專利名稱：薄膜沉積設備及制造有機發(fā)光顯示裝置的方法
技術領域：
根據本發(fā)明的實施例的一個或多個方面涉及薄膜沉積設備和使用這種薄膜沉積設備制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術：
與其它顯示裝置相比，有機發(fā)光顯示裝置具有較大的視角、較好的對比度特性和較快的響應速度，因此有機發(fā)光顯示裝置作為下一代顯示裝置已引起關注。有機發(fā)光顯示裝置可以包括中間層，并且中間層可以包括置于第一電極和第二電極之間的發(fā)射層，其中第一電極和第二電極彼此相對布置。電極和中間層可以經由各種方法形成，其中的一個方法可以是獨立的沉積方法。當通過使用沉積方法制造有機發(fā)光顯示裝置時，具有與待形成的薄膜相同的圖案的精細金屬掩膜(FMM)被設置為緊密接觸基板， 并且薄膜材料被沉積在FMM上，以便形成具有期望圖案的薄膜。然而，使用這種FMM的這種沉積方法不適合制造使用大的母體玻璃(例如，大小為 5G或更大的母體玻璃)的較大裝置。換言之，當使用這種大掩膜時，掩膜會由于其自身的重量而彎曲，從而使圖案扭曲。這不利于向高分辨率圖案發(fā)展的當前趨勢。

發(fā)明內容
為了解決使用精細金屬掩膜(FMM)的當代沉積方法的問題，根據本發(fā)明實施例的一個或多個方面提供一種薄膜沉積設備和使用這種薄膜沉積設備制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該薄膜沉積設備可以用于簡化大尺寸顯示裝置的大規(guī)模生產，并且可以在沉積工藝期間與基板精確對準。根據本發(fā)明實施例的方面，提供一種用于在基板上形成薄膜的薄膜沉積設備。所述設備包括沉積源，用于釋放沉積材料；沉積源噴嘴單元，被設置在所述沉積源的一側， 并且包括布置在第一方向上的多個沉積源噴嘴；以及圖案化狹縫片，與所述沉積源噴嘴單元相對設置，并且具有布置在與所述第一方向垂直的第二方向上的多個圖案化狹縫。在所述基板相對于所述薄膜沉積設備在所述第一方向上移動時執(zhí)行沉積。所述圖案化狹縫片具有彼此隔開的第一對準標記和第二對準標記。所述基板具有彼此隔開的第一對準圖案和第二對準圖案。所述薄膜沉積設備進一步包括用于給所述第一對準標記和所述第一對準圖案照相的第一照相機組件，和用于給所述第二對準標記和所述第二對準圖案照相的第二照相機組件。所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元和所述圖案化狹縫片可以整體形成為單個主體。所述沉積源和所述沉積源噴嘴單元以及所述圖案化狹縫片可以通過可用于引導所述沉積材料移動的連接單元而整體連接為單個主體。所述連接單元可以被形成為密封所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元和所述圖案化狹縫片之間的空間。所述多個沉積源噴嘴可以相對于所述沉積源噴嘴所突出的表面的垂直線傾斜一角度。所述多個沉積源噴嘴可以相對于所述沉積源噴嘴所突出的表面的垂直線傾斜一非零的角度。所述多個沉積源噴嘴可以包括在所述第一方向上以兩行布置的沉積源噴嘴，并且所述兩行中的沉積源噴嘴可以面向彼此傾斜。所述多個沉積源噴嘴可以包括在所述第一方向上以兩行布置的沉積源噴嘴。所述兩行中位于所述圖案化狹縫片的第一側處的一行中的沉積源噴嘴，可以被布置為面向所述圖案化狹縫片的第二側。所述兩行中位于所述圖案化狹縫片的第二側處的另一行中的沉積源噴嘴，可以被布置為面向所述圖案化狹縫片的第一側。所述第一對準圖案可以包括布置在所述第一方向上的多個第一標記。所述第二對準圖案可以包括布置在所述第一方向上的多個第二標記。所述第一對準圖案和所述第二對準圖案可以在所述第二方向上彼此隔開。所述第一標記或所述第二標記中至少之一可以具有多邊形形狀。所述第一標記或所述第二標記中至少之一可以具有三角形形狀。所述第一對準圖案和所述第二對準圖案可以以鋸齒的形式形成。所述第一照相機組件和所述第二照相機組件被布置的方向可以垂直于所述第一方向。所述第一照相機組件和所述第二照相機組件可以被設置在所述基板上方，以分別對應于所述第一對準標記和所述第二對準標記。所述薄膜沉積設備可以進一步包括控制器，用于基于所述第一照相機組件和所述第二照相機組件所捕獲的信息，來確定所述基板和所述圖案化狹縫片彼此對準的程度。所述控制器可以通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準圖案和所述第一對準標記的圖像之間的第一距離與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準圖案和所述第二對準標記的圖像之間的第二距離，來確定所述基板和所述圖案化狹縫片在與所述第一方向垂直的所述第二方向上彼此對準的程度。所述控制器可以通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準標記的圖像與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準標記的圖像，來確定所述圖案化狹縫片是否在由所述第一方向和所述第二方向形成的平面內傾斜，以及是否與所述基板錯開。所述控制器可以在所述第一對準標記的圖像的寬度大于所述第二對準標記的圖像的寬度時確定所述圖案化狹縫片在由所述第一方向和所述第二方向形成的所述平面內向所述第二對準標記傾斜，并且可以在所述第一對準標記的圖像的寬度小于所述第二對準標記的圖像的寬度時確定所述圖案化狹縫片在由所述第一方向和所述第二方向形成的所述平面內向所述第一對準標記傾斜。所述控制器可以通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準圖案的圖像與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準圖案的圖像，來確定所述基板是否在由所述第一方向和所述第二方向形成的平面內傾斜，以及是否與所述圖案化狹縫片錯開。所述控制器可以在所述第一對準圖案的圖像的寬度大于所述第二對準圖案的圖像的寬度時確定所述基板在由所述第一方向和所述第二方向形成的所述平面內向所述第二對準圖案傾斜，并且可以在所述第一對準圖案的圖像的寬度小于所述第二對準圖案的圖像的寬度時確定所述基板在由所述第一方向和所述第二方向形成的所述平面內向所述第一對準圖案傾斜。所述基板和所述圖案化狹縫片可以通過基于所述控制器確定的對準程度移動所述基板或所述圖案化狹縫片而彼此對準。根據本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種薄膜沉積設備，用于在基板上形成薄膜。 所述設備包括沉積源，用于釋放沉積材料；沉積源噴嘴單元，被設置在所述沉積源的一側，并且包括布置在第一方向上的多個沉積源噴嘴；圖案化狹縫片，與所述沉積源噴嘴單元相對設置，并且具有布置在所述第一方向上的多個圖案化狹縫；以及壁壘板組件，包括在所述第一方向上設置于所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化狹縫片之間并且將所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化狹縫片之間的沉積空間劃分成多個子沉積空間的多個壁壘板。所述薄膜沉積設備和所述基板彼此隔開。所述薄膜沉積設備或所述基板相對于對方移動。所述圖案化狹縫片具有彼此隔開的第一對準標記和第二對準標記。所述基板具有設置為彼此隔開的第一對準圖案和第二對準圖案。所述薄膜沉積設備進一步包括用于給所述第一對準標記和所述第一對準圖案照相的第一照相機組件，和用于給所述第二對準標記和所述第二對準圖案照相的第二照相機組件。所述多個壁壘板可以在與所述第一方向基本垂直的第二方向上延伸。所述壁壘板組件可以包括包括多個第一壁壘板的第一壁壘板組件，和包括多個第二壁壘板的第二壁壘板組件。所述多個第一壁壘板和所述多個第二壁壘板可以在與所述第一方向基本垂直的第二方向上延伸。所述多個第一壁壘板可以被布置為分別對應于所述多個第二壁壘板。所述沉積源可以與所述壁壘板組件隔開。所述壁壘板組件可以與所述圖案化狹縫片隔開。所述第一對準圖案可以包括布置在與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上的多個第一標記。所述第二對準圖案可以包括布置在所述第三方向上的多個第二標記。所述第一對準圖案和所述第二對準圖案可以在所述第一方向上彼此隔開。所述第一標記或所述第二標記中至少之一可以具有多邊形形狀。所述第一標記或所述第二標記中至少之一可以具有三角形形狀。所述第一對準圖案和所述第二對準圖案可以以鋸齒的形式形成。所述第一照相機組件和所述第二照相機組件可以被布置在所述第一方向上。所述第一照相機組件和所述第二照相機組件可以被設置在所述基板上方，以分別對應于所述第一對準標記和所述第二對準標記。所述薄膜沉積設備可以進一步包括控制器，用于基于所述第一照相機組件和所述第二照相機組件所捕獲的信息，來確定所述基板和所述圖案化狹縫片彼此對準的程度。
