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一種基于soc的近距離無線通訊裝置的制作方法

文檔序號(hào):7005569閱讀:162來源:國知局
專利名稱:一種基于soc的近距離無線通訊裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于無線通訊領(lǐng)域,涉及一種近距離無線通訊裝置。
背景技術(shù)
在無線通訊領(lǐng)域,NFC (Near Field Communication)近距離無線通訊技術(shù)得到了越來越廣泛的應(yīng)用,該項(xiàng)技術(shù)是由飛利浦公司發(fā)起,由諾基亞、索尼等廠商聯(lián)合主推的一項(xiàng)無線技術(shù)。NFC由非接觸是射頻識(shí)別及 互聯(lián)互通技術(shù)整合演變而來,在單一芯片上結(jié)合感應(yīng)式讀卡器、感應(yīng)式卡片和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的功能,能在近距離內(nèi)與兼容設(shè)備進(jìn)行識(shí)別和數(shù)據(jù)交換。相比傳統(tǒng)的WIFI和藍(lán)牙(BT)設(shè)計(jì)一旦固定就難以修改升級(jí),且錯(cuò)誤也無法糾正,通過NFC技術(shù)可以獲得更加靈活的設(shè)計(jì)和準(zhǔn)確性。在目前的NFC通信系統(tǒng)中,傳統(tǒng)的射頻單元功放效率低,非線形化、體積大和功耗大,從而使得射頻單元無法獲得良好的性能。同時(shí),傳統(tǒng)天線設(shè)計(jì)吸收較多的能量,產(chǎn)生較大的回波,因而使得天線轉(zhuǎn)換效率低和體積較大,從而影響了 NFC的應(yīng)用和維護(hù)。射頻和天線起到了關(guān)鍵的作用,但由于傳統(tǒng)的無線射頻技術(shù)發(fā)展緩慢,射頻天線系統(tǒng)大,功耗大,維護(hù)和更新問題嚴(yán)重阻礙了無線寬帶通信的發(fā)展,同時(shí)還極大提高了運(yùn)營商的運(yùn)營成本,無法滿足射頻小型化和一體化及綠色能源和低功耗的需求。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有的近距離無線通訊技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明提供了一種近距離無線通訊裝置,通過SOC和電磁復(fù)合材料天線實(shí)現(xiàn)該裝置的小型化和良好的通訊效果,為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,采用以下技術(shù)方案一種基于SOC的近距離無線通訊裝置包括S0C單元、電磁復(fù)合材料天線以及給所述SOC單元供電的電源模塊,所述SOC單元包括MCU核處理模塊和射頻模塊;所述MCU核處理模塊通信端口與所述射頻模塊的通訊端相連,所述射頻模塊的接收與發(fā)射端與所述電磁復(fù)合材料天線相連。進(jìn)一步地,所述MCU核處理模塊包括存儲(chǔ)器,所述存儲(chǔ)器內(nèi)置DSP軟件。所述DSP軟件實(shí)現(xiàn)所述MCU核處理模塊和射頻模塊輸出的低噪放大、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換、濾波、上下變頻和鎖相。進(jìn)一步地,所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)通訊協(xié)議軟件信息。進(jìn)一步地,所述射頻模塊包括傳出器、接收器和雙工器;所述傳出器的輸入端和接收器的輸出端構(gòu)成所述射頻模塊的通訊端;所述雙工器的輸出端和輸入端分別與所述接收器和傳出器相連。所述電磁復(fù)合材料天線包括介質(zhì)基板、饋線、附著在介質(zhì)基板一表面的金屬片,所述饋線通過耦合方式饋入所述金屬片,所述金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)以在金屬片上形成金屬走線,所述電磁復(fù)合材料天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。進(jìn)一步地,所述電磁復(fù)合材料天線為雙極化天線或多極化天線。
