專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OrganicLight Emitting Diode display，簡(jiǎn)稱為 OLED)具有自發(fā)光特性并且不需要額外的光源，從而可以制作成輕量化、薄型的平板顯示裝置。并且， 由于其具有功耗低、亮度高以及響應(yīng)速度快等高質(zhì)量特性，因此作為下一代顯示裝置而受到矚目。通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置在內(nèi)部包括有機(jī)發(fā)光器件，以及用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光器件的薄膜晶體管。在薄膜晶體管上形成有用于限定像素區(qū)域的像素限定膜(pixel defining layer，簡(jiǎn)稱為PDL)，在像素限定膜之間形成的像素區(qū)域形成有有機(jī)發(fā)光器件。有機(jī)發(fā)光器件包括陽(yáng)電極、陰電極以及有機(jī)發(fā)光層，從陽(yáng)電極和陰電極分別注入空穴以及電子以形成激子(exiton)，激子躍遷到基態(tài)，從而發(fā)光。若由有機(jī)物構(gòu)成的有機(jī)發(fā)光器件與水分或者氧結(jié)合，則其性能可能會(huì)下降，因此在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中為了防止水分和氧的滲透而使用了封裝技術(shù)。通常，為了封裝形成有有機(jī)發(fā)光器件的顯示基板，可以使用由玻璃或者金屬形成的封裝基板，封裝基板可以通過(guò)密封劑與顯示基板接合。密封劑涂布于顯示基板和封裝基板之間，通過(guò)照射紫外線激光等而被固化。有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基板上形成有用于電連接有機(jī)發(fā)光器件和外部器件的電路部或者排線部，然而當(dāng)密封劑涂布于這種電路部或排線部時(shí)，在密封劑的固化過(guò)程中，可能會(huì)損傷電路部或者排線部。從而，由于在涂布密封劑時(shí)需要回避電路部或者排線部，因此在顯示基板的外圍增加了死角區(qū)(dead space)。尤其是，制作大型有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)，除了密封部件之外可以進(jìn)一步形成吸附劑(getter)，然而因吸附劑將產(chǎn)生死角區(qū)更加變大的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，為了解決上述背景技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供一種用于減少死角區(qū)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。并且，其目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，在密封劑的固化過(guò)程中保護(hù)形成于顯示基板的顯示區(qū)域的有機(jī)發(fā)光器件以及形成于非顯示區(qū)域的電路部，提高顯示基板和封裝基板之間的粘著力。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括第一基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；驅(qū)動(dòng)器件，形成于所述第一基板的所述顯示區(qū)域，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管以及電容器；電路部，形成于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域；有機(jī)發(fā)光器件，形成于所述驅(qū)動(dòng)器件上，包括像素電極、有機(jī)發(fā)光層以及公共電極；無(wú)機(jī)保護(hù)膜，將所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜形成為覆蓋所述有機(jī)發(fā)光器件的公共電極以及所述電路部；密封部件，形成于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上；以及第二基板，設(shè)置于所述密封部件上。所述密封部件可以形成于與所述電路部至少部分重疊的位置。所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜可以包括氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)。所述密封部件可以包括環(huán)氧(印oxy)或者玻璃料(frit)。所述第一基板以及所述第二基板可以由玻璃制成。本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括吸附劑(getter)，形成于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上，相比所述密封部件，位于離所述顯示區(qū)域更近的位置處。