所述控制器可以通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準圖案和所述第一對準標記的圖像之間的第一距離與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準圖案和所述第二對準標記的圖像之間的第二距離，來確定所述基板和所述圖案化狹縫片在所述第一方向上彼此對準的程度。所述控制器可以通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準標記的圖像與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準標記的圖像，來確定所述圖案化狹縫片是否在由所述第一方向和所述第三方向形成的平面內傾斜，以及是否與所述基板錯開。所述控制器可以在所述第一對準標記的圖像的寬度大于所述第二對準標記的圖像的寬度時確定所述圖案化狹縫片在由所述第一方向和所述第三方向形成的平面內向所述第二對準標記傾斜，并且可以在所述第一對準標記的圖像的寬度小于所述第二對準標記的圖像的寬度時確定所述圖案化狹縫片在由所述第一方向和所述第三方向形成的平面內向所述第一對準標記傾斜。所述控制器可以通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準圖案的圖像與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準圖案的圖像，來確定所述基板是否在由所述第一方向和所述第三方向形成的平面內傾斜。所述控制器可以在所述第一對準圖案的圖像的寬度大于所述第二對準圖案的圖像的寬度時確定所述基板在由所述第一方向和所述第三方向形成的平面內向所述第二對準圖案傾斜，并且可以在所述第一對準圖案的圖像的寬度小于所述第二對準圖案的圖像的寬度時確定所述基板在由所述第一方向和所述第三方向形成的平面內向所述第一對準圖案傾斜。所述基板和所述圖案化狹縫片可以通過基于所述控制器確定的對準程度移動所述基板或所述圖案化狹縫片而彼此對準。根據本發(fā)明實施例的再一方面，提供一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，通過使用用于在基板上形成薄膜的薄膜沉積設備來制造有機發(fā)光顯示裝置。所述方法包括將所述基板布置為與所述薄膜沉積設備分離并隔開一距離；在所述薄膜沉積設備或所述基板相對于對方移動時，將從所述薄膜沉積設備釋放的沉積材料沉積到所述基板上；以及在所述薄膜沉積設備或所述基板相對于對方移動時，將所述薄膜沉積設備與所述基板對準。所述將沉積材料沉積到所述基板上可以包括在所述基板相對于所述薄膜沉積設備移動時，將從所述薄膜沉積設備釋放的沉積材料持續(xù)沉積在所述基板上。將所述薄膜沉積設備與所述基板對準包括通過使用照相機組件給所述基板上的對準圖案和所述薄膜沉積設備上的對準標記照相；通過比較所述照相機組件拍攝的所述對準標記和對準圖案的圖像，確定所述基板與所述薄膜沉積設備彼此對準的程度；以及通過基于所述對準的程度移動所述基板或所述薄膜沉積設備，將所述基板與所述薄膜沉積設備彼此對準。


由于通過參考以下結合附圖考慮時的詳細描述，本發(fā)明變得更好理解，因此本發(fā)明的更完整的認知及其諸多方面會容易明顯，在附圖中，相同的附圖標記指代相同或相似的部件，其中
圖1示出包括被構建為本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備的薄膜沉積系統；圖2示出圖1的薄膜沉積系統的改進示例；圖3是根據本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備的傾斜示意圖；圖4是圖3的薄膜沉積設備的側截面示意圖；圖5是圖3的薄膜沉積設備在X-Z平面上的截面示意圖；圖6是示出根據本發(fā)明實施例的圖3的基板和圖案化狹縫片的布置的平面圖；圖7示出根據本發(fā)明實施例的當圖3的基板和圖案化狹縫片彼此正確對準時第一對準圖案和第二對準圖案以及第一對準標記和第二對準標記的布置；圖8示出當圖3的基板在負X軸方向移動時第一對準圖案和第二對準圖案以及第一對準標記和第二對準標記的布置；圖9示出根據本發(fā)明實施例的當圖3的基板在箭頭θ所指示的方向上扭曲時第一對準圖案和第二對準圖案以及第一對準標記和第二對準標記的布置；圖10是被構建為本發(fā)明另一實施例的薄膜沉積設備的傾斜示意圖；圖11是被構建為本發(fā)明再一實施例的薄膜沉積設備的傾斜示意圖；圖12是被構建為本發(fā)明又一實施例的薄膜沉積設備的傾斜示意圖；圖13是圖12的薄膜沉積設備的側截面示意圖；圖14是圖12的薄膜沉積設備在X-Z平面上的截面示意圖；圖15是被構建為本發(fā)明另一實施例的薄膜沉積設備的傾斜示意圖；以及圖16是通過使用根據本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備而制造的有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。
具體實施例方式下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的示例性實施例。在附圖中，為了清晰起見，放大了層和區(qū)域的厚度。附圖中相同的附圖標記表示相同的元件，因此可以省略冗余的描述。圖1示出包括被構建為本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備的薄膜沉積系統。圖2示出圖1的薄膜沉積設備的改進示例。參見圖1，薄膜沉積系統包括裝載單元710、沉積單元730、卸載單元720、第一輸送器單元610和第二輸送器單元620。裝載單元710包括第一臺架712、運送機械手714、運送室716和第一倒轉室718。沒有應用沉積材料的多個基板500被堆疊在第一臺架712上。運送機械手714從第一臺架712上撿取基板500之一，將基板500置于由第二輸送器單元620傳動的靜電卡盤600上，并且將其上有基板500的靜電卡盤600移動到運送室716中。第一倒轉室718與運送室716相鄰設置。第一倒轉室718包括第一倒轉機械手 719，第一倒轉機械手719將靜電卡盤600倒轉，然后將靜電卡盤600載入沉積單元730的第一輸送器單元610中。參見圖1，運送機械手714將基板500之一放置在靜電卡盤600的表面上，并且基上具有基板500的靜電卡盤600被載入運送室716中。然后，第一倒轉機械手719以使基板500在沉積單元730中倒轉的方式將靜電卡盤600倒轉。
卸載單元720被構建為以與以上所述的裝載單元710相反的方式操作。具體來說， 第二倒轉室728中的第二倒轉機械手729將其上具有基板500且已穿過沉積單元730的靜電卡盤600倒轉，然后將其上具有基板500的靜電卡盤600移動到排出室726中。然后，排出機械手724從排出室726中移除其上具有基板500的靜電卡盤600，將基板500與靜電卡盤600分離，然后將基板500裝載到第二臺架722上。與基板500分離的靜電卡盤600經由第二輸送器單元620返回到裝載單元710中。然而，本發(fā)明不限于以上的描述。例如，在將基板500置于靜電卡盤600上時，基板 500可以固定到靜電卡盤600的底面，然后被移動到沉積單元730。在這種情況下，例如，不再需要第一倒轉室718和第一倒轉機械手719以及第二倒轉室728和第二倒轉機械手729。沉積單元730可以包括至少一個沉積室。如圖1所示，根據所描述的實施例，沉積單元730包括第一室731，在第一室731中設置有第一到第四薄膜沉積設備100、200、300和 400。盡管圖1示出總共四個薄膜沉積設備，即第一薄膜沉積設備100到第四薄膜沉積設備 400，被安裝在第一室731中，但是安裝在第一室731中的薄膜沉積設備的總數目可以根據沉積材料和沉積條件而改變。在沉積工藝期間，第一室731可以被維持在真空狀態(tài)。參見圖2，在被構建為根據本發(fā)明另一實施例的薄膜沉積設備中，沉積單元730可以包括彼此連接的第一室731和第二室732。在這種情況下，第一薄膜沉積設備100和第二薄膜沉積設備200可以設置在第一室731中，而第三薄膜沉積設備300和第四薄膜沉積設備400可以設置在第二室732中。在其它實施例中，可以使用兩個以上的室。參見圖1，在當前實施例中，其上具有基板500的靜電卡盤600至少可以被移動到沉積單元730，具體來說可以經由第一輸送器單元610依次移動到裝載單元710、沉積單元 730和卸載單元720。