進(jìn)一步地,所述電源模塊為太陽能電池模組。本發(fā)明近距離無線通訊裝置極大地減少了整體空間需求,降低了電能的消耗,應(yīng)用SOC提高了射頻功放效率,降低了功耗;應(yīng)用的電磁復(fù)合材料天線體積小,吸收的能量少,損耗低,提高了天線的轉(zhuǎn)換效率;本發(fā)明近距離無線通訊裝置制造成本低,實(shí)用性強(qiáng),能夠適用于多種場(chǎng)合。


圖I是本發(fā)明近距離無線通訊裝置的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本發(fā)明近距離無線通訊裝置的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是本發(fā)明近距離無線通訊裝置中電磁復(fù)合材料天線一種結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是本發(fā)明近距離無線通訊裝置中電磁復(fù)合材料天線的另一種結(jié)構(gòu)示意圖;圖5是圖4的另一視角的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6是圖4結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。圖I所示為本發(fā)明近距離無線通訊裝置的第一實(shí)施例,該近距離無線通訊裝置包括電源模塊1、S0C單元2以及電磁復(fù)合材料天線3,電源模塊I為SOC單元2提供電能,該電源模塊I可以是干電池組,也可以是太陽能電池模組,由于SOC單元高度集成化,能夠延長電源模塊I的持續(xù)供電時(shí)間。電磁復(fù)合材料天線3接收外界的數(shù)據(jù)輸出給SOC單元2,并接收SOC單元2輸出的數(shù)據(jù)發(fā)射出去,本發(fā)明使用的電磁復(fù)合材料天線3,相對(duì)與普通天線,有效地減小了天線的體積,并且提高了轉(zhuǎn)化效率,降低了損耗。SOC單元2包括MCU核處理模塊21和射頻模塊22,MCU核處理模塊21通信端口與射頻模塊22的通訊端相連,射頻模塊22的接收與發(fā)射端與電磁復(fù)合材料天線3相連,射頻模塊22接收來自電磁復(fù)合材料天線3的數(shù)據(jù)輸出到MCU核處理模塊21,MCU核處理模塊21接收到數(shù)據(jù)后進(jìn)行處理;MCU核處理模塊21數(shù)據(jù)輸出時(shí)先將數(shù)據(jù)傳送給射頻模塊22,由射頻模塊22輸出到電磁復(fù)合材料天線3發(fā)射出去。如圖2所示為本發(fā)明近距離無線通訊裝置的第二實(shí)施例,在該實(shí)施例中,與第一實(shí)施例相比,同樣包括了電源模塊1、S0C單元2以及電磁復(fù)合材料天線3,電源模塊I可以是干電池組或太陽能電池模組,SOC單元2同樣包括了 MCU核處理模塊21和射頻模塊22。在第二實(shí)施例中,MCU核處理模塊21包括存儲(chǔ)器211和核處理器(在圖中未示出),在存儲(chǔ)器211內(nèi)置了 DSP軟件,DSP軟件接收核處理器的指令能夠?qū)?shù)據(jù)進(jìn)行低噪放大、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換、濾波、上下變頻和鎖相等處理,存儲(chǔ)器211存儲(chǔ)通訊協(xié)議軟件信息,該通訊協(xié)議可以是ZigBee協(xié)議、藍(lán)牙協(xié)議等。射頻模塊22包括傳出器221、接收器222和雙工器223,傳出器221的輸入端和接收器222的輸出端構(gòu)成了射頻模塊22與MCU核處理模塊21通信端口數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄓ嵍?,雙工器223的輸出端和輸入端分別與接收器222和傳出器221相連,同時(shí),雙工器223是射頻模塊22與電磁復(fù)合材料天線3數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕邮张c發(fā)射端。在應(yīng)用時(shí),電源模塊I啟動(dòng)給SOC單元2供電,MCU核處理模塊21加載位于存儲(chǔ)器211內(nèi)置的DSP軟件。