專利名稱：一種led器件及其led模組器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于LED技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種倒裝的高散熱、高光效的LED器件及其 LED模組器件。
背景技術(shù)：
為了獲得更高亮度的LED，通常增加LED的輸入電流，但是隨著電流的增加，LED芯片產(chǎn)生的熱量急劇增加，如不能及時、有效的將多余的熱量導出，LED光效將迅速下降，嚴重縮短LED壽命。隨著LED應用領(lǐng)域日趨廣泛，出現(xiàn)了各種LED封裝結(jié)構(gòu)光源，它包括LED芯片和基板。其中，傳統(tǒng)的金屬基電路板(MCPCB)就是一種散熱性能相對較優(yōu)的基板，其通常結(jié)構(gòu)包括位于底層的金屬基底、位于所述金屬基底之上的絕緣層、以及位于所述絕緣層之上的電路層；其中，金屬基底由熱傳導率極佳的鋁、銅金屬制成；其中，絕緣層由高分子聚合物制成，由于高分子材料的導熱系數(shù)僅為0. 2 0. 5W/mK，從而導致MCPCB的熱傳導率也僅有 lW/mK 2. 2W/mK。因此，傳統(tǒng)金屬基電路板(MCPCB)的散熱性能仍然不好。為了進一步提高其散熱性能，有人將高導電材料復合到絕緣層的高分子聚合物材料中。雖然，該措施在一定程度上提升了傳統(tǒng)MCPCB產(chǎn)品的熱傳導率，但其MCPCB整體主軸方向的熱傳導率亦僅能提升至3 5W/mK左右，遠不能滿足高功率LED產(chǎn)品散熱需求。類金剛石膜(DLC)有極佳的熱導率(600-1200W/mk)，具有12倍于銅材的熱擴散性、高材料強度、高抗侵性等顯著優(yōu)點，用于金屬電路板之絕緣層材料取代傳統(tǒng)金屬電路板的絕緣層，可使金屬電路板絕緣層的熱導率提升百倍以上，且DLC的CTE (熱膨脹系數(shù)) (7 9ppm/°C )與LED芯片、硅或者藍寶石材料的基板較匹配，不會因熱產(chǎn)生熱應力及熱形變，在提高散熱性能的同時，還可以有效解決各材料間熱膨脹系數(shù)不一致帶來的問題，進一步提升LED產(chǎn)品的品質(zhì)與可靠性。其中，美國專利US20050276052A1就公開了一種利用類金剛石膜(DLC)取代高分子聚合物作為絕緣層的高散熱性的LED模塊結(jié)構(gòu)它以氮化鋁(AlN)陶瓷材料作為基底，類金剛石膜(DLC)取代高分子聚合物作為絕緣層，基板上的電路層直接與LED芯片電氣連接。 此種封裝方式增強了 LED的散熱性能，但是由于AlN陶瓷較脆弱易碎，產(chǎn)品良率難以保證。此外，美國專利US20070035930A1公開了另一種高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，在基板 (PCB)的電路層上部分覆蓋、或者全部覆蓋一層DLC薄膜、或者在PCB板上、下表面均覆蓋 DLC薄膜，以加強LED芯片在基板上橫向散熱能力。這種封裝方式雖然也能提高LED散熱能力，但是由于DLC本身為不透明薄膜，對LED光線有一定的吸收，會導致光效有所降低。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的以上不足，本發(fā)明的第一目的在于提供一種散熱性能更佳、且發(fā)光效率更高的LED封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的第二目的在于提供一種散熱性能更佳、且發(fā)光效率更高的LED模組器件。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的第一發(fā)明目的，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案如下一種LED器件，包括基板、以及倒裝在所述基板上的多個LED芯片，所述基板包括金屬基底、生長在所述金屬基底上表面的絕緣層、以及生長在所述絕緣層上的金屬電極層， 所述金屬電極層包括相互獨立的P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層，所述絕緣層采用類金剛石膜(DLC)或金剛石膜制得，在所述P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層的上表面、以及所述P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層之間設(shè)置有第一散熱層，所述第一散熱層同樣采用類金剛石膜(DLC)或金剛石膜制得，在所述第一散熱層的上表面、或者在LED芯片的P型氮化鎵的下表面設(shè)置有一高反射層。 