專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)顯示裝置及其制造方法，更具體地講，涉及一種包括連接到驅(qū)動集成電路(IC)芯片的焊盤部分的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
信息技術(shù)(IT)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展顯著地增加了顯示裝置的使用。近來，已經(jīng)具有對重量輕且薄、消耗低功率并提供高分辨率的顯示裝置的需求。為了滿足這些需求，開發(fā)了液晶顯示器或使用有機(jī)發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光顯示器。
作為具有自發(fā)光特性的下一代顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示器與液晶顯示器相比在視角、對比度、響應(yīng)速度和功耗方面具有更好的特性，并且由于不需要背光，所以有機(jī)發(fā)光顯示器可以被制造得薄且重量輕。
有機(jī)發(fā)光顯示器包括具有像素區(qū)域和非像素區(qū)域的基底以及容器或另一基底，容器或另一基底被設(shè)置為面向基底以用于包封并通過諸如環(huán)氧樹脂的密封劑附著到基底。在基底的像素區(qū)域中，多個有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)在掃描線和數(shù)據(jù)線之間以矩陣圖案連接以形成像素。在非像素區(qū)域中形成有從像素區(qū)域的掃描線和數(shù)據(jù)線延伸的掃描線和數(shù)據(jù)線、用于操作有機(jī)發(fā)光二極管的電源線(未示出)以及掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器，掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器用于處理從外部源經(jīng)由輸入焊盤接收的信號并將處理過的信號提供至掃描線和數(shù)據(jù)線。掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器分別包括用于處理從外部源傳輸?shù)男盘柌a(chǎn)生掃描信號和數(shù)據(jù)信號的驅(qū)動電路。可以在制造OLED的工藝中形成掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器， 或者可以將掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器制造成將要安裝在基底上的附加的集成電路(IC)芯片。
當(dāng)將掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器制造成將要安裝在基底上的附加的IC芯片時，可以使用卷帶自動結(jié)合(TAB)方法或使用玻璃上芯片(COG)方法安裝驅(qū)動IC芯片，在卷帶自動結(jié)合方法中，驅(qū)動IC芯片安裝在載帶封裝件(TCP)上并連接到基底的焊盤，在玻璃上芯片(COG)方法中，驅(qū)動IC芯片直接附著到基底的焊盤。與TAB方法相比，COG方法確保結(jié)構(gòu)更簡單并且需要的面積更小。因此，COG方法被廣泛地用于移動通信產(chǎn)品的中小型顯示面板。
在COG方法中，形成在驅(qū)動IC芯片的輸入端子和輸出端子上的凸塊通過包含在各向異性導(dǎo)電膜(ACF)中的導(dǎo)電球連接到形成在基底上的內(nèi)引線結(jié)合(ILB)焊盤和外引線結(jié)合(OLB)焊盤。
結(jié)合到ILB焊盤的輸入焊盤連接到柔性印刷電路(FPC)。響應(yīng)于從外部源通過FPC 提供的控制信號和數(shù)據(jù)信號，驅(qū)動IC芯片產(chǎn)生掃描信號和數(shù)據(jù)信號并將產(chǎn)生的掃描信號和數(shù)據(jù)信號經(jīng)由連接到OLB焊盤的掃描線和數(shù)據(jù)線提供至0LED。
包括在傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的焊盤部分具有平坦的表面。因此，焊盤部分通過多個導(dǎo)電球電連接到在其上方的驅(qū)動IC芯片，并通過驅(qū)動IC芯片從外部源接收信號。
當(dāng)通過焊盤部分的表面暴露的導(dǎo)電層的厚度大于300A時，不容易蝕刻形成導(dǎo)電層的金屬或氧化銦錫(ITO)，并且需要更強(qiáng)的酸來蝕刻較厚的導(dǎo)電層。因此，較厚的導(dǎo)電層導(dǎo)致使用不能夠被容易地處理并對工人有害的更強(qiáng)的酸的危險。
為此，可以將導(dǎo)電層形成為厚度小于300A。然而，隨著導(dǎo)電層變得較薄，導(dǎo)電層的接觸電阻和表面電阻之間的差別因膜分散而增大，所述增大的差別使有機(jī)發(fā)光顯示裝置在操作時的可靠性降低。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的多個方面提供了一種包括薄但具有低接觸電阻的焊盤部分的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