電磁復(fù)合材料天線3接收外界的數(shù)據(jù),接收到數(shù)據(jù)后將該數(shù)據(jù)輸出到SOC單元2,數(shù)據(jù)先進(jìn)入射頻模塊22的雙工器223的接收端,經(jīng)雙工器223數(shù)據(jù)進(jìn)入接收器222,接收器222的輸出端將該數(shù)據(jù)輸出到MCU核處理模塊21的通訊端,MCU核處理模塊21中的核處理器控制存儲(chǔ)器211中的DSP軟件運(yùn)行,DSP軟件判斷該數(shù)據(jù)并對(duì)該數(shù)據(jù)做出處理,對(duì)于進(jìn)入MCU核處理模塊21的數(shù)據(jù)將依次進(jìn)行上變頻、模數(shù)轉(zhuǎn)換、濾波、數(shù)模轉(zhuǎn)換和低噪放大處理,并將處理結(jié)果輸出到存儲(chǔ)器211。MCU核處理模塊21有數(shù)據(jù)需要對(duì)外輸出時(shí),DSP軟件對(duì)其進(jìn)行讀取并處理,對(duì)于輸出到DSP軟件的數(shù)據(jù) 依次進(jìn)行下變頻、數(shù)模轉(zhuǎn)換、濾波、模數(shù)轉(zhuǎn)換和低噪放大處理,由MCU核處理模塊21的通訊端將處理后的數(shù)據(jù)輸出給射頻模塊22的傳出器221,由傳出器221的輸出端將該數(shù)據(jù)傳送給雙工器223,經(jīng)雙工器223的輸出端傳送給電磁復(fù)合材料天線3,由電磁復(fù)合材料天線3將該數(shù)據(jù)發(fā)送出去。圖3所示為本發(fā)明中的電磁復(fù)合材料天線3的結(jié)構(gòu),該電磁復(fù)合材料天線3是單極天線,采用了透視圖畫法,在圖中未畫出其接線腳。電磁復(fù)合材料天線3包括介質(zhì)基板31、饋線32、附著在介質(zhì)基板31 —表面的金屬片34,饋線32通過耦合方式饋入金屬片34,金屬片34上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)341和在金屬片34上形成的金屬走線342,電磁復(fù)合材料天線3上預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間,圖3中351為預(yù)設(shè)的電子元件嵌入的空間,363、365、366,367為預(yù)設(shè)的空間已嵌入電子元件。饋線32圍繞金屬片34設(shè)置實(shí)現(xiàn)耦合,金屬片34與饋線32可以接觸,也可以不接觸。當(dāng)金屬片34與饋線32接觸時(shí),饋線32與金屬片34之間感性耦合;當(dāng)金屬片34與饋線32不接觸時(shí),饋線32與金屬片34之間容性耦合。在饋線32與金屬片34之間預(yù)設(shè)有嵌入容性電子元件的空間363,預(yù)設(shè)的嵌入電子元件空間的位置可以是饋線32與金屬片34之間的任意位置。饋線32與金屬片34之間本身具有一定的電容,這里通過嵌入容性電子元件調(diào)節(jié)饋線與金屬片34之間的信號(hào)耦合,運(yùn)用公式f=l/ (In^LC),可知電容值的大小和工作頻率的平方成反比,所以當(dāng)需要的工作頻率為較低工作頻率時(shí),通過適當(dāng)?shù)那度腚娙莼蚋行噪娮釉?shí)現(xiàn)。加入的容性電子元件的電容值范圍通常在0-2pF之間,不過隨著電磁復(fù)合材料天線工作頻率的變化嵌入的電容值也可能超出0-2pF的范圍。當(dāng)然,也可以在饋線32與金屬片34之間預(yù)設(shè)多個(gè)空間。同樣,在未連接有電子元件的空間中,采用導(dǎo)線短接。在金屬片的金屬走線342上預(yù)留有嵌入感性電子元件和/或電阻的空間,嵌入電子元件的空間不僅僅局限于圖中給出的365和366,其他位置只要滿足條件均可。此處嵌入感性電子元件的目的是增加金屬片內(nèi)部諧振結(jié)構(gòu)的電感值,從而對(duì)電磁復(fù)合材料天線的諧振頻率及工作帶寬起到調(diào)節(jié)的作用;此處嵌入電阻的目的是改善電磁復(fù)合材料天線的輻射電阻。至于是嵌入感性電子元件還是電阻,則根據(jù)需要而定。另外在未嵌入電子元件的空間中,采用導(dǎo)線短接。在微槽結(jié)構(gòu)341上預(yù)留有嵌入容性電子元件的空間,并且所述空間連接兩側(cè)的金屬走線342。嵌入電子元件的空間不僅僅局限與圖3中給出的367,其他位置只要滿足條件均可。嵌入容性電子元件可以改變金屬片的諧振性能,最終改善電磁復(fù)合材料天線的Q值及諧振工作點(diǎn)。作為公知常識(shí),我們知道,通頻帶BW與諧振頻率《O和品質(zhì)因數(shù)Q的關(guān)系為BW = wo/Q,此式表明,Q越大則通頻帶越窄,Q越小則通頻帶越寬。另有Q = wL/R =1/wRC,其中,Q是品質(zhì)因素;w是電路諧振時(shí)的電源頻率;L是電感;R是串的電阻;(是電容,由Q = wL/R = 1/wRC公式可知,Q和C呈反比,因此,可以通過加入容性電子元件來減小Q