進一步，為了方便加工，在所述P區(qū)金屬電極層上設(shè)置有方便基板和LED芯片電氣連接的P焊墊，在所述N區(qū)金屬電極層上設(shè)置有方便基板和LED芯片電氣連接的N焊墊，為了防止P/N焊墊與反射層發(fā)生電氣連接，在所述P焊墊的側(cè)壁和N焊墊的側(cè)壁也附著有類金剛石膜(DLC)或金剛石膜。進一步，為了增加光輸出效率，在所述P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層之間設(shè)置有一方形凹槽。進一步，為了提升光效，在所述P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層之間設(shè)置有一倒梯形凹槽?？蛇x的，所述金屬基底的金屬材料為鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)、或鎳(Ni)?？蛇x的，所述高反射層由以下任一種材料形成的單層狀的反射層、或以下多種材料周期交替生長形成的多層狀的分布布拉格反射層銦(In)、鋁(Al)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、一氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鈦(Ti2O3)、以及二氧化鋯(ZrO2)。為了實現(xiàn)本發(fā)明的第二發(fā)明目的，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案如下一種根據(jù)所述LED器件制成的LED模組器件，包括LED器件，包括基板、以及倒裝在所述基板上的多個LED芯片；圍壩膠，包圍在所述LED芯片的四周；以及光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層，封蓋在所述LED芯片的上方。進一步，為了實現(xiàn)不同光型的要求，在所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層上還設(shè)置有一光學結(jié)構(gòu)層?？蛇x的，所述光學結(jié)構(gòu)層的形狀為半球形、方形、橢圓形、菲涅爾形、蜂窩形、花生形、圓錐形、正六邊形、或者柿餅形?？蛇x的，所述光學結(jié)構(gòu)層的材料為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅膠(Silicone)、聚丙烯(EP)、聚苯二甲酸乙二醇酯(PET)、以及玻璃中的一種或者幾種?？蛇x的，所述圍壩膠為DAM膠、乳白色不吸光熱固性材料、或白色不吸光熱固性材料?？蛇x的，所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層為有機染料、稀土有機配合物、稀土無機發(fā)光材料、或者半導體量子點。可選的，所述多個LED芯片在所述基板上的排布形狀呈方形、多邊形、或圓形。本發(fā)明在將絕緣層材料改為熱導率極佳的類金剛石膜(DLC)或金剛石膜的同時，還在P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層的上表面、以及P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層之間設(shè)置了相同材料的第一散熱層，從而大大提供了本發(fā)明的散熱性能；為了克服類金剛石膜(DLC)或金剛石膜帶來的光效降低的缺陷，本發(fā)明通過在第一散熱層的上表面、或者在LED芯片的P型氮化鎵的下表面設(shè)置一高反射層，可以顯著提高LED器件發(fā)光效率。因此，本發(fā)明LED器件和LED模組器件，相對于現(xiàn)有技術(shù)不僅僅散熱性能更佳，而且發(fā)光效率更高。


圖1是現(xiàn)有LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明LED器件實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明LED器件實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明LED器件實施例3的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明LED器件實施例4的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明LED器件實施例5的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明LED模組器件實施例6的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明LED模組器件實施例6的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明LED模組器件實施例6的俯視圖；圖10是本發(fā)明LED模組器件實施例7的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖中I-LED芯片；11-藍寶石襯底；12-N型氮化鎵；13-多層量子阱發(fā)光層；14-P型氮化鎵；15-P電極；16-金屬凸點；17-N電極；2-基板；21-P區(qū)金屬電極層；22-N區(qū)金屬電極層；23-絕緣層；24-金屬基底； 