然而，本發(fā)明的多個方面不限于這里闡述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。通過參照下面給出的對本發(fā)明的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其它方面對本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講將變得更明顯。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基底；緩沖層，形成在所述基底上；柵極絕緣層，形成在所述緩沖層上；導(dǎo)電層，形成在所述柵極絕緣層上；以及像素限定層，暴露所述導(dǎo)電層的一部分以形成連接到驅(qū)動集成電路(IC)芯片的凸塊的焊盤部分，其中，凸起和凹進(jìn)形成在所述導(dǎo)電層的表面上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基底；緩沖層，形成在所述基底上；柵極絕緣層，形成在所述緩沖層上；導(dǎo)電層，在所述柵極絕緣層上形成為均勻厚度；像素限定層，暴露所述導(dǎo)電層的一部分以形成連接到驅(qū)動IC芯片的凸塊的焊盤部分；以及半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述焊盤部分下并設(shè)置在所述柵極絕緣層和所述緩沖層之間，其中，第一凸起和凹進(jìn)圖案形成在所述半導(dǎo)體層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分上，第二凸起和凹進(jìn)圖案形成在所述柵極絕緣層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。所述方法包括在基底上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成導(dǎo)電層；以及形成像素限定層，使得所述導(dǎo)電層的一部分被暴露以形成連接到驅(qū)動IC芯片的凸塊的焊盤部分，其中，所述形成導(dǎo)電層的步驟包括在所述導(dǎo)電層的與所述焊盤部分對應(yīng)的暴露部分的表面上形成凸起和凹進(jìn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。所述方法包括在基底上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上將導(dǎo)電層形成為均勻厚度；形成像素限定層，使得導(dǎo)電層的一部分被暴露以形成連接到驅(qū)動IC芯片的凸塊的焊盤部分，其中，所述形成半導(dǎo)體層的步驟包括通過圖案化所述半導(dǎo)體層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分在所述半導(dǎo)體層的所述部分上來形成第一凸起和凹進(jìn)圖案，所述形成柵極絕緣層的步驟包括在所述柵極絕緣層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分上形成第二凸起和凹進(jìn)圖案。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，通過參照下面的詳細(xì)描述，對本發(fā)明的更完全理解和本發(fā)明許多伴隨優(yōu)點(diǎn)將更明顯，同時變得更好理解，在附圖中相似的標(biāo)號表示相同或相似的組件， 其中
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖3至圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的焊盤部分的附近的剖視圖6是示出安裝在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的焊盤部分上的驅(qū)動集成電路(IC)芯片的剖視圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖9是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖10至圖14是順序地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖15是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
通過參照下面對示例性實(shí)施例和附圖的詳細(xì)描述，可以更容易地理解本發(fā)明和實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法的優(yōu)點(diǎn)和特征。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施并且不應(yīng)被解釋為局限于這里闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底和完全的，并且這些實(shí)施例將把本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求限定。 在附圖中，為了清楚起見，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀睍r，該元件或?qū)涌梢灾苯游挥诹硪辉驅(qū)由?，或者也可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀睍r，不存在中間元件或?qū)?。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項的一個或多個的任意組合和所有組合。