值,使通頻帶變寬。本發(fā)明中的電磁復(fù)合材料天線3上的空間預(yù)留位置不限于上述幾種形式,空間只要設(shè)置在電磁復(fù)合材料天線上即可,例如,空間還可以設(shè)置在介質(zhì)基板上。本發(fā)明中電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。在電磁復(fù)合材料天線的預(yù)留空間中加入此類電子元件后,可以改善電磁復(fù)合材料天線的各種性能。并且通過加入不同參數(shù)的電子元件,可以實(shí)現(xiàn)電磁復(fù)合材料天線性能參數(shù)的可調(diào)。因此,本發(fā)明的電磁復(fù)合材料天線在不加入任何元件之前可以是一樣的結(jié)構(gòu),只是通過在不同位置加入不同的電子元件,以及電子元件的參數(shù)(電感值、電阻值、電容值),來實(shí)現(xiàn)不同電磁復(fù)合材料天線的性能參數(shù)。即實(shí)現(xiàn)了通用性??梢源蠓档蜕a(chǎn)成本。本發(fā)明的空間可以是焊盤,也可以是一個(gè)空缺。焊盤的結(jié)構(gòu)可以參見普通的電路 板上的焊盤。當(dāng)然,其尺寸的設(shè)計(jì)根據(jù)不同的需要會(huì)有所不同。另外,本發(fā)明中,介質(zhì)基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成。優(yōu)選地,由高分子材料制成,具體地可以是FR-4、F4B等高分子材料。金屬片為銅片或銀片。優(yōu)選為銅片,價(jià)格低廉,導(dǎo)電性能好。饋線選用與金屬片同樣的材料制成。優(yōu)選為銅。本發(fā)明中,關(guān)于電磁復(fù)合材料天線的加工制造,只要滿足本發(fā)明的設(shè)計(jì)原理,可以采用各種制造方式。最普通的方法是使用各類印刷電路板(PCB)的制造方法,當(dāng)然,金屬化的通孔,雙面覆銅的PCB制造也能滿足本發(fā)明的加工要求。除此加工方式,還可以根據(jù)實(shí)際的需要引入其它加工手段,比如RFID (RFID是Radio Frequency Identification的縮寫,即射頻識(shí)別技術(shù),俗稱電子標(biāo)簽)中所使用的導(dǎo)電銀漿油墨加工方式、各類可形變器件的柔性PCB加工、鐵片天線的加工方式以及鐵片與PCB組合的加工方式。其中,鐵片與PCB組合加工方式是指利用PCB的精確加工來完成電磁復(fù)合材料天線微槽結(jié)構(gòu)的加工,用鐵片來完成其它輔助部分。另外,還可以通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法來加工。圖4、圖5是本發(fā)明中電磁復(fù)合材料天線3的另一種結(jié)構(gòu)示意圖,該圖中所示電磁復(fù)合材料天線為一種雙極化天線,同樣采用了透視畫法,在圖中未畫出接線腳。電磁復(fù)合材料天線3包括介質(zhì)基板31、附著在介質(zhì)基板31相對(duì)兩表面的第一金屬片34及第二金屬片37,圍繞第一金屬片34設(shè)置有第一饋線32、第二饋線33,圍繞第二金屬片37設(shè)置有第三饋線38、第四饋線39,所述第一饋線32及第二饋線33均通過耦合方式饋入所述第一金屬片34,所述第三饋線38及第四饋線39均通過耦合方式饋入所述第二金屬片37,所述第一金屬片34上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)341以在第一金屬片上形成第一金屬走線342,所述第二金屬片37上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)371以在第二金屬片上形成第二金屬走線372,所述第一饋線32與第三饋線38電連接,所述第二饋線33與第四饋線39電連接,所述電磁復(fù)合材料天線3預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間36。