專利名稱：存儲器件的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，特別涉及一種存儲器件的形成方法。
背景技術(shù)：
在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型邏輯、存儲器和模擬電路，其中存儲器件在集成電路產(chǎn)品中占了相當大的比例。而在存儲器件中，近年來閃速存儲器(flash memory)的發(fā)展尤為迅速。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息，具有集成度高、較快的存取速度、易于擦除和重寫等多項優(yōu)點，因而在微機、自動化控制等多項領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 圖I示出的存儲器件結(jié)構(gòu)包括襯底001，位于襯底001表面的字線結(jié)構(gòu)，所述字線結(jié)構(gòu)包括兩個字線區(qū)I、及位于字線區(qū)I之間的擦除柵區(qū)2，所述字線區(qū)I和擦除柵區(qū)2間還形成有浮柵結(jié)構(gòu)002及位于所述浮柵結(jié)構(gòu)002表面的控制柵結(jié)構(gòu)003。所述字線區(qū)I包括字線柵極氧化層0041及字線柵極004。其中，所述擦除柵區(qū)2形成有位于所述襯底001上的隧穿氧化層006及擦除柵005，所述隧穿氧化層006包括位于襯底表面的第一隧穿氧化層0061及位于擦除柵區(qū)2側(cè)壁的第二隧穿氧化層0062。位于所述擦除柵區(qū)2下方的襯底001內(nèi)形成有源區(qū)020。所述存儲器件還包括內(nèi)側(cè)墻007，所述內(nèi)側(cè)墻007位于浮柵結(jié)構(gòu)和控制柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。所述字線區(qū)I中遠離所述擦除柵區(qū)2的一側(cè)形成有外側(cè)墻010，所述外側(cè)墻010包括氧化硅層011及位于所述氧化硅層011表面的氮化硅層012。所述外側(cè)墻010用于字線區(qū)I和位線區(qū)(未圖示)之間的隔離。如圖2為圖I的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖I為圖2沿方向的截面圖。所述存儲器件包括襯底001，位于所述襯底001內(nèi)的位線區(qū)008，圖中示出了平行分布的三條位線。位于所述位線區(qū)008上的字線結(jié)構(gòu)，一個所述字線結(jié)構(gòu)的延伸方向與一根所述位線的延伸方向相互垂直，圖2示出了一個字線結(jié)構(gòu)。所述字線結(jié)構(gòu)的具體結(jié)構(gòu)可以參照圖
I。如圖2所示，在所述字線結(jié)構(gòu)的延伸方向形成與控制柵結(jié)構(gòu)003連接的控制柵接觸結(jié)構(gòu)009，用以使得所述控制柵結(jié)構(gòu)003與外部電信號連接。參考圖2，形成所述隧穿氧化層006時，在暴露出的襯底001表面均會沉積形成隧穿氧化層006對應(yīng)的氧化層材料。其中，位于兩個所述控制柵接觸結(jié)構(gòu)009之間的襯底001表面區(qū)域也同樣沉積所述氧化層材料，進而形成第一氧化層0063，所述第一氧化層0063的厚度與第一隧穿氧化層0061的厚度相同。所述擦除柵結(jié)構(gòu)005下方的襯底001及所述第一氧化層0063下方襯底001內(nèi)形成有源區(qū)020。本圖為示意清楚，所述第一氧化層0063尺寸略有放大。后續(xù)地，將需要去除所述第一氧化層0063，并對所述形成有源區(qū)020的襯底形成金屬硅化物及連接結(jié)構(gòu)，使得所述源區(qū)020與外部電信號連接?，F(xiàn)有技術(shù)中，常出現(xiàn)所述源區(qū)020與外部電信號連接不可靠的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種存儲器件的形成方法，提高存儲器件中源區(qū)與外部電信號連接的可靠性。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種存儲器件的形成方法，包括提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有位線區(qū)；在所述襯底表面形成一個或一個以上的字線結(jié)構(gòu)，所述字線結(jié)構(gòu)的排列方向與位線區(qū)內(nèi)的位線排列方向垂直，所述字線結(jié)構(gòu)包括兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)之間的擦除柵結(jié)構(gòu)、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)中遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)的字線區(qū)，及所述兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)之間襯底內(nèi)的源區(qū)，其中，被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面形成有隧穿氧化層，未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面形成有第一氧化層；形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)的金屬硅化物，包括對所述第一 