25-第一散熱層J6-P焊墊；27-N焊墊；3-反射層；4-外封裝結(jié)構(gòu)；41-圍壩膠；42-光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層；43-光學機構(gòu)層；5-LED模組正極；6-LED模組負極。
具體實施例方式實施例1如圖2所示，本實施例公開了一種LED器件，包括多個LED芯片1 (圖中僅示意性畫出了一個LED芯片的情況)、以及基板2，所示LED芯片1倒裝在基板2上。如圖1所述，LED芯片1包括藍寶石襯底11、N型氮化鎵12、多層量子阱發(fā)光層13、 P型氮化鎵14、P電極15、金屬凸點16和N電極17。在藍寶石襯底11上生長成N型氮化鎵12，N型氮化鎵12上生長成發(fā)光層13，發(fā)光層13上生長有P型氮化鎵14。通過光刻、刻蝕、金屬層沉積和鈍化層保護等工藝步驟，最后經(jīng)過裂片工藝，在P型氮化鎵14層上形成P 電極15和金屬凸點16，在N型氮化鎵12上形成N電極17和金屬凸點16，而且P電極15 和N電極17位于LED芯片的同一側(cè)。其中，金屬凸點16的材料可以為Ag、Au、Al、Cu、Cr、Ni中的一種、多種或其合金，其位置可以在基板2的金屬電極層的P區(qū)21和N區(qū)22上、芯片歐姆接觸層上或兩者均有， 制造金屬凸點16的工藝可以是蒸發(fā)、電鍍、金屬線植球工藝。如圖2所示，基板2包括金屬基底24、生長在金屬基底M上表面的絕緣層23、以及生長在絕緣層23上的金屬電極層，金屬電極層包括相互獨立的P區(qū)金屬電極層21和N 區(qū)金屬電極層22，在P區(qū)金屬電極層21上設(shè)置有方便基板2和LED芯片1電氣連接的P焊墊沈，在N區(qū)金屬電極層22上設(shè)置有方便基板2和LED芯片1電氣連接的N焊墊27，為了防止P/N焊墊06、27)與反射層3發(fā)生電氣連接，在P焊墊沈的側(cè)壁和N焊墊27的側(cè)壁也附著有類金剛石膜(DLC)或金剛石膜。其中，金屬基底M的金屬材料為鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)、或鎳(Ni)。其中，絕緣層23采用類金剛石膜(DLC)或金剛石膜制得，以提高該LED器件的散熱效果。其中，在P區(qū)金屬電極層21和N區(qū)金屬電極層22的上表面、以及P區(qū)金屬電極層 21和N區(qū)金屬電極層22之間設(shè)置有第一散熱層25，第一散熱層25同樣采用類金剛石膜 (DLC)或金剛石膜制得，進一步提高其散熱效果。其中，在第一散熱層25的上表面設(shè)置有一高反射層3，以提高該LED器件的光效。其中，高反射層3由以下任一種材料形成的單層狀的反射層銦(In)、鋁(Al)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、一氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鈦(Ti2O3)、以及二氧化鋯(ZrO2)。本發(fā)明可以通過反應離子刻蝕(RIE)、研磨、拋光工藝露出金屬電路層上P焊墊沈和N焊墊27，LED芯片1上的P電極15和N電極17可以通過Soder、各項異性導電薄膜或共晶鍵合的方式分別與基板2相應的P焊墊沈及N焊墊27進行電連接。以下詳細說明本實施例LED器件的制造方法步驟Sl 制造LED芯片1。在藍寶石襯底11上生長有N型氮化鎵12、P型氮化鎵 14、發(fā)光層13的外延片上，經(jīng)過光刻、刻蝕、金屬層沉積和鈍化層保護等系列工藝步驟，在 LED芯片上形成P電極15和N電極17及電極上的金屬凸點16。步驟S2 制造基板2。通過化學氣相沉積法(CVD)或等離子體增強化學氣相沉積法(PE-CVD)在金屬基底M上表面生長絕緣層23，通過電鍍工藝在絕緣層23上生長金屬電極層。金屬電路層上表面CVD、PE-CVD或蒸鍍工藝分別沉積第一散熱層25和反射層3，通過反應離子刻蝕(RIE)、研磨、拋光工藝等工藝露出金屬層P焊墊沈和N焊墊27。步驟S3 將LED芯片1倒裝焊接在基板2的上表面。通過soder回流、各項異性導電薄膜加熱、施加外力或共晶方式將Sl步驟LED芯片1上的P電極15和N電極17的金屬凸點16分別與金屬基板相應的P焊墊和N焊墊鍵合實現(xiàn)電連接。實施例2如圖3所示，本實施例與實施例1的不同在于高反射層3的位置設(shè)置在LED芯片 1的P型氮化鎵14的下表面。