專利名稱：等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體刻蝕工藝，特別涉及等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法。
背景技術(shù)：
集成電路制造工藝是一種平面制作工藝，其結(jié)合光刻、刻蝕、沉積、離子注入等多種工藝，在同一襯底表面形成大量各種類型的復(fù)雜器件，并將其互相連接已具有完整的電子功能。隨著集成電路的器件的特征尺寸不斷地縮小，集成度不斷地提高，對各步工藝的監(jiān)控及其工藝結(jié)果的精確度提出了更高的要求?？涛g工藝是集成電路制造工藝中最復(fù)雜的工序之一。精確監(jiān)控刻蝕工藝的刻蝕終點顯得尤為重要。在專利號為5658423的美國專利中提供一種通過光學(xué)發(fā)射光譜法(OES) 判斷等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點監(jiān)控方法。采用OES判斷等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點監(jiān)控方法包括確定所檢測的元素，所述元素為所要刻蝕的膜層的成分；采集所述元素的光強度，所述光強度與所述元素的濃度相關(guān)；隨著刻蝕工藝的進行，在刻蝕終點，膜層物質(zhì)被刻蝕完畢，所述元素在刻蝕腔的濃度減小，反應(yīng)室內(nèi)檢測到的所述元素的光強度開始減小，此時，即為刻蝕終點。但是，在實際刻蝕工藝中發(fā)現(xiàn)，所述采用OES判斷等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點的監(jiān)控方法容易受到工藝環(huán)境的影響，不能準(zhǔn)確地監(jiān)控等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種等離子刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，以解決現(xiàn)有等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，所述刻蝕工藝在刻蝕腔內(nèi)進行，包括獲取實時刻蝕信號，所述刻蝕信號對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的光信號的強度；在所述刻蝕信號中搜索峰值，所述搜索峰值包括搜索一個上升沿和搜索一個下降沿，所述峰值對應(yīng)于刻蝕工藝的終點。可選地，所述刻蝕信號的獲取過程包括采集刻蝕腔內(nèi)的光信號，所述光信號的波長與刻蝕腔內(nèi)的等離子體相對應(yīng)；將所述光信號輸入到轉(zhuǎn)換器，所述轉(zhuǎn)化器對所述光信號進行篩選，選出至少對應(yīng)于一個波長的光信號，并將所述光信號轉(zhuǎn)換為第一電信號；將所述第一電信號傳輸?shù)教幚砥?，所述處理器對所述第一電信號進行處理得到刻蝕信號?？蛇x地，對所述第一電信號進行處理至少包括對所述第一電信號進行求導(dǎo)處理。可選地，所述上升沿的搜索過程包括選取P個連續(xù)的時間段，P大于1，并采集每
個時間段終點的刻蝕信號，依次記為IpI2......Ιη、ιη+1......IP，如果所選取的P個刻蝕信
號值依次增加，則得到所述刻蝕信號的上升沿；如果In+1小于或等于In，則從In+1開始重新選取P個連續(xù)的時間段，采集并比較每個時間段終點的刻蝕信號，直至得到P個依次增加的刻蝕信號，認為得到刻蝕信號的上升沿。
可選地，所述P個時間段等長?？蛇x地，P的值大于4。可選地，所述下降沿的搜索過程包括選取Q個連續(xù)的時間段，Q大于1，并采集每
個時間段終點的刻蝕信號，依次記為Ii+1、Ii+2......Ii+n、Ii+n+1......Ii+Q，如果所選取的Q個
