專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
描述的技術(shù)總體涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
背景技術(shù)：
在平板顯示器中，電致發(fā)光裝置利用電致發(fā)光(EL)現(xiàn)象，從而當(dāng)對(duì)磷光體施加預(yù)定的電場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生光。根據(jù)形成發(fā)光層所用的材料，EL裝置通常分為有機(jī)型或無(wú)機(jī)型。由于有機(jī)EL裝置發(fā)射寬色譜的光并具有諸如高亮度和低驅(qū)動(dòng)電壓的期望性能，所以對(duì)于商業(yè)應(yīng)用，有機(jī)EL裝置已經(jīng)受到相當(dāng)多的關(guān)注。在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中，由多條掃描線和沿與掃描線基本垂直的方向形成的多條數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素中的每個(gè)子像素，從而能夠?qū)⑾袼氐木仃嚇?gòu)造成全色的平板裝置。在典型的OLED中，具有預(yù)定圖案的第一電極層形成在包括紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍(lán)色像素區(qū)域的基底的上部上，從而分別實(shí)現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)。包括發(fā)光層的有機(jī)層形成在第一電極層的上部上。除了發(fā)光層之外，有機(jī)層還可包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、空穴阻擋層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層 (EIL)。第二電極層形成在基底上方的有機(jī)層的上部上。在這種情況下，可通過(guò)沉積法、噴墨法、激光熱誘導(dǎo)法等來(lái)形成有機(jī)層。

發(fā)明內(nèi)容
—個(gè)發(fā)明方面為一種能夠在實(shí)現(xiàn)全色的同時(shí)使藍(lán)光、綠光和紅光發(fā)射區(qū)域的有機(jī)層的厚度基本一致的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。另一方面為一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素由位于基底上并通過(guò)堆疊下電極、有機(jī)層和上電極而形成的藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域限定，其中，所述藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和所述綠光發(fā)射區(qū)域以微腔結(jié)構(gòu)形成，所述紅光發(fā)射區(qū)域以非微腔結(jié)構(gòu)形成。另一方面是一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括基底， 具有由藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域限定的多個(gè)發(fā)光區(qū)域；下電極，形成在所述藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和所述綠光發(fā)射區(qū)域中，并且通過(guò)堆疊第一透明導(dǎo)電層、半透明金屬層和第二透明導(dǎo)電層來(lái)形成；形成在所述紅光發(fā)射區(qū)域中并僅由透明導(dǎo)電層形成的下電極。 另一方面是一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述OLED顯示器包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素包括位于基底上并通過(guò)堆疊下電極、有機(jī)層和上電極而形成的藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域，其中，藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域中的下電極由至少一個(gè)透明導(dǎo)電層和至少一個(gè)半透明金屬層形成，其中，紅光發(fā)射區(qū)域的下電極僅由透明導(dǎo)電層形成。在上述顯示器中，紅光發(fā)射區(qū)域的下電極由一層或多層透明導(dǎo)電層形成。在上述顯示器中，藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域中的下電極由順序形成的第一透明導(dǎo)電層、半透明金屬層和第二透明導(dǎo)電層形成。