為了描述方便，這里可以使用空間相對術(shù)語，例如，“在...下面”、“在...下方”、 “下面的”、“在...上方”、“上面的”等來描述如圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了圖中描述的方位之外，空間相對術(shù)語意圖包括裝置在使用或操作中的不同方位。在整個說明書中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。
在此參照作為本發(fā)明的理想實(shí)施例的示意圖的平面圖和剖視圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。這樣，預(yù)計會出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。因此，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。
在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖1和圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖和剖視圖。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基底200和包封基底300，基底200由透明材料制成并具有像素區(qū)域210和非像素區(qū)域220，包封基底300設(shè)置為面對基底200以包封像素區(qū)域210并通過密封劑320附著到基底200。
基底200是由玻璃或塑料制成的透明絕緣基底。包封基底300不僅可以由玻璃材料制成，而且可以由諸如壓克力(acryl)的各種塑料材料制成。此外，可以將金屬板用于包封基底300。密封劑320可以是在本領(lǐng)域中通常使用的密封玻璃料。可選擇地，密封劑320 可以由有機(jī)密封劑、無機(jī)密封劑或有機(jī)/無機(jī)混合密封劑制成。
有機(jī)密封劑可以是從由丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚異戊二烯、乙烯基樹脂、 環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂和纖維素樹脂組成的組中選擇的至少一種材料。無機(jī)密封劑的示例包括諸如鋁、鈦和鋯的金屬以及諸如金屬氧化物、硅、氧化硅的非金屬。有機(jī)/無機(jī)混合密封劑是諸如硅、鋁、鈦和鋯等的非金屬或金屬與有機(jī)材料共價結(jié)合的材料。有機(jī)/無機(jī)混合密封劑可以是從由環(huán)氧硅烷及其衍生物、乙烯基硅烷及其衍生物、氨基硅烷及其衍生物、甲基丙烯酸酯硅烷以及這些物質(zhì)中的任何物質(zhì)的局部硬化反應(yīng)的所得材料組成的組中選擇的至少一種材料。
在基底200的像素區(qū)域210中，多個有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 100在掃描線10 和數(shù)據(jù)線107b之間以矩陣圖案連接以形成像素。在基底200的非像素區(qū)域220中形成從像素區(qū)域210的掃描線10 和數(shù)據(jù)線107b延伸出的掃描線10 和數(shù)據(jù)線107b。在非像素區(qū)域220中形成用于操作OLED 100的電源線(未示出)以及掃描驅(qū)動器410和數(shù)據(jù)驅(qū)動器420，掃描驅(qū)動器410和數(shù)據(jù)驅(qū)動器420用于處理從外部源經(jīng)由輸入焊盤10 和107a接收的信號并將處理過的信號提供至掃描線10 和數(shù)據(jù)線107b。
在有機(jī)發(fā)光顯示裝置是無源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，OLED 100在掃描線 10 和數(shù)據(jù)線107b之間以矩陣圖案連接。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置是有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，OLED 100在掃描線10 和數(shù)據(jù)線107b之間以矩陣圖案連接，并且還設(shè)置了用于控制OLED 100的操作的薄膜晶體管(TFT)和用于維持信號的電容器。
圖3至圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的焊盤部分140的附近的剖視圖。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基底200、形成在基底200 上的緩沖層101、形成在緩沖層101上的柵極絕緣層103、形成在柵極絕緣層103上的導(dǎo)電層104和像素限定層108，像素限定層108暴露導(dǎo)電層104的一部分以形成連接到驅(qū)動集成電路(IC)芯片400(見圖6)的凸塊430(見圖6)的焊盤部分140。凸起和凹進(jìn)形成在導(dǎo)電層104的表面上。
基底200可以由包含S^2作為其主要成分的透明玻璃材料制成。然而，形成基底 200的材料不限于透明玻璃材料。基底200也可以由透明塑料材料制成，透明塑料材料可以是從由聚醚砜(PEQ、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)組成的組中選擇的絕緣有機(jī)材料。