刻蝕信號值依次下降，則得到所述刻蝕信號的下降沿；如果Ii+n小于或等于Ii+n+1，則從Ii+n+1 開始重新選取Q個連續(xù)的時間段，采集并比較每個時間段終點的刻蝕信號，直至得到Q個依次減小的刻蝕信號，認為得到刻蝕信號的下降沿。可選地，所述Q個時間段等長?？蛇x地，Q的值大于4。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實施例具有以下優(yōu)點提供了一種通過搜索刻蝕信號的峰值，監(jiān)控刻蝕終點的方法，所述方法精度高，且易于實現(xiàn)；進一步，本發(fā)明的實施例中，刻蝕信號的強度對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的刻蝕反應(yīng)物或刻蝕生成物的發(fā)光強度的變化率，所以刻蝕信號的強度不易受刻蝕環(huán)境的影響，即監(jiān)控的精度不易受刻蝕環(huán)境影響。


圖1是在刻蝕終點附近，刻蝕腔內(nèi)的物質(zhì)的發(fā)光強度隨時間的變化關(guān)系示意圖；圖2是本發(fā)明的實施例中所提供的一種獲取刻蝕信號的裝置；圖3為本發(fā)明的第一實施例所提供的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法的流程示意圖；圖4為第一個樣品的刻蝕信號的強度隨時間的變化關(guān)系示意圖；圖5是本發(fā)明的第一實施例所搜索到的刻蝕信號的波峰示意圖；圖6為本發(fā)明的第二實施例所提供的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法的流程示意圖。
具體實施例方式由背景技術(shù)可知，通過監(jiān)控被刻蝕膜層所含有的元素的光學(xué)發(fā)射譜來監(jiān)控等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點的方法不能準(zhǔn)確地監(jiān)控到刻蝕終點。發(fā)明人針對上述問題進行研究，在刻蝕的某一時間點采用探測儀獲取刻蝕腔內(nèi)的全光譜，所獲得的全光譜的橫軸對應(yīng)于波長，縱軸對應(yīng)于光的強度，并且每一個波長的光由刻蝕腔內(nèi)的一種物質(zhì)所發(fā)射，所述物質(zhì)可以是刻蝕反應(yīng)物，也可以是刻蝕生成物。進一步，可以選取幾種物質(zhì)所發(fā)射的光，并采集所選取的光的發(fā)光強度隨時間的變化關(guān)系。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，在刻蝕終點附近，刻蝕腔內(nèi)的物質(zhì)的發(fā)光的強度會持續(xù)變化，但是在刻蝕終點，所述刻蝕腔內(nèi)的物質(zhì)的發(fā)光的強度的變化速率會有一個拐點。具體請參考圖1， 圖1中橫軸為探測時間，縱軸為發(fā)光強度，I時刻為刻蝕終點，曲線a、b、c分別為刻蝕腔內(nèi)的物質(zhì)A、物質(zhì)B、物質(zhì)C的發(fā)光強度隨時間的變化曲線，其中物質(zhì)A、物質(zhì)B、物質(zhì)C可以是刻蝕反應(yīng)物，也可以是刻蝕生成物，可以根據(jù)刻蝕工藝進行選擇。由圖1可以看出，I時刻為刻蝕腔內(nèi)物質(zhì)的發(fā)光強度變化率的拐點。對于物質(zhì)A，在I時刻前、后，發(fā)光強度不斷增加，在I時刻前，增加的速度逐漸增加，在I時刻后，增加的速度逐漸降低；對于物質(zhì)B，在I 時刻前、后，發(fā)光強度不斷增加，在I時刻前，增加的速度逐漸減小，在I時刻后，增加的速度逐漸增加；對于物質(zhì)C，在I時刻前、后，發(fā)光強度不斷降低，在I時刻前，降低的速度逐漸增加，在I時刻后，降低的速度逐漸降低。