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法可以包括在第一基板的顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域上分別形成驅(qū)動(dòng)器件以及電路部，所述驅(qū)動(dòng)器件包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管以及電容器；在所述驅(qū)動(dòng)器件上形成有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括像素電極、有機(jī)發(fā)光層以及公共電極；將無(wú)機(jī)保護(hù)膜形成為覆蓋所述有機(jī)發(fā)光器件的公共電極以及所述電路部；將密封劑涂布于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上；在所述密封劑上設(shè)置第二基板；以及固化所述密封劑以接合所述第一基板和所述第二基板。可以將所述密封劑涂布于與所述電路部至少部分重疊的位置。所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜可以包括氮化硅或者氧化硅。所述密封劑可以包括環(huán)氧或者玻璃料。所述第一基板以及所述第二基板可以由玻璃制成?？梢酝ㄟ^(guò)照射紫外線來(lái)固化所述密封劑。在所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中，在相比所述密封劑離所述顯示區(qū)域更近的位置處的所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上還可以形成吸附劑。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，通過(guò)將密封部件形成為與電路部至少部分重疊，從而可以減少死角區(qū)，所述電路部形成于顯示基板的外圍。并且，通過(guò)將密封劑涂布于無(wú)機(jī)保護(hù)膜上，從而在接合基板的過(guò)程中防止損傷有機(jī)發(fā)光器件以及電路部，還可以提高密封劑的粘接力。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要截面圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的部分放大截面圖3a至圖池是依次圖示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
100 有機(jī)發(fā)光顯示裝置；50 驅(qū)動(dòng)器件；
70 有機(jī)發(fā)光器件；110:第一基板；
120 第二基板；130 密封部件；
140 吸附劑(getter)；150 緩沖層；
151 驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層；152 開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層；
153:第一蓄電板;160 柵極絕緣膜；
161:驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O;163:第二蓄電板;171a:驅(qū)動(dòng)漏電極；172a:開(kāi)關(guān)漏電極；175:電路部；
170 層間絕緣膜； 171b 驅(qū)動(dòng)源電極； 172b 開(kāi)關(guān)源電極； 180 像素限定膜； 710 像素電極； 730 公共電極；
162 開(kāi)關(guān)柵電極；190 無(wú)機(jī)保護(hù)膜；720 有機(jī)發(fā)光層；CNT:接觸孔。
具體實(shí)施例方式下面，參考附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，使得所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠輕易地實(shí)施。在本發(fā)明的說(shuō)明中，說(shuō)明書(shū)全文中對(duì)相同或者類似的組成要素使用相同的附圖標(biāo)記。并且，為了便于說(shuō)明而任意顯示了圖中出現(xiàn)的構(gòu)成要素的大小以及厚度，因此本發(fā)明并不限于所圖示的情況。并且，描述層、膜等部分在其他部分“上”時(shí)，不僅包括該部分“就在”位于其他部分的情況，還包括其中間還有其他部分的情況。圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要截面圖，下面參考其說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的構(gòu)成。如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括第一基板110 ；第二基板120 ；以及密封部件130，介于第一基板110與第二基板120之間。在本實(shí)施例中，第一基板110是指顯示基板，第二基板120是指用于密封顯示基板的封裝基板。第一基板110包括顯示區(qū)域，發(fā)出光從而實(shí)質(zhì)上顯示圖像；以及非顯示區(qū)域，除了顯示區(qū)域以外的區(qū)域。第一基板110的顯示區(qū)域上形成有驅(qū)動(dòng)器件50和有機(jī)發(fā)光器件 70。驅(qū)動(dòng)器件50包括由多個(gè)電極和半導(dǎo)體層形成的薄膜晶體管以及電容器等，通過(guò)它們驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光器件70。并且，薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；以及開(kāi)關(guān)薄膜晶體管。第一基板110的非顯示區(qū)域上形成有電路部175。電路部175形成有排線圖案等， 所述排線圖案電連接外部器件與有機(jī)發(fā)光器件70。根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100還可以包括吸附劑140。