專利名稱：非揮發(fā)性內(nèi)存裝置、集成電路裝置及集成電路制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子裝置及其制造方法，尤其是一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置、集成電路裝置及集成電路制造方法。
背景技術(shù)：
隨著IC技術(shù)的發(fā)展，越來越多的應(yīng)用處理器支持從SD/MMC啟動，這樣可以避免隨著Nandflash技術(shù)發(fā)展不斷對處理器ECC技術(shù)新的要求，也使系統(tǒng)變得更加靈活；此外，為了增加數(shù)據(jù)的儲存量，現(xiàn)今的可攜式電子裝置，如智能型手機(jī)、數(shù)字相機(jī)及數(shù)字?jǐn)z影機(jī)等， 均可通過插設(shè)非揮發(fā)性內(nèi)存裝置來擴(kuò)充其功能。參見圖1. 1至圖1. 3，揭露一種習(xí)知的非揮發(fā)性內(nèi)存裝置1，非揮發(fā)性內(nèi)存裝置1 的第一引腳12僅設(shè)置在薄型殼體11的單一表面，且僅能在特定的讀卡裝置上執(zhí)行插拔動作，無法進(jìn)一步通過表面黏著技術(shù)(Surface Mount Technology, SMT)與外界的電路板結(jié)合成集成電路裝置，進(jìn)而具有如傳統(tǒng)硬盤般的存取功效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決背景技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，而提出非揮發(fā)性內(nèi)存裝置、集成電路裝置及集成電路制造方法。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是本發(fā)明為一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，其特殊之處在于該裝置包含薄型殼體，包含第一表面、第二表面與側(cè)表面，第一表面與第二表面相對，且第一表面經(jīng)過側(cè)表面連接于第二表面，此外薄型殼體的一端定義為第一端，與第一端相對的一端則定義為第二端；非揮發(fā)性內(nèi)存電路，設(shè)置于薄型殼體中；第一引腳，耦合于非揮發(fā)性內(nèi)存電路，且穿過薄型殼體后裸露并貼覆于第一端的第一表面及側(cè)表面。上述第一端的側(cè)表面呈斜面。上述第一端的側(cè)表面呈梯形面。上述裝置包含第二引腳，裸露并貼覆于第二端的第一表面與側(cè)表面，用來設(shè)定更換電子裝置的使用者接口主題的時間間隔。上述裝置為microSD接口。一種集成電路裝置，其特殊之處在于該裝置包含電路板；非揮發(fā)性內(nèi)存裝置， 設(shè)置于電路板上，所述非揮發(fā)性內(nèi)存裝置經(jīng)過第一引腳連接于電路板。上述非揮發(fā)性內(nèi)存裝置包含第二引腳，裸露并貼覆于第二端的第一表面與側(cè)表面，且非揮發(fā)性內(nèi)存裝置經(jīng)過第二引腳與電路板連接。一種集成電路制造方法，其特殊之處在于該方法包含以下步驟1)提供電路板；2)提供非揮發(fā)性內(nèi)存裝置；3)經(jīng)過第一引腳，連接非揮發(fā)性內(nèi)存裝置及電路板。上述非揮發(fā)性內(nèi)存裝置包含第二引腳，裸露并貼覆于第二端的第一表面與側(cè)表面，且集成電路制造方法還包含下列步驟經(jīng)過第二引腳，連接非揮發(fā)性內(nèi)存裝置及電路板。上述第一引腳利用表面黏著技術(shù)(Surface Mount Technology, SMT)連接非揮發(fā)性內(nèi)存裝置及電路板。本發(fā)明非揮發(fā)性內(nèi)存裝置以SMT技術(shù)與電路板連接，且由于第一引腳自第一表面延伸至側(cè)表面，因此焊錫可附著于第一引腳的部位增加，提高了 SMT制程的可靠度與電性； 此外，第二引腳的設(shè)置可使非揮發(fā)性內(nèi)存裝置穩(wěn)固地焊接于電路板上。本發(fā)明非揮發(fā)性內(nèi)存裝置將第一引腳進(jìn)一步延伸，因此并不影響其在讀卡裝置上的插拔功能