本實施例，由于反射層3設(shè)在P型氮化鎵層14上，則沉積在金屬電極層上的第一散熱層25厚度可以與基板2上P焊墊沈和N焊墊27高度相同；由于第一散熱層采用的是類金剛石膜(DLC)或金剛石膜，具有高的散熱性，可以加速LED芯片散發(fā)的熱量在橫向的流通，迅速將熱量導入到金屬基板，且由于類金剛石膜(DLC)或金剛石膜具有堅硬、耐磨的優(yōu)異特性，沉積在金屬電極層上的類金剛石膜(DLC)或金剛石膜對金屬電路層起到很好的保護作用。實施例3如圖4所示，本實施例與實施例1的不同在于(1)在P焊墊沈的側(cè)壁和N焊墊27的側(cè)壁也附著有類金剛石膜(DLC)或金剛石膜，以進一步提高該LED器件的散熱效果。(2)其高反射層3由以下多種材料周期交替生長形成的多層狀的分布布拉格反射層銦(In)、鋁(Al)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、一氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鈦(Ti2O3)、以及二氧化鋯(ZrO2)。布拉格反射層是由兩種折射率不同的材料周期交替生長的層狀結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑸湎蚧宓墓饫貌祭穹瓷湓矸瓷浠厣媳砻?。分布布拉格反射層法可以直接利用MOCVD設(shè)備進行生長，無須再次加工處理，有很好的成本優(yōu)勢。實施例4如圖5所示，本實施例與實施例1的不同在于在P區(qū)金屬電極層21和N區(qū)金屬電極層22之間設(shè)置有一方形凹槽。由于類金剛石膜(DLC)或金剛石膜的厚度一般在1微米至幾微米間，在此厚度范圍可以進行有效的凹槽刻蝕。凹槽的形成增加了光的傳輸路徑，能夠使得使得光線在凹槽內(nèi)經(jīng)過多次反射最終通過藍寶石面發(fā)射，可以有效的增加光輸出效率。實施例5如圖6所示，本實施例與實施例4的不同在于在P區(qū)金屬電極層21和N區(qū)金屬電極層22之間設(shè)置的凹槽呈倒梯形。本實施例與實施例4相比，倒梯形結(jié)構(gòu)斜邊長度較方形凹槽垂直距離大，且倒梯形結(jié)構(gòu)上部有較大的開口，可以減少入射到凹槽底部發(fā)射出去的光在凹槽側(cè)壁的折射次數(shù)，進一步提升光效。實施例6如圖7所示，本實施例由實施例1-5公開的LED器件所制成的LED模組器件，它包括包括LED器件以及包裹在該LED器件外的外封裝結(jié)構(gòu)。其中，LED器件包括基板2、以及倒裝在基板2上的多個LED芯片1。其中，外封裝結(jié)構(gòu)包括圍壩膠41和光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層42， 圍壩膠41包圍在LED芯片1的四周，光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層42封蓋在所述LED芯片1的上方。其中，圍壩膠41為DAM膠、乳白色不吸光熱固性材料、或白色不吸光熱固性材料。 它可用工藝控制其高度、寬度以及所圍多顆LED芯片的區(qū)域范圍，具有很大的靈活性，方便對產(chǎn)品進行設(shè)計，且圍壩膠本身具有硅膠的高可靠性，可以得到高性能的產(chǎn)品。其中，光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層42為有機染料、稀土有機配合物、稀土無機發(fā)光材料、或者半導體量子點，有機染料具體可選用芳香烷染料、偶氮染料等等，稀土有機配合物具體可選用銪摻雜二苯甲?；淄?DBM:Eu2+)、鋱摻雜對羥基苯甲酸(PHBA:Tb3+)等等，稀土無機發(fā)光材料具體可選用釔鋁石榴石(YAG)、鋁酸镥(LuAG)等等，半導體量子點具體可選用硫化鎘(CdS)、磷化銦αηΡ)等等。光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層42，用于將多顆LED芯片1發(fā)出的光色轉(zhuǎn)化為想要的光色，如將藍光轉(zhuǎn)化為白光等，光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層42為單一層或者多級分層結(jié)構(gòu)。其中，多個LED芯片1在基板2上的排布形狀呈方形、多邊形、圓形或者其他形狀。以下詳細說明本實施例LED器件的制造方法步驟Sl 制造多顆LED芯片1。該步驟與實施例1中的步驟相同。步驟S2 制造基板2。通過化學氣相沉積法(CVD)或等離子體增強化學氣相沉積法(PE-CVD)在金屬基底M上表面生長絕緣層23，通過電鍍工藝在絕緣層23上生長金屬電極層。金屬電路層上表面CVD、PE-CVD或蒸鍍工藝分別沉積第一散熱層25和反射層3，通過反應離子刻蝕(RIE)、研磨、拋光工藝等工藝露出金屬層P焊墊沈和N焊墊27。步驟S3 將LED芯片1倒裝焊接在基板2的上表面。