專利名稱：一種覆晶插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種覆晶插件式發(fā)光二極管，屬半導(dǎo)體光電領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
覆晶型封裝技術(shù)已經(jīng)在封裝業(yè)界行之有年了，利用覆晶技術(shù)可將發(fā)光二極體芯片反轉(zhuǎn)設(shè)置于一導(dǎo)熱基板上，一方面解決了傳統(tǒng)發(fā)光二極中電極接線焊墊(Bonding Pad)的遮光問題，提高出光效率；另一方面，可用導(dǎo)熱性能佳的基板替換導(dǎo)熱性差的生長(zhǎng)襯底(如藍(lán)寶石)，提升發(fā)光二極體的散熱率，提高器件性能。在覆晶技術(shù)中，目前較多地是使用共晶植球方式進(jìn)行，透過金球植于電極對(duì)位點(diǎn)后進(jìn)行超聲加熱的方式使得電極與金球相結(jié)合。 由于共晶植球過程中需進(jìn)行精密的對(duì)位，因此降低了生產(chǎn)的速度，而且金球與電極間常形成虛焊而導(dǎo)致組件后續(xù)的失效，并且失效后無法進(jìn)行更換。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提出一種覆晶插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)并搭配插件封裝方式提供電路設(shè)計(jì)，其插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)包括發(fā)光外延結(jié)構(gòu)， 其由下而包含第二半導(dǎo)體層，有源層以及第一半導(dǎo)體層；至少一第一電極位于第一半導(dǎo)體層上，至少一第二電極位于第二半導(dǎo)體層上，且第一電極和第二電極位于發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的同側(cè)；至少兩個(gè)PIN腳分別位于第一電極和第二電極上。該插件式發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括如下步驟1)提供一生長(zhǎng)襯底；2)在生長(zhǎng)襯底的正面上形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其由下而上包含第二半導(dǎo)體層，有源層以及第一半導(dǎo)體層；3)在第一半導(dǎo)體層上形成圖案，定義第二電極區(qū)，蝕刻第二電極區(qū)至第二半導(dǎo)體層并裸露出第二半導(dǎo)體層；4)形成第一電極于第一半導(dǎo)體層上，形成第二電極于裸露出的第二半導(dǎo)體層上；5)分別在第一電極和第二電極上形成PIN腳，其高出發(fā)光外延結(jié)構(gòu)表面， 完成插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)。在完成上述步驟后，可將生長(zhǎng)襯底減薄拋光或直接剝離，為了取得更佳的出光效果，可在出光面上做粗化處理。在本發(fā)明中，前述插件式發(fā)光二極管芯片可配合基座封裝形成覆晶發(fā)光二極管， 其結(jié)構(gòu)包括發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其由下而包含第二半導(dǎo)體層，有源層以及第一半導(dǎo)體層；至少一第一電極位于第一半導(dǎo)體層上，至少一第二電極位于第二半導(dǎo)體層上，且第一電極和第二電極位于發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的同側(cè)；至少兩個(gè)PIN腳分別位于第一電極和第二電極上；基座，其上分布有與前述PIN腳進(jìn)行對(duì)位的插孔，且設(shè)置有金屬連線，當(dāng)PIN腳對(duì)位插入插孔后，實(shí)現(xiàn)第一電極和第二電極與金屬連線連接。該覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，主要包括以下步驟1)提供一生長(zhǎng)襯底； 2)在生長(zhǎng)襯底的正面上形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其由下而上包含第二半導(dǎo)體層，有源層以及第一半導(dǎo)體層；3)在第一半導(dǎo)體層上形成圖案，定義第二電極區(qū)，蝕刻第二電極區(qū)至第二半導(dǎo)體層并裸露出第二半導(dǎo)體層；4)形成第一電極于第一半導(dǎo)體層上，形成第二電極于裸露出的第二半導(dǎo)體層；5)分別在第一電極和第二電極上形成PIN腳，其高出發(fā)光外延結(jié)構(gòu)表面；6)提供一基座，其上分布有與前述PIN腳進(jìn)行對(duì)位的插孔，并備置金屬連線，反射金屬導(dǎo)電層上；7)將PIN腳對(duì)位插入基座的插孔入，實(shí)現(xiàn)第一電極和第二電極與金屬連線連接， 形成覆晶插件式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。本發(fā)明改變了傳統(tǒng)發(fā)光二極管的封裝方式，采用插件方式使得芯片與封裝基座之間可進(jìn)行靈活拆卸與組裝，當(dāng)組件失效后能夠快速的進(jìn)行更換，增加了使用上的便利性；且在芯片結(jié)構(gòu)的電極結(jié)構(gòu)上采用PIN腳，方便與基座的插孔進(jìn)行快速對(duì)位、組裝。進(jìn)一步地，采用本發(fā)明的插件方式，避免了一般傳統(tǒng)封裝方式須打線的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而有效提高了器件的性能。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。


