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半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置及設(shè)有該驅(qū)動裝置的圖像形成裝置的制作方法

文檔序號:7005757閱讀:92來源:國知局
專利名稱:半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置及設(shè)有該驅(qū)動裝置的圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于激光打印機(jī)或數(shù)碼復(fù)印機(jī)等、設(shè)有檢測半導(dǎo)體激光器的發(fā)光特性的劣化的手段的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置以及設(shè)有該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置的圖像形成裝置。
背景技術(shù)
在激光打印機(jī)或數(shù)碼復(fù)印機(jī)等電子照相方式的圖像形成裝置中利用的半導(dǎo)體激光器因各種原因劣化。半導(dǎo)體激光器的劣化既有因結(jié)晶缺陷在幾小時內(nèi)產(chǎn)生的場合,也有因高溫下長時間驅(qū)動逐漸產(chǎn)生的場合。又,在激光打印機(jī)或數(shù)碼復(fù)印機(jī)的組裝工序中,半導(dǎo)體激光器因發(fā)生光損傷(Catastrophic Optical Damage,以下簡記為“COD”)或靜電放電 (Electrostatic Discharge,以下簡記為 “ESD”)而產(chǎn)生劣化。若半導(dǎo)體激光器劣化,為了產(chǎn)生所希望的光量,增加向半導(dǎo)體激光器供給的驅(qū)動電流。若驅(qū)動電流過大,超過額定消耗電力,半導(dǎo)體激光器因其發(fā)熱劣化,或產(chǎn)生不良狀態(tài)。 再有,若從半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置產(chǎn)生估計值以上的電流,則存在因金屬配線熔斷產(chǎn)生不良狀態(tài)的可能性。能檢測這種半導(dǎo)體激光器劣化的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置公開在專利文獻(xiàn)1中。圖 1和圖2是專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置的電路圖。圖1所示半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置輸出以一定的比率使得驅(qū)動電流Iop衰減的電流lm,將該輸出電流Im變換成電壓Vm,在比較器比較該電壓Vm和所定電壓VCC1/2,若電壓Vm > VCC1/2,則將表示驅(qū)動電流值異常的信號義!·!·向前段的圖像控制裝置輸出。圖像控制裝置根據(jù)表示驅(qū)動電流值異常的信號 Serr能識別異常。圖2所示半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置輸出以一定的比率使得驅(qū)動電流Iop衰減的電流 Im,將該輸出電流Im由電流-電壓變換電路R2變換成表示驅(qū)動電流值的電壓Vm,向前段的圖像控制裝置輸出。圖像控制裝置根據(jù)表示驅(qū)動電流值的電壓Vm能判定異常。在由圖1說明的輸出表示驅(qū)動電流值異常的信號krr的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,即使半導(dǎo)體激光器劣化場合,驅(qū)動電流值成為所定電流值以下時,也不輸出表示異常的信號。即,存在半導(dǎo)體激光器劣化檢測精度低的問題。又,在由圖2說明的輸出表示驅(qū)動電流值的電壓Vm的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中, 輸出電壓為模擬值。在圖像控制裝置中不能直接進(jìn)行模擬值的運(yùn)算處理,需要在基板上安裝或在圖像控制裝置中內(nèi)藏將模擬值變換成數(shù)字值的A/D變換電路。因此,增加構(gòu)成圖像控制裝置的基板上的元件數(shù)或圖像控制裝置的芯片面積,存在引起圖像控制裝置復(fù)雜化及大型化,同時,圖像控制裝置成本上升的問題。專利文獻(xiàn)1日本特開2005-32798號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供能避免圖像控制裝置復(fù)雜化、大型化、成本上升、同時能高精度進(jìn)行激光器劣化檢測的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出以下技術(shù)方案 (1) 一種半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,控制供給半導(dǎo)體激光器的電流,驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光器,以便得到所希望的光量,其特征在于,該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置包括半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,生成根據(jù)所輸入的控制信號的驅(qū)動電流,供給上述半導(dǎo)體激光器;控制電路,控制上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的動作,控制供給上述半導(dǎo)體激光器的電流;以及驅(qū)動電流檢測電路,檢測供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,生成表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出。(2)在上述技術(shù)方案(1)所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置包括存儲電路,在所定時間存儲表示上述驅(qū)動電流值的信號,根據(jù)來自外部的信號,在任意時間輸出。(3)在上述技術(shù)方案(1)所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路包括比例電流生成電路,生成與驅(qū)動電流成正比例的電流輸出;以及D/A變換電路,生成根據(jù)所輸入的數(shù)字值的電流輸出; 從上述D/A變換電路輸出的電流的電流值相對從上述比例電流生成電路輸出的電流的電流值,所定條件成立時,生成表示檢測到上述驅(qū)動電流的所定的驅(qū)動電流檢測信號輸出。(4)在上述技術(shù)方案( 所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路包括計數(shù)電路,通過根據(jù)時間信號使得輸入到上述D/A變換電路的數(shù)字值增加或減少,使得從該D/A變換電路輸出的電流的電流值增加或減少。(5)在上述技術(shù)方案(4)所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路若輸出上述驅(qū)動電流檢測信號,則使得輸入到上述計數(shù)電路的時間信號停止,通過保持與輸入到上述D/A變換電路的數(shù)字值對應(yīng)的信號,檢測驅(qū)動電流的電流值,作為表示所檢測到的驅(qū)動電流值的信號,輸出與上述數(shù)字值對應(yīng)的信號。(6)在上述技術(shù)方案( 所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述所定時間為輸出上述驅(qū)動電流檢測信號的時間。(7)在上述技術(shù)方案(1)-(6)任一個所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,控制電路,驅(qū)動電流檢測電路,以及存儲電路集成在一個 ICo(8) 一種半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,控制供給半導(dǎo)體激光器的電流,驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光器,以便得到所希望的光量,其特征在于,該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置包括半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,生成根據(jù)所輸入的控制信號的驅(qū)動電流,供給上述半導(dǎo)體激光器;控制電路,控制上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的動作,控制供給上述半導(dǎo)體激光器的電流;