然后，靜電卡盤600通過卸載單元720與基板500分離，并經由第二輸送器單元620返回到裝載單元710。圖3是利用本發(fā)明實施例構建的薄膜沉積設備100的示意性透視圖。圖4是圖3 的薄膜沉積設備100的側截面示意圖。圖5是圖3的薄膜沉積設備100的截面示意圖。參見圖3到圖5，薄膜沉積設備100包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化狹縫片150、第一照相機組件161、第二照相機組件162和控制器170。具體來說，圖1的第一室731與使用精細金屬掩膜(FMM)的沉積方法相同，可以被基本維持在高真空狀態(tài)，使得從沉積源110發(fā)射并通過沉積源噴嘴單元120和圖案化狹縫片150釋放的沉積材料115可以以期望的圖案沉積到基板500上。另外，圖案化狹縫片150 的溫度可以遠低于沉積源110的溫度。就這一點來說，圖案化狹縫片150的溫度可以為大約100°C或更低。圖案化狹縫片150的溫度可以很低，以便降低圖案化狹縫片150的熱膨脹。作為沉積目標基板的基板500可以被置于第一室731中?；?00可以是平板顯示器的基板。用于制造多個平板顯示器的諸如母體玻璃之類的大基板可以用作基板500。 也可以采用其它基板。具體來說，在當代的FMM沉積方法中，FMM的尺寸等于基板的尺寸。因此，由于隨著基板變得越來越大，FMM的尺寸必須增大，因此無論是制造大FMM還是開發(fā)與圖案準確對準的FMM都不簡單。為了解決此問題，在薄膜沉積設備100中，可以在薄膜沉積設備100或基板500相
11對于對方移動時執(zhí)行沉積。換言之，可以在被設置為面對薄膜沉積設備100的基板500在Y 軸方向上移動時持續(xù)執(zhí)行沉積。換言之，可以在基板500在圖6中的箭頭R所指示的方向 (第一方向)上移動時以掃描方式執(zhí)行沉積。在被構建為當前實施例的薄膜沉積設備100中，圖案化狹縫片150可以遠小于傳統沉積方法中使用的FMM。換言之，在薄膜沉積設備100中，當基板500在Y軸方向上移動時，持續(xù)執(zhí)行即以掃描方式執(zhí)行沉積。因此，圖案化狹縫片150在X軸和Y軸方向上的長度可以小于(例如遠小于)基板500在X軸和Y軸方向上的長度。如上所述，由于圖案化狹縫片150可以形成為小于(例如遠小于)傳統沉積方法中使用的FMM，因此可以相對容易地制造圖案化狹縫片150。也就是說，與使用較大FMM的傳統沉積方法相比，使用比傳統沉積方法中使用的FMM小的圖案化狹縫片150，在包括刻蝕和其它后續(xù)工藝(諸如精確延伸、焊接、移動和清洗工藝)的所有工藝中都更方便。這對于相對大的顯示裝置來說更有利。容納并加熱沉積材料115的沉積源110被設置在第一室731的與設置基板500的一側相對的側處。沉積源110與基板500相對設置，并且沉積源110被設置在第一室731 的與基板500相對設置的一側處。當沉積源110中容納的沉積材料115被蒸發(fā)時，沉積材料115可以沉積到基板500上。具體來說，沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝112和加熱坩堝112以使坩堝112中容納的沉積材料115朝向坩堝112的一側(并且具體是朝向沉積源噴嘴單元120) 蒸發(fā)的冷卻塊111。冷卻塊111防止來自坩堝112的熱量向外，即向第一室731中輻射，因此可以包括用于加熱坩堝112的加熱器(未示出)。沉積源噴嘴單元120被設置在沉積源110的一側，具體是被設置在沉積源110的面對基板500的一側。沉積源噴嘴單元120包括可以以相等間隔布置在Y軸方向，即基板 500的掃描方向上的多個沉積源噴嘴121。在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120到達基板500。如上所述，當沉積源噴嘴單元120包括布置在Y軸方向，即基板500的掃描方向上的多個沉積源噴嘴121時，由通過圖案化狹縫片150的圖案化狹縫 151釋放的沉積材料115形成的圖案的尺寸，僅受沉積源噴嘴121之一的尺寸的影響(原因在于，X軸方向上僅有沉積噴嘴一條線)。因此，不會在基板500上形成陰影區(qū)帶。另外， 由于多個沉積源噴嘴121被布置在基板500的掃描方向(Y軸方向)上，因此即使沉積源噴嘴121之間在流量方面有差異，這種差異也可以被補償，并且沉積均勻性也可以被維持為恒定。圖案化狹縫片150和框架155被設置在沉積源110與基板500之間?？蚣?55可以形成為與窗框類似的格子形狀。圖案化狹縫片150被鑲在框架155內部。圖案化狹縫片 150具有布置在X軸方向上的多個圖案化狹縫151。多個圖案化狹縫151可以線性布置在 X軸方向上。在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化狹縫片150到達基板500。圖案化狹縫片150可以通過刻蝕來制造，刻蝕與制造FMM (具體是條紋形的FMM)的當代方法中所使用的方法相同。就這一點來說，圖案化狹縫151的總數目可以大于沉積源噴嘴121的總數目。另外，沉積源110和與沉積源110聯結的沉積源噴嘴單元120可以與圖案化狹縫片150分離且分隔開一距離(例如，預定距離)。可替代地，沉積源110和聯結至沉積源110 的沉積源噴嘴單元120可以通過連接單元135連接至圖案化狹縫片150。也就是說，沉積源110、沉積源噴嘴單元120和圖案化狹縫片150可以通過經由連接單元135彼此連接而整體形成為單個主體。連接單元135可以引導通過沉積源噴嘴121釋放的蒸發(fā)的沉積材料115 直線移動而不會在X軸方向上流動。參見圖3，連接單元135可以形成在沉積源110、沉積源噴嘴120和圖案化狹縫片150的左側和右側，以引導沉積材料115不在X軸方向上流動， 但是本發(fā)明的方面不限于此。例如，連接單元135可以以封裝盒的形式形成，以便引導沉積材料115在X軸和Y軸方向上都不流動。如上所述，被構建為當前實施例的薄膜沉積設備100在相對于基板500移動時執(zhí)行沉積。為了使薄膜沉積設備100相對于基板500移動，圖案化狹縫片150與基板500分離并分隔開一距離(例如，預定距離)。具體來說，在使用FMM的當代沉積方法中，在FMM與基板緊密接觸的情況下執(zhí)行沉積，以便防止在基板上形成陰影區(qū)帶。然而，當FMM被使用為與基板緊密接觸時，接觸會引起缺陷。另外，在當代沉積方法中，由于掩膜無法相對于基板移動，因此掩膜的尺寸與基板的尺寸相同。因此，掩膜的尺寸必須隨著顯示裝置變大而增加。然而，制造這種大掩膜不太
各易ο為了解決此問題，在構建為當前實施例的薄膜沉積設備100中，圖案化狹縫片150 可以被設置為與基板500分開一距離(例如，預定距離)。如上所述，根據本發(fā)明的實施例，掩膜可以形成為比基板小，并且在掩膜相對于基板移動時執(zhí)行沉積。因此，可以容易地制造掩膜。另外，可以防止在當代沉積方法中發(fā)生的由于基板與FMM之間相接觸而引起的缺陷。此外，由于在沉積工藝期間不需要將FMM設置為與基板緊密接觸，因此可以縮短制造時間。在本發(fā)明的實施例中，薄膜沉積設備100進一步包括第一對準圖案502和第二對準圖案503、第一對準標記152和第二對準標記153、第一照相機組件161和第二照相機組件162以及控制器170，以便將基板500與圖案化狹縫片150彼此對準。第一對準圖案502和第二對準圖案503在基板500的移動方向P上形成于基板 500上。第一對準圖案502第二對準圖案503可以形成在基板500的各個末端以彼此隔開。 第一對準圖案502可以包括布置在基板500的移動方向P上的多個第一標記502a，并且第二對準圖案503可以包括布置在基板500的移動方向P上的多個第二標記503a。第一標記502a和第二標記503a可以具有多邊形形狀，例如如圖3所示的直角三角形形狀。如果第一標記502a和第二標記503a中的每個均具有直角三角形形狀，則直角三角形的斜邊可以被設置為面對基板500的邊緣，如圖3所示。在這種情況下，第一對準圖案502和第二對準圖案503可以形成為鋸齒形式。第一對準標記152和第二對準標記153可以被設置在圖案化狹縫片150的各個末端。在實施例中，第一對準標記152和第二對準標記153可以被設置在圖案化狹縫片150 的拐角處。第一對準標記152和第二對準標記153可以被設置在圖案化狹縫片150的兩個相鄰拐角處。第一對準標記152和第二對準標記153可以在與移動方向P垂直的方向(第二方向)上彼此隔開。第一對準標記152和第二對準標記153可以具有多邊形形狀，例如如圖3所示的直角三角形形狀。如果第一對準標記152和第二對準標記153中的每個均具有直角三角形形狀，則其斜邊可以被設置為面對圖案化狹縫151，如圖3所示。如果基板500和圖案化狹縫片150彼此正確對準，則第一對準標記152和第二對準標記153被設置在第一對準圖案502和第二對準圖案503之間。