此種設(shè)計(jì)等效于電磁復(fù)合材料增加了天線物理長度(實(shí)際長度尺寸不增加),這樣就可以在極小的空間內(nèi)設(shè)計(jì)出工作在極低工作頻率下的射頻天線。解決傳統(tǒng)天線在低頻工作時(shí)天線受控空間面積的物理局限。第一饋線32與第三饋線38通過在介質(zhì)基板31上開的金屬化通孔310電連接,所述第二饋線33與第四饋線39通過在介質(zhì)基板31上開的金屬化通孔320電連接。圖4所示為本發(fā)明的電磁復(fù)合材料天線的結(jié)構(gòu)示意圖,圖5為圖4所示的另一視角圖。綜合兩個(gè)圖可以看出,介質(zhì)基板的a表面及b表面上附著的結(jié)構(gòu)相同。即第一饋線、第二饋線、第一金屬片在b表面的投影分別與第三饋線、第四饋線、第二金屬片重合。當(dāng)然,這只是一個(gè)優(yōu)選的方案,a表面與b表面的結(jié)構(gòu)根據(jù)需要也可以不同。第一饋線32與第二饋線33均圍繞第一金屬片34設(shè)置以實(shí)現(xiàn)信號(hào)耦合。另外第一金屬片34與第一饋線32與第二饋線33可以接觸,也可以不接觸。當(dāng)?shù)谝唤饘倨?4與第一饋線32接觸時(shí),第一饋線32與第一金屬片34之間感性耦合;當(dāng)?shù)谝唤饘倨?4與第一饋線32不接觸時(shí),第一饋線32與金屬片34之間容性耦合。同樣,當(dāng)?shù)谝唤饘倨?4與第二饋線33接觸時(shí),第二饋線33與第一金屬片34之間感性耦合;當(dāng)?shù)谝唤饘倨?4與第二饋線33不接觸時(shí),第二饋線33與第一金屬片34之間容性耦合。
第三饋線38與第四饋線39均圍繞第二金屬片37設(shè)置以實(shí)現(xiàn)信號(hào)耦合。另外第二金屬片37與第三饋線38、第四饋線39可以接觸,也可以不接觸。當(dāng)?shù)诙饘倨?7與第三饋線38接觸時(shí),第三饋線38與第二金屬片37之間感性耦合;當(dāng)?shù)诙饘倨?7與第三饋線38不接觸時(shí),第三饋線38與金屬片37之間容性耦合。同樣,當(dāng)?shù)诙饘倨?7與第四饋線39接觸時(shí),第三饋線38與二金屬片37之間感性耦合;當(dāng)二金屬片37與第四饋線39不接觸時(shí),第四饋線39與第二金屬片37之間容性耦合。本發(fā)明中,所述介質(zhì)基板兩相對(duì)表面的第一金屬片與第二金屬片可以連接,也可以不連接。在第一金屬片與第二金屬片不連接的情況下,所述第一金屬片與第二金屬片之間通過容性耦合的方式饋電;此種情況下,通過改變介質(zhì)基板的厚度可以實(shí)現(xiàn)第一金屬片與第二金屬片的諧振。在第一金屬片與第二金屬片電連接的情況下(例如通過導(dǎo)線或金屬化通孔的形式連接),所述第一金屬片與第二金屬片之間通過感性耦合的方式饋電。通過改變饋線的饋電位置可以得到不同極化方式的電磁復(fù)合材料天線,因此,通過改變第一饋線與第三饋線、第二饋線與第四饋線饋電位置的不同可以得到雙極化電磁復(fù)合材料天線。優(yōu)選地,第一饋線與第三饋線的饋電方式為水平極化,第二饋線與第四饋線的饋電方式為垂直極化,每種極化方式根據(jù)不同的需要實(shí)現(xiàn)以下幾種情況(I)水平極化與垂直極化中的一種極化方式只用于接收電磁波,另一種極化方式用于發(fā)射電磁波。(2)水平極化與垂直極化中的一種極化方式只用于接收電磁波,另一種極化方式用于發(fā)射和接收電磁波。(3)水平極化與垂直極化中的兩種極化方式均用于發(fā)射和接收電磁波。圖6所示為圖4和圖5中電磁復(fù)合材料天線的一種進(jìn)一步實(shí)施方式,圖6中351為預(yù)設(shè)的電子元件嵌入的空間,362、363、364、365、366、367為預(yù)設(shè)的空間已嵌入電子元件。圖6中各位置嵌入電子元件與圖3中對(duì)應(yīng)空間嵌入電子元件所起的作用相同,在此不作展開敘述。其中嵌入電子元件的空間位置、介質(zhì)基板材質(zhì)、金屬片材質(zhì)以及電磁復(fù)合材料天線的制造方法等均可與圖3所示電磁復(fù)合材料天線相同。圖3-圖6所示的電磁復(fù)合材料天線,也就是超材料天線,在滿足近距離無線通訊裝置功能的前提下,極大地減小了天線的體積。以上僅是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的描述,不能構(gòu)成本發(fā)明的限制,在不脫離本發(fā)明宗旨的情況的衍變均處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi) 。