驅(qū)動電流檢測電路,檢測供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,生成表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出;存儲電路,將表示作為上述半導(dǎo)體激光器的劣化的判定基準(zhǔn)的驅(qū)動電流的異常電平的信號,作為數(shù)字值存儲;以及異常檢測電路,為了使得以所定的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光,檢測供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,若表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號值成為表示上述驅(qū)動電流異常電平的信號值以上,則生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號輸出。(9)在上述技術(shù)方案(8)所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述表示驅(qū)動電流的異常電平的信號值,在上述半導(dǎo)體激光器劣化前,檢測以所定的發(fā)光強(qiáng)度供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,將表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號值設(shè)定為基準(zhǔn)。(10)在上述技術(shù)方案(8)所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路包括比例電流生成電路,生成與驅(qū)動電流成正比例的電流輸出;以及D/A變換電路,生成根據(jù)所輸入的數(shù)字值的電流輸出;從上述D/A變換電路輸出的電流的電流值相對從上述比例電流生成電路輸出的電流的電流值,所定條件成立時,生成表示檢測到上述驅(qū)動電流的所定的驅(qū)動電流檢測信號輸出。(11)在上述技術(shù)方案(10)所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路包括計數(shù)電路,通過根據(jù)時間信號使得輸入到上述D/A變換電路的數(shù)字值增加或減少,使得從該D/A變換電路輸出的電流的電流值增加或減少。(12)在上述技術(shù)方案(11)所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路若輸出上述驅(qū)動電流檢測信號,則使得輸入到上述計數(shù)電路的時間信號停止,通過保持與輸入到上述D/A變換電路的數(shù)字值對應(yīng)的信號,檢測驅(qū)動電流的電流值,作為表示所檢測到的驅(qū)動電流值的信號,輸出與上述數(shù)字值對應(yīng)的信號。(13)在上述技術(shù)方案(8)-(1 任一個所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,控制電路,驅(qū)動電流檢測電路,存儲電路,以及異常檢測電路集成在一個IC。(14) 一種半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,控制供給半導(dǎo)體激光器的電流,驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光器,以便得到所希望的光量,其特征在于,該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置包括 驅(qū)動電路,至少包含一個D/A轉(zhuǎn)換器,合計在上述各D/A轉(zhuǎn)換器生成的電流,供給上述半導(dǎo)體激光器;控制電路,分別生成控制各D/A轉(zhuǎn)換器的輸出電流的數(shù)字信號,向上述驅(qū)動電路輸出;運(yùn)算及加算電路,上述各數(shù)字信號之中,將所定的數(shù)字信號的值設(shè)為基準(zhǔn),對其他數(shù)字信號的值進(jìn)行運(yùn)算,將運(yùn)算而得的其他數(shù)字信號的值加算在所定的數(shù)字信號值上輸出;寄存電路,暫時存儲從上述運(yùn)算及加算電路輸出的數(shù)字信號的值;
存儲電路,將表示作為上述半導(dǎo)體激光器的劣化的判定基準(zhǔn)的驅(qū)動電流的異常電平的信號,作為數(shù)字信號值存儲;以及異常檢測電路,若存儲在上述寄存電路的數(shù)字信號值成為存儲在上述存儲電路的數(shù)字信號值以上,生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號輸出。(15)在上述技術(shù)方案(14)所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述表示驅(qū)動電流的異常電平的數(shù)字信號值,在上述半導(dǎo)體激光器劣化前,將以所定的發(fā)光強(qiáng)度存儲在上述寄存電路的數(shù)字信號值設(shè)定為基準(zhǔn)。(16)在上述技術(shù)方案(14)或(1 所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,其特征在于上述驅(qū)動電路,控制電路,運(yùn)算及加算電路,寄存電路,存儲電路,以及異常檢測電路集成在一個IC。(17) 一種圖像形成裝置,設(shè)有技術(shù)方案(1)-(16)中任一個所述的半導(dǎo)體激光器
驅(qū)動裝置。下面說明本發(fā)明的效果。按照本發(fā)明技術(shù)方案(1)-(7)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置(第一形態(tài)),通過將驅(qū)動電流的電流值(模擬值)變換為數(shù)字值的A/D變換功能設(shè)置在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,在圖像控制裝置等外部裝置側(cè)沒有必要設(shè)置A/D變換功能,能避免外部裝置的復(fù)雜化及大型化以及成本上升。又,生成表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出,因此,利用該數(shù)字值的驅(qū)動電流值,能在圖像控制裝置等外部裝置中高精度地檢測半導(dǎo)體激光器LD的劣化。這樣,根據(jù)本發(fā)明第一形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,既能避免圖像控制裝置6 的復(fù)雜化,大型化,成本上升,又能高精度地進(jìn)行激光器的劣化檢測。按照本發(fā)明技術(shù)方案(8)-(1 的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置(第二形態(tài)),通過將驅(qū)動電流的電流值(模擬值)變換為數(shù)字值的A/D變換功能設(shè)置在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置側(cè),在圖像控制裝置側(cè)沒有必要設(shè)置A/D變換功能,能避免圖像控制裝置等外部裝置的復(fù)雜化及大型化以及成本上升。又,若檢測到的表示驅(qū)動電流值的信號的值成為表示驅(qū)動電流異常電平的信號的值以上,則生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號,向圖像控制裝置等外部裝置輸出,因此,在外部裝置側(cè)沒有必要進(jìn)行判定等,能更可靠地避免外部裝置的復(fù)雜化,大型化,成本上升。又,生成表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出,因此,利用該數(shù)字值的驅(qū)動電流值,能高精度地檢測半導(dǎo)體激光器LD的劣化。又,能相對比較激光器正常時及劣化時的各驅(qū)動電流的電流值,能更高精度地進(jìn)行半導(dǎo)體激光器LD的劣化檢測。這樣,根據(jù)本發(fā)明的第二形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,既能避免圖像控制裝置6 的復(fù)雜化,大型化,成本上升,又能高精度地進(jìn)行半導(dǎo)體激光器LD的劣化檢測。按照本發(fā)明技術(shù)方案(14)-(16)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置(第三形態(tài)),通過對激光器二極管的驅(qū)動電流值進(jìn)行運(yùn)算及加算,能獲得更高精度。通過將驅(qū)動電流的電流值(模擬值)變換為數(shù)字值的A/D變換功能,以及異常判定功能設(shè)置在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置側(cè),在圖像控制裝置等外部裝置側(cè)沒有必要設(shè)置A/D 變換功能及異常判定功能,能避免外部裝置的復(fù)雜化及大型化以及成本上升。又,能相對比較半導(dǎo)體激光器LD正常時及劣化時的各驅(qū)動電流的電流值,能更高精度地檢測半導(dǎo)體激光器LD的劣化。這樣,在本發(fā)明的第三形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置中,既能避免圖像控制裝置等外部裝置的復(fù)雜化,大型化,成本上升,又能高精度地進(jìn)行半導(dǎo)體激光器LD的劣化檢測。