在上述顯示器中，所述第一透明導(dǎo)電層的厚度為大約50nm至大約150nm，所述第二透明導(dǎo)電層的厚度為大約IOnm至大約30nm。在上述顯示器中，所述半透明金屬層的厚度為大約5nm至大約20nm。在上述顯示器中，所述有機(jī)層的厚度為大約50nm至大約60nm。在上述顯示器中，形成在藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域中的有機(jī)層分別包括藍(lán)光發(fā)射層、綠光發(fā)射層和紅光發(fā)射層。在上述顯示器中，有機(jī)層還包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、空穴阻擋層和電子注入層(EIL)中的至少一個(gè)。在上述顯示器中，空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL) 的厚度為大約19nm至大約36nm。在上述顯示器中，紅光發(fā)射區(qū)域中的有機(jī)層的厚度與紅色發(fā)射層的厚度基本相同，或者為大約60nm。上述顯示器還包括形成在紅光發(fā)射區(qū)域的上電極上的濾色器或顏色轉(zhuǎn)換層。上述顯示器還包括結(jié)合到所述基底的包封基底，所述包封基底包括形成為與紅光發(fā)射區(qū)域?qū)?yīng)的濾色器或顏色轉(zhuǎn)換層。另一方面為一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述顯示器包括基底，具有包括藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域的多個(gè)發(fā)光區(qū)域；第一下電極，形成在藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域中，并通過(guò)堆疊第一透明導(dǎo)電層、半透明金屬層和第二透明導(dǎo)電層形成；第二下電極，形成在紅光發(fā)射區(qū)域中并僅由透明導(dǎo)電層形成。在上述顯示器中，有機(jī)層和上電極還形成在下電極上。在上述顯示器中，所述第一透明導(dǎo)電層的厚度為50nm至150nm，所述第二透明導(dǎo)電層的厚度為大約IOnm至大約30nm。 在上述顯示器中，所述半透明金屬層的厚度為大約5nm至大約20nm。在上述顯示器中，所述有機(jī)層的厚度為大約50nm至大約60nm。另一方面為一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述顯示器包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素包括被構(gòu)造為分別發(fā)射藍(lán)光、紅光和綠光的藍(lán)色子像素、紅色子像素和綠色子像素；第一下電極，形成在所述藍(lán)色子像素和所述綠色子像素中，其中，所述第一下電極包括至少一個(gè)透明導(dǎo)電層和至少一個(gè)半透明金屬層；第二下電極，形成在所述紅色子像素中，并由透明導(dǎo)電層形成，其中，所述第二下電極不包括半透明金屬層。在上述顯示器中，所述第一下電極包括順序形成的第一透明導(dǎo)電層、半透明金屬層和第二透明導(dǎo)電層。在上述顯示器中，所述第二下電極由一層或多層透明導(dǎo)電層形成。


圖1是根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。圖2A是詳細(xì)示出藍(lán)光發(fā)射區(qū)域中的下電極和有機(jī)層的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2B是詳細(xì)示出綠光發(fā)射區(qū)域中的下電極和有機(jī)層的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2C是詳細(xì)示出紅光發(fā)射區(qū)域中的下電極和有機(jī)層的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖3和圖4是用于解釋當(dāng)以非微腔結(jié)構(gòu)形成紅光發(fā)射區(qū)域時(shí)的顏色再現(xiàn)率的基于 CIE的顏色坐標(biāo)。
具體實(shí)施例方式通常，為了提高OLED顯示器的顏色再現(xiàn)率(例如，可相對(duì)于人們可識(shí)別的色階來(lái)產(chǎn)生顏色的比例)，使用具有IT0/Ag/IT0結(jié)構(gòu)的第一電極來(lái)透射發(fā)射的光的一部分并使發(fā)射的光的另一部分發(fā)生諧振。
