專利名稱：一種基于cmos工藝制備的超材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于CMOS工藝制備的超材料。背景技術(shù)：
隨著雷達(dá)探測、衛(wèi)星通訊、航空航天等高新技術(shù)的快速發(fā)展，以及抗電磁干擾、隱形技術(shù)、微波暗室等研究領(lǐng)域的興起，微波吸收材料的研究越來越受到人們的重視。由于超材料能夠出現(xiàn)非常奇妙的電磁效應(yīng)，可用于吸波材料和隱形材料等領(lǐng)域，成為吸波材料領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。超材料的性質(zhì)和功能主要來自于其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，通常情況下，通過在介質(zhì)基板上形成具有微結(jié)構(gòu)陣列的金屬層來實現(xiàn)其功能。CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物)工藝是當(dāng)今半導(dǎo)體工藝中能實現(xiàn)可控的最小尺寸的工藝，現(xiàn)在32nm的工藝逐漸成熟，更小尺寸的工藝正在開發(fā)。同時，CMOS工藝中金屬層的使用數(shù)量也在不斷的增加，現(xiàn)在已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)8層的金屬連線。但是仍未有通過CMOS工藝制備的超材料。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于CMOS工藝制備的超材料，能夠得到微結(jié)構(gòu)可控性能更高、也更符合設(shè)計要求的超材料。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種基于CMOS工藝制備的超材料，其特征在于，所述超材料包括第一電介質(zhì)層；位于所述第一電介質(zhì)層上面的第一金屬層，該第一金屬層具有第一微結(jié)構(gòu)；位于所述第一金屬層上面的第二電介質(zhì)層，該第二電介質(zhì)層具有第一通孔，該第一通孔中填充的材料與第一金屬層的材料相同；位于所述第二電介質(zhì)層上面，通過第一通孔與所述第一金屬層連接的第二金屬層，該第二金屬層具有第二微結(jié)構(gòu)，且與所述第一金屬層具有相同的材料；以及位于所述第二金屬層上面的第三電介質(zhì)層。上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)第一金屬層與第二金屬層上均具有微結(jié)構(gòu)，改變了每層金屬材料的電磁特性；另外，第一金屬層與第二金屬層之間通過填充了金屬材料的通孔連接，采用這種方式制備的超材料，與單層金屬制備的超材料相比，具有不同于的電磁特性，具有更豐富、更優(yōu)越的電磁特性。

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1是本發(fā)明實施例提供的“工”字形微結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實施例提供的“十”字形微結(jié)構(gòu)示意圖3是本發(fā)明實施例提供的“王”字形微結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實施例提供的“田”字形微結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實施例提供的不等邊三角形微結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實施一提供的一種基于CMOS工藝制備的超材料結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實施二提供的一種基于CMOS工藝制備的超材料結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明實施三提供的一種基于CMOS工藝制備的超材料結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明實施四提供的一種基于CMOS工藝制備的超材料結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。首先，對本發(fā)明實施例涉及的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡要介紹。微結(jié)構(gòu)指需要借助顯微鏡甚至電鏡可能看到了細(xì)微結(jié)構(gòu)，通常指直徑小于0. 25mm 的結(jié)構(gòu)單位。微結(jié)構(gòu)可以是軸對稱結(jié)構(gòu)，例如“工”字形結(jié)構(gòu)、“十”字形結(jié)構(gòu)、或“王”字形結(jié)構(gòu)。參見圖1，是本發(fā)明實施例提供的“工”字形微結(jié)構(gòu)示意圖。在具體的實施過程中，還包括由“工”字形演變得到的所有圖形，例如“土”字形、