通過soder回流、各向異性導電薄膜加熱、施加外力或共晶方式將Sl步驟LED芯片1上的P電極15和N電極17的金屬凸點16分別與金屬基板相應的P焊墊和N焊墊鍵合實現(xiàn)電連接。LED芯片在基板4上有多種排布方式，不同的排布方式實現(xiàn)不同出光目標，如圖8和9所示。步驟S4 在上述LED芯片1外圍點圍壩膠41。編輯點膠程序，采用半自動機械手在多顆LED芯片外圍點圍壩膠。通過控制點膠氣壓和點膠時間來控制圍壩的高度和寬度。步驟S5 在圍壩膠41圍閉的區(qū)域內(nèi)點光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層42。將YAG基黃色光轉(zhuǎn)換物質(zhì)預先混入透明膠和稀釋劑中制成熒光膠混合物，然后采用注射器在圍壩膠41內(nèi)注射光轉(zhuǎn)換物質(zhì)42。實施例7如圖10所示，本實施例與實施例6不同在于在光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層42上還設(shè)置有一光學結(jié)構(gòu)層43。該光學結(jié)構(gòu)層43的形狀為半球形、方形、橢圓形、菲涅爾形、蜂窩形、花生形、圓錐形、正六邊形、柿餅形中的一種。不同的形狀可以實現(xiàn)該封裝結(jié)構(gòu)不同的光型要求，其材料為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅膠(Silicone)、聚丙烯(EP)、聚苯二甲酸乙二醇酯(PET)、以及玻璃中的一種或者幾種。其實現(xiàn)工藝，可為傳統(tǒng)的模具注塑成型或模定成型。本發(fā)明將LED芯片1倒裝在以類金剛石膜(DLC)或金剛石膜為絕緣層的基板2上， 有效地改善了 LED器件的散熱效果。并通過在金屬電極層上沉積第一散熱層和反射層，加強了 LED芯片橫向散熱，同時反射層的存在提高了 LED出光效率，獲得了高散熱、高光效的 LED器件。本發(fā)明在LED模組器件的封裝結(jié)構(gòu)上，采用COB封裝工藝。以屏障材料做圍壩，工藝上容易控制圍壩的高度、寬度以及所圍多顆LED芯片的區(qū)域范圍，具有很大的靈活性，方便對產(chǎn)品進行設(shè)計，且圍壩膠本身具有硅膠的高可靠性，可以得到高性能的產(chǎn)品。本發(fā)明還可以具有多種實施例，如對MCPCB基板進行改進，增強類金剛石膜(DLC) 或金剛石膜與基板之間的結(jié)合以及加強基板的絕緣設(shè)計的多層結(jié)構(gòu)。以上對本發(fā)明實施例所提供的技術(shù)方案進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本發(fā)明實施例的原理以及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只適用于幫助理解本發(fā)明實施例的原理；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例，在具體實施方式
以及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種LED器件，包括基板、以及倒裝在所述基板上的多個LED芯片，所述基板包括金屬基底、生長在所述金屬基底上表面的絕緣層、以及生長在所述絕緣層上的金屬電極層，所述金屬電極層包括相互獨立的P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層，其特征在于所述絕緣層采用類金剛石膜(DLC)或金剛石膜制得；在所述P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層的上表面、以及所述P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層之間設(shè)置有第一散熱層，所述第一散熱層同樣采用類金剛石膜(DLC)或金剛石膜制得；在所述第一散熱層的上表面、或者在LED芯片的P型氮化鎵的下表面設(shè)置有一高反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于在所述P區(qū)金屬電極層上設(shè)置有方便基板和LED芯片電氣連接的P焊墊； 在所述N區(qū)金屬電極層上設(shè)置有方便基板和LED芯片電氣連接的N焊墊； 