氧化層進行離子摻雜，接著去除所述第一氧化層，以暴露出未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面；形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)的金屬硅化物?？蛇x的，所述對所述第一氧化層進行離子摻雜后，同一濕法刻蝕溶液對第一氧化層的刻蝕速率增加I I. 5倍。可選的，所述離子摻雜的離子為硼離子、磷離子、砷離子或者氟離子?？蛇x的，所述去除所述第一氧化層的工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕的溶液為氧化物刻蝕緩沖溶液或者氫氟酸溶液?？蛇x的，所述第一氧化層的厚度范圍為100 300A?？蛇x的，形成所述字線結(jié)構(gòu)包括首先在所述襯底表面形成相對設(shè)置的兩個控制柵極結(jié)構(gòu)，所述控制柵極結(jié)構(gòu)與所述襯底之間還形成有浮柵結(jié)構(gòu)；對位于所述控制柵結(jié)構(gòu)之間的襯底進行離子摻雜，形成源區(qū)；形成位于所述控制柵結(jié)構(gòu)之間的擦除柵結(jié)構(gòu)；形成位于所述控制柵中遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)的字線區(qū)?？蛇x的，所述形成所述擦除柵結(jié)構(gòu)前，還包括在所述源區(qū)表面形成氧化層，所述氧化層包括所述隧穿氧化層和所述第一氧化層?？蛇x的，形成所述氧化層的方法為熱氧化或化學(xué)氣相沉積法?？蛇x的，還包括形成位于控制柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的內(nèi)側(cè)墻，及位于所述字線區(qū)中遠離所述擦除柵區(qū)的一側(cè)的外側(cè)墻?？蛇x的，所述外側(cè)墻包括氧化硅層及位于所述氧化硅層表面的氮化硅層，用以所述字線區(qū)和位線區(qū)的隔離?？蛇x的，形成所述金屬硅化物包括首先采用氧化材料覆蓋所述源區(qū)表面；接著采用濕法去除所述氧化材料，暴露出所述源區(qū)表面，形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)上的金屬硅化物。可選的，所述濕法去除所述氧化材料的同時還包括去除部分剩余的所述第一氧化層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案具有以下優(yōu)點在去除所述第一氧化層前，首先對所述第一氧化層進行離子摻雜，降低所述第一氧化層的致密度，進而使得對于同一濕法刻蝕溶液可以提高對第一氧化層的刻蝕速率，使得第一氧化層達到去除徹底的效果，提高金屬硅化物及連接結(jié)構(gòu)與所述源區(qū)的連接可靠性，進而提高所述源區(qū)與外部電信號連接的可靠性。所述對所述第一氧化層進行離子摻雜后，同一濕法刻蝕溶液對第一氧化層的刻蝕速率增加I I. 5倍，較大程度地提高第一氧化層的刻蝕速率，使得第一氧化層達到去除徹底的效果，提高金屬硅化物及連接結(jié)構(gòu)與所述源區(qū)的連接可靠性，進而提高所述源區(qū)與外部電信號連接的可靠性。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其他目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。附圖的繪制并未刻意按照實際比例，重點在于示出本發(fā)明的主旨。在附圖中，為清楚明了，部分層和區(qū)域被加以放大。圖I與圖2為現(xiàn)有技術(shù)存儲器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為現(xiàn)有技術(shù)存儲器件的空洞結(jié)構(gòu)示意圖；圖4至圖12是本發(fā)明一個實施例的存儲器件的形成方法的實施例剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，常出現(xiàn)所述源區(qū)020與外部電信號連接不可靠的問題。經(jīng)發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，因為所述第一氧化層0063位于控制柵結(jié)構(gòu)之間的凹陷，且在所述第一氧化層0063形成后會經(jīng)歷一系列熱處理工藝，所述熱處理工藝會提高所述第一氧化層0063的致密性，使其更難以去除。