吸附劑140用于去除有機(jī)發(fā)光顯示裝置100內(nèi)部的水分或者氧以提高有機(jī)發(fā)光器件的使用壽命以及可靠性，吸附劑140形成于第一基板110的非顯示區(qū)域上，相比密封部件130，吸附劑140位于離顯示區(qū)域更近的位置處。在本實(shí)施例中，分別形成于第一基板110的顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域的有機(jī)發(fā)光器件70和電路部175上形成有無(wú)機(jī)保護(hù)膜190以將它們覆蓋。依此，在顯示區(qū)域中，無(wú)機(jī)保護(hù)膜190與第二基板120接觸，從而可以保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件70 ；在非顯示區(qū)域中，無(wú)機(jī)保護(hù)膜190位于密封部件130以及吸附劑140的下部，從而可以保護(hù)電路部175。圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的部分放大截面圖。具體地，圖 2中，左側(cè)圖是放大顯示有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的非顯示區(qū)域的示意圖，所述非顯示區(qū)域形成有密封部件130 ；其余的圖是放大顯示所述顯示區(qū)域的示意圖，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置100中，所述顯示區(qū)域分別形成有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管以及電容器。下面，參考附圖進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的構(gòu)成。如圖2所示，第一基板110和第二基板120，中間隔著密封部件130以及吸附劑 140，相對(duì)而形成。第一基板110和第二基板120分別可以由玻璃、石英、陶瓷等絕緣性材質(zhì)形成。第一基板110上形成有緩沖層150。緩沖層150由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、 氮氧化硅(SiOxNy)等形成，其還可以根據(jù)第一基板110的材質(zhì)以及工序條件而被省略。緩沖層150上形成有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管以及電容器。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O161以及驅(qū)動(dòng)源/漏電極171 ；開(kāi)關(guān)薄膜晶體管包括開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層152、開(kāi)關(guān)柵電極162以及開(kāi)關(guān)源/漏電極172。并且，電容器包括第一蓄電板153以及第二蓄電板163。按照各個(gè)組成要素的疊層順序說(shuō)明這些薄膜晶體管以及電容器。緩沖層150上形成有驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層152以及第一蓄電板153。 驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151以及開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層152由多晶硅膜形成，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151包括未摻雜有雜質(zhì)的溝道區(qū)域151a ；在溝道區(qū)域151a的兩端摻雜ρ+而成的源區(qū)域151b/漏區(qū)域151c。 開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層152包括未摻雜有雜質(zhì)的溝道區(qū)域15 ；在溝道區(qū)域15 的兩端摻雜ρ+ 而成的源區(qū)域152b/漏區(qū)域152c。其中，雜質(zhì)的種類可以根據(jù)薄膜晶體管的種類而不同。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層152以及第一蓄電板153上形成有柵極絕緣膜 160。柵極絕緣膜160可以由氮化硅或氧化硅形成。柵極絕緣膜160上形成有驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O161、開(kāi)關(guān)柵電極162以及第二蓄電板163， 像素區(qū)域形成有像素電極710。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O161包括透明層161a和金屬層161b ；開(kāi)關(guān)柵電極162包括透明層16 和金屬層162b。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O161和開(kāi)關(guān)柵電極162分別與柵線(未圖示)連接，所述柵線由下部柵線和上部柵線組成。像素電極710、柵電極的透明層161a、透明層16 以及下部柵線可以由如 ITOdndium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等透明的導(dǎo)電性物質(zhì)形成。并且，金屬層161b/金屬層162b以及上部柵線可以由如鋁、銅、銀、鉬等的低電阻金屬形成。透明層 161a/162a改善與柵極絕緣膜160的粘著性以抑制翹起或脫落，金屬層161b/金屬層162b 改善導(dǎo)電性以防止信號(hào)的延遲。并且，金屬層161b/金屬層162b以及上部柵線還可以由層疊有上述金屬的多重膜組成。