在有機(jī)發(fā)光顯示裝置是朝向基底200實(shí)現(xiàn)圖像的底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，基底200應(yīng)該由透明材料制成。然而，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置是遠(yuǎn)離基底200實(shí)現(xiàn)圖像的頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，基底200可以不必由透明材料制成。在這種情況下，基底200可以包括從由碳、鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鉬和不銹鋼(SUQ組成的組中選擇的至少一種材料。然而，形成基底200的材料不限于以上材料。基底200也可以由金屬箔制成。
緩沖層101可以形成在基底200上，以使基底200平坦化并防止雜質(zhì)滲入基底200 中?？梢栽诰彌_層101上形成半導(dǎo)體層102以提供晶體管部分(未示出)的源區(qū)和漏區(qū)以及溝道區(qū)。可以將半導(dǎo)體層102的在焊盤部分140的緩沖層101上的部分圖案化成凸起和凹進(jìn)。因此，如圖5中所示，形成在半導(dǎo)體層102上方的導(dǎo)電層104也可以具有與半導(dǎo)體層 102的凸起和凹進(jìn)對應(yīng)的凸起和凹進(jìn)。
柵電極105形成在導(dǎo)電層104上，層間絕緣膜106形成在柵電極105上。暴露柵電極105的接觸孔形成在層間絕緣膜106中。柵電極105通過接觸孔連接到源/漏電極107。 源/漏電極107形成在層間絕緣膜106上并填充在層間絕緣膜106的接觸孔中。像素限定層108形成在源/漏電極107上。
如上所述，導(dǎo)電層104的一部分暴露在焊盤部分140中，并因此電連接到驅(qū)動IC 芯片400的凸塊430。因此，導(dǎo)電層104從驅(qū)動IC芯片400接收信號并將接收的信號經(jīng)由柵電極105傳輸至源/漏電極107，從而驅(qū)動源/漏電極107。導(dǎo)電層104可以由透明導(dǎo)電金屬材料制成，或者可以由從由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、碳納米管、納米線和導(dǎo)電聚合物組成的組中選擇的一種或多種透明導(dǎo)電材料的混合物制成。
導(dǎo)電層104可以通過多個導(dǎo)電球520(見圖6)電連接到驅(qū)動IC芯片400的凸塊 430。導(dǎo)電球520可以具有比形成在導(dǎo)電層104上的凸起和凹進(jìn)小的直徑。當(dāng)導(dǎo)電球520 的直徑大于形成在導(dǎo)電層104的表面上的凸起和凹進(jìn)時，更具體地講，當(dāng)導(dǎo)電球520的直徑大于凸起之間的間隙時，導(dǎo)電球520不能進(jìn)入凸起之間的空間。隨后將參照圖6描述驅(qū)動 IC芯片400的凸塊430和導(dǎo)電球520的構(gòu)造。
當(dāng)考慮例如蝕刻將導(dǎo)電層104形成為厚度小于300 A時，導(dǎo)電層104的接觸電阻和表面電阻之間的差別會因膜分散和增大，并且增大的差別會降低有機(jī)發(fā)光顯示裝置在操作時的可靠性。為了防止該問題，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，凸起和凹進(jìn)形成在導(dǎo)電層104的在像素限定膜108的各部分之間暴露的部分的表面上。形成在導(dǎo)電層104的暴露部分的表面上的凸起和凹進(jìn)增大了在焊盤部分140的區(qū)域中的導(dǎo)電層 104和導(dǎo)電球520之間的接觸面積，從而降低了接觸電阻。
如圖3中所示，凸起和凹進(jìn)可以直接形成在導(dǎo)電層104的表面上。可選擇地，如圖 4和圖5中所示，凸起和凹進(jìn)可以形成在設(shè)置在導(dǎo)電層104之下的緩沖層101或柵極絕緣層 103上，導(dǎo)電層104可以形成在凸起和凹進(jìn)上。因此，導(dǎo)電層104可以具有與緩沖層101或柵極絕緣層103的凸起和凹進(jìn)對應(yīng)的凸起和凹進(jìn)。
S卩，參照圖4，可以形成柵極絕緣層103然后對柵極絕緣層103進(jìn)行蝕刻，從而在柵極絕緣層103的與焊盤部分140對應(yīng)的部分的表面上形成凸起和凹進(jìn)。然后，可以在具有凸起和凹進(jìn)的柵極絕緣層103上形成導(dǎo)電層104。因此，凸起和凹進(jìn)也可以形成在導(dǎo)電層 104的表面上。雖然未在附圖中示出，但是可以蝕刻形成在基底200上的緩沖層101，而不是蝕刻柵極絕緣層103，從而在緩沖層101的表面上形成凸起和凹進(jìn)，柵極絕緣層103和導(dǎo)電層104可以形成在具有凸起和凹進(jìn)的緩沖層101上。以這樣的方式，凸起和凹進(jìn)可以形成在導(dǎo)電層104的表面上。
此外，如上所述，可以將在構(gòu)造晶體管部分(未示出)的工藝中形成的半導(dǎo)體層 102的一部分圖案化為凸起和凹進(jìn)而保留在焊盤部分140中。然后，可以在具有凸起和凹進(jìn)的半導(dǎo)體層102上形成柵極絕緣層103和導(dǎo)電層104。因此，如圖5中所示，凸起和凹進(jìn)可以形成在導(dǎo)電層104的表面上。