在這種情況下，由于紅色區(qū)域發(fā)射的光的波長(zhǎng)比藍(lán)色區(qū)域和綠色區(qū)域發(fā)射的光的波長(zhǎng)長(zhǎng)，所以紅色區(qū)域中的有機(jī)層的厚度應(yīng)該形成為比藍(lán)色區(qū)域和綠色區(qū)域中的有機(jī)層的厚度厚，從而產(chǎn)生期望程度的微腔(microcavity)。因此，形成在每個(gè)發(fā)光區(qū)域中的有機(jī)層的厚度變得不一致。在下文中，將在下面參照附圖更充分地描述根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。公開(kāi)的實(shí)施例主要描述在基底上形成由藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域限定的多個(gè)像素的情況。此外，公開(kāi)的實(shí)施例通過(guò)示例的方式描述有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器；然而，公開(kāi)的實(shí)施例可應(yīng)用于無(wú)源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。參照?qǐng)D1，在基底200上形成緩沖層210，并且例如，通過(guò)諸如PECVD、LPCVD等沉積法在緩沖層210上形成非晶硅層。在這種情況下，基底200可為諸如玻璃、石英、藍(lán)寶石等的絕緣基底，并且緩沖層210防止非晶硅層被從基底200擴(kuò)散的雜質(zhì)污染?？赏ㄟ^(guò)諸如準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、連續(xù)橫向固化(SLS)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)或金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)的方法使非晶硅層結(jié)晶?？赏ㄟ^(guò)光刻工藝使非晶硅層圖案化，從而以像素為單位在薄膜晶體管中形成半導(dǎo)體層220。之后，在包括半導(dǎo)體層220的基底200上形成柵極絕緣層230。柵極絕緣層230可由氧化硅或氮化硅形成，或者可由氧化硅和氮化硅的堆疊結(jié)構(gòu)形成。接下來(lái)，在將柵電極材料施加到柵極絕緣層230的上部之后，蝕刻?hào)烹姌O絕緣材料以形成圖案化的柵電極對(duì)0。柵電極240形成為與半導(dǎo)體層220部分疊置，并且與柵電極 240疊置的半導(dǎo)體層220的區(qū)域被定義為溝道區(qū)。柵電極240可由鋁(Al)或諸如鋁-釹(Al-Nd)的鋁合金的單層形成，或者可由鋁合金堆疊在鉻(Cr)合金或鉬(Mo)合金上的多層形成。接下來(lái)，在包括柵電極240的基底200的表面上形成層間絕緣層250。層間絕緣層 250可使用氮化硅層或氧化硅層。 接下來(lái)，在層間絕緣層250上形成金屬層(未示出)，然后對(duì)金屬層進(jìn)行圖案化，從而形成源/漏電極260a和^Ob。源/漏電極^Oa和^Ob通過(guò)接觸孔電連接到半導(dǎo)體層 220的源區(qū)和漏區(qū)，其中，通過(guò)局部蝕刻?hào)艠O絕緣層230和層間絕緣層250來(lái)形成接觸孔。金屬層形成從由Mo、W、MoW、AlNd, Ti、Cu、Cu合金、Al、Al合金、Ag和Ag合金等組成的組中選擇的單層?？蛇x地，為了減小導(dǎo)線電阻，金屬層可由一種堆疊結(jié)構(gòu)形成，所述一種堆疊結(jié)構(gòu)從由作為低電阻材料的Mo、Cu、Al或^Vg的雙層結(jié)構(gòu)或者雙層或更多層的多層結(jié)構(gòu)組成的一個(gè)組中選擇。然后，在包括層間絕緣層250的基底200的表面上按預(yù)定的厚度沉積氮化硅層、氧化硅層或它們的堆疊結(jié)構(gòu)，以形成保護(hù)層270，然后在保護(hù)層270上形成平坦化層觀0。平坦化層280可由聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯類樹(shù)脂和丙烯酸酯中的至少一種形成。之后，局部蝕刻保護(hù)層270和平坦化層觀0，以形成暴露源/漏電極^Oa和^Ob 中的任何一個(gè)的通孔，并且形成在平坦化層280上的下電極四0電連接到通過(guò)通孔暴露的源/漏電極260a和^Ob中的任何一個(gè)。下電極290分別形成在藍(lán)光發(fā)射區(qū)域(a)、綠光發(fā)射區(qū)域(b)、紅光發(fā)射區(qū)域(c) 中，并且形成有發(fā)光區(qū)域的位置不限于此。具有開(kāi)口的像素限定層295形成在下電極290上，以通過(guò)開(kāi)口暴露下電極四0的一部分并在被敞開(kāi)的下電極290上形成有機(jī)層300。像素限定層295可由聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯類樹(shù)脂、旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(SOG)和丙烯酸酯中的至少一種形成。然后，在整個(gè)基底200上形成上電極310，以完成有機(jī)發(fā)光二極管。上電極310可由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg和它們的合金中的至少一種形成。