附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。圖1為依照本發(fā)明實(shí)施例的插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2為依照本發(fā)明實(shí)施例的覆晶插件式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖3 圖11為依照本發(fā)明實(shí)施例的插件式發(fā)光二極管芯片制備過程的截面示意圖。圖12為依照本發(fā)明實(shí)施例的覆晶插件式發(fā)光二極管的基座剖面圖。圖中各標(biāo)號(hào)表示如下
100 發(fā)光二極管芯片；110 生長(zhǎng)襯底；120 第二半導(dǎo)體層；130 有源層；140 第一半導(dǎo)體層；150 保護(hù)層；151 :圖形化保護(hù)層；160 反射金屬導(dǎo)電層；171 第一電極；172 第二電極；180 厚膜光阻層；191，192 :PIN腳；200 基座；201 第一基板；202 第二基板； 211,212,插孔；221,222 金屬連接。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合， 所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。在此，需要特別注意地是，在本發(fā)明中所提及的“第一電極位于第一半導(dǎo)體層上” 應(yīng)理解為兩種情況第一種，第一電極可直接與第一半導(dǎo)體層接觸；第二種，通過第三層 (如ITO層、反射層等)與第一半導(dǎo)體層連接，此情況下至下而上的層疊順序?yàn)榈谝话雽?dǎo)體層、第三層(如ΙΤ0)、第一電極。說明書中其他類似情況應(yīng)做同樣理解。實(shí)施例一
圖1為一種插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)的剖面圖。一種插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)100，包括至上而下由第一半導(dǎo)體層140、有源層130、第二半導(dǎo)體層120構(gòu)成的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)形成于生長(zhǎng)襯底110上，其中第二半導(dǎo)體層120部分裸露其表面；反射金屬導(dǎo)電層160 覆蓋在第一半導(dǎo)體層140的表面上；第一電極171形成于反射金屬導(dǎo)電層160上，第二電極 172形成于第二半導(dǎo)體層裸露部分的上面；PIN腳191、192以電鑄方式形成于第一電極和第二電極的上，且高出外延層的表面，其中PIN腳191連接第一電極171，PIN腳192連接第二電極。在本實(shí)施例，以氮化物系發(fā)光二極管為例，生長(zhǎng)襯底可以使用藍(lán)寶石襯底，第一半導(dǎo)體層140為ρ型半導(dǎo)體層，有源層130為多量子阱結(jié)構(gòu)，第二半導(dǎo)體層為η型半導(dǎo)體層。反射金屬導(dǎo)電層160的材料可選用Ag、Al、Ti、Ni、Pt、Au、Cr等反射率較佳的金屬，以η側(cè)作為出光面，反射金屬導(dǎo)電層160反射一有源層向該P(yáng)型半導(dǎo)體層發(fā)出的光射， 使反射的光線可從η型層射出。第一電極171和第二電極182的數(shù)量和位置根據(jù)芯片的尺寸進(jìn)行設(shè)計(jì)，至少包含一個(gè)第一電極171和一個(gè)第二電極172，PIN腳191、192分別與第一電極和第二電極對(duì)應(yīng)。 在本實(shí)施例中，設(shè)計(jì)兩個(gè)第一電極，一個(gè)第二電極分布在兩個(gè)第一電極的中間。PIN腳的材料選用Cu、W、Mo、Co、Ni的任意一種或其組合。實(shí)施例二
圖3 圖11為實(shí)施例一中所述的插件式發(fā)光二極管芯片制備過程的截面示意圖。其主要包括發(fā)光外延生長(zhǎng)工藝，電極形成工藝及PIN形成工藝。一種插件式發(fā)光二極管芯片的制作工藝，其步驟如下