圖1是以往技術(shù)的說明圖。圖2是以往技術(shù)的說明圖。圖3是本發(fā)明實施形態(tài)的圖像形成裝置的構(gòu)成圖。圖4表示半導(dǎo)體激光器的發(fā)光量相對驅(qū)動電流的特性的圖。圖5是本發(fā)明第一實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置的概略構(gòu)成圖。圖6是表示第一實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置的動作例的時間圖。圖7是本發(fā)明第二實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置的概略構(gòu)成圖。圖8表示利用第二實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置的劣化判定的流程圖。圖9是本發(fā)明第三實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置的概略構(gòu)成圖。
具體實施例方式下面,參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明實施形態(tài)。在以下實施形態(tài)中,雖然對構(gòu)成要素, 種類,組合,位置,形狀,數(shù)量,相對配置等作了各種限定,但是,這些僅僅是例舉,本發(fā)明并不局限于此。圖3表示本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置適用的圖像形成裝置的構(gòu)成例。該圖像形成裝置為激光打印機(jī)或數(shù)碼復(fù)印機(jī)等使用的電子照相方式的圖像形成裝置。在圖3的圖像形成裝置1中,由激光二極管構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器LD照射激光,在以高速定速回轉(zhuǎn)的回轉(zhuǎn)多面鏡2偏轉(zhuǎn)掃描,通過作為成像透鏡的f θ透鏡3,聚光成像在感光體4表面。在回轉(zhuǎn)多面鏡2偏轉(zhuǎn)的激光沿著與感光體4回轉(zhuǎn)方向正交的方向(主掃描方向)曝光掃描,進(jìn)行圖像信號的線單位的記錄。通過以與感光體4的回轉(zhuǎn)速度及記錄密度對應(yīng)的所定周期反復(fù)主掃描,在感光體4表面上形成圖像(靜電潛像)。在感光體4的一端附近的照射激光束的位置,配置產(chǎn)生主掃描同步信號的光束傳感器5。圖像控制裝置6將控制為形成圖像必要的半導(dǎo)體激光器LD的光量的信號,向進(jìn)行半導(dǎo)體激光器LD的驅(qū)動控制的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7輸出。圖像控制裝置6根據(jù)主掃描同步信號生成用于主掃描方向的圖像記錄時間控制,以及圖像信號輸入/輸出的控制信號。為了生成主掃描同步信號,在記錄圖像前的非圖像區(qū)域,具有強(qiáng)制點燈期間,通過每一線一定期間使得半導(dǎo)體激光器LD連續(xù)點燈的信號即強(qiáng)制點燈信號進(jìn)行強(qiáng)制點燈。通常,利用該強(qiáng)制點燈信號的強(qiáng)制點燈期間,進(jìn)行自動光量控制(Automatic Power Centrol, 以下記為“APC”),能對每一線或多條線進(jìn)行光量補(bǔ)正,即使周圍溫度上升,動作電流增加場合,能時常正確地控制半導(dǎo)體激光器LD點燈時的光量。來自圖像控制裝置6的強(qiáng)制點燈信號,發(fā)光信號及APC實行信號等分別輸入半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7。圖4系在正常時及劣化時對比半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流和光量的關(guān)系。
從圖4可知,若半導(dǎo)體激光器劣化,半導(dǎo)體激光器的光量P急劇開始增加時的閾值電流Ith增加。再有,光量相對半導(dǎo)體激光器開始發(fā)光后的發(fā)光電流I η的特性,具體地說, 表示作為所定光量Po除以發(fā)光電流I η的值的斜率的微分效率n(mW/mA)降低,因此,為了得到所希望的光量,必要的發(fā)光電流In也增加。驅(qū)動電流Iop成為閾值電流Ith和發(fā)光電流I η之和,因此,若半導(dǎo)體激光器劣化,則為了得到所定光量Po必要的驅(qū)動電流Iop 增加。圖5表示本發(fā)明第一實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7的內(nèi)部構(gòu)成例。在圖5中,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7包括形成電流反射鏡電路的PMOS型晶體管 Tri, Trm, Trld,根據(jù)來自圖像控制裝置6的控制信號控制PMOS型晶體管Tri,Trm,Trld的柵極電壓的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動控制電路11,生成根據(jù)8位的電流控制信號opdet_dac [7 0] 的電流值的電流Idet (檢測電流,detection current)輸出的電流輸出型的D/A變換電路 12,比較器13,NMOS型晶體管Tri。再有,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7包括產(chǎn)生時間信號elk 的振蕩電路14,根據(jù)時間信號elk使得8位的電流控制信號opdet_dac [7 0]增加或減少的計數(shù)電路15,作為使得時間信號elk停止手段的倒相電路16,“與”電路17,在所定時間存儲電流控制信號Opdet_dac[7:0]的值的存儲電路18。上述表示檢測到的驅(qū)動電流值的數(shù)字信號(Opdet_daC[7:0])也記為數(shù)字控制信號(digital control signal opdet_dac[70])。上述與輸入的數(shù)字值對應(yīng)的信號(opdet)也記為驅(qū)動電流檢測信號(drive current control signal opdet)0PMOS型晶體管Trld構(gòu)成半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,其生成根據(jù)所輸入的控制信號的驅(qū)動電流,向半導(dǎo)體激光器LD供給,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動控制電路11以及PMOS型晶體管 Tri進(jìn)行半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的動作控制,構(gòu)成實行供給半導(dǎo)體激光器的電流的控制的控制電路。由振蕩電路14,計數(shù)電路15,倒相電路16,“與”電路17,比較器13,以及D/A變換電路12構(gòu)成的圖5的虛線部,構(gòu)成輸入監(jiān)控電壓Vm、輸出電流控制信號opdet dac[7:0] 的逐次比較型A/D變換器20。逐次比較型A/D變換器20構(gòu)成驅(qū)動電流檢測電路,檢測供給半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,將表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號作為數(shù)字值生成。 