圖1. 1為先前技術(shù)非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的立體圖；圖1. 2為先前技術(shù)非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的前視圖；圖1. 3為先前技術(shù)非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的剖面圖；圖2. 1為本發(fā)明非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的立體圖(一)；圖2. 2為本發(fā)明非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的立體圖(二)；圖2. 3為本發(fā)明非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的前視圖；圖2. 4為本發(fā)明非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的剖面圖；圖3. 1為本發(fā)明集成電路裝置的組合圖(一)；圖3. 2為本發(fā)明之集成電路裝置的立體圖(一)；圖4. 1為本發(fā)明之集成電路裝置的組合圖(二)；圖4. 2為本發(fā)明之集成電路裝置的立體圖(二)圖5為本發(fā)明集成電路制造方法流程圖。其中，1-非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，11-薄型殼體，12-第一引腳，2-非揮發(fā)性內(nèi)存裝置， 21、31_薄型殼體，211、311_第一表面，212、312_第二表面，213、313_側(cè)表面，22、32_第一引腳，23,33-第二引腳，28,38-第一端，29,39-第二端，7、8_集成電路裝置，71,81-電路板， 72,82-第一焊墊，73,83-第二焊墊；
具體實施例方式參見圖2. 1至圖2. 4，分別為本發(fā)明非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的立體圖(一)、立體圖 (二)、前視圖以及剖面圖，揭露一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置2，其包含薄型殼體21、設(shè)置于薄型殼體21內(nèi)的非揮發(fā)性內(nèi)存電路(圖中未示)以及第一引腳22。其中，薄型殼體21包含第一表面211、第二表面212與側(cè)表面213，第一表面211與第二表面212相對，且第一表面 211經(jīng)過側(cè)表面213連接于第二表面212。薄型殼體21的一端定義為第一端觀，而與第一端觀相對的一端則定義為第二端四。第一引腳22耦合于設(shè)置于薄型殼體21內(nèi)的非揮發(fā)性內(nèi)存電路，且穿過薄型殼體21后裸露并貼覆于第一端觀的第一表面211及側(cè)表面213。此外，第一端觀的側(cè)表面213呈斜面或梯形面；非揮發(fā)性內(nèi)存裝置2包含第二引腳23，第二引腳23裸露并貼覆于第二端四的第一表面211與側(cè)表面213 ；非揮發(fā)性內(nèi)存裝置 2 為 microSD 接口。參見圖3. 1與圖3. 2，為本發(fā)明集成電路裝置分解圖與組合圖，集成電路裝置7包含電路板71以及非揮發(fā)性內(nèi)存裝置2，非揮發(fā)性內(nèi)存裝置2設(shè)置于電路板71上。其中，電路板71包含第一焊墊72，非揮發(fā)性內(nèi)存裝置2通過SMT技術(shù)而經(jīng)過第一引腳22連接于電路板71的第一焊墊72。此外，電路板71包含第二焊墊73，非揮發(fā)性內(nèi)存裝置2包含第二引腳23，且非揮發(fā)性內(nèi)存裝置2通過SMT技術(shù)而經(jīng)過第二引腳23連接于電路板71的第二焊墊73。第二引腳23可以是空引腳而未連接于非揮發(fā)性內(nèi)存電路，此時，設(shè)置第二引腳23的主要功能在于提高非揮發(fā)性內(nèi)存裝置2在焊接過程中的穩(wěn)定度。參見圖4.1與圖4. 2，分別為本發(fā)明集成電路裝置分解圖(二)與組合圖(二)， 揭露一種集成電路裝置8，包含電路板81以及非揮發(fā)性內(nèi)存裝置3。非揮發(fā)性內(nèi)存裝置3 包含薄型殼體31、設(shè)置在薄型殼體31內(nèi)的非揮發(fā)性內(nèi)存電路(圖中未示)、第一引腳32以及第二引腳33。薄型殼體31包含第一表面311與側(cè)表面313，薄型殼體31的一端定義為第一端38，而與第一端38相對的一端則定義為第二端39。第一引腳32耦合于設(shè)置在薄型殼體31內(nèi)的非揮發(fā)性內(nèi)存電路，且穿過薄型殼體31后裸露并貼覆于第一端38的第一表面 311及側(cè)表面313 ；第二引腳33裸露并貼覆于第二端39的第一表面311及側(cè)表面313。非揮發(fā)性內(nèi)存裝置3通過SMT技術(shù)，將第一引腳32與第二引腳33分別連接于電路板81的第一焊墊82與第二焊墊83。參見圖5，包含下列步驟步驟Si:提供電路板。步驟S2 提供非揮發(fā)性內(nèi)存裝置。步驟S3 連接非揮發(fā)性內(nèi)存裝置與電路板。其中，步驟Sl所提供的電路板包含第一焊墊與第二焊墊；步驟S2所提供的非揮發(fā)性內(nèi)存裝置則如前開實施例所述；步驟S3則是以SMT技術(shù)將非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的第一引腳連接于電路板的第一焊墊，以及將非揮發(fā)性內(nèi)存裝置的第二引腳連接于電路板的第二焊墊。