在所述P焊墊的側(cè)壁和N焊墊的側(cè)壁也附著有類金剛石膜(DLC)或金剛石膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED器件，其特征在于在所述P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層之間設(shè)置有一方形凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED器件，其特征在于在所述P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層之間設(shè)置有一倒梯形凹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED器件，其特征在于所述金屬基底的金屬材料為鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)、或鎳(Ni)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED器件，其特征在于所述高反射層由以下任一種材料形成的單層狀的反射層、或以下多種材料周期交替生長形成的多層狀的分布布拉格反射層銦(In)、鋁(Al)、金(Au)、鉬(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、氮化硅(SiNx)、二氧化硅 (SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、一氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鈦(Ti2O3)、以及二氧化鋯( )。
7.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述LED器件制成的LED模組器件，其特征在于，包括 LED器件，包括基板、以及倒裝在所述基板上的多個LED芯片；圍壩膠，包圍在所述LED芯片的四周；以及光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層，封蓋在所述LED芯片的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED模組器件，其特征在于 在所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層上還設(shè)置有一光學結(jié)構(gòu)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED模組器件，其特征在于所述光學結(jié)構(gòu)層的形狀為半球形、方形、橢圓形、菲涅爾形、蜂窩形、花生形、圓錐形、正六邊形、或者柿餅形。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED模組器件，其特征在于所述光學結(jié)構(gòu)層的材料為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅膠 (Silicone)、聚丙烯(EP)、聚苯二甲酸乙二醇酯(PET)、以及玻璃中的一種或者幾種。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10任一項所述的LED模組器件，其特征在于 所述圍壩膠為DAM膠、乳白色不吸光熱固性材料、或白色不吸光熱固性材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至10任一項所述的LED模組器件，其特征在于所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層為有機染料、稀土有機配合物、稀土無機發(fā)光材料、或者半導體量子點。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至10任一項所述的LED模組器件，其特征在于 所述多個LED芯片在所述基板上的排布形狀呈方形、多邊形、或圓形。
全文摘要
本發(fā)明屬于LED技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種LED器件及其LED模組器件。本發(fā)明LED器件，包括基板、以及倒裝在基板上的多個LED芯片，其基板的絕緣層采用類金剛石膜(DLC)或金剛石膜制得，在基板的P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層的上表面、以及P區(qū)金屬電極層和N區(qū)金屬電極層之間設(shè)置有第一散熱層，第一散熱層同樣采用類金剛石膜(DLC)或金剛石膜制得，在所述第一散熱層的上表面、或者在LED芯片的P型氮化鎵的下表面設(shè)置有一高反射層。將前述LED器件經(jīng)過封裝即得本發(fā)明的LED模組器件。本發(fā)明通過材料和結(jié)構(gòu)的改進獲得了更好的散熱性能、以及發(fā)光效率，適應了LED的發(fā)展要求。
文檔編號H01L25/075GK102290524SQ201110281070
公開日2011年12月21日 申請日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月21日
發(fā)明者何貴平, 周玉剛, 許朝軍, 陳海英 申請人:晶科電子(廣州)有限公司