驅(qū)動電流檢測電路即使是用虛線部表示的電路構(gòu)成以外,也可以代用。又,PMOS型晶體管 Trld構(gòu)成比例電流生成電路,D/A變換電路12構(gòu)成D/A變換電路,計數(shù)電路15構(gòu)成計數(shù)電路,存儲電路18構(gòu)成存儲電路。PMOS型晶體管Trld,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動控制電路11,以及PMOS型晶體管Tri,逐次比較型A/D變換器20,以及存儲電路18可以集成在一個IC。在這種構(gòu)成中,將PMOS型晶體管Trld的晶體管尺寸設(shè)為Wld,PMOS型晶體管Trm 的晶體管尺寸設(shè)為Wm,向半導(dǎo)體激光器LD供給的電流設(shè)為驅(qū)動電流Ιορ,流過PMOS型晶體管Trm的電流設(shè)為監(jiān)控電流(monitor current) Im,其是與驅(qū)動電流成正比例的電流。以PMOS型晶體管Tri,Trm, Trld形成的電流反射鏡電路產(chǎn)生與PMOS型晶體管 Tri, Trm, Trld的晶體管尺寸的比例對應(yīng)的電流場合,Wld Wm = Iop Im,下式Ln = IopX (ffm/ffld)成立。驅(qū)動電流Iop從PMOS型晶體管Trld的漏極向半導(dǎo)體激光器LD輸出,從PMOS型晶體管Trm的漏極輸出與上述驅(qū)動電流Iop成正比的監(jiān)控電流Lii。若輸入到D/A變換電路12的電流控制信號opdet_daC[7:0]增加,則作為PMOS型
10晶體管Trm的輸出負(fù)載的從D/A變換電路12輸出的電流Idet增加,若電流控制信號opdet_ dac[7:0]減少,則電流Idet減少。在輸入到計數(shù)電路15的啟動信號成為低電平(Low)時, 從計數(shù)電路15輸出的電流控制信號Opdet_dac[7:0]被復(fù)位,成為最大值255d = F!^h。艮口, 在啟動信號為Low時,從計數(shù)電路15輸出的電流Idet的電流值成為能從D/A變換電路12 輸出的最大電流值。若輸入到計數(shù)電路15的啟動信號從低電平(Low)成為高電平(High), 計數(shù)電路15的復(fù)位被解除,則從計數(shù)電路15輸出的電流控制信號Opdet_dac[7:0]根據(jù)所輸入的時間信號clk,從FFh按FEh, FDh, FCh,……,02h,01h,00h減少。Idet < Im = IopX (ffm/ffld)的場合,作為PMOS型晶體管iTrm的漏極電壓的監(jiān)控電壓Vm成為Vm > VCC1/2,比較器13的輸出端的驅(qū)動電流檢測信號opdet從低電平(Low) 變?yōu)楦唠娖?High),NMOS型晶體管Trl接通,作為驅(qū)動電流檢測信號opdet的反轉(zhuǎn)信號的反轉(zhuǎn)驅(qū)動電流檢測信號xopdet從高電平(High)變?yōu)榈碗娖?Low),向圖像控制裝置6輸出。若驅(qū)動電流檢測信號opdet從低電平(Low)變?yōu)楦唠娖?High),則通過倒相電路16, “與”電路17,時間信號elk成為低電平(Low)停止,因此,從計數(shù)電路15輸出的電流控制信號Opdet_dac[7:0]保持成為Idet < Im時的值,輸出到存儲電路18。存儲電路18每當(dāng)驅(qū)動電流檢測信號opdet從低電平(Low)變?yōu)楦唠娖?High),存儲所輸入的電流控制信號 opdet_dac[7:0]的值。存儲電路18由例如寄存電路構(gòu)成,根據(jù)來自外部的信號輸入,能在任意時間讀出存儲在存儲電路18內(nèi)的電流控制信號Opdet_dac[7:0]。在本實施形態(tài)中,D/A變換電路 12的位數(shù)設(shè)為8,但是,可以根據(jù)供給半導(dǎo)體激光器LD的驅(qū)動電流Iop的電流值以及要求的驅(qū)動電流Iop的電流值的檢測精度,增加或減少位數(shù)。具體地說,驅(qū)動電流Iop的電流值越大,所要求的驅(qū)動電流Iop的電流值的檢測精度越高,必要的D/A變換電路12的位數(shù)圖6是表示圖5所示半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7的各部信號例的時間圖。最初,啟動信號為低電平(Low)場合,計數(shù)電路15復(fù)位,電流控制信號opdet_ dac [7 0]成為最大值FFh,電流Idet的電流值成為D/A變換電路12能輸出的最大電流值Idet_max,因此,Idet > Ln成立。Idet > Ln成立場合,監(jiān)控電壓Vm小于VCC1/2 (Vm < VCC1/2),驅(qū)動電流檢測信號opdet成為低電平(Low),NMOS型晶體管Trl截止,反轉(zhuǎn)驅(qū)動電流檢測信號xopdet成為高電平(High),向圖像控制裝置6輸出。接著,若啟動信號成為高電平(High),則計數(shù)電路15復(fù)位解除,根據(jù)時間信號 clk,電流控制信號Opdet_dac[7:0]從最大值FFh按FEh,F(xiàn)Dh,F(xiàn)Ch,……那樣減少。若電流控制信號opdet_dac[7:0]減少,則從D/A變換電路12輸出的電流Idet減少,Idet < Im 成立。在圖6例中,opdet_dac[7:0] = 7Eh, Idet < Ln成立。Idet < Ln場合,監(jiān)控電壓 Vm大于VCCl/2(Vm > VCC1/2),驅(qū)動電流檢測信號opdet成為高電平(High),NMOS型晶體管Trl導(dǎo)通,反轉(zhuǎn)驅(qū)動電流檢測信號xopdet成為低電平(Low),向圖像控制裝置6輸出。若驅(qū)動電流檢測信號opdet從低電平(Low)變?yōu)楦唠娖?High),則時間信號clk成為低電平 (Low)停止,因此,從計數(shù)電路15輸出的電流控制信號opdet_dac [7 0]保持成為Idet < Im 時的值,即7Eh,輸出到存儲電路18。同時,若驅(qū)動電流檢測信號opdet從低電平(Low)變?yōu)楦唠娖?High),則存儲電路18存儲所輸入的opdet_dac[7:0] = 7Eh的值。最后,若啟動信號從高電平(High)變?yōu)榈碗娖?Low),則計數(shù)電路15復(fù)位,圖6的各信號回到初始狀態(tài),停止的時間信號elk開始動作,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7備作下一個驅(qū)動電流的電流值檢測。但是,存儲在存儲電路18的電流控制信號Opdet_daC[7:0]的值 7Eh在進(jìn)行下次驅(qū)動電流值檢測前保持著。這樣,表示檢測到驅(qū)動電流的信號作為反轉(zhuǎn)驅(qū)動電流檢測信號xopdet向圖像控制裝置6輸出,檢測到的驅(qū)動電流的電流值作為電流控制信號opdet_dac [7 0]存儲在存儲電路18。圖像控制裝置6若識別反轉(zhuǎn)驅(qū)動電流檢測信號xopdet從高電平(High)遷移到低電平(Low),檢測到驅(qū)動電流,則根據(jù)來自外部的信號輸入,在任意時間讀出存儲在存儲電路18的電流控制信號opdet_dac [7:0],能很容易知道驅(qū)動電流的電流值。又,作為半導(dǎo)體激光器固有問題的結(jié)晶缺陷引起的急劇劣化,或即使沒有結(jié)晶缺陷而因在高溫下的長時間驅(qū)動引起的劣化,或尤其在激光打印機(jī)或數(shù)碼式復(fù)印機(jī)的組裝工序中作為外部原因的光損傷或靜電放電引起的劣化,為了得到所希望的光量向半導(dǎo)體激光器LD供給的驅(qū)動電流增加場合,根據(jù)該驅(qū)動電流的增加部分,可以容易地判斷半導(dǎo)體激光器LD的劣化。如上所述,根據(jù)第一實施形態(tài),通過將驅(qū)動電流的電流值(模擬值)變換為數(shù)字值的A/D變換功能設(shè)置在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7,在圖像控制裝置6沒有必要設(shè)置A/D變換功能,能避免圖像控制裝置6的復(fù)雜化及大型化以及成本上升。又,生成表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出,因此,利用該數(shù)字值的驅(qū)動電流值,能在圖像控制裝置6中高精度地檢測半導(dǎo)體激光器LD的劣化。