專利名稱：半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件制備過程中，需要提供光阻(Photo Resistor，PR)，以便在晶片制造時進行離子注入(implant)工藝。離子注入完成后，去除光阻，然后進行后續(xù)步驟。請參閱圖1，現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法包括如下步驟提供一襯底11 ； 在所述襯底11的表面形成柵氧化層(gate oxidation) 12 ；在所述柵氧化層12的表面形成光阻圖案13 ；以所述光阻圖案13為掩膜向所述襯底11內(nèi)注入離子，所述襯底11內(nèi)形成離子注入?yún)^(qū)14 ；采用等離子體灰化(plasma ashing)的方法清洗所述光阻圖案13 ；濕法剝離 (wet strip)所述光阻圖案13。然而，在采用等離子體灰化的方式清洗所述光阻圖案13的同時，也會對所述柵氧化層12造成破壞，從而影響半導(dǎo)體器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件制備過程中能夠避免柵介電層損壞的光阻的去除方法。一種半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，包括如下步驟提供一襯底；在所述襯底的表面形成柵介電層；在所述柵介電層的表面形成光阻圖案；以所述光阻圖案為掩膜向所述襯底內(nèi)注入離子；采用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗；濕法剝離所述光阻圖案。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，所述稀釋溶劑包括丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，所述稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗的過程在紫外光光阻顯影機中進行。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，剝離所述光阻圖案后，在所述柵介電層的表面形成多晶硅柵極。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，所述柵介電層為二氧化硅層。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，所述異甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇異甲基醚酯的體積比為7 3。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，采用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗的時間長度為1分鐘。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，在向襯底離子注入后，采用稀釋溶劑對光阻圖案進行濕法清洗，從而避免傳統(tǒng)的等離子體灰化光阻過程中對柵介電層造成的破壞，有利于提高半導(dǎo)體器件的性能。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件制備過程中向襯底離子注入的示意圖。圖2是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法的流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，在向襯底離子注入后，采用稀釋溶劑(thinner solvent)對光阻圖案進行清洗，從而避免因采用等離子體灰化的方式清洗光阻圖案而造成的柵介電層的破壞，有利于提高半導(dǎo)體器件的性能。為使本發(fā)明的目的、 技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的詳細描述。請參閱圖2，圖2是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法的流程圖。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法包括如下步驟提供一襯底。所述襯底可以是N型襯底或者P型襯底或者其他任何本領(lǐng)域公知類型的襯底。在所述襯底的表面形成柵介電層。所述柵介電層可以為二氧化硅層或者其他任何本領(lǐng)域公知類型的柵介電層。優(yōu)選的，在形成所述柵介質(zhì)層前，可以先對所述襯底進行預(yù)清洗(Pre-Clean)。在所述柵介電層的表面形成光阻圖案。可以采用現(xiàn)有技術(shù)的方法形成所述光阻圖案，如光阻涂覆(coating)、微影(Lithography)、顯影(Developing)、光刻等步驟，在此不再贅述。以所述光阻圖案為掩膜向所述襯底內(nèi)注入離子。優(yōu)選的，可以通過向所述襯底內(nèi)注入離子，改變半導(dǎo)體器件溝道的摻雜濃度，從而達到調(diào)整閾值電壓的目的。優(yōu)選的，所述注入的離子可以為硼離子。采用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行濕法清洗。優(yōu)選的，所述稀釋溶劑包括異甲基醚丙二醇(methyl ether propylene glycol)和乙酸丙二醇異甲基醚酯(Acetic propanediol methyl ether ester)，所述異甲基醚丙二醇與所述乙酸丙二醇異甲基醚酯的體積比為7 3。優(yōu)選的，采用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行濕法清洗的時間為1分鐘。該清洗過程可以在紫外光光阻顯影機中進行，如在深紫外光光阻顯影機(DUV track tool)或者中紫外光光阻顯影機(MUV track tool)中進行。所述稀釋溶劑也可以為晶邊清洗(EBR) 過程中使用的洗邊劑。濕法剝離所述光阻圖案。該過程可以采用現(xiàn)有技術(shù)的光阻剝離方法，在此不再贅述。在所述柵介電層的表面形成多晶硅柵極。優(yōu)選的，在形成所述多晶硅柵極前，對所述柵介電層表面進行預(yù)清洗。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，在向襯底離子注入后，采用稀釋溶劑對光阻圖案進行濕法清洗，從而避免傳統(tǒng)的等離子體灰化光阻過程中對柵介電層造成的破壞，有利于提高半導(dǎo)體器件的性能。在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下還可以構(gòu)成許多有很大差別的實施例。應(yīng)當理解，除了如所附的權(quán)利要求所限定的，本發(fā)明并不限于在說明書中所述的具體實施例。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，包括如下步驟提供一襯底；在所述襯底的表面形成柵介電層；在所述柵介電層的表面形成光阻圖案；以所述光阻圖案為掩膜向所述襯底內(nèi)注入離子；采用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗；濕法剝離所述光阻圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，所述稀釋溶劑包括異甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇異甲基醚酯。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，所述異甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇異甲基醚酯的體積比為7 3。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，采用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗的時間長度為1分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，采用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗的過程在紫外光光阻顯影機中進行。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，剝離所述光阻圖案后，在所述柵介電層的表面形成多晶硅柵極。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，所述柵介電層為二氧化硅層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，包括如下步驟提供一襯底；在所述襯底的表面形成柵介電層；在所述柵介電層的表面形成光阻圖案；以所述光阻圖案為掩膜向所述襯底內(nèi)注入離子；采用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗；濕法剝離所述光阻圖案。本發(fā)明的光阻的去除方法，能夠避免光阻去除過程中對柵介電層造成的破壞，有利于提高半導(dǎo)體器件的性能。
文檔編號H01L21/3105GK102254810SQ201110187080
公開日2011年11月23日 申請日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者倪紅松, 孫賢波, 胡學(xué)清 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司