權(quán)利要求
1.一種基于SOC的近距離無線通訊裝置,其特征在于,包括soc單元、電磁復(fù)合材料天線以及給所述SOC單元供電的電源模塊,所述SOC單元包括MCU核處理模塊和射頻模塊;所述MCU核處理模塊通信端口與所述射頻模塊的通訊端相連,所述射頻模塊的接收與發(fā)射端與所述電磁復(fù)合材料天線相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述MCU核處理模塊包括存儲(chǔ)器,所述存儲(chǔ)器內(nèi)置DSP軟件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述DSP軟件實(shí)現(xiàn)所述MCU核處理模塊和射頻模塊輸出的低噪放大、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換、濾波、上下變頻和鎖相。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)通訊協(xié)議軟件信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述射頻模塊包括傳出器、接收器和雙工器;所述傳出器的輸入端和接收器的輸出端構(gòu)成所述射頻模塊的通訊端;所述雙工器的輸出端和輸入端分別與所述接收器和傳出器相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述電磁復(fù)合材料天線包括介質(zhì)基板、饋線、附著在介質(zhì)基板一表面的金屬片,所述饋線通過耦合方式饋入所述金屬片,所述金屬片上鏤空有微槽結(jié)構(gòu)以在金屬片上形成金屬走線,所述電磁復(fù)合材料天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述空間設(shè)置在饋線、饋線與金屬片之間及金屬片這三個(gè)位置的至少一個(gè)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述電磁復(fù)合材料天線為雙極化天線或多極化天線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的近距離無線通訊裝置,其特征在于,所述電源模塊為太陽能電池模組。
全文摘要
一種基于SOC的近距離無線通訊裝置,該裝置包括SOC單元、電磁復(fù)合材料天線以及給SOC單元供電的電源模塊,SOC單元包括MCU核處理模塊和射頻模塊;該MCU核處理模塊通信端口與射頻模塊的通訊端相連,射頻模塊的接收與發(fā)射端與電磁復(fù)合材料天線相連。本發(fā)明近距離無線通訊裝置極大地減少了整體空間需求,降低了電能的消耗,應(yīng)用SOC提高了射頻功放效率,降低了功耗;應(yīng)用的電磁復(fù)合材料天線體積小,吸收的能量少,損耗低,提高了天線的轉(zhuǎn)換效率;本發(fā)明近距離無線通訊裝置制造成本低,實(shí)用性強(qiáng),能夠適用于多種場(chǎng)合。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK102882558SQ20111019687
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2011年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月14日
發(fā)明者劉若鵬, 趙治亞, 尹武, 李蔚, 袁海斌 申請(qǐng)人:深圳光啟高等理工研究院, 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
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