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O161以及開(kāi)關(guān)柵電極162上形成有層間絕緣膜170。層間絕緣膜170 形成有接觸孔CNT，所述接觸孔CNT分別露出驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151的源區(qū)域151b/漏區(qū)域151c 以及開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層152的源區(qū)域152b/漏區(qū)域152c。并且，層間絕緣膜170形成有像素開(kāi)口部以露出大部分像素電極710、形成有蓄電板開(kāi)口部以露出第二蓄電板163。與柵極絕緣膜160相同，層間絕緣膜170亦可以包括氮化硅或者氧化硅。層間絕緣膜170上形成有驅(qū)動(dòng)源/漏電極171和開(kāi)關(guān)源/漏電極172。驅(qū)動(dòng)漏電極171a、驅(qū)動(dòng)源電極171b、開(kāi)關(guān)漏電極17 以及開(kāi)關(guān)源電極172b通過(guò)接觸孔CNT，分別與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151的源區(qū)域151b/漏區(qū)域151c以及開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層152的源區(qū)域152b/漏區(qū)域152c連接。其中，源電極171b、源電極172b與數(shù)據(jù)線(未圖示)連接，所述數(shù)據(jù)線與柵線絕緣交叉。
如上所述，電容器包括第一蓄電板153以及第二蓄電板163，介于其間的柵極絕緣膜160起到介電體作用。其中，第一蓄電板153與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O161連接；第二蓄電板163與公共電壓線(未圖示)連接，所述公共電壓線與數(shù)據(jù)線平行。在非顯示區(qū)域，層間絕緣膜170上形成有電路部175。電路部175具有如下作用 電路部175與數(shù)據(jù)線、公共電壓線等連接以對(duì)其施加電壓。雖然在本實(shí)施例中示出了電路部175形成于層間絕緣膜170上，然而其還可以形成于緩沖層150或者柵極絕緣膜160上， 并且可以包括構(gòu)成薄膜晶體管的電極的物質(zhì)中的至少一種。在顯示區(qū)域，層間絕緣膜170和驅(qū)動(dòng)源/漏電極171和開(kāi)關(guān)源/漏電極172上形成有像素限定膜180。實(shí)質(zhì)上形成有像素限定膜180的部分是非發(fā)光區(qū)域；與像素電極710 對(duì)應(yīng)的部分形成有像素開(kāi)口部，因此實(shí)質(zhì)上是發(fā)光區(qū)域、即像素區(qū)域。像素限定膜180可以由聚丙烯酸類樹(shù)脂(polyacrylates resin)以及聚酰亞胺類(polyimides)等的樹(shù)脂或者二氧化硅(silica)類無(wú)機(jī)物等形成。像素電極710上形成有有機(jī)發(fā)光層720，有機(jī)發(fā)光層720以及像素限定膜180上形成有公共電極730，這些像素電極710、有機(jī)發(fā)光層720以及公共電極730構(gòu)成了有機(jī)發(fā)光器件70。有機(jī)發(fā)光層720由低分子有機(jī)物或者高分子有機(jī)物組成，可以由多重膜形成， 所述多重膜包括空穴注入層(Hole Injection Layer，簡(jiǎn)稱為HIL)、空穴傳輸層(Hole Transporting Layer，簡(jiǎn)禾爾為 HTL)、電子7I專輸層(Electron Transporting Layer，簡(jiǎn)禾爾為 ETL)以及電子注入層(Electron Injection Layer，簡(jiǎn)稱為EIL)中的一個(gè)以上。如上所述，在本實(shí)施例中，像素電極710由透明導(dǎo)電性物質(zhì)組成、公共電極730由反射率優(yōu)異的金屬組成，從而將根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100形成為背面發(fā)光型，即從有機(jī)發(fā)光層720發(fā)出的光向第一基板110方向射出的背面發(fā)光型。然而，本發(fā)明并不限于此，還可以將公共電極730形成為透明電極以形成正面發(fā)光型或者雙面發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。并且，在本實(shí)施例中示出將像素電極710形成為陽(yáng)電極、將公共電極730形成為陰電極的情況，然而本發(fā)明并不限于此，還可以將像素電極以及公共電極分別形成為陰電極以及陽(yáng)電極。在本實(shí)施例中，第一基板110的顯示區(qū)域的公共電極730和非顯示區(qū)域的電路部 175上形成有無(wú)機(jī)保護(hù)膜190。將無(wú)機(jī)保護(hù)膜190形成為完全覆蓋公共電極730和電路部 175，以不向外部露出公共電極730以及電路部175。并且，無(wú)機(jī)保護(hù)膜190可以由氮化硅或