圖6是示出安裝在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的焊盤部分140 上的驅(qū)動IC芯片400的剖視圖。參照圖6，包括導(dǎo)電球520的各向異性導(dǎo)電膜500形成在導(dǎo)電層104上，驅(qū)動IC芯片400位于各向異性導(dǎo)電膜500上方。驅(qū)動IC芯片400的凸塊 430可以但不是必須與導(dǎo)電層104的凸起和凹進(jìn)對應(yīng)。當(dāng)使用例如熱壓來壓驅(qū)動IC芯片 400的凸塊430時，驅(qū)動IC芯片400的凸塊430因?qū)щ娗?20破碎而電連接到導(dǎo)電層104。
圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基底200、形成在基底200上的緩沖層101、形成在緩沖層101上的柵極絕緣層103、在柵極絕緣層103上形成為均勻厚度的導(dǎo)電層104、暴露導(dǎo)電層104—部分以形成連接到驅(qū)動IC芯片的凸塊的焊盤部分140的像素限定層以及設(shè)置在焊盤部分140下并形成在柵極絕緣層103和緩沖層101之間的半導(dǎo)體層102。第一凸起和凹進(jìn)圖案形成在半導(dǎo)體層102的與焊盤部分140對應(yīng)的部分上，第二凸起和凹進(jìn)圖案形成在柵極絕緣層103的與焊盤部分140對應(yīng)的部分上。
除了半導(dǎo)體層102形成在柵極絕緣層103和緩沖層101之間、第一凸起和凹進(jìn)圖案形成在半導(dǎo)體層102的與焊盤部分140對應(yīng)的部分上、第二凸起和凹進(jìn)圖案形成在柵極絕緣層103的與焊盤部分140對應(yīng)的部分上以及導(dǎo)電層104形成為均勻厚度之外，根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有與根據(jù)前面示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的構(gòu)造相同的構(gòu)造。
半導(dǎo)體層102的第一凸起和凹進(jìn)圖案可以以與柵極絕緣層103的第二凸起和凹進(jìn)圖案的形狀相同的形狀形成。相反，第一凸起和凹進(jìn)圖案與第二凸起和凹進(jìn)圖案可以交替地形成以在不同的位置凸出。
S卩，如圖7中所示，半導(dǎo)體層102的凸起區(qū)域可以與柵極絕緣層103的凸起區(qū)域?qū)?yīng)。此外，半導(dǎo)體層102的凹進(jìn)區(qū)域可以與柵極絕緣層103的凹進(jìn)區(qū)域?qū)?yīng)。
相反，如圖8中所示，半導(dǎo)體層102的凸起區(qū)域可以與柵極絕緣層103的凹進(jìn)區(qū)域?qū)?yīng)，半導(dǎo)體層102的凹進(jìn)區(qū)域可以與柵極絕緣層103的凸起區(qū)域?qū)?yīng)。
在下文中，將參照圖9至圖14描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。圖10至圖14順序地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法包括在基底上形成緩沖層；在緩沖層上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成導(dǎo)電層；以及形成像素限定層，使得導(dǎo)電層的一部分被暴露以形成連接到驅(qū)動IC芯片凸塊的焊盤部分。形成導(dǎo)電層的步驟包括在導(dǎo)電層的與焊盤部分對應(yīng)的部分的表面上形成凸起和凹進(jìn)。
參照圖10，在基底200上形成緩沖層101(操作S110)。如上所述，基底200可以由例如包含SiA作為主要成分的透明玻璃材料制成，但不限于此，因此，基底200也可以由透明塑料材料制成。緩沖層101使基底200平坦化并防止雜質(zhì)滲入到基底200中。緩沖層 101可以由氧化硅或氮化硅制成。
參照圖11，使半導(dǎo)體層102的用于形成晶體管區(qū)域中的溝道區(qū)域的部分保留在緩沖層101上，并將該部分圖案化為凸起和凹進(jìn)圖案(操作120)。如上所述，也可以將凸起和凹進(jìn)圖案直接形成在緩沖層101和/或柵極絕緣層103上，而不將凸起和凹進(jìn)圖案形成在半導(dǎo)體層102上。在圖11中，半導(dǎo)體層102的圖案化部分以按規(guī)則間隔分隔開的凸起的形式存在于緩沖層101上。然而，本發(fā)明不限于此。例如，可以將半導(dǎo)體層102形成在緩沖層 101的整個表面上，然后將半導(dǎo)體層102圖案化為凸起和凹進(jìn)圖案。
參照圖12和圖13，在半導(dǎo)體層102和/或緩沖層101上形成柵極絕緣層103和導(dǎo)電層104(操作S 130和S140)。當(dāng)半導(dǎo)體層102和/或緩沖層101具有凸起和凹進(jìn)時， 如果在具有凸起和凹進(jìn)的半導(dǎo)體層102和/或緩沖層101上形成柵極絕緣層103和導(dǎo)電層 104，則柵極絕緣層103和導(dǎo)電層104也可以具有形成在它們表面上的凸起和凹進(jìn)圖案。如上所述，可以在設(shè)置在平坦的緩沖層101上的柵極絕緣層103上直接形成凸起和凹進(jìn)圖案， 而不在柵極絕緣層103和緩沖層101之間設(shè)置半導(dǎo)體層102。在這種情況下，形成在柵極絕緣層103上的導(dǎo)電層104可以具有與柵極絕緣層103的凸起和凹進(jìn)圖案相同的凸起和凹進(jìn)圖案。可選擇地，凸起和凹進(jìn)圖案可以直接形成在導(dǎo)電層104上。