所以未能徹底去除的所述第一氧化層0063，導(dǎo)致后續(xù)形成的源區(qū)020表面的金屬硅化物及連接結(jié)構(gòu)與所述源區(qū)020的連接不足，降低了所述源區(qū)020與外部電信號連接的可靠性。發(fā)明人進一步發(fā)現(xiàn)，若僅增加對所述第一氧化層0063的刻蝕時間及刻蝕濃度，會導(dǎo)致對其他位置的氧化材料的過刻蝕。如圖3所示，對所述第一氧化層0063的過長刻蝕會造成外側(cè)墻010內(nèi)的氧化硅層011近所述襯底001的位置形成有空洞030，所述空洞030會影響字線區(qū)和位線區(qū)之間的絕緣，造成字線區(qū)和位線區(qū)電連接，嚴重影響存儲器件性能。而若僅僅針對所述第一氧化層0063進行選擇性刻蝕，則需要額外形成對所述第一氧化層0063的掩模，增加工藝的復(fù)雜度。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種存儲器件的形成方法，包括提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有位線區(qū)；在所述襯底表面形成一個或一個以上的字線結(jié)構(gòu)，所述字線結(jié)構(gòu)的排列方向與位線區(qū)內(nèi)的位線排列方向垂直，所述字線結(jié)構(gòu)包括兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)之間的擦除柵結(jié)構(gòu)、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)中遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)的字線區(qū)，及所述兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)之間襯底內(nèi)的源區(qū)，其中，被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面形成有隧穿氧化層，未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面形成有第一氧化層；形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)的金屬硅化物，包括首先對所述第一氧化層進行離子摻雜，接著采用濕法刻蝕的方法去除所述第一氧化層，以暴露出未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面；形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)的金屬硅化物。通過首先對所述第一氧化層進行離子摻雜，降低所述第一氧化層的致密度，對第一氧化層達到去除徹底的效果，提高金屬硅化物及連接結(jié)構(gòu)與所述源區(qū)的連接可靠性，進而提高所述源區(qū)與外部電信號連接的可靠性。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。圖4至圖12為本發(fā)明一個實施例的存儲器件的形成方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖，所述示意圖只是實例，在此不應(yīng)過度限制本發(fā)明保護的范圍。 如圖4所示，提供襯底101，所述襯底101可以是單晶、多晶、或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺，也可以是絕緣體上硅(SOI)?；蛘哌€可以包括其它的材料，例如砷化鎵等三五族化合物。其中，所述襯底101內(nèi)形成有位線區(qū)a，所述位線區(qū)a包括若干數(shù)目相互平行的位線108。各條位線108之間為相互平行狀態(tài)。如圖5所示，在所述襯底101表面形成一個或一個以上的字線結(jié)構(gòu)b，所述字線結(jié)構(gòu)b的排列方向與位線區(qū)a內(nèi)的位線排列方向垂直，本圖示出的字線結(jié)構(gòu)b的數(shù)目為一個。其中，所述字線結(jié)構(gòu)b包括兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)103、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)103之間的擦除柵結(jié)構(gòu)105、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)103的遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)105的一側(cè)的字線區(qū)10，及所述兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)103之間襯底101內(nèi)的源區(qū)120，其中，被所述擦除柵結(jié)構(gòu)105覆蓋的源區(qū)120表面形成有隧穿氧化層106 (未示出)，未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)105覆蓋的源區(qū)120表面形成有第一氧化層1063。