首先，先提供生長(zhǎng)襯底110，在其上上生長(zhǎng)發(fā)光外延層，其至下而上包含N層半導(dǎo)體層 120，有源層130，P型半導(dǎo)體層140，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖3所示。下一步Ρ型半導(dǎo)體層140上形成一保護(hù)層150，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖4所示。下一步在保護(hù)層150上定義第二電極區(qū)，形成保護(hù)圖案151于Ρ型半導(dǎo)體層140 上，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖5所示。下一步采用干蝕刻去除第二電極區(qū)的P型半導(dǎo)體層140和有源層130，并裸露出 N型半導(dǎo)體層120，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖6所示。下一步在P型半導(dǎo)體層140上形成反射金屬導(dǎo)電層160，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖7所
7J\ ο下一步在反射金屬導(dǎo)電層160上形成第一電極171，N型半導(dǎo)體層的裸露部分上形成第二電極172，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖8所示。下一步在發(fā)光外延層的表面上形成一厚膜光阻層180，其覆蓋住反射金屬導(dǎo)電層160及N型半導(dǎo)體層120的裸露部分，并覆蓋第一電極171及第二電極172之導(dǎo)線，僅裸露出第一電極71及第二電極72之釘線區(qū)域，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖9所示。下一步分別于第一電極171及第二電極172上電鑄形成PIN腳191，192，其中PIN 腳191連接第一電極171，PIN腳192連接第二電極，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖10所示。下一步去除厚膜光阻層180，將芯片進(jìn)行減薄拋光后切割得一具PIN腳對(duì)位之發(fā)光二級(jí)管芯片，其結(jié)構(gòu)剖面圖如圖11所示。實(shí)施例三
如圖2所示為本實(shí)施所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面圖，其結(jié)構(gòu)主要包
6括一具有PIN腳對(duì)位的發(fā)光二極管芯片及與之對(duì)位組裝的基座。其中發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)已在實(shí)施例一中進(jìn)行了詳細(xì)的描述，在本實(shí)施例將重點(diǎn)對(duì)基座結(jié)構(gòu)與芯片與基座組裝后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖2所示，插件式發(fā)光二極管芯片100倒立安裝于基座200上。基座200上分布有與芯片PIN腳對(duì)位的插孔211，212，且基座200內(nèi)部設(shè)置有金屬連線221、222，金屬連接部分至少部分設(shè)置在插孔211、212內(nèi)。芯片100的PIN腳191、192分別插入基座200的插孔211，212中，其中第一電極171的PIN腳191與插孔211對(duì)位，第二電極172的PIN腳 192與插孔212對(duì)位，PIN腳191與金屬連接221連接，PIN腳192與金屬連接222連接。通過金屬連線221、222，連接外部電源?；牟牧献詈眠x擇散熱性佳的材料，可選用PCB或MCPCB。實(shí)施例四
本實(shí)施例為實(shí)施例三所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其主要包括插件式發(fā)光二極管芯片100的制作工藝及芯片與基座200組裝工藝。其中芯片工藝在實(shí)施例二中已進(jìn)行了細(xì)說的描述，本實(shí)施例再不再做重復(fù)說明。—種覆晶插件式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括如下步驟 首先，依據(jù)實(shí)施例二的方法制備獲得插件式發(fā)光二極管芯片100。下一步提供基座200?；?00上分布有與芯片PIN腳對(duì)位的插孔211，212，且內(nèi)部設(shè)置有金屬連線221、222，金屬連接部分至少部分設(shè)置在插孔211、212內(nèi)?；?00的剖面圖如圖12所示。下一步將發(fā)光二級(jí)管100的PIN腳與基座200進(jìn)行對(duì)位、組裝，形成覆晶插件式發(fā)光二極管，其結(jié)構(gòu)剖面如圖2所示。在本實(shí)施例中，基板200為夾層式，由第一基板201和第二基板202構(gòu)成。如圖12 所示，第二基板位于第一基板上，中間夾層為金屬連線層221和插孔221，插孔222設(shè)置在第二基板202上，插孔202的底部備置金屬連線222?；宓慕Y(jié)構(gòu)并不局限于夾層結(jié)構(gòu)，只要能夠?qū)崿F(xiàn)與芯片組裝并接通外部電源即可。以上實(shí)施例僅供說明本發(fā)明之用，而非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變化。