者氧化硅組成。第一基板110的非顯示區(qū)域的無(wú)機(jī)保護(hù)膜190上形成有密封部件130和吸附劑 140。密封部件130可以形成于與電路部175至少重疊一部分的位置上，為了接合第一基板 110和第二基板120而可以由環(huán)氧(印oxy)或者玻璃料(frit)形成。并且，吸附劑140用于去除水分或者氧，可以包括如鈣、鋇、鎂、鈦、鋯等的金屬、金屬氧化物以及金屬氫化物。第二基板120設(shè)置于非顯示區(qū)域的密封部件130以及顯示區(qū)域的無(wú)機(jī)保護(hù)膜190 上。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括無(wú)機(jī)保護(hù)膜190，從而可以保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件70和電路部175免受外部要素?fù)p害，將所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜190形成為覆蓋有機(jī)發(fā)光器件70的公共電極730以及非顯示區(qū)域的電路部175。即，當(dāng)接合第二基板120 與第一基板110時(shí)，可以抑制公共電極730被刮擦等損傷；在電路部175上形成密封部件 130時(shí)，可以抑制在密封劑固化過(guò)程中的電路部175的損傷。并且，可以在電路部175上形成密封部件130以及吸附劑140，從而可以通過(guò)減少有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的死角區(qū)以有效地使用基板。圖3a至圖池是依次圖示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的示意圖，下面參考附圖依次說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的制造方法。如圖3a所示，在第一基板110上形成緩沖層150。第一基板110由玻璃、石英、陶瓷等絕緣性材質(zhì)組成，緩沖層150可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等形成，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法全面沉積于第一基板110上。在緩沖層150上形成非晶硅膜之后，將其結(jié)晶化，從而形成多晶硅膜。作為結(jié)晶化方法，可以適用如熱、激光、電場(chǎng)或者金屬催化劑等已公知的多種方法。形成多晶硅膜之后，利用第一圖案掩模板，以光刻工序圖案化，從而形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151'、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層 152'以及第一蓄電板153'。如圖北所示，在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層151'、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層152'以及第一蓄電板153' 上形成柵極絕緣膜160。柵極絕緣膜160可以由氮化硅或者氧化硅組成，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等方法形成為覆蓋緩沖層150以及多晶硅膜。形成柵極絕緣膜160之后，在柵極絕緣膜160上依次層疊透明導(dǎo)電層以及柵金屬層。然后，通過(guò)利用第二圖案掩模板的光刻工序圖案化透明導(dǎo)電層以及金屬層，從而形成柵電極161、柵電極162、像素電極710、像素電極710'、第二蓄電板163、第二蓄電板163'以及與它們連接的柵線(未圖示)。此時(shí)，透明導(dǎo)電層可以包括ΙΤ0、ΙΖ0等，柵金屬層可以包括鋁、銅、銀、鉬等的低電阻金屬。然后，將柵電極161以及柵電極162作為掩模板，向半導(dǎo)體層151以及半導(dǎo)體層152注入雜質(zhì)，從而形成摻雜有雜質(zhì)的源區(qū)域151b/漏區(qū)域151c、源區(qū)域152b/漏區(qū)域 152c，未摻雜有雜質(zhì)的溝道區(qū)域151a以及溝道區(qū)域15加。如圖3c所示，在柵電極161以及柵電極162上形成層間絕緣膜170。層間絕緣膜 170可以由氮化硅或者氧化硅形成，且形成為覆蓋柵極絕緣膜160、柵電極161以及柵電極 162 等。然后，通過(guò)利用第三圖案掩模板的光刻工序圖案化層間絕緣膜170，從而露出像素電極710、像素電極710'、第二蓄電板163以及第二蓄電板163'。并且，圖案化層間絕緣膜170以及柵極絕緣膜160，從而形成接觸孔CNT，所述接觸孔CNT露出半導(dǎo)體層151的源區(qū)域151b、漏區(qū)域151c以及半導(dǎo)體層152的源區(qū)域15 以及漏區(qū)域152c。如圖3d所示，蝕刻像素電極710中由金屬層形成的像素電極710'以及第二蓄電板163中由金屬層形成的第二蓄電板163'，從而只留下透明層。然后，在層間絕緣膜170 上形成數(shù)據(jù)金屬層之后，通過(guò)利用第四圖案掩模板的光刻工序圖案化，從而形成驅(qū)動(dòng)源/ 漏電極171、開(kāi)關(guān)源/漏電極172、與它們連接的數(shù)據(jù)線(未圖示)以及公共電壓線(未圖示)。驅(qū)動(dòng)源/漏電極171、開(kāi)關(guān)源/漏電極172通過(guò)接觸孔CNT，與半導(dǎo)體層151的源區(qū)域151b/漏區(qū)域151c以及半導(dǎo)體層152的源區(qū)域152b/漏區(qū)域152c連接。并且，在第一基板110的非顯示區(qū)域上可以一并形成電路部175，所述電路部175與數(shù)據(jù)線、公共電壓線等連接。如圖3e所示，在第一基板110的顯示區(qū)域中，在層間絕緣膜170上形成像素限定膜180以覆蓋驅(qū)動(dòng)源/漏電極171、開(kāi)關(guān)源/漏電極172。通過(guò)利用第五圖案掩模板的光刻工序在像素限定膜180形成開(kāi)口部，所述開(kāi)口部露出部分像素電極710。此時(shí)，開(kāi)口部與發(fā)光區(qū)域、即像素區(qū)域?qū)R。