權(quán)利要求
1.一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，其特征在于該裝置包含薄型殼體，包含第一表面、第二表面與側(cè)表面，第一表面與第二表面相對，且第一表面經(jīng)過側(cè)表面連接于第二表面，此外薄型殼體的一端定義為第一端，與第一端相對的一端則定義為第二端；非揮發(fā)性內(nèi)存電路，設(shè)置于薄型殼體中；第一引腳，耦合于非揮發(fā)性內(nèi)存電路，且穿過薄型殼體后裸露并貼覆于第一端的第一表面及側(cè)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，其特征在于所述第一端之該側(cè)表面呈斜面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，其特征在于所述第一端的側(cè)表面呈梯形面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，其特征在于所述裝置包含第二引腳，裸露并貼覆于第二端的第一表面與側(cè)表面，用來設(shè)定更換電子裝置的使用者接口主題的時間間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，其特征在于所述裝置為microSD 接口。
6.一種集成電路裝置，其特征在于該裝置包含電路板；如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，設(shè)置于電路板上，所述非揮發(fā)性內(nèi)存裝置經(jīng)過第一引腳連接于電路板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種集成電路裝置，其特征在于所述非揮發(fā)性內(nèi)存裝置包含第二引腳，裸露并貼覆于第二端的第一表面與側(cè)表面，且非揮發(fā)性內(nèi)存裝置經(jīng)過第二引腳與電路板連接。
8.一種集成電路制造方法，其特征在于該方法包含以下步驟1)提供電路板；2)提供非揮發(fā)性內(nèi)存裝置；3)經(jīng)過第一引腳，連接非揮發(fā)性內(nèi)存裝置及電路板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種集成電路制造方法，其特征在于所述非揮發(fā)性內(nèi)存裝置包含第二引腳，裸露并貼覆于第二端的第一表面與側(cè)表面，且集成電路制造方法還包含下列步驟經(jīng)過第二引腳，連接非揮發(fā)性內(nèi)存裝置及電路板。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種集成電路制造方法，其特征在于所述第一引腳利用表面黏著技術(shù)(Surface Mount Technology, SMT)連接非揮發(fā)性內(nèi)存裝置及電路板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種非揮發(fā)性內(nèi)存裝置，包含薄型殼體、非揮發(fā)性內(nèi)存電路以及第一引腳。其中，薄型殼體包含第一表面、第二表面與側(cè)表面，第一表面與第二表面相對，且第一表面經(jīng)由側(cè)表面連接于第二表面，薄型殼體的一端定義為第一端，與第一端相對的一端則定義為第二端；非揮發(fā)性內(nèi)存電路設(shè)置在薄型殼體中；第一引腳耦合于非揮發(fā)性內(nèi)存電路，且穿過薄型殼體后裸露并貼覆于第一端的第一表面及側(cè)表面。本發(fā)明同時提出一種集成電路裝置及其制造方法。
文檔編號H01L21/60GK102280424SQ20111015201
公開日2011年12月14日 申請日期2011年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月8日
發(fā)明者鄭其榮, 陳淮琰 申請人:無敵科技(西安)有限公司