因此，所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)該屬于本發(fā)明的范疇，應(yīng)由各權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種插件式發(fā)光二極管芯片，包括一發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其由下而包含第二半導(dǎo)體層，有源層以及第一半導(dǎo)體層； 至少一第一電極位于第一半導(dǎo)體層上，至少一第二電極位于第二半導(dǎo)體層上，且第一電極和第二電極位于發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的同側(cè)；至少兩個(gè)PIN腳分別位于第一電極和第二電極上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種插件式發(fā)光二極管芯片，其特征在于所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)形成于一生長(zhǎng)襯底上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種插件式發(fā)光二極管芯片，其特征在于，還包括一反射金屬導(dǎo)電層形成于第一半導(dǎo)體層上，所述第一電極形成于該反射金屬導(dǎo)電層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種插件式發(fā)光二極管芯片，其特征在于第一電極對(duì)應(yīng)的 PIN腳的頂端與第二電極對(duì)應(yīng)的PIN腳的頂端不位于同一水平面上。
5.一種插件式發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括如下步驟 提供一生長(zhǎng)襯底；在生長(zhǎng)襯底的正面上形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其由下而上包含第二半導(dǎo)體層，有源層以及第一半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層上形成圖案，定義第二電極區(qū)，蝕刻第二電極區(qū)至第二半導(dǎo)體層并裸露出第二半導(dǎo)體層；形成第一電極于第一半導(dǎo)體層上，形成第二電極于裸露出的第二半導(dǎo)體層上； 分別在第一電極和第二電極上形成PIN腳，其高出發(fā)光外延結(jié)構(gòu)表面，完成插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種插件式發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，還包括下面步驟在步驟4)前先在第一半導(dǎo)體層上形成一反射金屬導(dǎo)電層，步驟4)中所述第一電極形成于反射金屬導(dǎo)電層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種插件式發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述步驟5包含如下工藝在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的表面上覆蓋一光阻層，裸露出第一電極及第二電極的釘線區(qū)域；透過電鑄方式形成PIN腳，其PIN腳分別與第一電極及第二電極相接觸；去除光阻層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種插件式發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，還包括下面步驟在完成步驟5)后將所述生長(zhǎng)襯底進(jìn)行減薄拋光。
9.一種覆晶插件式發(fā)光二極管，包括一發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其由下而包含第二半導(dǎo)體層，有源層以及第一半導(dǎo)體層； 至少一第一電極位于第一半導(dǎo)體層上，至少一第二電極位于第二半導(dǎo)體層上，且第一電極和第二電極位于發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的同側(cè)；至少兩個(gè)PIN腳分別位于第一電極和第二電極上；一基座，其上分布有與前述PIN腳進(jìn)行對(duì)位的插孔，且設(shè)置有金屬連線，當(dāng)PIN腳對(duì)位插入插孔后，實(shí)現(xiàn)第一電極和第二電極與金屬連線連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)形成于一生長(zhǎng)襯底上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管，其特征在于還包括一反射金屬導(dǎo)電層形成于第一半導(dǎo)體層上，第一電極形成于反射金屬導(dǎo)電層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管，其特征在于所述電路連接設(shè)置在基座的內(nèi)部，當(dāng)PIN腳對(duì)位插入插孔后，所有的第一電極全部相互導(dǎo)通，且所有的第二電極也全部相互導(dǎo)通。
