖6所示的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法來形成。如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以包括襯底101 ;位于襯底101上的器件區(qū)102 ;以及，通過隔離結(jié)構(gòu)104與器件區(qū)102分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103’’，在至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分中引入了應(yīng)力。其中，在至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分中引入的應(yīng)力 是通過利用激光照射包括在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶而產(chǎn)生的。器件區(qū)102例如可以包括形成在其中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。所述半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)例如可以是晶體管、MEMs器件等。隔離結(jié)構(gòu)104例如可以是淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)例中，隔離結(jié)構(gòu)包括填充在器件區(qū)102和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103’’之間的間隔中的電介質(zhì)。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以根據(jù)需要或者具體應(yīng)用來選擇隔離結(jié)構(gòu)的類型。例如，隔離結(jié)構(gòu)也可以是場氧化物。如圖7中的箭頭所示，在應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入的應(yīng)力可以作用于器件區(qū)102，從而改善形成于器件區(qū)中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的性能。例如，在器件區(qū)中形成的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)為晶體管的情況下，在應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入的應(yīng)力可以作用于晶體管的溝道，從而提高溝道中載流子的遷移率以改善器件的速度。在一個(gè)實(shí)例中，襯底101可以為半導(dǎo)體襯底，器件區(qū)102和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103’’形成在該半導(dǎo)體襯底的上部中。在另一個(gè)實(shí)例中，半導(dǎo)體器件還可以包括形成在襯底101上的半導(dǎo)體層，器件區(qū)102和至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)103’’形成在該半導(dǎo)體層中，如圖7所示。
盡管已經(jīng)參照附圖詳細(xì)地描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是這樣的描述應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是說明性或示例性的，而不是限制性的；本發(fā)明并不限于所公開的實(shí)施例。上面以及權(quán)利要求中描述的不同實(shí)施例也可以加以組合。本領(lǐng)域技術(shù)人員在實(shí)施要求保護(hù)的本發(fā)明時(shí)，根據(jù)對于附圖、說明書以及權(quán)利要求的研究，能夠理解并實(shí)施所公開的實(shí)施例的其他變型，這些變型也落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

在權(quán)利要求中，詞語“包括”并不排除其他部件或步驟的存在并且“一”或“一個(gè)”并不排除復(fù)數(shù)。在相互不同的從屬權(quán)利要求中陳述了若干技術(shù)手段的事實(shí)并不意味著這些技術(shù)手段的組合不能有利地加以利用。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括提供襯底；在所述襯底上形成器件區(qū)并且形成與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)；在所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間形成隔離結(jié)構(gòu)；使所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化；以及利用激光照射所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶， 從而在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入應(yīng)力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述襯底為半導(dǎo)體襯底，并且其中在所述襯底上形成器件區(qū)并且形成與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)包括使所述半導(dǎo)體襯底的上部的至少一部分圖案化，從而形成所述器件區(qū)和與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在所述襯底上形成器件區(qū)并且形成與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)包括在所述襯底上形成半導(dǎo)體層；以及使所述半導(dǎo)體層的至少一部分圖案化，從而形成所述器件區(qū)和與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間形成隔離結(jié)構(gòu)包括利用電介質(zhì)填充所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間的間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中通過將離子選擇性注入到所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分而使所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的所述至少一部分非晶化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任何一項(xiàng)所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在使所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分非晶化的步驟之前，形成至少覆蓋所述器件區(qū)的蓋層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述蓋層包括能夠反射激光的金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述蓋層還包括位于所述金屬層之下的緩沖層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括在所述襯底上形成所述器件區(qū)之后，在所述器件區(qū)中形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括在所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間形成隔離結(jié)構(gòu)之后，在所述器件區(qū)中形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括在使所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的非晶化的部分再結(jié)晶從而在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中引入應(yīng)力之后，去除所述蓋層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括在去除所述蓋層之后，在所述器件區(qū)中形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括襯底；位于所述襯底上的器件區(qū)；以及通過隔離結(jié)構(gòu)與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)，在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分中引入了應(yīng)力，其中，在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分中引入的應(yīng)力是通過利用激光照射包括在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶而產(chǎn)生的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述襯底為半導(dǎo)體襯底，所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)形成在該半導(dǎo)體襯底的上部中。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件還包括形成在所述襯底上的半導(dǎo)體層，所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)形成在該半導(dǎo)體層中。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述隔離結(jié)構(gòu)包括填充在所述器件區(qū)和所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)之間的間隔中的電介質(zhì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13-16中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述器件區(qū)包括形成在其中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件以及這種半導(dǎo)體器件的制造方法。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以包括襯底；位于所述襯底上的器件區(qū)；以及通過隔離結(jié)構(gòu)與所述器件區(qū)分開的至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)，在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分中引入了應(yīng)力，其中，在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)的至少一部分中引入的應(yīng)力是通過利用激光照射包括在所述至少一個(gè)應(yīng)力引入?yún)^(qū)中的非晶化的部分而使該非晶化的部分再結(jié)晶而產(chǎn)生的。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件以更為簡單的方式產(chǎn)生了應(yīng)力并由此改善了器件性能。
文檔編號(hào)H01L21/762GK103050430SQ20111031134
公開日2013年4月17日 申請日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者梁擎擎, 殷華湘, 鐘匯才, 朱慧瓏 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所