這將在后面描述。第一照相機組件161和第二照相機組件162可以被設置在基板500上，以分別對應于第一對準標記152和第二對準標記153。第一照相機組件161可以在基板500上給第一對準圖案502和第一對準標記152照相，而第二照相機組件162可以在基板500上給第二對準圖案503和第二對準標記153照相。由于基板500可能是透明的，因此第一照相機組件161和第二照相機組件162可以分別給通過基板500觀看到的第一對準標記152和第二對準標記153照相。第一照相機組件161和第二照相機組件162對準的方向可以是與移動方向P垂直的第二方向。控制器170可以通過分析第一照相機組件161和第二照相機組件162所捕獲的信息來確定基板500與圖案化狹縫片150彼此對準的程度，并且可以基于對準的程度來移動基板500或圖案化狹縫片150。現在將參照圖6到圖9描述圖3所示的基板500與圖案化狹縫片150的對準。圖6是示出根據本發(fā)明實施例的從第一照相機組件161和第二照相機組件162觀看到的圖3中基板500與圖案化狹縫片150的布置的平面圖。參見圖3和圖6，基板500在Y軸方向上移動。第一對準圖案502和第二對準圖案 503被設置為與基板500移動的Y軸方向平行。第一對準圖案502和第二對準圖案503可以被設置在基板500的各個末端處，同時在與Y軸方向垂直的X軸方向(第二方向)上彼此隔開。設置在圖案化狹縫片150上的第一對準標記152和第二對準標記153可以在第二方向上彼此隔開，并且可以設置在第一對準圖案502和第二對準圖案503之間。在實施例中，第一對準圖案502和第二對準圖案503之間的距離可以大于第一對準標記152和第二對準標記153之間的距離。圖7示出根據本發(fā)明實施例的當圖6的基板500和圖案化狹縫片150彼此正確對準時第一對準圖案502和第二對準圖案503以及第一對準標記152和第二對準標記153的布置。參見圖6和圖7，第一照相機組件161的成像裝置161a和第二照相機組件162的成像裝置162a被設置在第二方向(X軸方向)上，從而分別給第一對準圖案502和第一對準標記152以及第二對準圖案503和第二對準標記153照相。當基板500與圖案化狹縫片 150彼此正確對準時，第一對準圖案502與第一對準標記152之間的距離A等于第二對準圖案503與第二對準標記153之間的距離A’。而且，在這種情況下，由第一照相機組件161 拍攝的第一對準圖案502的圖像的寬度B等于由第二照相機組件162拍攝的第二對準圖案 503的圖像的寬度B’。而且，由第一照相機組件161拍攝的第一對準標記152的圖像的寬度C等于由第二照相機組件162照攝的第二對準標記153的圖像的寬度C’。在實施例中，當基板500與圖案化狹縫片150彼此正確對準時，第一對準圖案502 與第一對準標記152之間的距離A可以等于第二對準圖案503與第二對準標記153之間的距離A’。在這種情況下，由第一照相機組件161的成像裝置161a拍攝的第一對準圖案502 的圖像的寬度B可以等于由第二照相機組件162的成像裝置162a并發(fā)(例如同時)拍攝的第二對準圖案503的圖像的寬度B’。而且，由第一照相機組件161的成像裝置161a拍攝的第一對準標記152的圖像的寬度C可以等于由第二照相機組件162的成像裝置162a并發(fā)(例如同時)拍攝的第二對準標記153的圖像的寬度C’。圖8示出根據本發(fā)明實施例的當圖6的基板500在負X軸方向上移動時第一對準圖案502和第二對準圖案503以及第一對準標記152和第二對準標記153的布置。參見圖6和圖8，當基板500在負X軸方向上移動時，第一對準圖案502與第一對準標記152之間的距離A小于第二對準圖案503與第二對準標記153之間的距離A’。然而，在這種情況下，由第一照相機組件161拍攝的第一對準圖案502的圖像的寬度B等于由第二照相機組件162拍攝的第二對準圖案503的圖像的寬度B’，并且由第一照相機組件 161拍攝的第一對準標記152的圖像的寬度C等于由第二照相機組件162拍攝的第二對準標記153的圖像的寬度C’。如果基板500已在負χ軸方向上移動，則控制器170控制驅動單元(未示出)以使基板500在X軸方向移動一距離(A’ -A)/2。圖9示出根據本發(fā)明實施例的當圖6的基板500在箭頭θ所指示的方向上(例如，旋轉角度Θ)扭曲時，第一對準圖案502和第二對準圖案503以及第一對準標記152和第二對準標記153的布置。如果基板500相對于圖案化狹縫片150在方向θ上扭曲，這意味著基板500相對于Z軸逆時針(在方向θ上)或順時針(在負方向-θ上)移動。參見圖9，如果基板500在方向θ (逆時針)上扭曲(例如旋轉)，則由第一照相機組件161拍攝的第一對準標記152的圖像的寬度C等于由第二照相機組件162拍攝的第二對準標記153的圖像的寬度C’，但是由第一照相機組件161拍攝的第一對準圖案502的寬度B小于由第二照相機組件162拍攝的第二對準圖案503的寬度B’?；?00扭曲(例如旋轉)的程度等于Arctan((B’-B)/A)。在這種情況下，為了將基板500與圖案化狹縫片 150對準，圖3的控制器170控制驅動單元(未示出)以使基板500在負方向-θ (順時針) 上移動(例如旋轉)Arctan((B，-B)/A)的角度。盡管未示出，但是如果圖案化狹縫片150在方向θ (逆時針)上扭曲，則由第一照相機組件161拍攝的第一對準標記152的圖像的寬度C小于由第二照相機組件162拍攝的第二對準標記153的圖像的寬度C’。在這種情況下，控制器170控制驅動單元以使圖案化狹縫片150在箭頭的負方向-θ (順時針)上移動(例如旋轉)Arctan((C，-C)/A)的角度。如上所述，根據本發(fā)明實施例的圖3的薄膜沉積設備100不僅在基板500在與移動方向(第一方向)垂直的方向(第二方向)上移動時，而且在基板500相對于移動方向 P(第一方向)扭曲(例如旋轉)時，都能夠控制基板500與圖案化狹縫片150的對準。圖10是根據本發(fā)明另一實施例的薄膜沉積設備100’的示意性透視圖。參見圖 10，薄膜沉積設備100’包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120’和圖案化狹縫片150。沉積源 110包括填充有沉積材料115的坩堝112，以及加熱坩堝112以使坩堝112中容納的沉積材料115蒸發(fā)從而將蒸發(fā)的沉積材料115移向沉積源噴嘴單元120’的冷卻塊111。具有平面形狀的沉積源噴嘴單元120’被設置在沉積源110的一側。沉積源噴嘴單元120’包括布置在Y軸方向上的多個沉積源噴嘴121’。圖案化狹縫片150和框架155被設置在沉積源110 與基板500之間。圖案化狹縫片150具有布置在X軸方向上的多個圖案化狹縫151。沉積源110和沉積源噴嘴單元120’可以通過連接單元135連接至圖案化狹縫片150。在當前實施例中，與圖3的薄膜沉積設備100不同，形成在沉積源噴嘴單元120’ 上的多個沉積源噴嘴121’傾斜一角度(例如，預定角度)。具體來說，沉積源噴嘴121’可以包括布置在相應行上的沉積源噴嘴121a和121b。沉積源噴嘴121a和121b可以布置在相應行上，以便以ζ字形圖案交替。沉積源噴嘴121a和121b可以相對于XZ平面傾斜一角度(例如，預定角度)。沉積源噴嘴121a和121b可以形成為與XZ平面不垂直。在當前實施例中，沉積源噴嘴121a和121b被布置為相對于彼此傾斜一角度(例如，預定角度)。第一行中的沉積源噴嘴121a和第二行中的沉積源噴嘴121b可以傾斜為彼此面對。第一行沉積源噴嘴121a可以向第二行沉積源噴嘴121b傾斜。也就是說，設置在沉積源噴嘴單元120’左邊部分的第一行沉積源噴嘴121a的頂部，可以被布置為面向圖案化狹縫片150的右側部分，并且在沉積源噴嘴單元120’右邊部分的第二行沉積源噴嘴121b 的頂部，可以被布置為面向圖案化狹縫片150的左側部分。因此，可以調節(jié)沉積材料115的沉積速率，來減小形成在基板500中央部分和末端部分上的薄膜的厚度之間的差異，從而改善厚度均勻性。此外，還可以提高沉積材料115的利用效率。圖11是被構建為本發(fā)明又一實施例的薄膜沉積設備的示意性透視圖。參見圖11， 根據當前實施例的薄膜沉積設備可以包括多個薄膜沉積設備，每個都具有圖3所示薄膜沉積設備100的結構。換言之，根據當前實施例的薄膜沉積設備可以包括并發(fā)(例如同時) 釋放用于形成R(紅)發(fā)射層、G(綠)發(fā)射層和B(藍)發(fā)射層的沉積材料的多沉積源。具體來說，被構建為當前實施例的薄膜沉積設備包括第一薄膜沉積設備101、第二薄膜沉積設備102和第三薄膜沉積設備103。第一薄膜沉積設備101、第二薄膜沉積設備 102和第三薄膜沉積設備103中的每個具有與參見圖3到圖5所描述的薄膜沉積設備100 相同的結構，因此這里將不提供其詳細描述。