根據(jù)圖1并結(jié)合導(dǎo)數(shù)的定義可以得出，在刻蝕終點，刻蝕腔內(nèi)的物質(zhì)的發(fā)光強度的導(dǎo)數(shù)隨時間的變化曲線會有一個波峰或者波谷，并且可以根據(jù)所選取的幾種物質(zhì)的發(fā)光強度變化情況建立一個函數(shù)，所述函數(shù)包括對各物質(zhì)的發(fā)光強度求導(dǎo)，所述函數(shù)的波峰或者波谷對應(yīng)于刻蝕的終點。以圖1所示的情況為例，建立函數(shù)y = slope (Ia-Ib-Ic)，其中 Ia、Ib、I。分別是物質(zhì)A、物質(zhì)B、物質(zhì)C的發(fā)光強度隨時間變化的函數(shù)，slope指的是求導(dǎo)，那么在刻蝕終點處，所建立的函數(shù)會出現(xiàn)一個波峰，相應(yīng)地，如果建立的不一樣的函數(shù)，比如建立函數(shù)y = slope (Ic+Ib-Ia)在刻蝕終點處出現(xiàn)波谷，為了使信號更強，還可以在所定義的函數(shù)中對光強做放大處理。根據(jù)上述研究，發(fā)明人在本發(fā)明的實施例中提供了一種等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，包括獲取實時刻蝕信號，所述刻蝕信號對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的光信號的強度；在所述刻蝕信號中搜索峰值，所述搜索峰值包括搜索一個上升沿和搜索一個下降沿，所述峰值對應(yīng)于刻蝕工藝的終點。圖2是本發(fā)明的實施例所提供的一種獲取刻蝕信號的裝置，請參考圖2，包括刻蝕腔10，被刻蝕芯片置于所述刻蝕腔10內(nèi)，刻蝕反應(yīng)物和刻蝕生成物以等離子體態(tài)存在于所述刻蝕腔10內(nèi)；探測器20，所述探測器20采集刻蝕腔10內(nèi)的光信號，所述光信號指的是刻蝕腔內(nèi)刻蝕反應(yīng)物和刻蝕生成物所發(fā)射的不同波長的光的在各個時刻的強度；將所采集到的光信號傳輸?shù)睫D(zhuǎn)化器30，所述轉(zhuǎn)化器30對所獲取的光信號進行篩選，選取出至少一個波長的光信號，并將所述光信號轉(zhuǎn)化為第一電信號；將所述第一電信號傳輸至處理器40， 所述處理器40對所述第一電信號進行處理得到刻蝕信號，所述處理包括求導(dǎo)處理，并在所述刻蝕信號中搜索波峰或者波谷。為了進一步闡明本發(fā)明的精神和實質(zhì)，在下文中結(jié)合實施例和附圖對本發(fā)明進行詳細的闡述。第一實施例圖3為本發(fā)明的第一實施例所提供的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法的流程示意圖，包括步驟S101，獲取實時刻蝕信號，所述刻蝕信號對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的光信號的強度；步驟S102，在所述刻蝕信號中搜索波峰，所述搜索波峰包括先搜索一個上升沿，再搜索一個下降沿，所述波峰對應(yīng)于刻蝕工藝的終點。本實施例中，所述波峰對應(yīng)于刻蝕工藝的終點，包括產(chǎn)生波峰的時刻是刻蝕工藝的終點；產(chǎn)生波峰的時刻的前一時刻是刻蝕工藝的終點；產(chǎn)生波峰的時刻的后一時刻是刻蝕工藝的終點。具體地，產(chǎn)生波峰的時刻與刻蝕工藝的終點時刻的時間差可以根據(jù)工藝情況確定。在本實施例中，首先獲取實時的刻蝕信號，所述刻蝕信號可以采用圖2所示的裝置獲取，所獲取的刻蝕信號對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的光信號的強度。所述刻蝕信號的波峰對應(yīng)于刻蝕終點。
接著，在所述刻蝕信號中搜索上升沿，搜索上升沿得過程包括選取P個連續(xù)的時
間段，P大于1，并采集每個時間段終點的刻蝕信號，依次記為Ip I2......In> In+1......Ip,