參照?qǐng)D2A，通過(guò)順序堆疊第一透明導(dǎo)電層290a、半透明金屬層^Oc和第二透明導(dǎo)電層來(lái)形成在藍(lán)光發(fā)射區(qū)域(a)中形成的下電極四0，并且有機(jī)層300形成在下電極 290上。藍(lán)光發(fā)射區(qū)域(a)中的下電極290可包括至少一層透明導(dǎo)電層和至少一層半透明金屬層。這應(yīng)用于形成在綠光發(fā)射區(qū)域(b)中的下電極四0。第一透明導(dǎo)電層^Oa和第二透明導(dǎo)電層^Ob可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅 (IZO)、氧化錫(TO)和氧化鋅(SiO)中的至少一種形成。第一透明導(dǎo)電層四如主要用作陽(yáng)極，而第二透明導(dǎo)電層^ob用于匹配功函數(shù)，從而完成下電極四0。在一個(gè)實(shí)施例中，第一透明導(dǎo)電層在藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域中在大約50nm至大約150nm的厚度內(nèi)具有良好的藍(lán)光效率、綠光效率和紅光效率， 因此，第一透明導(dǎo)電層^Oa以大約50nm至大約150nm的厚度形成。在一個(gè)實(shí)施例中，第二透明導(dǎo)電層^Ob以大約IOnm或更大的厚度形成以充分執(zhí)行陽(yáng)極的作用，并且由于與有機(jī)層的厚度一起考慮，所以第二透明導(dǎo)電層可以以大約 30nm或更小的厚度形成，以使從有機(jī)發(fā)光層產(chǎn)生的光的微腔效果最大化。半透明金屬層^Oc可由Ag、Al、Ni、Pt和Pd中的至少一種形成。在一個(gè)實(shí)施例中，半透明金屬層^Oc的厚度為大約5nm至大約20nm。這個(gè)范圍可以提供透光率和作為金屬電極的功能之間的最佳平衡。然而，半透明金屬層^Oc的厚度可小于大約5nm或大于大約 20nm。有機(jī)層300包括藍(lán)光發(fā)射層303a，并且還可以包括從由位于藍(lán)光發(fā)射層303a和下電極290之間的空穴注入層301、空穴傳輸層302、位于空穴傳輸層302和藍(lán)光發(fā)射層303a 上的空穴阻擋層304以及電子注入層305組成的一個(gè)組中選擇的至少一個(gè)。在這個(gè)構(gòu)造中， 考慮到發(fā)光亮度和顏色再現(xiàn)率，有機(jī)層300可以以大約50nm至大約60nm的厚度形成?？蛇x擇地，有機(jī)層300的厚度可小于大約50nm或大于大約60nm。在這種情況下，下電極290與藍(lán)光發(fā)射層303a之間的空穴注入層301和空穴傳輸層302的厚度使亮度和微腔效果最大化，從而空穴注入層301和空穴傳輸層302可以以大約19nm至大約36nm的厚度形成，以使微腔效果最大化。再者，層301和302的厚度可小于大約19nm或大于大約36nm。參照?qǐng)D2B，通過(guò)順序堆疊第一透明導(dǎo)電層290a、半透明金屬層^Oc和第二透明導(dǎo)電層來(lái)形成在綠光發(fā)射區(qū)域(b)中形成的下電極四0，并且有機(jī)層300形成在下電極 290上。除了在圖2B中有機(jī)層300包括綠光發(fā)射層30 而不是藍(lán)光發(fā)射層303a，對(duì)藍(lán)光發(fā)射區(qū)域(a)中的層^K)a-290c及有機(jī)層300的描述應(yīng)用于綠光發(fā)射區(qū)域(b)中的對(duì)應(yīng)層。參照?qǐng)D2C，形成在紅光發(fā)射區(qū)域(c)中的下電極290由透明導(dǎo)電層形成，并且有機(jī)層300形成在下電極290上。下電極290可以以單層或多層結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層形成。透明導(dǎo)電層可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(TO)和氧化鋅(ZnO)中的至少一種形成，并用作下電極四0的陽(yáng)極。
與有機(jī)層300的厚度一起考慮來(lái)確定下電極四0的厚度，以提高發(fā)光亮度和顏色再現(xiàn)率。有機(jī)層300包括紅光發(fā)射層303c，并且還可包括從由位于下電極290和紅光發(fā)射層303c之間的空穴注入層301、空穴傳輸層302、位于空穴傳輸層302和紅光發(fā)射層303c 上的空穴阻擋層304以及電子注入層305組成的一個(gè)組中選擇的至少一個(gè)。在這種情況下，考慮到發(fā)光亮度、顏色再現(xiàn)率以及藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域的有機(jī)層的厚度等，有機(jī)層300可以以大約50nm至大約60nm的厚度形成。然而，紅光發(fā)射區(qū)域可通過(guò)僅包括紅光發(fā)射層來(lái)充分地滿足顏色再現(xiàn)率，因此，紅光發(fā)射區(qū)域可以以紅光發(fā)射層的厚度為大約60nm的厚度形成，但是不限于此。