第一薄膜沉積設備101、第二薄膜沉積設備102和第三薄膜沉積設備103的沉積源 110可以分別容納不同的沉積材料。第一薄膜沉積設備101可以容納用于形成R發(fā)射層的沉積材料，第二薄膜沉積設備102可以容納用于形成G發(fā)射層的沉積材料，并且第三薄膜沉積設備103可以容納用于形成B發(fā)射層的沉積材料。換言之，在制造有機發(fā)光顯示裝置的典型方法中，一般可以使用分離的腔室和掩膜來形成各個顏色的發(fā)射層。然而，當使用被構建為當前實施例的薄膜沉積設備時，R發(fā)射層、G發(fā)射層和B發(fā)射層可以使用單個多沉積源并發(fā)(例如同時)形成。因此，可以減少 (例如，顯著減少)制造有機發(fā)光顯示裝置所耗費的時間。另外，可以使用減少的腔室數目來制造有機發(fā)光顯示裝置，使得還可以降低(例如，明顯降低)設備成本。盡管未示出，但第一薄膜沉積設備101的圖案化狹縫片150、第二薄膜沉積設備 102的圖案化狹縫片250、第三薄膜沉積設備103的圖案化狹縫片350可以被布置為相對于彼此偏移一恒定距離，從而防止與圖案化狹縫片150、250和350相對應的沉積區(qū)域在基板 500上彼此重疊。換言之，當使用第一薄膜沉積設備101、第二薄膜沉積設備102和第三薄膜沉積設備103分別沉積R發(fā)射層、G發(fā)射層和B發(fā)射層時，第一薄膜沉積設備101的圖案化狹縫151、第二薄膜沉積設備102的圖案化狹縫251和第三薄膜沉積設備103的圖案化狹縫351被布置為相對于彼此不對準，以便在基板500的不同區(qū)域中形成R發(fā)射層、G發(fā)射層和B發(fā)射層。用于形成R發(fā)射層、G發(fā)射層和B發(fā)射層的沉積材料可以分別在不同的溫度下蒸發(fā)。因此，各個第一、第二和第三薄膜沉積設備101、102和103的沉積源的溫度可以設置為不同。盡管根據當前實施例的薄膜沉積設備包括三個薄膜沉積設備，但是本發(fā)明不限于此。換言之，根據本發(fā)明另一實施例的薄膜沉積設備可以包括多個薄膜沉積設備，每個容納不同的沉積材料。例如，根據本發(fā)明另一實施例的薄膜沉積設備可以包括分別容納用于R 發(fā)射層、G發(fā)射層、B發(fā)射層、R發(fā)射層的輔助層(R’ )和G發(fā)射層的輔助層(G’ )的材料的五個薄膜沉積設備。如上所述，可以使用多個薄膜沉積設備并發(fā)(例如，同時)形成多個薄膜，因此可以提高制造產量和沉積效率。另外，簡化了總的制造工藝，并且可以降低制造成本。圖12是被構建為本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備100”的示意性透視圖。圖13是圖12的薄膜沉積設備100”的側截面示意圖。圖14是圖12的薄膜沉積設備100”在X-Z 平面上的截面示意圖。參見圖12到圖14，薄膜沉積設備100”包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120”、壁壘板組件130和圖案化狹縫151。盡管為了說明的方便起見，圖12到圖14中沒有示出腔室，但是薄膜沉積設備100” 的所有組件可以設置于被維持在合適的真空度下的腔室內。腔室被維持在合適的真空下， 以便允許沉積材料基本上以直線移動通過薄膜沉積設備100”。在設置有薄膜沉積設備100”的腔室中，作為沉積目標基板的基板500由圖1的靜電卡盤600傳動?；?00可以是用于平板顯示裝置的基板。用于制造多個平板顯示器的諸如母體玻璃之類的大基板可以用作基板500。也可以采用其它基板。在本發(fā)明的實施例中，基板500可以相對于薄膜沉積設備100 ”移動。例如，基板 500可以在箭頭P的方向上相對于薄膜沉積設備100”移動。因此，如在圖3的薄膜沉積設備100中那樣，包括在被構建為當前實施例的薄膜沉積設備100”中的圖案化狹縫片150可以小于(例如，顯著小于)典型沉積方法中使用的 FMM。換言之，在被構建為當前實施例的薄膜沉積設備100”中，當基板500在Y軸方向上移動時，持續(xù)執(zhí)行，即以掃描方式執(zhí)行沉積。因此，假設圖案化狹縫片150在X軸方向上的寬度和基板500在X軸方向上的寬度彼此基本相等，則圖案化狹縫片150在Y軸方向上的長度可以小于(例如，顯著小于)基板500的長度。然而，即使當圖案化狹縫片150在X軸方向上的寬度小于基板500在X軸方向上的寬度時，也可以在基板500或薄膜沉積設備100” 可以相對于對方移動時以掃描方式在整個基板500上執(zhí)行沉積。如上所述，由于圖案化狹縫片150可以形成為小于(例如，顯著小于)典型沉積方法中使用的FMM，因此可以相對容易地制造圖案化狹縫片150。換言之，與使用較大FMM的當代沉積方法相比，使用比典型沉積方法中使用的FMM小的圖案化狹縫片150，在包括刻蝕和其它后續(xù)工藝(諸如精確延伸、焊接、移動和清洗工藝)的所有工藝中都更方便。這對于相對大的顯示裝置來說更有利。容納并加熱沉積材料115的沉積源110被設置在腔室的與設置基板500的一側相對的側處。沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝112和圍繞坩堝112的冷卻塊111。 冷卻塊111防止來自坩堝112的熱量輻射到外部，即腔室中。冷卻塊111可以包括對坩堝 112進行加熱的加熱器(未示出)。
17
沉積源噴嘴單元120”被設置在沉積源110的一側，具體是被設置在沉積源110的面對基板500的一側。沉積源噴嘴單元120”包括可以以等間隔布置在X軸方向上的多個沉積源噴嘴121”。在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120”的沉積源噴嘴121”，到達作為沉積目標基板的基板500。壁壘板組件130設置在沉積源噴嘴單元120”的一側。壁壘板組件130包括多個壁壘板131和覆蓋壁壘板131側面的壁壘板框架132。換言之，圖12的實施例中的壁壘板框架132包括沿Y軸方向彼此隔開的兩個相對的壁壘框架板，其中壁壘板131位于這兩個壁壘框架板之間。盡管圖12中左側的壁壘框架板的高度看起來小于右側的壁壘框架板的高度，但它們可以具有相同的高度，如圖13所示。多個壁壘板131可以在X軸方向上以等間隔彼此平行布置。另外，每個壁壘板131可以平行于圖2和圖12中的YZ平行布置，并且可以具有矩形形狀。如上所述布置的多個壁壘板131將沉積源噴嘴單元120”與圖案化狹縫片150之間的沉積空間劃分為多個子沉積空間S。在被構建為當前實施例的薄膜沉積設備100”中，如圖14所示，沉積空間被壁壘板131劃分為分別與沉積材料115所釋放通過的沉積源噴嘴121”相對應的子沉積空間S。壁壘板131可以分別設置在相鄰的沉積源噴嘴121”之間。換言之，沉積源噴嘴 121”中的每一個可以設置在兩個相鄰的壁壘板131之間。沉積源噴嘴121”可以分別位于兩個相鄰壁壘板131之間的中點處。然而，本發(fā)明不限于此結構。例如，多個沉積源噴嘴 121”可以設置在兩個相鄰的壁壘板131之間。在這種情況下，沉積源噴嘴121”還可以分別位于兩個相鄰壁壘板131之間的中點處。如上所述，由于壁壘板131將沉積源噴嘴單元120”與圖案化狹縫片150之間的沉積空間劃分為多個子空間S，因此通過沉積源噴嘴121”中每一個釋放的沉積材料115不會與通過其它沉積源噴嘴121”釋放的沉積材料115混合在一起，并且通過圖案化狹縫以便沉積在基板500上。換言之，壁壘板131引導通過沉積源噴嘴121”釋放的沉積材料115直線移動而不會在X軸方向上流動。如上所述，通過安裝壁壘板131迫使沉積材料115直線移動，使得與沒有安裝壁壘板的情況相比，可以在基板500上形成較小的陰影區(qū)帶。因此，薄膜沉積設備100”和基板 500可以彼此分離并隔開一距離(例如，預定距離D)。這將在后面詳細描述。形成壁壘板131的側面的壁壘板框架132維持壁壘板131的位置，并引導通過沉積源噴嘴121”釋放的沉積材料115不在Y軸方向上流動。沉積源噴嘴單元120”和壁壘板組件130可以彼此分離并隔開一距離(例如，預定距離)。這可以防止從沉積源單元Iio輻射的熱量被傳導到壁壘板組件130。然而，本發(fā)明的方面不限于此。例如，可以在沉積源噴嘴單元120”與壁壘板組件130之間進一步設置合適的絕熱器(未示出)。在這種情況下，沉積源噴嘴單元120”和壁壘板組件130可以被綁在一起，其中絕熱器位于它們之間。另外，壁壘板組件130可以被構建為從薄膜沉積設備100”中可拆卸。在被構建為本發(fā)明當前實施例的薄膜沉積設備100”中，通過使用壁壘板組件130密封沉積空間，使得保持未沉積的沉積材料115大部分沉積在壁壘板組件130內。