如果所選取的P個刻蝕信號值依次增加，則得到所述刻蝕信號的上升沿；如果In+1小于或等于In，則從In+1開始重新選取P個連續(xù)的時間段，采集并比較每個時間段終點的刻蝕信號， 直至得到P個依次增加的刻蝕信號，認為得到刻蝕信號的上升沿。具體地，P個時間段的總時長和各個時間段的時長可以根據(jù)刻蝕工藝、刻蝕信號的信噪比等進行選擇。參考圖4，圖4為第一個樣品的刻蝕信號強度隨時間的變化關(guān)系示意圖，其中縱軸為刻蝕信號強度，橫軸為時間，在本實施例中，可以根據(jù)第一個樣品的刻蝕信號的波峰的上升沿所對應(yīng)的時長P’，選擇監(jiān)控后續(xù)同一批次的樣品的刻蝕終點時所選擇的 P個時間段的總時長。P個時間段的總時長可以大于或者等于P’。P的數(shù)值也可以根據(jù)具體的工藝進行選擇，還是以圖4為例，在圖4中代表刻蝕信號的曲線比較不光滑的情況下，在P個時間段的總時長確定的情況下，所述P的數(shù)值可以略小，以避免因為取點過密，而受信號中的噪聲的干擾，并且可以根據(jù)噪聲的情況，合理分配所述P個時間段的各個時間段的終點，比如，每隔0. Ols出現(xiàn)一個噪聲波，則P個時間段的每個時間段的長度可以是為0. Ols的整數(shù)倍。可選地，所述P個時間段等長，所述P個時間段等長可以提高對上升沿判斷的準(zhǔn)確度，減小噪聲干擾?？蛇x地，所述P的值大于4，P的數(shù)值太小，不利于提高監(jiān)控的精度。 如圖5所示，在搜索到I1U2......In、In+1......Ip共P個依次增加的刻蝕信號后，
搜索到上升沿。在搜索到上升沿之后，開始在刻蝕信號中搜索下降沿，所述下降沿的搜索過程包括選取Q個連續(xù)的時間段，Q大于1，并采集每個時間段終點的刻蝕信號，依次記為Ii+1、
Ii+2......Ii+n、Ii+n+1……Ii+Q，如果所選取的Q個刻蝕信號值依次下降，則得到所述刻蝕信
號的下降沿；如果Ii+n小于或等于Ii+n+1，則從Ii+n+1開始重新選取Q個連續(xù)的時間段，采集并比較每個時間段終點的刻蝕信號，直至得到Q個依次減小的刻蝕信號，認為得到刻蝕信號的下降沿。具體地，Q個時間段的總時長和各個時間段的時長可以根據(jù)刻蝕工藝、刻蝕信號的信噪比等進行選擇。還是參考圖4，圖4中縱軸為刻蝕信號的強度，橫軸為時間，在本實施例中，可以根據(jù)第一個樣品的刻蝕信號的波峰的下降沿所對應(yīng)的時長Q’選擇Q個時間段的總時長。所述Q個時間段的總時長可以大于或者等于Q’。Q的數(shù)值也可以根據(jù)具體的工藝進行選擇，還是以圖4為例，在圖4中代表刻蝕信號的曲線比較不光滑的情況下，在Q個時間段的總時長確定的情況下，所述Q的數(shù)值可以略小，以避免因為取點過密，而受信號中的噪聲的干擾，并且可以根據(jù)噪聲的情況，合理分配所述Q個時間段的各個時間段的終點，比如，每隔0. 02s出現(xiàn)一個噪聲波，則Q個時間段的每個時間段的長度可以是為0. 02s的整數(shù)倍?？蛇x地，所述Q個時間段等長，所述Q個時間段等長可以提高對下降沿判斷的準(zhǔn)確度，減小噪聲干擾。可選地，所述Q的值大于4，Q的數(shù)值太小，不利于提高監(jiān)控的精度。如圖5所示，在搜索到Ii+1、Ii+2......Ii+n、Ii+n+1......Ii+Q連續(xù)Q個依次下降的刻
蝕信號后，搜索到下降沿。在依次搜索到一個上升沿和一個下降沿后，可以確定刻蝕工藝到達終點，并進行相應(yīng)地操作。作為一個實施例，為了確?？涛g沒有殘余，可以在檢查到刻蝕終點后，繼續(xù)過刻蝕一定的時長，所述過刻蝕時長可以根據(jù)工藝環(huán)境及工藝需要進行設(shè)定。綜上，在本實施例中，提供了一種通過搜索刻蝕信號的波峰進行等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控的方法，所述方法精度高，易于實現(xiàn)；進一步，通過監(jiān)控刻蝕腔內(nèi)刻蝕反應(yīng)物或者刻蝕生成物的發(fā)光強度變化率來監(jiān)控刻蝕終點，不易受刻蝕環(huán)境的影響。