并且，像素限定膜180可以由聚丙烯酸類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、 二氧化硅類無(wú)機(jī)物等形成。如圖3f所示，在像素電極710上形成有機(jī)發(fā)光層720，在第一基板110的顯示區(qū)域上形成公共電極730以覆蓋有機(jī)發(fā)光層720和像素限定膜180，從而形成有機(jī)發(fā)光器件 70?？梢詫⒂袡C(jī)發(fā)光層720形成為包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的一個(gè)以上。在本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)背面發(fā)光結(jié)構(gòu)，可以將光反射率高且電阻低的、 如鎂、銀、鋁、鉻以及這些金屬的合金等作為公共電極730而使用。依此，從有機(jī)發(fā)光層720 發(fā)出的光被公共電極730反射，并透過(guò)像素電極710和第一基板110向外部發(fā)出，從而顯示圖像。如圖3g所示，在第一基板110上形成無(wú)機(jī)保護(hù)膜190。無(wú)機(jī)保護(hù)膜190可以由氮化硅或者氧化硅組成，將無(wú)機(jī)保護(hù)膜190形成為完全覆蓋第一基板的顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域。依此，無(wú)機(jī)保護(hù)膜190覆蓋顯示區(qū)域的公共電極730和非顯示區(qū)域的電路部175，從而不向外部露出公共電極730以及電路部175。如圖3h所示，在第一基板110的非顯示區(qū)域的無(wú)機(jī)保護(hù)膜190上涂布密封劑。為了減少死角區(qū)以有效地使用基板，可以將密封劑涂布于與電路部175至少重疊一部分的位置?？梢詫h(huán)氧或者玻璃料作為密封劑而使用，然而本發(fā)明并不限于這些材質(zhì)。涂布密封劑之后，與第一基板110相對(duì)地設(shè)置第二基板120，從而通過(guò)固化密封劑形成密封部件130。 可以通過(guò)照射紫外線等固化密封劑，隨著密封劑被固化，實(shí)現(xiàn)第一基板110和第二基板120 的接合。為了接合第一基板110和第二基板120，在固化密封劑的過(guò)程中照射紫外線等， 然而在這種密封劑固化過(guò)程中，非顯示區(qū)域的電路部175露出在紫外線等時(shí)可能會(huì)發(fā)生損傷。然而，在本實(shí)施例中，電路部175被無(wú)機(jī)保護(hù)膜190覆蓋，因此在密封劑固化過(guò)程中，紫外線等不會(huì)直接照射至電路部175，從而可以將其保護(hù)，依此，可以通過(guò)在電路部175 上涂布密封劑形成密封部件130，由此可以減少死角區(qū)。另外，因存在無(wú)機(jī)保護(hù)膜190，因此電路部175不會(huì)露出在外部，從而可以防止由水分的滲透等所導(dǎo)致的電路部175的腐蝕。并且，密封部件130形成在無(wú)機(jī)保護(hù)膜190上，因此可以提高粘接力。另外，在本實(shí)施例中，將無(wú)機(jī)保護(hù)膜190形成為覆蓋顯示區(qū)域的公共電極730，因此在接合第二基板120與第一基板110的過(guò)程中，可以防止公共電極730的刮擦等，從而保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件70。如上所述，按照本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的制造方法，只使用五個(gè)掩模板就可以形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置100，保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件70以及電路部175且減少了死角區(qū)，從而可以有效地使用基板。本實(shí)施例中，在密封部件130的內(nèi)側(cè)還可以形成吸附劑140。吸附劑140用于去除有機(jī)發(fā)光顯示裝置100內(nèi)部的水分或者氧等，可以包括鈣、鋇、鎂、鈦、鋯等金屬、金屬氧化物、金屬氫化物等。吸附劑140亦可以形成于以無(wú)機(jī)保護(hù)膜190覆蓋的電路部175上，從而在非顯示區(qū)域中不增加死角區(qū)且去除水分或者氧等，由此可以提高有機(jī)發(fā)光器件70的使用壽命。以上，通過(guò)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，然而本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例，本發(fā)明要求專利保護(hù)的范圍由權(quán)利要求所決定。即，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠容易理解，在不超出權(quán)利要求的概念和范圍內(nèi)可以進(jìn)行多種修改以及變型。