然而，當(dāng)紅光發(fā)射層為大約33. 6nm 至大約35. 6nm時(shí)，發(fā)光效率和顏色再現(xiàn)率優(yōu)異，但是不限于此。在這種情況下，下電極290和紅光發(fā)射層303c之間的空穴注入層301和空穴傳輸層302的厚度使微腔效果最大化，從而空穴注入層301和空穴傳輸層302可以以大約19nm 至36nm的厚度形成，以提高發(fā)光亮度和顏色再現(xiàn)率。根據(jù)以上參照?qǐng)D2A至圖2C的描述，形成在藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域中的下電極具有第一透明導(dǎo)電層/半透明金屬層/第二透明導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，但是位于紅光發(fā)射區(qū)域中的下電極由透明導(dǎo)電層形成。換言之，在藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域中形成微腔結(jié)構(gòu)，而在紅光發(fā)射區(qū)域中形成非微腔結(jié)構(gòu)。根據(jù)傳統(tǒng)的裝置(不一定是現(xiàn)有技術(shù))，為了形成微腔結(jié)構(gòu)，紅光發(fā)射區(qū)域的有機(jī)層的厚度比藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域的有機(jī)層的厚度厚。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)紅光發(fā)射區(qū)域形成非微腔結(jié)構(gòu)時(shí)，通過(guò)控制紅光發(fā)射區(qū)域的有機(jī)層的厚度，藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域的有機(jī)層的厚度是一致的。圖3和圖4是用于解釋以非微腔結(jié)構(gòu)形成紅光發(fā)射區(qū)域時(shí)的顏色再現(xiàn)率的基于 CIE的顏色坐標(biāo)，其中，圖3示出了根據(jù)CIEXYZ 1931(顏色空間)的顏色坐標(biāo)系統(tǒng)，圖4示出了根據(jù)CIELUV 1976(顏色坐標(biāo))的顏色坐標(biāo)系統(tǒng)。下面的表1示出了在圖3中的顏色坐標(biāo)中，當(dāng)以非微腔結(jié)構(gòu)形成紅光發(fā)射區(qū)域時(shí)， 通過(guò)將顏色坐標(biāo)、顏色再現(xiàn)面積和顏色再現(xiàn)率與NTSC進(jìn)行比較而獲得的結(jié)果；下面的表2 示出了在圖4中的顏色坐標(biāo)中，當(dāng)以非微腔結(jié)構(gòu)形成紅光發(fā)射區(qū)域時(shí)，通過(guò)將顏色坐標(biāo)、顏色再現(xiàn)面積和顏色再現(xiàn)率與NTSC進(jìn)行比較而獲得的結(jié)果。表 權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個(gè)像素，包括位于基底上并通過(guò)堆疊下電極、有機(jī)層和上電極而形成的藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域，其中，所述藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和所述綠光發(fā)射區(qū)域以微腔結(jié)構(gòu)形成，所述紅光發(fā)射區(qū)域以非微腔結(jié)構(gòu)形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和所述綠光發(fā)射區(qū)域中的下電極由至少一層透明導(dǎo)電層和至少一層半透明金屬層形成，所述紅光發(fā)射區(qū)域中的下電極僅由透明導(dǎo)電層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述紅光發(fā)射區(qū)域中的下電極由一層或多層透明導(dǎo)電層形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和所述綠光發(fā)射區(qū)域的下電極由順序形成的第一透明導(dǎo)電層、半透明金屬層和第二透明導(dǎo)電層形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一透明導(dǎo)電層的厚度為50nm至150nm，所述第二透明導(dǎo)電層的厚度為IOnm至 30nmo