13.一種覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，包括如下步驟提供一生長(zhǎng)襯底；在生長(zhǎng)襯底的正面上形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其由下而上包含第二半導(dǎo)體層，有源層以及第一半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層上形成圖案，定義η電極區(qū)，蝕刻η電極區(qū)至第二半導(dǎo)體層并裸露出第二半導(dǎo)體層；形成第一電極于第一半導(dǎo)體層上，形成第二電極于裸露出的第二半導(dǎo)體層上；分別在第一電極和第二電極上形成PIN腳，其高出發(fā)光外延結(jié)構(gòu)表面；提供一基座，其上分布有與前述PIN腳進(jìn)行對(duì)位的插孔，并備置金屬連線，反射金屬導(dǎo)電層上；將PIN腳對(duì)位插入基座的插孔入，實(shí)現(xiàn)第一電極和第二電極與金屬連線連接，形成覆晶插件式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于所述電路連接設(shè)置在基座的內(nèi)部，當(dāng)PIN腳對(duì)位插入插孔后，所有第一電極相互連接，且所有的第二電極同樣相互連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于還包括下面步驟在步驟4)前先在第一半導(dǎo)體層上形成一反射金屬導(dǎo)電層，步驟4)中所述第一電極形成于反射金屬導(dǎo)電層上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于所述反射金屬導(dǎo)電層的材料選用Ag、Al、Ti、Ni、Pt、Au、Cr中的一種或其組合。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述步驟5包含如下工藝在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的表面上覆蓋一光阻層，裸露出第一電極及第二電極釘線區(qū)域；透過電鑄方式形成PIN腳，其PIN腳分別與第一電極及第二電極相接觸；去除光阻層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于所述PIN腳的材料選用Cu、W、Mo、Co、Ni中的一種或其組合。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于所述基座的材料選用PCB或MCPCB。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種覆晶插件式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，還包括下面步驟在完成步驟5)將所述生長(zhǎng)襯底進(jìn)行減薄拋光。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種覆晶插件式發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法。通過將發(fā)光二極管芯片的電極設(shè)置成PIN腳，并搭配插件封裝方式提供電路設(shè)計(jì)。本發(fā)明之覆晶插件式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)主要包括發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其由下而包含第二半導(dǎo)體層,有源層以及第一半導(dǎo)體層；至少一第一電極位于第一半導(dǎo)體層上，至少一第二電極位于第二半導(dǎo)體層上，且第一電極和第二電極位于發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的同側(cè)；至少兩個(gè)PIN腳分別位于第一電極和第二電極上；基座，其上分布有與前述PIN腳進(jìn)行對(duì)位的插孔，且設(shè)置有金屬連線，當(dāng)PIN腳對(duì)位插入插孔后，實(shí)現(xiàn)第一電極和第二電極與金屬連線連接。該發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)可以快速且方便的方式將插件式芯片進(jìn)行組裝,并且節(jié)省一般傳統(tǒng)封裝方式須打線的結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102299228SQ20111028475
公開日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者吳志強(qiáng), 黃少華 申請(qǐng)人:廈門市三安光電科技有限公司