專利名稱：氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片。
背景技術(shù)：
衰減片是把大電壓信號根據(jù)實際要求衰減到一定的比例倍數(shù)(一般指功率衰減)，達到安全或理想的電平值，方便測試工作，尤其在射頻和微波中運用廣泛目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時無法及時地作出判斷，對設(shè)備沒有保護作用。衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監(jiān)控，對設(shè)備有保護作用。衰減片是一種能量消耗元件，功率消耗后變成熱量?？梢韵胂?，材料結(jié)構(gòu)確定后，衰減器的功率容量就確定了，如果讓衰減器承受的功率超過設(shè)計的極限值，衰減器就會被燒毀，所以材料的選擇和線路結(jié)構(gòu)的設(shè)計，以及尺寸的大小，生產(chǎn)工藝對功率的影響很大，市場對環(huán)保和尺寸小型化的要求越來越高，之前的使用的氧化鈹作為基板材料，不符合環(huán)保的要求.目前國內(nèi)30W_20dB的氮化鋁陶瓷衰減片的衰減精度大多只能做到IG頻率以內(nèi)， 少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制。而市場對衰減精度的要求很高， 我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。目前市場上的衰減片當(dāng)使用頻段高于2G時，其衰減精度達不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G 以上的頻段應(yīng)用要求。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足 50 士 1. 5 Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為20 士 IdB，駐波要求滿足市場實際需求，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片，其包括一 5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，。 本產(chǎn)品基于先進的厚膜工藝生產(chǎn)。優(yōu)選的，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。優(yōu)選的，所述衰減電路采用T型電路設(shè)計
上述技術(shù)方案具有如下有益效果該氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片讓衰減電路處于一個完全對稱的狀態(tài)，使得電路的穩(wěn)定性得到提升，同時客戶在使用時不需要刻意的區(qū)分輸入端和輸出端，極大的方便了客戶，也減少了客戶在生產(chǎn)中因為輸入輸出端焊接錯誤導(dǎo)致不良品的產(chǎn)生。同時這種設(shè)計盡可能增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時，高溫對電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實際使用過程中會壞掉的風(fēng)險，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。 本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片包括一 5*5*1MM的氮化鋁基板 1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有導(dǎo)線2及電阻R1、R2、R3， 電阻Rl、R2、R3通過導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氮化鋁基板的中心線對稱，衰減電路的輸出端與一焊盤5 連接，輸入端與一焊盤6連接，兩個焊盤5、6沿氮化鋁基板的中心線對稱。電阻Rl、R2、R3 上印刷有玻璃保護膜3，導(dǎo)線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，這樣可對導(dǎo)線2及電阻Rl、R2、R3形成保護。所有工藝基于先進的厚膜工藝生產(chǎn)。該氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50 士 1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50士 1.5Ω。信號輸入端進入衰減片，經(jīng)過電阻R1、R3、R2對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。該氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片以5*5*1MM的氮化鋁基板作為基板，讓衰減電路處于一個完全對稱的狀態(tài)，使得電路的穩(wěn)定性得到提升，同時客戶在使用時不需要刻意的區(qū)分輸入端和輸出端，兩個焊盤5、6均可作為輸入端或輸出端，極大的方便了客戶，也減少了客戶在生產(chǎn)中因為輸入輸出端焊接錯誤導(dǎo)致不良品的產(chǎn)生。同時這種設(shè)計盡可能增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時，高溫對電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實際使用過程中會壞掉的風(fēng)險，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。以上對本發(fā)明實施例所提供的一種氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片進行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片，其特征在于其包括一 5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱， 所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片，其特征在于所述電阻上印刷有玻璃保護膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片，其特征在于所述衰減電路采用T型電路結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片，其特征在于所述銀漿導(dǎo)線與所述導(dǎo)體層通過接地銀漿連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氮化鋁陶瓷基板30瓦20dB衰減片，其包括一5*5*1mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。通過改變衰減電路中阻值的尺寸大小和表面電阻率來獲得需要的衰減值，通過導(dǎo)線的設(shè)計，來獲得較好的駐波特性。該衰減片增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時，高溫對電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實際使用過程中會壞掉的風(fēng)險，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。
文檔編號H01P1/22GK102361139SQ20111027904
公開日2012年2月22日 申請日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司