因此，由于壁壘板組件130 被構建為從薄膜沉積設備100”中可拆卸，因此當長沉積工藝之后大量的沉積材料115位于壁壘板組件130中時，可以將壁壘板組件130從薄膜沉積設備100”中拆卸，然后放置于分離的沉積材料循環(huán)設備中，以便重新利用沉積材料115。相應地，提高了沉積材料115的重用率，從而提高了沉積效率，因此可以降低制造成本。圖案化狹縫片150和框架155被設置在沉積源110與基板500之間?？蚣?55可以形成為與窗框類似的格子形狀。圖案化狹縫片150被鑲在框架155內部。圖案化狹縫片 150具有布置在X軸方向上的多個圖案化狹縫151。圖案化狹縫151中的每一個在Y軸方向上延伸。已在沉積源110中蒸發(fā)并穿過沉積源噴嘴121”的沉積材料115，穿過圖案化狹縫151到達基板500。圖案化狹縫片150可以由金屬薄膜形成。圖案化狹縫片150可以被固定到框架 150上，從而可以向框架155施加張力。圖案化狹縫151可以通過將圖案化狹縫片150刻蝕為條紋圖案而形成。在被構建為當前實施例的薄膜沉積設備100”中，圖案化狹縫151的總數目可以大于沉積源噴嘴121”的總數目。另外，與設置在兩個相鄰壁壘板131之間的沉積源噴嘴121” 的數目相比，圖案化狹縫151的數目可以更大。圖案化狹縫151的數目可以等于即將在基板500上形成的沉積圖案的數目。壁壘板組件130和圖案化狹縫片150可以設置為彼此分離一距離(例如，預定的距離)?？商娲兀趬景褰M件130和圖案化狹縫片150可以通過第二連接件133連接。壁壘板組件130的溫度可能由于溫度較高的沉積源110而升高到100°C或更高。因此，為了防止壁壘板組件130的熱量被傳導到圖案化狹縫片150，壁壘板組件130和圖案化狹縫片150 可以彼此分離并隔開一距離(例如預定的距離)。如上所述，被構建為當前實施例的薄膜沉積設備100”在相對于基板500移動時執(zhí)行沉積。為了使薄膜沉積設備100”相對于基板500移動，圖案化狹縫片150與基板500分開一距離(例如，預定的距離D)。另外，為了在圖案化狹縫片150與基板500彼此分離并隔開時，防止在基板500上形成相對大的陰影區(qū)帶，壁壘板131被布置在沉積源噴嘴單元120” 與圖案化狹縫片150之間，以迫使沉積材料115以直線方向移動。因此可以顯著減小可能在基板500上形成的陰影區(qū)帶的尺寸。 具體來說，在使用FMM的典型沉積方法中，在FMM與基板緊密接觸的情況下執(zhí)行沉積，以便防止在基板上形成陰影區(qū)帶。然而，當FMM被使用為與基板緊密接觸時，接觸會引起缺陷，例如對在基板上形成的圖案造成刮傷。另外，在當代沉積方法中，由于掩膜無法相對于基板移動，因此掩膜的尺寸必須與基板的尺寸相同。因此，掩膜的尺寸必須隨著顯示裝置變大而增加。然而，制造這種大掩膜不太容易。為了解決此問題，在構建為當前實施例的薄膜沉積設備100”中，圖案化狹縫片 150可以被設置為與基板500分離并隔開一距離(例如，預定的距離D)。這可以通過安裝壁壘板131以減小形成在基板500上的陰影區(qū)帶的尺寸而變得容易。如上所述，當圖案化狹縫片150被制造為小于基板500時，圖案化狹縫片150可以在沉積工藝期間相對于基板500移動。因此，不再需要制造如當代沉積方法中所使用的那樣的大FMM。另外，由于基板500與圖案化狹縫片150彼此分離，因此可以防止由于基板500 與圖案化狹縫片150之間的接觸而引起的缺陷。另外，由于在沉積工藝期間不需要將基板 500與圖案化狹縫片150相接觸，因此可以提高制造速度。圖15是被構建為本發(fā)明又一實施例的薄膜沉積設備100”’的示意性透視圖。
參見圖15，薄膜沉積設備100”’包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120”、第一壁壘板組件130、第二壁壘板組件140和圖案化狹縫片150。盡管為了說明的方便起見，圖15中沒有示出腔室，但是薄膜沉積設備100”’的所有組件可以設置于被維持在合適的真空度下的腔室內。腔室被維持在合適的真空下，以便允許沉積材料基本上以直線移動通過薄膜沉積設備100”’。作為沉積目標基板的基板500被設置在腔室中。容納并加熱沉積材料115的沉積源110被設置在腔室的與設置基板500的一側相對的側處。沉積源110和圖案化狹縫片150的結構與先前實施例中的基本相同，因此這里將不提供其詳細描述。第一壁壘板組件130也與以上參照圖12描述的實施例的壁壘板組件 130相同，因此這里將不提供其詳細描述。在當前實施例中，第二壁壘板組件140可以設置在第一壁壘板組件130的一側處。 在實施例中，第二壁壘板組件140可以設置在第一壁壘板組件130與圖案化狹縫片150之間。第二壁壘板組件140包括多個第二壁壘板141和覆蓋第二壁壘板141側面的第二壁壘板框架142。多個第二壁壘板141可以在X軸方向上以等間隔彼此平行布置。另外，第二壁壘板141中的每一個可以被形成為平行于圖15中的YZ平面延伸，即垂直于X軸方向延伸。第二壁壘板框架142可以是被成形為圍繞多個第二壁壘板141的框架。如上所述布置的多個第一壁壘板131和第二壁壘板141，對沉積源噴嘴單元120” 與圖案化狹縫片150之間的沉積空間進行劃分。沉積空間由第一壁壘板131和第二壁壘板 141劃分為分別與沉積材料115被釋放通過的沉積源噴嘴121”相對應的子沉積空間。第二壁壘板141可以被設置為分別對應于第一壁壘板131。換言之，第二壁壘板 141可以分別被設置為平行于與第一壁壘板131相同的平面，并位于與第一壁壘板131相同的平面上。在一個實施例中，每個第二壁壘板141可以在Z方向上分別與相應的第一壁壘板131對準。每對對應的第一壁壘板131和第二壁壘板141可以位于同一平面上。盡管第一壁壘板131和第二壁壘板141分別被示出為在Y軸方向上具有相同的厚度，但本發(fā)明的方面不限于此。換言之，需要與圖案化狹縫片150準確對準的第二壁壘板141可以被形成為相對較薄，而不需要與圖案化狹縫片150精確對準的第一壁壘板131可以被形成為相對較厚。這使得制造薄膜沉積設備100”’更容易。被構建為當前實施例的多個薄膜沉積設備100”’可以相繼設置在圖1的第一室 731中，如圖1所示。在這種情況下，多個薄膜沉積設備100”’可以分別用于沉積不同的沉積材料。例如，多個薄膜沉積設備100”’可以具有不同的圖案化狹縫圖案，使得不同顏色 (例如紅色、綠色和藍色)的像素可以通過膜沉積工藝同時限定。圖16是通過使用根據本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備而制造的有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。參見圖16，有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置可以形成基板30上?；?0可以由諸如玻璃、塑料或金屬之類的透明材料形成。諸如緩沖層之類的絕緣層31形成在整個基板30 上。薄膜晶體管(TFT) 40、電容器50和有機發(fā)光二極管(OLED)設置在絕緣層31上，如圖16所示。
半導體有源層41以一圖案(例如，預定圖案)形成在絕緣層31上。柵絕緣層32 形成為覆蓋半導體有源層41。半導體有源層41可以包括ρ型或η型半導體材料。TFT 40的柵電極42形成在柵絕緣層32的與半導體有源層41相對應的區(qū)域中。 層間絕緣層33形成為覆蓋柵電極42。然后，層間絕緣層33和柵絕緣層32通過例如干法刻蝕進行刻蝕，以形成用于暴露半導體有源層41的部分的接觸孔。源/漏電極43形成在層間絕緣層33上，以接觸通過接觸孔暴露的半導體有源層 41。鈍化層34形成為覆蓋源/漏電極43，并且被刻蝕以暴露漏電極43的一部分。絕緣層 (未示出)可以進一步形成在鈍化層34上，以便對鈍化層34進行平坦化。另外，OLED 60通過在電流流動時發(fā)射紅光、綠光或藍光而顯示預定的圖像信息。 OLED 60包括設置在鈍化層34上的第一電極61。第一電極61電連接至TFT 40的漏電極 43。 像素限定層35形成為覆蓋第一電極61。開口 64形成在像素限定層35中，然后有機發(fā)射層63形成在開口 64所限定的區(qū)域中。第二電極62形成在有機發(fā)射層63上。限定各個像素的像素限定層35由有機材料形成。像素限定層35還對基板30的形成有第一電極61的區(qū)域的表面(具體是鈍化層34的表面)進行平坦化。第一電極61和第二電極62彼此絕緣，并且分別向有機發(fā)射層63施加相反極性的電壓，以便誘導光發(fā)射。有機發(fā)射層63可以由低分子量的有機材料或高分子量的有機材料形成。當使用低分子量的有機材料時，有機發(fā)射層63可以具有包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層 (HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)所組成的組中選擇的至少之一的單層或多層結構。