如圖6所示為圖5所示結(jié)構(gòu)的AA^方向的截面圖，包括位于所述控制柵結(jié)構(gòu)103間的擦除柵結(jié)構(gòu)105、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)103與所述擦除柵結(jié)構(gòu)105相對一側(cè)的字線區(qū)10，及所述兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)103間襯底101內(nèi)的源區(qū)120。其中，被所述擦除柵結(jié)構(gòu)105覆蓋的源區(qū)120表面形成有隧穿氧化層106。所述隧穿氧化層106包括位于襯底表面的第一隧穿氧化層1061及位于擦除柵區(qū)2側(cè)壁的第二隧穿氧化層1062。其中，所述控制柵結(jié)構(gòu)103與所述襯底101表面之間還形成有浮柵結(jié)構(gòu)102。所述字線區(qū)10包括字線柵極氧化層1041及位于所述字線柵極氧化層1041表面的柵極104。其中，繼續(xù)參考圖6，形成所述字線結(jié)構(gòu)的工藝包括首先在所述襯底101表面形成相對設(shè)置的兩個控制柵極結(jié)構(gòu)103，及位于所述控制柵極結(jié)構(gòu)103與所述襯底101之間還形成有浮柵結(jié)構(gòu)102 ;對位于所述控制柵結(jié)構(gòu)103之間的襯底101進行離子摻雜，形成源區(qū)120 ;形成所述源區(qū)120后，在所述源區(qū)120表面形成氧化層(未圖示)，根據(jù)所述氧化層與后續(xù)擦除柵結(jié)構(gòu)的相對位置關(guān)系，所述氧化層劃分為所述隧穿氧化層和所述第一氧化層。形成所述氧化層的方法為熱氧化或化學(xué)氣相沉積法。接著，一并參考圖5和圖6，形成位于所述控制柵結(jié)構(gòu)103之間的擦除柵結(jié)構(gòu)105。其中，被所述擦除柵結(jié)構(gòu)105覆蓋的源區(qū)120表面形成的氧化層為隧穿氧化層106，未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)105覆蓋的源區(qū)120表面形成的氧化層為第一氧化層1063。形成所述擦除柵結(jié)構(gòu)之后，接著形成位于所述控制柵結(jié)構(gòu)103中遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)105的一側(cè)的字線區(qū)10。繼續(xù)一并參考圖5和圖6，還包括形成位于控制柵結(jié)構(gòu)103的兩側(cè)的內(nèi)側(cè)墻107，所述內(nèi)側(cè)墻107用于對所述控制柵結(jié)構(gòu)103與所述字線區(qū)10的絕緣，及所述控制柵結(jié)構(gòu)103與所述擦除柵結(jié)構(gòu)105的絕緣。如圖5所示，所述第一氧化層1063與所述隧穿氧化層106為同時形成，所述第一氧化層1063與所述第一隧穿氧化層1061的厚度相等。隨著存儲器件的擦除電壓的提高，所述隧穿氧化層106中的第一隧穿氧化層1061的厚度不斷提高。所述第一隧穿氧化層1061的厚度范圍為100 260A,甚至一些工藝要求達到300 A。進而使得所述第一氧化層1063較厚，使得后續(xù)較難徹底去除所述第一氧化層1063 。進一步地，形成所述第一氧化層1063后，還需要對所述存儲器件的結(jié)構(gòu)進行一系列的熱處理工藝，提高所述第一氧化層1063的致密度，使得后續(xù)更難徹底去除所述第一氧化層1063。參考圖7，形成與所述控制柵結(jié)構(gòu)103電連接的控制柵接觸結(jié)構(gòu)109，以通過所述控制柵接觸結(jié)構(gòu)109，將外部電信號施加至所述控制柵結(jié)構(gòu)103。繼續(xù)一并參考圖7和圖8，形成位于所述字線區(qū)10中遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)103的一側(cè)的外側(cè)墻110。所述外側(cè)墻110包括氧化硅層111及位于所述氧化硅層111表面的氮化硅層112，用以所述字線區(qū)10與位于襯底101內(nèi)所述位線區(qū)的隔離。進一步地，所述外側(cè)墻110中的氧化硅層111呈L型，所述氮化硅層112的底部位于所述氧化娃111的表面，即被所述氮化娃112覆蓋的部分氧化娃111的一端暴露在外。若外部具有刻蝕溶液，容易對位于所述氮化硅層112下的氧化硅111造成腐蝕，造成所述字線區(qū)10與位于襯底101內(nèi)所述位線區(qū)的電連接，嚴重降低存儲器件的可靠性。進一步地，所述外側(cè)墻110同時還形成于所述控制柵接觸結(jié)構(gòu)109的兩側(cè)。如圖9所示，對所述第一氧化層1063進行離子摻雜，所述離子摻雜的離子為硼離子、磷離子、砷離子或者氟離子。