專利名稱：外延片用襯底、外延片及半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種外延片用襯底、外延片及半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
對(duì)于半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)，需要外延層具有完美的晶體結(jié)構(gòu)，而且對(duì)外延層的厚度、導(dǎo)電類型、電阻率及電阻均勻性等方面均有一定的要求。半導(dǎo)體的電阻率一般隨著溫度、摻雜濃度、磁場(chǎng)強(qiáng)度及光照強(qiáng)度等因素的變化而改變。襯底，也稱為基板。外延層生長(zhǎng)過(guò)程中，尤其是背封采用二氧化硅層的襯底，會(huì)產(chǎn)生單晶硅顆粒。單晶硅顆粒會(huì)影響外延片的質(zhì)量。單晶硅顆粒越多，則外延片質(zhì)量越低。另外一個(gè)影響外延片質(zhì)量的因素是表面金屬濃度。表面金屬濃度越高，外延片質(zhì)量越低。現(xiàn)有技術(shù)中的襯底，均因?yàn)閱尉Ч桀w粒過(guò)多而影響產(chǎn)品成品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種提高成品率的外延片用襯底。為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)外延片用襯底，包括襯底本體，其特征在于，所述襯底本體背面設(shè)置有二氧化硅層，在二氧化硅層表面設(shè)置有多晶硅層。優(yōu)選地是，所述的二氧化硅層厚度為3_7um。優(yōu)選地是，所述的多晶硅層厚度為6-lOum。優(yōu)選地是，所述的襯底本體為N型。優(yōu)選地是，所述的N型襯底本體摻雜有砷、磷及銻中的至少一種元素。優(yōu)選地是，所述的襯底本體為P型。優(yōu)選地是，所述的P型襯底本體摻雜有硼。本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種外延層電阻均勻性高的外延片。外延片，其特征在于，包括前述外延片用襯底。本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括前述的外延片。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是能夠降低單晶硅顆粒數(shù)量及表面金屬濃度，能夠提高外延片的成品率。使用設(shè)置二氧化硅層背封的襯底，外延層生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生單晶硅顆粒。單晶硅顆粒是二氧化硅層被氫氣還原所產(chǎn)生，與背封層致密性有很大關(guān)系。因此，本發(fā)明中，在二氧化硅層表面設(shè)置一層多晶硅，可減少單晶硅顆粒。


圖1為本發(fā)明中的實(shí)施例1-4中的外延片用襯底結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的實(shí)施例5-8的外延片結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述實(shí)施例1-4圖1為本實(shí)施例中的外延片用襯底結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，外延片用襯底，包括襯底本體1，襯底本體1既可以是N型，即摻雜有砷、磷或銻元素；所述的襯底本體1還可以是P型，即摻雜有硼元素。在襯底本體1背面設(shè)置有二氧化硅層2。二氧化硅層2表面設(shè)置有多晶硅層3。實(shí)施例1-4均為重?fù)缴橐r底本體，實(shí)施例1-4中的襯底本體背面設(shè)置有厚度分別為 3um、4. 2um、5. 9、um7um 二氧化硅層；厚度分別為 6. 2um、7. 7um、8. 5um、9. 8um 多晶硅層。沉積二氧化硅層、多晶硅層的工藝均可利用現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例5-8圖2為實(shí)施例5-8中的外延片結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，實(shí)施例5_8為分別使用實(shí)施例1-4中的襯底生產(chǎn)的外延片，其結(jié)構(gòu)包括圖1所示的襯底，在襯底本體1正面生長(zhǎng)外延層4。所述襯底包括襯底本體1，在襯底本體1背面設(shè)置有二氧化硅層2。二氧化硅層2 表面設(shè)置有多晶硅層3。外延層4設(shè)置在襯底本體1正面。對(duì)比實(shí)施例1-4中，在襯底本體背面未設(shè)置二氧化硅層及多晶硅層，外延層直接襯底本體正面生長(zhǎng)而成。實(shí)施例5-8與對(duì)比實(shí)施例1-4的外延片單晶硅顆粒面積對(duì)比數(shù)據(jù)如表1所示。表1 單晶硅顆粒占外延片面積百分比
權(quán)利要求
1.外延片用襯底，包括襯底本體，其特征在于，所述襯底本體背面設(shè)置有二氧化硅層， 在二氧化硅層表面設(shè)置有多晶硅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片用襯底，其特征在于，所述的二氧化硅層厚度為 3-7um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片用襯底，其特征在于，所述的多晶硅層厚度為 6_10umo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片用襯底，其特征在于，所述的襯底本體為N型。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外延片用襯底，其特征在于，所述的N型襯底本體摻雜有砷、 磷及銻中的至少一種元素。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片用襯底，其特征在于，所述的襯底本體為P型。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的外延片用襯底，其特征在于，所述的P型襯底本體摻雜有硼。
8.外延片，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7任一權(quán)利要求所述的外延片用襯底。
9.半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的外延片。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種外延片用襯底，包括襯底本體，其特征在于，所述襯底本體背面設(shè)置有二氧化硅層，在二氧化硅層表面設(shè)置有多晶硅層。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是能夠降低單晶硅顆粒數(shù)量及表面金屬濃度，能夠提高外延片的成品率。使用設(shè)置二氧化硅層背封的襯底，外延層生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生單晶硅顆粒。單晶硅顆粒是二氧化硅層被氫氣還原所產(chǎn)生，與背封層致密性有很大關(guān)系。因此，本發(fā)明中，在二氧化硅層表面設(shè)置一層多晶硅，可減少單晶硅顆粒。
文檔編號(hào)H01L29/06GK102376752SQ20111029564
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者林志鑫, 鐘旻遠(yuǎn), 陳斌, 顧昱 申請(qǐng)人:上海晶盟硅材料有限公司