可用有機材料的示例可以包括銅鈦菁(CuPc)、Ν，N’-二(萘-1-基)-N， N’ _聯苯-聯苯胺(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)等。這種低分子量的有機材料可以使用通過使用以上參照圖1至圖16所描述的薄膜沉積設備之一的真空沉積來沉積。在開口 64形成于像素限定層35中之后，基板30被傳送到腔室(未示出)。在形成有機發(fā)射層63之后，第二電極62可以通過與用于形成有機發(fā)射層63相同的沉積方法來形成。第一電極61可以充當陽極，而第二電極62可以充當陰極。可替代地，第一電極61 可以充當陰極，而第二電極62可以充當陽極。第一電極61可以被圖案化為與各個像素區(qū)域相對應，并且第二電極62可以形成為覆蓋所有像素。第一電極層61可以形成為透明電極或反射電極。這種透明電極可以由氧化銦錫 (ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成。這種反射電極可以通過由銀 (Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成反射層，并在反射層上形成ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO或In2O3的層而形成。第一電極61可以通過采用例如濺射形成一層，然后采用例如光刻對該層進行圖案化而形成。第二電極62也可以形成為透明電極或反射電極。當第二電極62形成為透明電極時，第二電極62充當陰極。為此，這種透明電極可以通過在有機發(fā)射層63的表面上沉積諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰 / 鈣(LiF/Ca)、氟化鋰 / 鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg) 或其化合物之類的具有低功函數的金屬，并且由ΙΤΟ、IZO、ZnO, In2O3等在該金屬上形成輔助電極層或公共電極線而形成。當第二電極層62形成為反射電極時，反射層可以通過在有機發(fā)射層63上沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物而形成。第二電極62可以通過使用與以上所述的形成有機發(fā)射層63所使用的相同的沉積方法來形成。被構建為本發(fā)明上述實施例的薄膜沉積設備可以用于形成有機TFT的有機層或無機層，并由各種材料形成多層。例如，薄膜沉積設備100(圖3-5)、100’(圖10)、101、102、 103 (圖11) ,100"(圖12-14)和100”，(圖15)中的任意合適的一個可以用作圖1和圖2 的薄膜沉積設備100、200、300或400中的一個或多個，或用作圖1和圖2未具體示出的附加薄膜沉積設備。如上所述，在根據本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備和使用這種薄膜沉積設備制造有機發(fā)光顯示裝置的方法中，薄膜沉積設備可以簡單地應用于大尺寸顯示裝置的大規(guī)模制造。另外，可以容易地制造薄膜沉積設備和有機發(fā)光顯示裝置，可以提高制造產量和沉積效率，并且可以允許重使用沉積材料。此外，在沉積工藝期間，薄膜沉積設備可以與基板精確對準。盡管參考本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領域普通技術人員會理解，在不背離所附權利要求及其等同物所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 可以在這里進行形式上和細節(jié)上的各種改變。
權利要求
1.一種薄膜沉積設備，用于在基板上形成薄膜，所述設備包括 沉積源，用于釋放沉積材料；沉積源噴嘴單元，被設置在所述沉積源的一側，所述沉積源噴嘴單元包括布置在第一方向上的多個沉積源噴嘴；以及圖案化狹縫片，與所述沉積源噴嘴單元相對設置，所述圖案化狹縫片具有布置在與所述第一方向垂直的第二方向上的多個圖案化狹縫，其中在所述基板相對于所述薄膜沉積設備在所述第一方向上移動時執(zhí)行沉積， 所述圖案化狹縫片具有彼此隔開的第一對準標記和第二對準標記， 所述基板具有彼此隔開的第一對準圖案和第二對準圖案，所述薄膜沉積設備進一步包括用于給所述第一對準標記和所述第一對準圖案照相的第一照相機組件，和用于給所述第二對準標記和所述第二對準圖案照相的第二照相機組件。
2.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其中所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元和所述圖案化狹縫片整體形成為單個主體。
3.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其中所述沉積源和所述沉積源噴嘴單元以及所述圖案化狹縫片通過用于引導所述沉積材料移動的連接單元而整體連接為單個主體。
4.根據權利要求3所述的薄膜沉積設備，其中所述連接單元密封所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元和所述圖案化狹縫片之間的空間。
5.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其中所述多個沉積源噴嘴相對于所述沉積源噴嘴所突出的表面的垂直線傾斜一角度。
6.根據權利要求5所述的薄膜沉積設備，其中所述多個沉積源噴嘴包括在所述第一方向上以兩行布置的沉積源噴嘴，并且所述兩行之一中的沉積源噴嘴傾斜為面向所述兩行的另一行中的沉積源噴嘴。
7.根據權利要求5所述的薄膜沉積設備，其中所述多個沉積源噴嘴包括在所述第一方向上以兩行布置的沉積源噴嘴，所述兩行中位于所述圖案化狹縫片的第一側處的一行的沉積源噴嘴，被布置為面向所述圖案化狹縫片的第二側，并且所述兩行中位于所述圖案化狹縫片的第二側處的另一行的沉積源噴嘴，被布置為面向所述圖案化狹縫片的所述第一側。
8.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其中所述第一對準圖案包括布置在所述第一方向上的多個第一標記，所述第二對準圖案包括布置在所述第一方向上的多個第二標記，并且所述第一對準圖案和所述第二對準圖案在所述第二方向上彼此隔開。
9.根據權利要求8所述的薄膜沉積設備，其中所述第一標記或所述第二標記中至少之一具有多邊形形狀。
10.根據權利要求9所述的薄膜沉積設備，其中所述第一標記或所述第二標記中至少之一具有三角形形狀。
11.根據權利要求9所述的薄膜沉積設備，其中所述第一對準圖案和所述第二對準圖案以鋸齒的形式形成。
12.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其中所述第一照相機組件和所述第二照相機組件被布置的方向垂直于所述第一方向。
13.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，其中所述第一照相機組件和所述第二照相機組件被設置在所述基板上方，以分別對應于所述第一對準標記和所述第二對準標記。
14.根據權利要求1所述的薄膜沉積設備，進一步包括控制器，用于基于所述第一照相機組件和所述第二照相機組件所捕獲的信息，來確定所述基板和所述圖案化狹縫片彼此對準的程度。
15.根據權利要求14所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準圖案和所述第一對準標記的圖像之間的第一距離與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準圖案和所述第二對準標記的圖像之間的第二距離，來確定所述基板和所述圖案化狹縫片在與所述第一方向垂直的所述第二方向上彼此對準的程度。
16.根據權利要求14所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準標記的圖像與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準標記的圖像，來確定所述圖案化狹縫片是否在由所述第一方向和所述第二方向形成的平面內傾斜，以及是否與所述基板錯開。
17.根據權利要求16所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，在所述第一對準標記的圖像的寬度大于所述第二對準標記的圖像的寬度時確定所述圖案化狹縫片在所述平面內向所述第二對準標記傾斜，并且在所述第一對準標記的圖像的寬度小于所述第二對準標記的圖像的寬度時確定所述圖案化狹縫片在所述平面內向所述第一對準標記傾斜。