這樣,根據(jù)本發(fā)明的第一實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7,既能避免圖像控制裝置6的復(fù)雜化,大型化,成本上升,又能高精度地進(jìn)行激光器的劣化檢測。在第一實施形態(tài)中,在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7中,用數(shù)字值讀取表示驅(qū)動電流的電流值,實際的半導(dǎo)體激光器LD的劣化判定委托圖像控制裝置6,但是,也可以將半導(dǎo)體激光器LD的劣化判定手段設(shè)在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7。這種裝置作為本發(fā)明第二實施形態(tài)。[第二實施形態(tài)]說明本發(fā)明第二實施形態(tài)。圖7表示本發(fā)明第二實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7b的例。圖7與圖5的不同點在于,設(shè)有非易失性存儲器21以及第二比較器22,所述非易失性存儲器21將作為半導(dǎo)體激光器LD劣化的判定基準(zhǔn)的表示驅(qū)動電流異常電平的信號 err_code [7 0]作為數(shù)字值存儲,為了使得以所定的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光,進(jìn)行供給半導(dǎo)體激光器 LD的驅(qū)動電流Iop的電流值的檢測,所述第二比較器22比較表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號Opdet_dac[7:0]的值和表示驅(qū)動電流異常電平的信號err_code[7:0]的值。上述表示驅(qū)動電流的異常電平的信號(err_COde[7:0])也記為閾值信號 (digital threshold signal err_code[70])0上述異常檢測信號(err)也記為異常檢測信號(abnormality detection signal err) 0PMOS晶體管Trld構(gòu)成半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,生成根據(jù)所輸入的控制信號的驅(qū)動電流,供給半導(dǎo)體激光器LD,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動控制電路11以及PMOS晶體管Tri構(gòu)成控制電路,進(jìn)行半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的動作控制,進(jìn)行供給上述半導(dǎo)體激光器的電流的控制。由振蕩電路14,計數(shù)電路15,倒相電路16,“與”電路17,比較器13,以及D/A變換電路 12構(gòu)成的圖5的虛線部構(gòu)成輸入監(jiān)控電壓Vm、輸出電流控制信號Opdet_dac[7:0]的逐次比較型A/D變換器20。逐次比較型A/D變換器20構(gòu)成驅(qū)動電流檢測電路,檢測供給半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,生成表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號作為數(shù)字值輸出。驅(qū)動電流檢測電路也可以用由虛線部表示的電路構(gòu)成以外的裝置代替。又,存儲電路18構(gòu)成存儲電路,將作為半導(dǎo)體激光器的劣化的判定基準(zhǔn)的表示驅(qū)動電流異常電平的信號作為數(shù)字值存儲,第二比較器22以及NMOS晶體管Trl構(gòu)成異常檢測電路,為了使得以所定的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光,檢測供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,若表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號值成為表示上述驅(qū)動電流異常電平的信號值以上,則生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號輸出。PMOS晶體管Trld構(gòu)成比例電流生成電路,D/A變換電路12構(gòu)成D/A變換電路,計數(shù)電路15構(gòu)成計數(shù)電路。PMOS晶體管Trld,PMOS晶體管Trm,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動控制電路11,PMOS晶體管 Tri,逐次比較型A/D變換器20,存儲電路18,第二比較器22,以及NMOS晶體管Trl可以集成在一個IC。在這種構(gòu)成中,表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號Opdet_daC[7:0]的值若成為表示驅(qū)動電流異常電平的信號err_COde[7:0]的值以上,則表示異常狀態(tài)的異常檢測信號 err從低電平(Low)變?yōu)楦唠娖?High),NMOS晶體管Trl導(dǎo)通,反轉(zhuǎn)異常檢測信號xerr從高電平(High)變?yōu)榈碗娖?Low),向圖像控制裝置6輸出。表示驅(qū)動電流異常電平的信號 err_code[7:0]的值,在半導(dǎo)體激光器LD劣化前的正常時,為了使得以所定的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光,檢測供給半導(dǎo)體激光器LD的驅(qū)動電流Iop的電流值,將表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號Opdet_dac[7:0]的值設(shè)定為基準(zhǔn)。在此,關(guān)于驅(qū)動電流Iop的電流值的檢測的時間圖與圖6的時間圖相同,說明省略。圖8表示使用本發(fā)明的第二實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7b的半導(dǎo)體激光器LD的劣化判定流程圖。先參照圖8(A),在激光打印機(jī)或數(shù)碼復(fù)印機(jī)等出廠前的制造工序中,說明將表示驅(qū)動電流的異常狀態(tài)的信號err_COde[7:0]寫入內(nèi)藏在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7的非易失性存儲器21的工序。首先,為了使得以所定的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光,檢測供給半導(dǎo)體激光器 LD的驅(qū)動電流Iop(Sll),將表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號Opdet_dac[7:0]寫入存儲電路18(S12)。寫入的表示驅(qū)動電流值的信號Opdet_dac[7:0]表示激光器正常時的驅(qū)動電流Iop的電流值。圖像控制裝置6讀出寫入到半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7的存儲電路18的 opdet_dac [7 0] (S13),將讀出的opdet_daC [7 0]作為基準(zhǔn),用戶設(shè)定表示驅(qū)動電流異常電平的信號err_COde[7:0]的值(S14)。例如,若驅(qū)動電流Iop的電流值成為激光器正常時的+50%,欲判定激光器劣化場合,可以將表示驅(qū)動電流異常電平的信號err_COde[7:0] 設(shè)定為從存儲電路18讀出的表示驅(qū)動電流值信號Opdet_dac[7:0]的1.5倍的值。在出廠前,將設(shè)定的err_COde[7:0]寫入到非易失性存儲器21(S15)。下面,參照圖8(B),說明出廠后在用戶使用條件下的半導(dǎo)體激光器劣化判定方法的流程。為了使得以所定的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光,檢測供給半導(dǎo)體激光器LD的驅(qū)動電流 Iop (S21),將表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號Opdet_dac[7:0]寫入存儲電路18(S2》。判斷檢測到的表示驅(qū)動電流值的信號Opdet_dac[7:0]的值是否比表示驅(qū)動電流異常電平的