第二實施例圖6為本發(fā)明的第二實施例所提供的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法的流程示意圖，包括步驟S201，獲取實時刻蝕信號，所述刻蝕信號對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的光信號的強度；步驟S202，在所述刻蝕信號中搜索波谷，所述搜索波谷包括先搜索一個下降沿，再搜索一個上升沿，所述波谷對應(yīng)于刻蝕工藝的終點。本實施例中，所述波谷對應(yīng)于刻蝕工藝的終點，包括產(chǎn)生波谷的時刻是刻蝕工藝的終點；產(chǎn)生波谷的時刻的前一時刻是刻蝕工藝的終點；產(chǎn)生波谷的時刻的后一時刻是刻蝕工藝的終點。具體地，產(chǎn)生波谷的時刻與刻蝕工藝的終點時刻的時間差可以根據(jù)工藝情況確定。在本實施例中，首先獲取實時的刻蝕信號，所述刻蝕信號可以采用圖2所示的裝置獲取，所獲取的刻蝕信號對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的光信號的強度。所述刻蝕信號的波谷對應(yīng)于刻蝕終點。獲取實時的刻蝕信號后，開始在刻蝕信號中搜索下降沿，所述下降沿的搜索過程包括選取Q個連續(xù)的時間段，Q大于1，并采集每個時間段終點的刻蝕信號，依次記為Ii+1、
Ii+2......Ii+n、Ii+n+1……Ii+Q，如果所選取的Q個刻蝕信號值依次下降，則得到所述刻蝕信
號的下降沿；如果Ii+n小于或等于Ii+n+1，則從Ii+n+1開始重新選取Q個連續(xù)的時間段，采集并比較每個時間段終點的刻蝕信號，直至得到Q個依次減小的刻蝕信號，認為得到刻蝕信號的下降沿。關(guān)于搜索下降沿的更多細節(jié)可以參考第一實施例。在得到下降沿后，開始搜索上升沿，所述上升沿的搜索過程包括選取P個連續(xù)的時間段，P大于1，并采集每個時間段終
點的刻蝕信號，依次記為IpI2......Ιη、ιη+1......IP，如果所選取的P個刻蝕信號值依次增
加，則得到所述刻蝕信號的上升沿；如果In+1小于或等于In，則從In+1開始重新選取P個連續(xù)的時間段，采集并比較每個時間段終點的刻蝕信號，直至得到P個依次增加的刻蝕信號， 認為得到刻蝕信號的上升沿。關(guān)于搜索上升沿的更多細節(jié)可以參考第一實施例。在依次得到一個下降沿和一個上升沿后，得到波谷，即監(jiān)控到刻蝕終點。綜上，在本實施例中，提供了一種通過搜索刻蝕信號的波谷監(jiān)控刻蝕終點的等離子體刻蝕工藝的監(jiān)控方法，所述方法精度高，易于實現(xiàn)；進一步，本實施例中通過監(jiān)控刻蝕腔內(nèi)刻蝕反應(yīng)物或者刻蝕生成物的發(fā)光強度的變化率來監(jiān)控刻蝕終點，不易受刻蝕環(huán)境的影響。綜上，本發(fā)明的實施例中提供了一種通過搜索刻蝕信號的峰值，監(jiān)控刻蝕終點的方法，所述方法精度高，且易于實現(xiàn)；進一步，本發(fā)明的實施例中，刻蝕信號的強度對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的刻蝕反應(yīng)物或刻蝕生成物的發(fā)光強度的變化率，所以刻蝕信號的強度不易受刻蝕環(huán)境的影響，即監(jiān)控的精度不易受刻蝕環(huán)境影響。 本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，所述刻蝕工藝在刻蝕腔內(nèi)進行，其特征在于，包括獲取實時刻蝕信號，所述刻蝕信號對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的光信號的強度； 在所述刻蝕信號中搜索峰值，所述搜索峰值包括搜索一個上升沿和搜索一個下降沿， 所述峰值對應(yīng)于刻蝕工藝的終點。