“干”字形等。參見圖2，是本發(fā)明實施例提供的“十”字形微結(jié)構(gòu)示意圖。在具體的實施過程中，還包括由“十”字形演變得到的所有圖形，例如“T”字形、倒 “T”字形、“X”字形等。參見圖3，是本發(fā)明實施例提供的“王”字形微結(jié)構(gòu)示意圖。在具體的實施過程中，還包括由“王”字形演變得到的所有圖形，例如“圭”字形等。微結(jié)構(gòu)也可以是非軸對稱結(jié)構(gòu)，包括“田”字形、不等邊三角形、平行四邊形或不規(guī)則閉合曲線。參見圖4，是本發(fā)明實施例提供的“田”字形微結(jié)構(gòu)示意圖。在具體的實施過程中，還包括由“田”字形演變得到的所有圖形。參見圖5，是本發(fā)明實施例提供的不等邊三角形微結(jié)構(gòu)示意圖。非軸對稱圖形中的平行四邊形、以及不規(guī)則閉合曲線此處不再繪圖詳述。實施例一、參見圖6，是本發(fā)明實施一提供的一種基于CMOS工藝制備的超材料結(jié)構(gòu)示意圖， 該超材料包括第一電介質(zhì)層601 ；位于第一電介質(zhì)層601上面的第一金屬層602，該第一金屬層 602具有第一微結(jié)構(gòu)(圖6中未示出)；位于第一金屬層602上面的第二電介質(zhì)層603，該第二電介質(zhì)層603具有第一通孔604，該第一通孔604中填充的材料與第一金屬層602的材料相同；位于第二電介質(zhì)層603上面，通過第一通孔604與第一金屬層602連接的第二金屬層605，該第二金屬605層具有第二微結(jié)構(gòu)(圖6中未示出)，且與第一金屬層602具有相同的材料；以及位于第二金屬層605上面的第三電介質(zhì)層606。其中，第一微結(jié)構(gòu)和第二微結(jié)構(gòu)均通過CMOS工藝制備，例如，在第一金屬層602上制備第一微結(jié)構(gòu)的過程如下在第一金屬層602上涂覆一層光刻膠，根據(jù)預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)對光刻膠進(jìn)行光刻，該預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)可以是圖1至圖6中所示的任意一種微結(jié)構(gòu)；將光刻膠上光刻后形成的圖形采用濕法蝕刻或者干法刻蝕的方式轉(zhuǎn)移到第一金屬層602上；然后去除涂覆在第一金屬層602上的光刻膠，得到具有微結(jié)構(gòu)的第一金屬層602。其中，第一通孔604通過CMOS工藝制備，例如，在第二電介質(zhì)層603上涂覆一層光刻膠，根據(jù)預(yù)設(shè)的孔的大小和形狀對光刻膠進(jìn)行光刻；將光刻膠上光刻后形成的圖形轉(zhuǎn)移到第二電介質(zhì)層603上；去除涂覆在第二電介質(zhì)層603上的光刻膠，從而在第二電介質(zhì)層 603形成第一通孔604。其中，第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可以相同，也可以不同。例如第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)可以是圖1至圖6中所示的任意一種微結(jié)構(gòu)；或者，第一微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的一種微結(jié)構(gòu)，第二微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的另一種微結(jié)構(gòu)。在具體的實施過程中，根據(jù)要求進(jìn)行靈活設(shè)計。其中，第一電介質(zhì)層601與第二電介質(zhì)層603的厚度可以相同，第三電介質(zhì)層606 的厚度等于或者大于第一電介質(zhì)層601的厚度，圖6中示出了第三電介質(zhì)層606的厚度大于第一電介質(zhì)層601的厚度的情況；第一電介質(zhì)層601、第二電介質(zhì)層603、以及第三電介質(zhì)層606可以具有相同的電介質(zhì)材料，例如，該電解質(zhì)材料可以是陶瓷、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料、以及鐵磁材料中的任意一種；第一電介質(zhì)層601、第二電介質(zhì)層603、以及第三電介質(zhì)層606也可以具有不同的電介質(zhì)材料。本實施例中，第一金屬層602與第二金屬層605上均具有微結(jié)構(gòu)，改變了每層金屬材料的電磁特性；另外，第一金屬層602與第二金屬層605之間通過填充了金屬材料的第一通孔604連接，采用這種方式制備的超材料，與單層金屬制備的超材料相比，具有更豐富、 更優(yōu)越的電磁特性。