13信號err_COde[7:0]的值大(S23)。若表示驅(qū)動電流值的信號opdet_dac [7 0]的值比表示驅(qū)動電流異常電平的信號err_COde[7:0]的值大,則異常檢測信號err從低電平(Low)變?yōu)楦唠娖?High),反轉(zhuǎn)異常檢測信號xerr從高電平(High)變?yōu)榈碗娖?Low) (SM),向圖像控制裝置6輸出xerr為低電平(Low)的信息,判定半導(dǎo)體激光器LD劣化(S25)。另一方面,若檢測到的表示驅(qū)動電流值的信號Opdet_dac[7:0]的值不足表示驅(qū)動電流異常電平的信號err_COde[7:0]的值,則異常檢測信號err為低電平(Low),反轉(zhuǎn)異常檢測信號xerr 保持高電平(High)狀態(tài)(S^),向圖像控制裝置6輸出xerr為高電平(High)的信息,判定半導(dǎo)體激光器LD正常(S27)。在第二實施形態(tài)中,將激光器正常時的驅(qū)動電流的電流值作為基準(zhǔn),決定異常檢測電平,在制造工序中,預(yù)先將該異常檢測電平寫入非易失性存儲器21,若檢測到的驅(qū)動電流值成為上述異常檢測電平的值以上,則輸出異常檢測信號。由此,能相對比較激光器正常時及劣化時的各驅(qū)動電流的電流值,能高精度地進(jìn)行激光器劣化檢測。如上所述,根據(jù)第二實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7b,通過將驅(qū)動電流的電流值(模擬值)變換為數(shù)字值的A/D變換功能設(shè)置在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7b,在圖像控制裝置6沒有必要設(shè)置A/D變換功能,能避免圖像控制裝置6的復(fù)雜化及大型化以及成本上升。又,根據(jù)第二實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7,若檢測到的表示驅(qū)動電流值的信號的值成為表示驅(qū)動電流異常電平的信號的值以上,則生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號,向圖像控制裝置6輸出,因此,在圖像控制裝置6側(cè)沒有必要進(jìn)行判定等,能更可靠地避免圖像控制裝置6的復(fù)雜化,大型化,成本上升。又,生成表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出,因此,利用該數(shù)字值的驅(qū)動電流值,能在圖像控制裝置6中高精度地檢測半導(dǎo)體激光器LD的劣化。又,設(shè)有存儲電路18以及第二比較器22 (異常檢測電路),所述存儲電路18將作為半導(dǎo)體激光器LD 劣化的判定基準(zhǔn)的表示驅(qū)動電流異常電平的信號作為數(shù)字值存儲,為了使得以所定的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光,進(jìn)行供給上述半導(dǎo)體激光器LD的驅(qū)動電流的電流值的檢測,所述第二比較器22 比較表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號的值和表示驅(qū)動電流異常電平的信號的值,若表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號的值成為表示上述驅(qū)動電流異常電平的信號的值以上,則生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號輸出,能相對比較激光器正常時及劣化時的各驅(qū)動電流的電流值,能更高精度地進(jìn)行半導(dǎo)體激光器LD的劣化檢測。這樣,根據(jù)本發(fā)明的第二實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7b,既能避免圖像控制裝置6的復(fù)雜化,大型化,成本上升,又能高精度地進(jìn)行半導(dǎo)體激光器LD的劣化檢測。在第一及第二實施形態(tài)中,使用逐次比較型A/D變換器檢測供給半導(dǎo)體激光器LD 的驅(qū)動電流的電流值,輸出該逐次比較型A/D變換器的控制代碼(code),能測定驅(qū)動電流的電流值。但是,用至少一個D/A轉(zhuǎn)換器構(gòu)成,合計在各D/A轉(zhuǎn)換器生成的電流,供給半導(dǎo)體激光器LD,在這樣的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7中,可以對各D/A轉(zhuǎn)換器的控制代碼進(jìn)行運(yùn)算及合計輸出。這種裝置作為本發(fā)明第三實施形態(tài)。[第三實施形態(tài)]說明本發(fā)明第三實施形態(tài)。圖9表示本發(fā)明第三實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7c的例。在圖9例中,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7c包括第一 DAC31、第二 DAC32、以及第三DAC33三個D/A轉(zhuǎn)換器,合計在第一 DAC31生成的電流II、在第二 DAC32生成的電流12、在第三DAC33生成的電流13向半導(dǎo)體激光器LD供給的驅(qū)動電路30,以及生成控制各第一 DAC31、第二 DAC32、第三DAC33的輸出電流I1、I2、I3的各數(shù)字信號codel、code2、code3向驅(qū)動電路30輸出的控制電路34。又,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7c包括運(yùn)算及加算電路35以及寄存電路36,所述運(yùn)算及合計電路35將各數(shù)字信號codel、COde2、COde3之中,所定的數(shù)字信號codel的值作為基準(zhǔn),對其他數(shù)字信號COde2、COde3的值進(jìn)行運(yùn)算,將運(yùn)算的其他數(shù)字信號Code2和Code3的值加算在所定的數(shù)字信號codel的值上,所述寄存電路36暫時存儲從運(yùn)算及加算電路35輸出的數(shù)字信號COde_SUm的值。再有,半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7c 包括存儲電路37以及異常檢測電路38,所述存儲電路37將作為半導(dǎo)體激光器LD劣化的判定基準(zhǔn)的表示驅(qū)動電流異常電平的信號err_COde作為數(shù)字信號值存儲,若存儲在寄存電路36的數(shù)字信號COde_SUm的值成為存儲在存儲電路37的數(shù)字信號err_SUm的值以上,則異常檢測電路38生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號xerr輸出。又,異常檢測電路38由進(jìn)行數(shù)字信號code_sum和err_COde比較的比較器39以及NMOS晶體管Trl構(gòu)成,存儲電路 37由非易失性存儲器構(gòu)成。第一 DAC31、第二 DAC32、以及第三DAC33構(gòu)成D/A轉(zhuǎn)換器,驅(qū)動電路30構(gòu)成驅(qū)動電路,加算在各D/A轉(zhuǎn)換器生成的電流,供給上述半導(dǎo)體激光器,控制電路34構(gòu)成控制電路,由至少一個D/A轉(zhuǎn)換器構(gòu)成,加算在上述各D/A轉(zhuǎn)換器生成的電流,供給上述半導(dǎo)體激光器,運(yùn)算及加算電路35構(gòu)成運(yùn)算及加算電路,在各數(shù)字信號之中,將所定的數(shù)字信號值作為基準(zhǔn),對其他數(shù)字信號的值進(jìn)行運(yùn)算,將運(yùn)算的其他數(shù)字信號的值加算在所定的數(shù)字信號值上輸出,寄存電路36構(gòu)成寄存電路,暫時存儲從運(yùn)算及加算電路輸出的數(shù)字信號的值,存儲電路37構(gòu)成存儲電路,將作為半導(dǎo)體激光器劣化的判定基準(zhǔn)的表示驅(qū)動電流異常電平的信號作為數(shù)字信號值存儲,異常檢測電路38構(gòu)成異常檢測電路,若存儲在寄存電路的數(shù)字信號的值成為存儲在上述存儲電路的數(shù)字信號的值以上,則生成表示表示異常狀態(tài)的異常檢測信號輸出。上述控制輸出電流的數(shù)字信號(codel、code2, code3)也記為數(shù)字控制信號 (digital control signals)。上述基準(zhǔn)為數(shù)字基準(zhǔn)信號(digital reference signal)。上述能加算的所定的數(shù)字值(COde_Sum)也記為數(shù)字合計信號(digital sun dignal code_sun)0驅(qū)動電路30,控制電路34,運(yùn)算及加算電路35,寄存電路36,存儲電路37以及異常檢測電路38可以集成在一個IC。