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括 第一基板，具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；驅(qū)動(dòng)器件，形成于所述第一基板的所述顯示區(qū)域，具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管以及電容器；電路部，形成于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域；有機(jī)發(fā)光器件，形成于所述驅(qū)動(dòng)器件上，具有像素電極、有機(jī)發(fā)光層以及公共電極； 無(wú)機(jī)保護(hù)膜，形成為覆蓋所述有機(jī)發(fā)光器件的所述公共電極以及所述電路部； 密封部件，形成于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中的所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上；以及第二基板，設(shè)置于所述密封部件上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述密封部件形成于與所述電路部至少部分重疊的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜包括氮化硅或者氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述密封部件包括環(huán)氧或者玻璃料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述第一基板以及所述第二基板由玻璃制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括吸附劑，形成于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中的所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上，形成于相比所述密封部件離所述顯示區(qū)域更近的位置處。
7.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括在第一基板的顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域上分別形成驅(qū)動(dòng)器件以及電路部，所述驅(qū)動(dòng)器件包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管以及電容器；在所述驅(qū)動(dòng)器件上形成有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件具有像素電極、有機(jī)發(fā)光層以及公共電極；將無(wú)機(jī)保護(hù)膜形成為覆蓋所述有機(jī)發(fā)光器件的所述公共電極以及所述電路部； 將密封劑涂布于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中的所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上； 在所述密封劑上設(shè)置第二基板；以及固化所述密封劑以接合所述第一基板和所述第二基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 將所述密封劑涂布于與所述電路部至少部分重疊的位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜包括氮化硅或者氧化硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述密封劑包括環(huán)氧或者玻璃料。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一基板以及所述第二基板由玻璃制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 通過(guò)照射紫外線以固化所述密封劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至12中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法， 其特征在于，在所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中，在所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上的、相比所述密封劑離所述顯示區(qū)域更近的位置處還形成吸附劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括第一基板，具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；驅(qū)動(dòng)器件，形成于所述第一基板的所述顯示區(qū)域，具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管以及電容器；電路部，形成于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域；有機(jī)發(fā)光器件，形成于所述驅(qū)動(dòng)器件上，具有像素電極、有機(jī)發(fā)光層以及公共電極；無(wú)機(jī)保護(hù)膜，形成為覆蓋所述有機(jī)發(fā)光器件的公共電極以及所述電路部；密封部件，形成于所述第一基板的所述非顯示區(qū)域中的所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜上；以及第二基板，設(shè)置于所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜以及所述密封部件上。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102544056SQ201110260380
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
發(fā)明者崔埈厚, 柳春基 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社