直接或間接形成在導(dǎo)電層104上的凸起和凹進(jìn)圖案增大了導(dǎo)電層104和導(dǎo)電球 520之間的接觸面積，從而降低了接觸電阻。降低的接觸電阻可以改善有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性和性能。
參照圖14，形成像素限定層108以形成凹進(jìn)的焊盤部分140(操作S150)。
當(dāng)前示例性實(shí)施例的其它元件與前面示例性實(shí)施例的其它元件相同，因此省略了對它們的任何重復(fù)性的詳細(xì)描述。
在下文中，將參照圖15來描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。
根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法包括在基底上形成緩沖層；在緩沖層上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上將導(dǎo)電層形成為均勻厚度；形成像素限定層，使得導(dǎo)電層的一部分被暴露以形成連接到驅(qū)動IC芯片的凸塊的焊盤部分。形成半導(dǎo)體層的步驟包括通過圖案化半導(dǎo)體層的與焊盤部分對應(yīng)的部分在半導(dǎo)體層的所述部分上來形成第一凸起和凹進(jìn)圖案。形成柵極絕緣層的步驟包括在柵極絕緣層的與焊盤部分對應(yīng)的部分上形成第二凸起和凹進(jìn)圖案。
除了在柵極絕緣層和緩沖層之間形成半導(dǎo)體層、在半導(dǎo)體層的與焊盤部分對應(yīng)的部分上形成第一凸起和凹進(jìn)圖案、在柵極絕緣層的與焊盤部分對應(yīng)的部分上形成第二凸起和凹進(jìn)圖案以及將導(dǎo)電層形成為均勻厚度之外，根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的制造方法與根據(jù)前面示例性實(shí)施例的制造方法相同。
可以以與柵極絕緣層的第二凸起和凹進(jìn)圖案的形狀相同的形狀形成半導(dǎo)體層的第一凸起和凹進(jìn)圖案。相反，第一凸起和凹進(jìn)圖案與第二凸起和凹進(jìn)圖案可以交替地形成以在不同的位置凸起。
當(dāng)前示例性實(shí)施例的其它元件與前面示例性實(shí)施例的其它元件相同，因此省略了對它們?nèi)魏沃貜?fù)性的詳細(xì)描述。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此做形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。示例性實(shí)施例應(yīng)該僅以描述性的意義進(jìn)行考慮而非出于限制的目的。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括 基底；緩沖層，形成在所述基底上； 柵極絕緣層，形成在所述緩沖層上； 導(dǎo)電層，形成在所述柵極絕緣層上；以及像素限定層，暴露所述導(dǎo)電層的一部分以形成連接到驅(qū)動集成電路芯片的凸塊的焊盤部分，其中，凸起和凹進(jìn)形成在所述導(dǎo)電層的表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電層由導(dǎo)電金屬材料形成。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電層由從由氧化銦錫、氧化銦鋅、碳納米管、納米線和導(dǎo)電聚合物組成的組中選擇的一種或多種材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電層通過多個導(dǎo)電球電連接到所述凸塊。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電球比所述凸起和凹進(jìn)小。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括設(shè)置在所述凸塊和所述導(dǎo)電層之間的各向異性導(dǎo)電膜。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括形成在所述柵極絕緣層和所述緩沖層之間與所述焊盤部分對應(yīng)的區(qū)域中的半導(dǎo)體層。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層被圖案化為與所述導(dǎo)電層的凸起和凹進(jìn)對應(yīng)的凸起和凹進(jìn)。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述柵極絕緣層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分被圖案化為凸起和凹進(jìn)。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述緩沖層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分被圖案化為凸起和凹進(jìn)。