在本實施形態(tài)中,第一 DAC31的分辨率為8bit,codel = 255,最大輸出電流11_ max = 40mA,第二 DAC32 的分辨率為 8bit,code2 = 255,最大輸出電流 I2_max = 80mA,第三DAC33的分辨率為12bit,code3 = 4095,最大輸出電流I3_max = 40mA。這種場合,第一 DAC31 的輸出電流 Il =。0(161\11_111&1/255,第二0六。32 的輸出電流 12 = code2XI2_ max/255,第三DAC33的輸出電流13 = code3X Il_max/4095。驅(qū)動電流Iop的電流值成為合計II,12,以及13的電流值的值,因此,若以codel作為基準(zhǔn),則Iop= (codel+2Xcode 2+code3X255/4095) X40mA/255。同樣,若以 code2 作為基準(zhǔn),則 Iop = (codel/2+code2+ code3 X 255/8190) X80mA/255,若以 code3 作為基準(zhǔn),則 Iop = (codel X 4095/255+code2X8190/255+code3) X 40mA/4095。驅(qū)動電流Iop的電流值若以codel作為基準(zhǔn),則可以運(yùn)算 code_sum = (codel+2 X code2+code3 X 255/4095)計算。Iop 和 code_sum 具有正比例關(guān)系, 若code_sum產(chǎn)生+50%變化,Iop也產(chǎn)生+50%變化。因此,若知道code_sum的變化比率, Iop 的變化比率也可知。code_sum = (codel+2Xcode2+code3X255/4095)的運(yùn)算由運(yùn)算及加算電路35實行。在本實施形態(tài)中,為了說明簡單化,構(gòu)成驅(qū)動電路的D/A轉(zhuǎn)換器設(shè)為第一 DAC31、 第二 DAC32、以及第三DAC33三個D/A轉(zhuǎn)換器,但是,本發(fā)明并不局限于此,也可以設(shè)為四個或四個以上的D/A轉(zhuǎn)換器。參照圖9說明半導(dǎo)體激光器LD的劣化判定程序。在半導(dǎo)體激光器LD劣化前,以所定的發(fā)光強(qiáng)度計算COde_SUm,寫入寄存電路36。圖像控制裝置6讀出寫入到寄存電路36 的COde_SUm。將讀出的COde_SUm作為基準(zhǔn),用戶設(shè)定作為半導(dǎo)體激光器LD劣化的判定基準(zhǔn)的表示驅(qū)動電流異常電平的信號err_COde的值。例如,若驅(qū)動電流Iop的電流值成為激光器正常時的+50%,欲判定激光器劣化場合,可以將encode設(shè)為從寄存電路36讀出的 code_sum的1. 5倍的值。在出廠前的制造工序中,將這樣設(shè)定的err_COde預(yù)先寫入到存儲電路37 (非易失性存儲器)。在出廠后的用戶使用條件下,若以所定的發(fā)光強(qiáng)度隨時寫入到寄存電路36的 COde_Sum成為err_code以上,則異常檢測信號err從低電平(Low)變?yōu)楦唠娖?High), NMOS型晶體管Trl導(dǎo)通,反轉(zhuǎn)異常檢測信號xerr從高電平(High)變?yōu)榈碗娖?Low)。向圖像控制裝置6輸出xerr,判定半導(dǎo)體激光器LD劣化。另一方面,若以所定的發(fā)光強(qiáng)度隨時寫入到寄存電路36的code_Sum不足err_COde,則異常檢測信號err為低電平(Low), NMOS型晶體管Trl截止,反轉(zhuǎn)異常檢測信號xerr保持高電平(High)狀態(tài)。向圖像控制裝置6輸出xerr,判定半導(dǎo)體激光器LD正常。如上所述,根據(jù)第三實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7c包括驅(qū)動電路30,控制電路34,以及運(yùn)算及加算電路35,所述驅(qū)動電路30由至少一個D/A轉(zhuǎn)換器31、32、33構(gòu)成, 加算在各D/A轉(zhuǎn)換器31-33生成的電流,向半導(dǎo)體激光器LD供給,所述控制電路34生成控制各第一 DAC31、第二 DAC32、第三DAC33的輸出電流的各數(shù)字信號向驅(qū)動電路30輸出,所述運(yùn)算及加算電路35將各數(shù)字信號之中,所定的數(shù)字信號的值作為基準(zhǔn),對其他數(shù)字信號的值進(jìn)行運(yùn)算,將運(yùn)算的其他數(shù)字信號的值加算在所定的數(shù)字信號的值上輸出,通過運(yùn)算及加算能精度良好地求得半導(dǎo)體激光器LD的驅(qū)動電流值。又,包括寄存電路36,存儲電路37,以及異常檢測電路38,所述寄存電路36暫時存儲從運(yùn)算及加算電路35輸出的數(shù)字信號的值,所述存儲電路37將作為半導(dǎo)體激光器LD劣化的判定基準(zhǔn)的表示驅(qū)動電流異常電平的信號作為數(shù)字信號值存儲,若存儲在寄存電路36 的數(shù)字信號的值成為存儲在存儲電路37的數(shù)字信號的值以上,則異常檢測電路38生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號輸出,即,通過將驅(qū)動電流的電流值(模擬值)變換為數(shù)字值的 A/D變換功能,以及異常判定功能設(shè)置在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7c,在圖像控制裝置6沒有必要設(shè)置A/D變換功能及異常判定功能,能避免圖像控制裝置6的復(fù)雜化及大型化以及成本上升。又,能相對比較半導(dǎo)體激光器LD正常時及劣化時的各驅(qū)動電流的電流值,能更高精度地檢測半導(dǎo)體激光器LD的劣化。這樣,根據(jù)本發(fā)明的第三實施形態(tài)的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置7c,既能避免圖像控
16制裝置6的復(fù)雜化,大型化,成本上升,又能高精度地進(jìn)行半導(dǎo)體激光器LD的劣化檢測。
上面參照

了本發(fā)明的實施形態(tài),但本發(fā)明并不局限于上述實施形態(tài)。在本發(fā)明技術(shù)思想范圍內(nèi)可以作種種變更,它們都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,控制供給半導(dǎo)體激光器的電流,驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光器,以便得到所希望的光量,其特征在于,該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置包括半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,生成根據(jù)所輸入的控制信號的驅(qū)動電流,供給上述半導(dǎo)體激光器;控制電路,控制上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的動作,控制供給上述半導(dǎo)體激光器的電流;以及驅(qū)動電流檢測電路,檢測供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,生成表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置包括存儲電路,在所定時間存儲表示上述驅(qū)動電流值的信號,根據(jù)來自外部的信號,在任意時間輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于 上述驅(qū)動電流檢測電路包括比例電流生成電路,生成與驅(qū)動電流成正比例的電流輸出;以及 D/A變換電路,生成根據(jù)所輸入的數(shù)字值的電流輸出;從上述D/A變換電路輸出的電流的電流值相對從上述比例電流生成電路輸出的電流的電流值,所定條件成立時,生成表示檢測到上述驅(qū)動電流的所定的驅(qū)動電流檢測信號輸出ο