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述半透明金屬層的厚度為5nm至20nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述有機(jī)層的厚度為50nm至60nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中形成在所述藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、所述綠光發(fā)射區(qū)域和所述紅光發(fā)射區(qū)域中的有機(jī)層分別包括藍(lán)光發(fā)射層、綠光發(fā)射層和紅光發(fā)射層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)層還包括空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層和電子注入層中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述空穴注入層和所述空穴傳輸層的厚度為19nm至36nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述紅光發(fā)射區(qū)域中的有機(jī)層的厚度與所述紅光發(fā)射層的厚度基本相同，或者為 60nmo
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括濾色器或顏色轉(zhuǎn)換層，形成在所述紅光發(fā)射區(qū)域的所述上電極上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括包封基底，結(jié)合到所述基底并包括形成為與所述紅光發(fā)射區(qū)域?qū)?yīng)的濾色器或顏色轉(zhuǎn)換層。
14.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括基底，具有包括藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域的多個(gè)發(fā)光區(qū)域；第一下電極，形成在所述藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和所述綠光發(fā)射區(qū)域中，并且通過(guò)堆疊第一透明導(dǎo)電層、半透明金屬層和第二透明導(dǎo)電層來(lái)形成；第二下電極，形成在所述紅光發(fā)射區(qū)域中，并僅由透明導(dǎo)電層形成，其中，有機(jī)層和上電極還形成在所述第一下電極和所述第二下電極上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一透明導(dǎo)電層的厚度為50nm至150nm，所述第二透明導(dǎo)電層的厚度為IOnm至 30nmo
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述半透明金屬層的厚度為5nm至20nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)層的厚度為50nm至60nm。
18.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素包括被構(gòu)造為分別發(fā)射藍(lán)光、紅光和綠光的藍(lán)色子像素、紅色子像素和綠色子像素；第一下電極，形成在所述藍(lán)色子像素和所述綠色子像素中，其中，所述第一下電極包括至少一個(gè)透明導(dǎo)電層和至少一個(gè)半透明金屬層；第二下電極，形成在所述紅色子像素中，并由透明導(dǎo)電層形成，其中，所述第二下電極不包括半透明金屬層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一下電極包括順序形成的第一透明導(dǎo)電層、半透明金屬層和第二透明導(dǎo)電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第二下電極由一層或多層透明導(dǎo)電層形成。
全文摘要
公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。在一個(gè)實(shí)施例中，OLED顯示器包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素包括位于基底上并通過(guò)堆疊下電極、有機(jī)層和上電極而形成的藍(lán)光發(fā)射區(qū)域、綠光發(fā)射區(qū)域和紅光發(fā)射區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，以微腔結(jié)構(gòu)形成藍(lán)光發(fā)射區(qū)域和綠光發(fā)射區(qū)域，以非微腔結(jié)構(gòu)形成紅光發(fā)射區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102315243SQ20111018769
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者丁喜星, 姜泰旻, 李承默, 表相佑, 金陶煐 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社