11.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括 基底；緩沖層，形成在所述基底上；柵極絕緣層，形成在所述緩沖層上；導(dǎo)電層，在所述柵極絕緣層上形成為均勻厚度；像素限定層，暴露所述導(dǎo)電層的一部分以形成連接到驅(qū)動集成電路芯片的凸塊的焊盤部分；以及半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述焊盤部分下并設(shè)置在所述柵極絕緣層和所述緩沖層之間，其中， 第一凸起和凹進(jìn)圖案形成在所述半導(dǎo)體層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分上，第二凸起和凹進(jìn)圖案形成在所述柵極絕緣層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分上。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一凸起和凹進(jìn)圖案與所述第二凸起和凹進(jìn)圖案在相同的位置處凸起。
13.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一凸起和凹進(jìn)圖案與所述第二凸起和凹進(jìn)圖案在不同的位置處凸起。
14.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括 在基底上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成導(dǎo)電層；以及形成像素限定層，使得所述導(dǎo)電層的一部分被暴露以形成連接到驅(qū)動集成電路芯片的凸塊的焊盤部分，其中，所述形成導(dǎo)電層的步驟包括在所述導(dǎo)電層的與所述焊盤部分對應(yīng)的暴露部分的表面上形成凸起和凹進(jìn)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層由導(dǎo)電金屬材料制成。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層由從由氧化銦錫、氧化銦鋅、碳納米管、納米線和導(dǎo)電聚合物組成的組中選擇的一種或多種材料制成。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層通過多個導(dǎo)電球電連接到所述凸塊。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述導(dǎo)電球比所述凸起和凹進(jìn)小。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括形成在所述凸塊和所述導(dǎo)電層之間的各向異性導(dǎo)電膜。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，將所述半導(dǎo)體層圖案化為與所述導(dǎo)電層的凸起和凹進(jìn)對應(yīng)的凸起和凹進(jìn)。
21.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，將所述柵極絕緣層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分圖案化為凸起和凹進(jìn)。
22.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，將所述緩沖層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分圖案化為凸起和凹進(jìn)。
23.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括在基底上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上將導(dǎo)電層形成為均勻厚度；形成像素限定層，使得導(dǎo)電層的一部分被暴露以形成連接到驅(qū)動集成電路芯片的凸塊的焊盤部分，其中，所述形成半導(dǎo)體層的步驟包括通過圖案化所述半導(dǎo)體層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分在所述半導(dǎo)體層的所述部分上來形成第一凸起和凹進(jìn)圖案，所述形成柵極絕緣層的步驟包括在所述柵極絕緣層的與所述焊盤部分對應(yīng)的部分上形成第二凸起和凹進(jìn)圖案。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述第一凸起和凹進(jìn)圖案與第二凸起和凹進(jìn)圖案在相同的位置處凸起。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述第一凸起和凹進(jìn)圖案與第二凸起和凹進(jìn)圖案在不同的位置處凸起。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基底；緩沖層，形成在所述基底上；柵極絕緣層，形成在所述緩沖層上；導(dǎo)電層，形成在所述柵極絕緣層上；以及像素限定層，暴露所述導(dǎo)電層的一部分以形成連接到驅(qū)動集成電路(IC)芯片的凸塊的焊盤部分，其中，凸起和凹進(jìn)形成在所述導(dǎo)電層的表面上。
文檔編號H01L27/32GK102544055SQ201110236219
公開日2012年7月4日 申請日期2011年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者樸鐘賢, 樸鮮, 李律圭, 柳春其 申請人:三星移動顯示器株式會社