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路包括計數(shù)電路,通過根據(jù)時間信號使得輸入到上述D/A變換電路的數(shù)字值增加或減少,使得從該D/A變換電路輸出的電流的電流值增加或減少。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路若輸出上述驅(qū)動電流檢測信號,則使得輸入到上述計數(shù)電路的時間信號停止,通過保持與輸入到上述D/A變換電路的數(shù)字值對應(yīng)的信號,檢測驅(qū)動電流的電流值,作為表示所檢測到的驅(qū)動電流值的信號,輸出與上述數(shù)字值對應(yīng)的信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于 上述所定時間為輸出上述驅(qū)動電流檢測信號的時間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一個所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,控制電路,驅(qū)動電流檢測電路,以及存儲電路集成在一個IC。
8.一種半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,控制供給半導(dǎo)體激光器的電流,驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光器,以便得到所希望的光量,其特征在于,該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置包括半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,生成根據(jù)所輸入的控制信號的驅(qū)動電流,供給上述半導(dǎo)體激光器;控制電路,控制上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的動作,控制供給上述半導(dǎo)體激光器的電流;驅(qū)動電流檢測電路,檢測供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,生成表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出;存儲電路,將表示作為上述半導(dǎo)體激光器的劣化的判定基準(zhǔn)的驅(qū)動電流的異常電平的信號,作為數(shù)字值存儲;以及異常檢測電路,為了使得以所定的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光,檢測供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,若表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號值成為表示上述驅(qū)動電流異常電平的信號值以上,則生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號輸出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述表示驅(qū)動電流的異常電平的信號值,在上述半導(dǎo)體激光器劣化前,檢測以所定的發(fā)光強(qiáng)度供給上述半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電流的電流值,將表示該檢測到的驅(qū)動電流值的信號值設(shè)定為基準(zhǔn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于 上述驅(qū)動電流檢測電路包括比例電流生成電路,生成與驅(qū)動電流成正比例的電流輸出;以及 D/A變換電路,生成根據(jù)所輸入的數(shù)字值的電流輸出;從上述D/A變換電路輸出的電流的電流值相對從上述比例電流生成電路輸出的電流的電流值,所定條件成立時,生成表示檢測到上述驅(qū)動電流的所定的驅(qū)動電流檢測信號輸出ο
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路包括計數(shù)電路,通過根據(jù)時間信號使得輸入到上述D/A變換電路的數(shù)字值增加或減少,使得從該D/A變換電路輸出的電流的電流值增加或減少。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述驅(qū)動電流檢測電路若輸出上述驅(qū)動電流檢測信號,則使得輸入到上述計數(shù)電路的時間信號停止,通過保持與輸入到上述D/A變換電路的數(shù)字值對應(yīng)的信號,檢測驅(qū)動電流的電流值,作為表示所檢測到的驅(qū)動電流值的信號,輸出與上述數(shù)字值對應(yīng)的信號。
13.根據(jù)權(quán)利要求8-12任一個所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路,控制電路,驅(qū)動電流檢測電路,存儲電路,以及異常檢測電路集成在一個IC。
14.一種半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,控制供給半導(dǎo)體激光器的電流,驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光器,以便得到所希望的光量,其特征在于,該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置包括驅(qū)動電路,至少包含一個D/A轉(zhuǎn)換器,合計在上述各D/A轉(zhuǎn)換器生成的電流,供給上述半導(dǎo)體激光器;控制電路,分別生成控制各D/A轉(zhuǎn)換器的輸出電流的數(shù)字信號,向上述驅(qū)動電路輸出; 運(yùn)算及加算電路,上述各數(shù)字信號之中,將所定的數(shù)字信號的值設(shè)為基準(zhǔn),對其他數(shù)字信號的值進(jìn)行運(yùn)算,將運(yùn)算而得的其他數(shù)字信號的值加算在所定的數(shù)字信號值上輸出; 寄存電路,暫時存儲從上述運(yùn)算及加算電路輸出的數(shù)字信號的值; 存儲電路,將表示作為上述半導(dǎo)體激光器的劣化的判定基準(zhǔn)的驅(qū)動電流的異常電平的信號,作為數(shù)字信號值存儲;以及異常檢測電路,若存儲在上述寄存電路的數(shù)字信號值成為存儲在上述存儲電路的數(shù)字信號值以上,生成表示異常狀態(tài)的異常檢測信號輸出。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述表示驅(qū)動電流的異常電平的數(shù)字信號值,在上述半導(dǎo)體激光器劣化前,將以所定的發(fā)光強(qiáng)度存儲在上述寄存電路的數(shù)字信號值設(shè)定為基準(zhǔn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置,其特征在于上述驅(qū)動電路,控制電路,運(yùn)算及加算電路,寄存電路,存儲電路,以及異常檢測電路集成在一個IC。
17.一種圖像形成裝置,設(shè)有權(quán)利要求1-16中任一個所述的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置及圖像形成裝置。半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置(7)控制供給半導(dǎo)體激光器(LD)的電流,驅(qū)動半導(dǎo)體激光器(LD),以得到所希望的光量,其包括作為半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的晶體管(Trld),生成根據(jù)所輸入的控制信號的驅(qū)動電流,供給半導(dǎo)體激光器(LD);作為控制電路的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動控制電路(11)以及晶體管(Tri),控制半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的動作,控制供給半導(dǎo)體激光器(LD)的電流;作為驅(qū)動電流檢測電路的逐次比較型A/D變換器(20),檢測供給半導(dǎo)體激光器(LD)的驅(qū)動電流的電流值,生成表示檢測到的驅(qū)動電流值的信號,作為數(shù)字值輸出。提供能避免圖像控制裝置復(fù)雜化、大型化、成本上升、且能高精度進(jìn)行激光器劣化檢測的半導(dǎo)體激光器驅(qū)動裝置。
文檔編號H01S5/042GK102347588SQ201110199618
公開日2012年2月8日 申請日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者京極浩明, 角野大二郎 申請人:株式會社理光
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