實施例二、參見圖7，是本發(fā)明實施二提供的一種基于CMOS工藝制備的超材料結(jié)構(gòu)示意圖， 該超材料包括第一電介質(zhì)層701 ；位于第一電介質(zhì)層701上面的第一金屬層702，該第一金屬層 702具有第一微結(jié)構(gòu)(圖7中未示出)；位于第一金屬層702上面的第二電介質(zhì)層703，該第二電介質(zhì)層703具有第一通孔704，該第一通孔704中填充的材料與第一金屬層702的材料相同；位于第二電介質(zhì)層703上面，通過第一通孔704與第一金屬層702連接的第二金屬層705，該第二金屬705層具有第二微結(jié)構(gòu)(圖7中未示出)，且與第一金屬層702具有相同的材料；位于第二金屬層705上面的第三電介質(zhì)層706，該第三電介質(zhì)層706具有第二通孔707 ；位于第三電介質(zhì)層706上面，且通過第二通孔707與第二金屬層705連接的第三金屬層708，該第三金屬層708具有第三微結(jié)構(gòu)；以及位于第三金屬層708上面的第四電介質(zhì)層 709。其中，第一微結(jié)構(gòu)、第二微結(jié)構(gòu)、以及第三微結(jié)構(gòu)均通過CMOS工藝制備，例如，在第一金屬層702上制備第一微結(jié)構(gòu)的過程如下在第一金屬層702上涂覆一層光刻膠，根據(jù)預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)對光刻膠進(jìn)行光刻，該預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)可以是圖1至圖6中所示的任意一種微
5結(jié)構(gòu)；將光刻膠上光刻后形成的圖形采用濕法蝕刻或者干法刻蝕的方式轉(zhuǎn)移到第一金屬層 702上；然后去除涂覆在第一金屬層702上的光刻膠，得到具有微結(jié)構(gòu)的第一金屬層702。其中，第一通孔704和第二通孔707均通過CMOS工藝制備，例如，在第二電介質(zhì)層 703上涂覆一層光刻膠，根據(jù)預(yù)設(shè)的孔的大小和形狀對光刻膠進(jìn)行光刻；將光刻膠上光刻后形成的圖形采用濕法蝕刻或者干法刻蝕的方式轉(zhuǎn)移到第二電介質(zhì)層703上；去除涂覆在第二電介質(zhì)層703上的光刻膠，從而在第二電介質(zhì)層703形成第一通孔704。其中，第一微結(jié)構(gòu)、第二微結(jié)構(gòu)、以及第三微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可以相同，也可以不同。例如第一微結(jié)構(gòu)、第二微結(jié)構(gòu)、以及第三微結(jié)構(gòu)可以是圖1至圖6中所示的任意一種微結(jié)構(gòu)； 或者，第一微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的一種微結(jié)構(gòu)，第二微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的另一種微結(jié)構(gòu)、第三微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的不同于第一微結(jié)構(gòu)和第二微結(jié)構(gòu)的又一種微結(jié)構(gòu)。在具體的實施過程中，根據(jù)要求進(jìn)行靈活設(shè)計。其中，第一電介質(zhì)層701、第二電介質(zhì)層703、第三電介質(zhì)層706、以及第四電介質(zhì)層709可以具有相同的電介質(zhì)材料，例如，該電解質(zhì)材料可以是陶瓷、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料、以及鐵磁材料中的任意一種；第一電介質(zhì)層701、第二電介質(zhì)層703、第三電介質(zhì)層706、以及第四電介質(zhì)層709也可以具有不同的電介質(zhì)材料。其中，第二通孔707填充有與第一金屬層702相同的材料；第三金屬層708的材料與第一金屬層702的材料相同。本實施例中，第一金屬層702、第二金屬層705、以及第三金屬層708上均具有微結(jié)構(gòu)，改變了每層金屬材料的電磁特性；另外，第一金屬層702與第二金屬層705之間通過填充了金屬材料的第一通孔704連接，第二金屬層705與第三金屬層708之間通過填充了金屬材料的第二通孔707連接，采用這種方式制備的超材料，與單層金屬制備的超材料相比， 具有更豐富、更優(yōu)越的電磁特性。實施例三、參見圖8，是本發(fā)明實施三提供的一種基于CMOS工藝制備的超材料結(jié)構(gòu)示意圖， 該超材料包括第一電介質(zhì)層801 ；位于第一電介質(zhì)層801上面的第一金屬層802，該第一金屬層 802具有第一微結(jié)構(gòu)(圖8中未示出)；位于第一金屬層802上面的第二電介質(zhì)層803，該第二電介質(zhì)層803具有第一通孔804，該第一通孔804中填充的材料與第一金屬層802的材料相同；位于第二電介質(zhì)層803上面，通過第一通孔804與第一金屬層802連接的第二金屬層805，該第二金屬805層具有第二微結(jié)構(gòu)(圖8中未示出)，且與第一金屬層802具有相同的材料；位于第二金屬層805上面的第三電介質(zhì)層806 ；以及位于第一電介質(zhì)層801下面的第四電介質(zhì)層807。