18.根據權利要求14所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準圖案的圖像與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準圖案的圖像，來確定所述基板是否在由所述第一方向和所述第二方向形成的平面內傾斜。
19.根據權利要求18所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，在所述第一對準圖案的圖像的寬度大于所述第二對準圖案的圖像的寬度時確定所述基板在所述平面內向所述第二對準圖案傾斜，并且在所述第一對準圖案的圖像的寬度小于所述第二對準圖案的圖像的寬度時確定所述基板在所述平面內向所述第一對準圖案傾斜。
20.根據權利要求14所述的薄膜沉積設備，其中所述基板和所述圖案化狹縫片通過基于所述控制器確定的對準程度移動所述基板或所述圖案化狹縫片而彼此對準。
21.一種薄膜沉積設備，用于在基板上形成薄膜，所述設備包括沉積源，用于釋放沉積材料；沉積源噴嘴單元，被設置在所述沉積源的一側，并且包括布置在第一方向上的多個沉積源噴嘴；圖案化狹縫片，與所述沉積源噴嘴單元相對設置，并且具有布置在所述第一方向上的多個圖案化狹縫；以及壁壘板組件，包括在所述第一方向上設置于所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化狹縫片之間并且將所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化狹縫片之間的沉積空間劃分成多個子沉積空間的多個壁壘板，其中所述薄膜沉積設備和所述基板彼此隔開，在所述薄膜沉積設備或所述基板相對于對方移動時執(zhí)行沉積工藝，所述圖案化狹縫片具有彼此隔開的第一對準標記和第二對準標記，所述基板具有彼此隔開的第一對準圖案和第二對準圖案，并且所述薄膜沉積設備進一步包括用于給所述第一對準標記和所述第一對準圖案照相的第一照相機組件，和用于給所述第二對準標記和所述第二對準圖案照相的第二照相機組件。
22.根據權利要求21所述的薄膜沉積設備，其中所述多個壁壘板在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸。
23.根據權利要求21所述的薄膜沉積設備，其中所述壁壘板組件包括包括多個第一壁壘板的第一壁壘板組件，和包括多個第二壁壘板的第二壁壘板組件。
24.根據權利要求23所述的薄膜沉積設備，其中所述多個第一壁壘板和所述多個第二壁壘板在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸。
25.根據權利要求24所述的薄膜沉積設備，其中所述多個第一壁壘板被布置為分別對應于所述多個第二壁壘板。
26.根據權利要求21所述的薄膜沉積設備，其中所述沉積源與所述壁壘板組件隔開。
27.根據權利要求21所述的薄膜沉積設備，其中所述壁壘板組件與所述圖案化狹縫片隔開。
28.根據權利要求21所述的薄膜沉積設備，其中所述第一對準圖案包括布置在與所述第一方向垂直的第三方向上的多個第一標記，所述第二對準圖案包括布置在與所述第一方向垂直的第三方向上的多個第二標記，并且所述第一對準圖案和所述第二對準圖案在所述第一方向上彼此隔開。
29.根據權利要求28所述的薄膜沉積設備，其中所述第一標記或所述第二標記中至少之一具有多邊形形狀。
30.根據權利要求29所述的薄膜沉積設備，其中所述第一標記或所述第二標記中至少之一具有三角形形狀。
31.根據權利要求29所述的薄膜沉積設備，其中所述第一對準圖案和所述第二對準圖案以鋸齒的形式形成。
32.根據權利要求21所述的薄膜沉積設備，其中所述第一照相機組件和所述第二照相機組件被布置在所述第一方向上。
33.根據權利要求21所述的薄膜沉積設備，其中所述第一照相機組件和所述第二照相機組件被設置在所述基板上方，以分別對應于所述第一對準標記和所述第二對準標記。
34.根據權利要求21所述的薄膜沉積設備，進一步包括控制器，用于基于所述第一照相機組件和所述第二照相機組件所捕獲的信息，來確定所述基板和所述圖案化狹縫片彼此對準的程度。
35.根據權利要求34所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準圖案和所述第一對準標記的圖像之間的第一距離與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準圖案和所述第二對準標記的圖像之間的第二距離，來確定所述基板和所述圖案化狹縫片在所述第一方向上彼此對準的程度。
36.根據權利要求34所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準標記的圖像與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準標記的圖像，來確定所述圖案化狹縫片是否在由所述第一方向和與所述第一方向垂直的第三方向形成的平面內傾斜，以及是否與所述基板錯開。
37.根據權利要求36所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，在所述第一對準標記的圖像的寬度大于所述第二對準標記的圖像的寬度時確定所述圖案化狹縫片在所述平面內向所述第二對準標記傾斜，并且在所述第一對準標記的圖像的寬度小于所述第二對準標記的圖像的寬度時確定所述圖案化狹縫片在所述平面內在所述第一方向上向所述第一對準標記傾斜。
38.根據權利要求34所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，通過比較由所述第一照相機組件拍攝的所述第一對準圖案的圖像與由所述第二照相機組件拍攝的所述第二對準圖案的圖像，來確定所述基板是否在由所述第一方向和與所述第一方向垂直的第三方向形成的平面內傾斜，以及是否與所述圖案化狹縫片錯開。
39.根據權利要求38所述的薄膜沉積設備，其中所述控制器被配置為，在所述第一對準圖案的圖像的寬度大于所述第二對準圖案的圖像的寬度時確定所述基板在所述平面內向所述第二對準圖案傾斜，并且在所述第一對準圖案的圖像的寬度小于所述第二對準圖案的圖像的寬度時確定所述基板在所述平面內向所述第一對準圖案傾斜。
40.根據權利要求34所述的薄膜沉積設備，其中所述基板和所述圖案化狹縫片通過基于所述控制器確定的對準程度移動所述基板或所述圖案化狹縫片而彼此對準。
41.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，通過使用用于在基板上形成薄膜的薄膜沉積設備來制造所述有機發(fā)光顯示裝置，所述方法包括將所述基板布置為與所述薄膜沉積設備隔開一距離；在所述薄膜沉積設備或所述基板相對于對方移動時，將從所述薄膜沉積設備中釋放的沉積材料沉積到所述基板上；以及在所述薄膜沉積設備或所述基板相對于對方移動時，將所述薄膜沉積設備與所述基板對準。
42.根據權利要求41所述的方法，其中所述將沉積材料沉積到所述基板上包括在所述基板相對于所述薄膜沉積設備移動時，將從所述薄膜沉積設備中釋放的所述沉積材料持續(xù)沉積在所述基板上。
43.根據權利要求41所述的方法，其中所述將所述薄膜沉積設備與所述基板對準包括通過使用照相機組件給所述基板上的對準圖案和所述薄膜沉積設備上的對準標記照相；通過比較所述照相機組件拍攝的所述對準標記和對準圖案的圖像，確定所述基板與所述薄膜沉積設備彼此對準的程度；以及通過基于所述對準的程度移動所述基板或所述薄膜沉積設備，將所述基板與所述薄膜沉積設備彼此對準。
全文摘要
一種薄膜沉積設備及制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述薄膜沉積設備可以在沉積工藝期間與基板精確對準。所述設備包括沉積源；沉積源噴嘴單元，包括布置在第一方向上的多個沉積源噴嘴；以及圖案化狹縫片，具有布置在與所述第一方向垂直的第二方向上的多個圖案化狹縫，其中在所述基板相對于所述薄膜沉積設備在所述第一方向上移動時執(zhí)行沉積，所述圖案化狹縫片具有彼此隔開的第一對準標記和第二對準標記，所述基板具有彼此隔開的第一對準圖案和第二對準圖案，所述薄膜沉積設備進一步包括用于給所述第一對準標記和所述第一對準圖案照相的第一照相機組件，和用于給所述第二對準標記和所述第二對準圖案照相的第二照相機組件。
文檔編號H01L51/56GK102332539SQ20111019959
公開日2012年1月25日 申請日期2011年7月12日 優(yōu)先權日2010年7月12日
發(fā)明者康熙哲, 曹昌睦, 柳在光 申請人:三星移動顯示器株式會社