專利名稱：阻抗為50ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種阻抗為50 Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片。
背景技術(shù)：
氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片由于氮化鋁陶瓷基板的價(jià)格占總成本50%，所以其價(jià)格始終居高不下。但是在日益激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，價(jià)格愈發(fā)起到了重要的作用，國(guó)內(nèi)氮化鋁陶瓷負(fù)載片的生產(chǎn)商也從各個(gè)方面尋求降低單價(jià)的途徑來擴(kuò)大市場(chǎng)的占用份額。目前國(guó)內(nèi)功率能達(dá)到20瓦負(fù)載片主要采用Imm厚的氮化鋁基板，其價(jià)格下降的空間也較小。然而在特性上，作為絕緣體的絕緣層的厚度跟熱阻和絕緣強(qiáng)度成正比，在減少基板厚度達(dá)到散熱性更好目的的同時(shí)要解決絕緣強(qiáng)度變差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種可在 5*2. 5*0. 635mm基板上承載20W功率的負(fù)載片，其駐波特性滿足市場(chǎng)實(shí)際生產(chǎn)需求。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種阻抗為50 Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片，其包括一 5*2. 5*0. 635mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的正面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接， 所述電阻橫向布置。優(yōu)選的，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷
有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。優(yōu)選的，所述基板選用0. 635mm氮化鋁陶瓷基板。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該阻抗為50 Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片的基板采用了 0. 635mm的規(guī)格，不用與以往一貫采用的Imm厚度，在保證了產(chǎn)品特性的以及質(zhì)量且能穩(wěn)定地承受20W的功率，因?yàn)榛搴穸葴p薄，提供了更有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，為市場(chǎng)成本的降低提供了幫助。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。 本發(fā)明的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該阻抗為50Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片包括一 5*2. 5*0. 635mm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線2及電阻3，電阻3橫向布置.電阻3通過導(dǎo)線2連接形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過銀漿電連接，這樣即可使負(fù)載電路接地形成回路。電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4，導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5，這樣可對(duì)導(dǎo)線2、 電阻3及玻璃保護(hù)膜4形成有效保護(hù)。背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。該阻抗為50 Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片的基板采用了 0. 635mm的規(guī)格， 不用于以往一貫采用的Imm厚度，在保證了產(chǎn)品特性的以及質(zhì)量且能穩(wěn)定地承受20W的功率，因?yàn)榛搴穸葴p薄，提供了更有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，為市場(chǎng)成本的降低提供了幫助。以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種阻抗為50 Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種阻抗為50 Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片，其特征在于其包括一 5*2. 5*0. 635mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的正面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻橫向布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片，其特征在于所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片，其特征在于 所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片，其特征在于 氮化鋁陶瓷基板選用0. 635mm薄型基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種阻抗為50Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片，其包括一5*2.5*0.635mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的正面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻橫向布置。該阻抗為50Ω薄型氮化鋁陶瓷基板20瓦負(fù)載片，采用了更薄型的0.635mm厚度的氮化鋁基板，在使負(fù)載片在特性方面滿足實(shí)際應(yīng)用的要求，又有了更有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格優(yōu)勢(shì)。
文檔編號(hào)H01P1/22GK102361142SQ20111027905
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司