其中，第一微結(jié)構(gòu)和第二微結(jié)構(gòu)均通過CMOS工藝制備，例如，在第一金屬層802上制備第一微結(jié)構(gòu)的過程如下在第一金屬層802上涂覆一層光刻膠，根據(jù)預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)對光刻膠進(jìn)行光刻，該預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)可以是圖1至圖6中所示的任意一種微結(jié)構(gòu)；將光刻膠上光刻后形成的圖形采用濕法蝕刻或者干法刻蝕的方式轉(zhuǎn)移到第一金屬層802上；然后去除涂覆在第一金屬層802上的光刻膠，得到具有微結(jié)構(gòu)的第一金屬層802。其中，第一通孔804通過CMOS工藝制備，例如，在第二電介質(zhì)層803上涂覆一層光刻膠，根據(jù)預(yù)設(shè)的孔的大小和形狀對光刻膠進(jìn)行光刻；將光刻膠上光刻后形成的圖形轉(zhuǎn)移到第二電介質(zhì)層803上；去除涂覆在第二電介質(zhì)層803上的光刻膠，從而在第二電介質(zhì)層 803形成第一通孔804。其中，第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可以相同，也可以不同。例如第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)可以是圖1至圖6中所示的任意一種微結(jié)構(gòu)；或者，第一微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的一種微結(jié)構(gòu)，第二微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的另一種微結(jié)構(gòu)。在具體的實施過程中，根據(jù)要求進(jìn)行靈活設(shè)計。其中，第一電介質(zhì)層801、第二電介質(zhì)層803、第三電介質(zhì)層806、以及第四電介質(zhì)層807可以具有相同的電介質(zhì)材料，例如，該電解質(zhì)材料可以是陶瓷、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料、以及鐵磁材料中的任意一種；第一電介質(zhì)層801、第二電介質(zhì)層803、第三電介質(zhì)層806、以及第四電介質(zhì)層807也可以具有不同的電介質(zhì)材料，一般情況下，，該第四電介質(zhì)層807與第一電介質(zhì)層801具有相同的材料。本實施例中，第一金屬層802與第二金屬層805上均具有微結(jié)構(gòu)，改變了每層金屬材料的電磁特性；另外，第一金屬層802與第二金屬層805之間通過填充了金屬材料的第一通孔804連接，采用這種方式制備的超材料，與單層金屬制備的超材料相比，具有更豐富、 更優(yōu)越的電磁特性。實施例四、參見圖9，是本發(fā)明實施四提供的一種基于CMOS工藝制備的超材料結(jié)構(gòu)示意圖， 該超材料包括第一電介質(zhì)層901 ；位于第一電介質(zhì)層901上面的第一金屬層902，該第一金屬層 902具有第一微結(jié)構(gòu)(圖9中未示出)；位于第一金屬層902上面的第二電介質(zhì)層903，該第二電介質(zhì)層903內(nèi)置有第一通孔904、第二通孔905，第一通孔904和第二通孔905中填充的材料與第一金屬層902的材料相同；位于第二電介質(zhì)層903上面，通過第一通孔904與第一金屬層902連接的第二金屬層906，該第二金屬層906具有第二微結(jié)構(gòu)(圖9中未示出)，且與第一金屬層902具有相同的材料；內(nèi)置于第二電介質(zhì)層903中，一端通過第一通孔904與第一金屬層902連接，另一端通過第二通孔905與第二金屬層906連接的第三金屬層907，該第三金屬層907的材料與第一金屬層902的材料相同，長度小于第一金屬層902 的長度；以及位于第二金屬層906上面的第三電介質(zhì)層908。其中，第一微結(jié)構(gòu)和第二微結(jié)構(gòu)均通過CMOS工藝制備，例如，在第一金屬層902上制備第一微結(jié)構(gòu)的過程如下在第一金屬層902上涂覆一層光刻膠，根據(jù)預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)對光刻膠進(jìn)行光刻，該預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)可以是圖1至圖6中所示的任意一種微結(jié)構(gòu)；將光刻膠上光刻后形成的圖形采用濕法蝕刻或者干法刻蝕的方式轉(zhuǎn)移到第一金屬層902上；然后去除涂覆在第一金屬層902上的光刻膠，得到具有微結(jié)構(gòu)的第一金屬層902。