對于同一濕法刻蝕溶液，對所述經(jīng)過離子摻雜的第一氧化層1063的刻蝕速率是所述未離子摻雜的第一氧化層1063的刻蝕速率的2 2. 5倍，即所述對所述第一氧化層1063進行離子摻雜后，同一濕法刻蝕溶液對第一氧化層1063的刻蝕速率增加I I. 5倍。進一步地，所述離子摻雜可以與存儲器件的其他摻雜工藝同時進行，如形成所述存儲器件的漏極結(jié)構(gòu)的摻雜工藝，以進一步簡化工藝流程，降低制造成本。一并參考圖9和圖10，接著去除所述第一氧化層1063，以暴露出未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)105覆蓋的源區(qū)120表面。所述去除所述第一氧化層1063的工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕的溶液為氧化物刻蝕緩沖溶液或者氫氟酸溶液。其中，所述氧化物刻蝕緩沖溶液為由氫氟酸和氟化銨按不同比例配制形成的刻蝕溶液。因為對所述第一氧化層1063刻蝕前，已對所述第一氧化層1063進行離子摻雜，以降低所述第一氧化層1063的致密度，所以在該步刻蝕中，可以提高所述第一氧化層1063的刻蝕速率，進而徹底去除所述第一氧化層1063，同時還可以避免對外側(cè)墻110的刻蝕，進而避免刻蝕所述外側(cè)墻110中的氧化硅層，以提高所述外側(cè)墻110對字線區(qū)和位線區(qū)的絕緣效果。本實施例中，所述第一氧化層1063通過一步濕法刻蝕去除。作為其他實施例，還可能分多步去除。尤其地，在后續(xù)的形成覆蓋的源區(qū)120的金屬硅化物的工藝中，還包括首先采用氧化材料覆蓋所述源區(qū)120表面；接著采用濕法去除所述氧化材料，再暴露出所述源區(qū)120表面。如圖11所示，首先去除一部分的第一氧化層1063，形成剩余的第一氧化層1064 ;接著在后續(xù)形成金屬硅化物的工藝中，將部分剩余的第一氧化層1064同時去除。以提高工藝效率，降低工藝成本。如圖12所不,在暴露出的源區(qū)120表面形成金屬娃化物210及位于所述金屬娃化物210表面的源區(qū)連接結(jié)構(gòu)220。所述外部電信號電連接所述源區(qū)連接結(jié)構(gòu)220，以將外部電信號施加至所述源區(qū)120，進而對所述存儲器件進行操作。在去除所述第一氧化層前，首先對所述第一氧化層進行離子摻雜，降低所述第一氧化層的致密度，進而使得對于同一濕法刻蝕溶液可以提高對第一氧化層的刻蝕速率，使得第一氧化層達到去除徹底的效果，提高金屬硅化物及連接結(jié)構(gòu)與所述源區(qū)的連接可靠性，進而提高所述源區(qū)與外部電信號連接的可靠性。所述對所述第一氧化層進行離子摻雜后，同一濕法刻蝕溶液對第一氧化層的刻蝕 速率增加I I. 5倍，較大程度地提高第一氧化層的刻蝕速率，使得第一氧化層達到去除徹底的效果，提高金屬硅化物及連接結(jié)構(gòu)與所述源區(qū)的連接可靠性，進而提高所述源區(qū)與外部電信號連接的可靠性。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種存儲器件的形成方法，其特征在于，包括 提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有位線區(qū)； 在所述襯底表面形成一個或一個以上的字線結(jié)構(gòu)，所述字線結(jié)構(gòu)的排列方向與位線區(qū)內(nèi)的位線排列方向垂直，所述字線結(jié)構(gòu)包括兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)之間的擦除柵結(jié)構(gòu)、位于所述控制柵結(jié)構(gòu)中遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)一側(cè)的字線區(qū)，及所述兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)之間襯底內(nèi)的源區(qū)，其中，被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面形成有隧穿氧化層，未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面形成有第一氧化層； 形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)上的金屬硅化物，包括對所述第一氧化層進行離子摻雜，接著去除所述第一氧化層，以暴露出未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面；形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)上的金屬硅化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述存儲器件的形成方法，其特征在于，所述對所述第一氧化層進行離子摻雜后，同一濕法刻蝕溶液對第一氧化層的刻蝕速率增加I I. 5倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述存儲器件的形成方法，其特征在于，所述離子摻雜的離子為硼離子、磷離子、砷離子或者氟離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述存儲器件的形成方法，其特征在于，所述去除所述第一氧化層的工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕的溶液為氧化物刻蝕緩沖溶液或者氫氟酸溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述存儲器件的形成方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度范圍為100 300A。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述存儲器件的形成方法，其特征在于，形成所述字線結(jié)構(gòu)包括首先在所述襯底表面形成相對設(shè)置的兩個控制柵極結(jié)構(gòu)，所述控制柵極結(jié)構(gòu)與所述襯底之間還形成有浮柵結(jié)構(gòu)；對位于所述控制柵結(jié)構(gòu)之間的襯底進行離子摻雜，形成源區(qū)；形成位于所述控制柵結(jié)構(gòu)之間的擦除柵結(jié)構(gòu)；形成位于所述控制柵結(jié)構(gòu)中遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)的字線區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述存儲器件的形成方法，其特征在于，所述形成所述擦除柵結(jié)構(gòu)前，還包括在所述源區(qū)表面形成氧化層，所述氧化層包括所述隧穿氧化層和所述第一氧化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述存儲器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化層的方法為熱氧化或化學(xué)氣相沉積法。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述存儲器件的形成方法，其特征在于，還包括形成位于控制柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的內(nèi)側(cè)墻，及位于所述字線區(qū)中遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)的外側(cè)墻。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述存儲器件的形成方法，其特征在于，所述外側(cè)墻包括氧化硅層及位于所述氧化硅層表面的氮化硅層，用以所述字線區(qū)和位線區(qū)的隔離。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述存儲器件的形成方法，其特征在于，形成所述金屬硅化物包括首先采用氧化材料覆蓋所述源區(qū)表面；接著采用濕法去除所述氧化材料，暴露出所述源區(qū)表面；形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)上的金屬硅化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述存儲器件的形成方法，其特征在于，所述濕法去除所述氧化材料的同時還包括去除部分剩余的所述第一氧化層。
全文摘要
一種存儲器件的形成方法，包括提供形成有位線區(qū)及字線結(jié)構(gòu)的襯底，所述字線結(jié)構(gòu)包括兩個相對設(shè)置的控制柵結(jié)構(gòu)、其間的擦除柵結(jié)構(gòu)、遠離所述擦除柵結(jié)構(gòu)一側(cè)的字線區(qū)，及所述控制柵結(jié)構(gòu)之間襯底內(nèi)的源區(qū)，未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面形成有第一氧化層；對所述第一氧化層進行離子摻雜，接著去除所述第一氧化層，以暴露出未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)表面；形成位于所述未被所述擦除柵結(jié)構(gòu)覆蓋的源區(qū)的金屬硅化物。對所述第一氧化層進行離子摻雜，降低所述第一氧化層的致密度，提高第一氧化層的刻蝕速率，以徹底去除所述第一氧化層，提高金屬硅化物及連接結(jié)構(gòu)與所述源區(qū)的連接可靠性，進而提高所述源區(qū)與外部電信號連接的可靠性。
文檔編號H01L21/768GK102956562SQ20111024110
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日
發(fā)明者王友臻, 周儒領(lǐng) 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司