2.依據(jù)權(quán)利要求1的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，其特征在于，所述刻蝕信號的獲取過程包括采集刻蝕腔內(nèi)的光信號，所述光信號的波長與刻蝕腔內(nèi)的等離子體相對應(yīng)；將所述光信號輸入到轉(zhuǎn)換器，所述轉(zhuǎn)化器對所述光信號進行篩選，選出至少對應(yīng)于一個波長的光信號，并將所述光信號轉(zhuǎn)換為第一電信號；將所述第一電信號傳輸?shù)教幚砥?，所述處理器對所述第一電信號進行處理得到刻蝕信號。
3.依據(jù)權(quán)利要求2的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，其特征在于，對所述第一電信號進行處理至少包括對所述第一電信號進行求導(dǎo)處理。
4.依據(jù)權(quán)利要求1的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，其特征在于，所述上升沿的搜索過程包括選取P個連續(xù)的時間段，P大于1，并采集每個時間段終點的刻蝕信號，依次記為I1U2……In、In+1……IP，如果所選取的P個刻蝕信號值依次增加，則得到所述刻蝕信號的上升沿；如果In+1小于或等于In，則從In+1開始重新選取P個連續(xù)的時間段，采集并比較每個時間段終點的刻蝕信號，直至得到P個依次增加的刻蝕信號，認為得到刻蝕信號的上升沿。
5.依據(jù)權(quán)利要求4的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，其特征在于，所述P個時間段等長。
6.依據(jù)權(quán)利要求4的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，其特征在于，所述P的值大于4。
7.依據(jù)權(quán)利要求1的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，其特征在于，所述下降沿的搜索過程包括選取Q個連續(xù)的時間段，Q大于1，并采集每個時間段終點的刻蝕信號，依次記為Ii+1、Ii+2......Ii+n>Ii+n+1......Ii+Q，如果所選取的Q個刻蝕信號值依次下降，則得到所述刻蝕信號的下降沿；如果Ii+n小于或等于Ii+n+1，則從Ii+n+1開始重新選取Q個連續(xù)的時間段，采集并比較每個時間段終點的刻蝕信號，直至得到Q個依次減小的刻蝕信號，認為得到刻蝕信號的下降沿。
8.依據(jù)權(quán)利要求7的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，其特征在于，所述Q個時間段等長。
9.依據(jù)權(quán)利要求7的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，其特征在于，所述Q的值大于4。
全文摘要
一種等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法，所述刻蝕工藝在刻蝕腔內(nèi)進行，包括獲取實時刻蝕信號，所述刻蝕信號對應(yīng)于刻蝕腔內(nèi)的某種或某幾種波長的光信號強度；在所述刻蝕信號中搜索峰值，所述搜索峰值包括搜索一個上升沿和搜索一個下降沿，所述峰值對應(yīng)于刻蝕工藝的終點。本發(fā)明所提供的等離子體刻蝕工藝的終點監(jiān)控方法易于實現(xiàn)，并且可以提高監(jiān)控的精度。
文檔編號H01L21/67GK102332383SQ20111028751
公開日2012年1月25日 申請日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者李俊良, 王兆祥, 王洪軍, 黃智林 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司