其中，第一通孔904和第二通孔905通過CMOS工藝制備，例如，在第二電介質(zhì)層 903上涂覆一層光刻膠，根據(jù)預(yù)設(shè)的孔的大小和形狀對光刻膠進(jìn)行光刻；將光刻膠上光刻后形成的圖形轉(zhuǎn)移到第二電介質(zhì)層903上；去除涂覆在第二電介質(zhì)層903上的光刻膠，從而在第二電介質(zhì)層903形成第二通孔905。其中，第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可以相同，也可以不同。例如第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)可以是圖1至圖6中所示的任意一種微結(jié)構(gòu)；或者，第一微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的一種微結(jié)構(gòu)，第二微結(jié)構(gòu)是圖1至圖6中所示的另一種微結(jié)構(gòu)。在具體的實施過程中，根據(jù)要求進(jìn)行靈活設(shè)計。其中，第一電介質(zhì)層901與第二電介質(zhì)層903的厚度不同，第一電介質(zhì)層901的厚度與第三電介質(zhì)層908可以相同；第一電介質(zhì)層901、第二電介質(zhì)層903、以及第三電介質(zhì)層 908可以具有相同的電介質(zhì)材料，例如，該電解質(zhì)材料可以是陶瓷、高分子材料、鐵電材料、 鐵氧材料、以及鐵磁材料中的任意一種；第一電介質(zhì)層901、第二電介質(zhì)層903、以及第三電介質(zhì)層908也可以具有不同的電介質(zhì)材料。本實施例中，第一金屬層902與第二金屬層906上均具有微結(jié)構(gòu)，改變了每層金屬材料的電磁特性；另外，第一金屬層902與第二金屬層906之間還有第三金屬層907，金屬層之間通過通孔連接，采用這種方式制備的超材料，與單層金屬制備的超材料相比，具有更豐富、更優(yōu)越的電磁特性。以上實施例對具有不同金屬層次的超材料進(jìn)行了詳細(xì)的描述，在具體的實施過程中，不限于金屬層次，與本發(fā)明實施例中描述的超材料結(jié)構(gòu)相同，以上對本發(fā)明實施例進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想； 同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種基于CMOS工藝制備的超材料，其特征在于，所述超材料包括第一電介質(zhì)層；位于所述第一電介質(zhì)層上面的第一金屬層，該第一金屬層具有第一微結(jié)構(gòu)；位于所述第一金屬層上面的第二電介質(zhì)層，該第二電介質(zhì)層具有第一通孔，該第一通孔中填充的材料與第一金屬層的材料相同；位于所述第二電介質(zhì)層上面，通過第一通孔與所述第一金屬層連接的第二金屬層，該第二金屬層具有第二微結(jié)構(gòu)，且與所述第一金屬層具有相同的材料；以及位于所述第二金屬層上面的第三電介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述第一微結(jié)構(gòu)與所述第二微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超材料，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)為軸對稱結(jié)構(gòu)，包括“工” 字形結(jié)構(gòu)、“十”字形結(jié)構(gòu)、或“王”字形結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超材料，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)為非軸對稱結(jié)構(gòu)，包括 “田”字形、不等邊三角形、平行四邊形或不規(guī)則閉合曲線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述第一微結(jié)構(gòu)與所述第二微結(jié)構(gòu)不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超材料，其特征在于，所述第一微結(jié)構(gòu)為軸對稱結(jié)構(gòu)，所述第二微結(jié)構(gòu)為非軸對稱結(jié)構(gòu)；或者，所述第一微結(jié)構(gòu)為非軸對稱結(jié)構(gòu)，所述第二微結(jié)構(gòu)為軸對稱結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述第一電介質(zhì)層、所述第二電介質(zhì)層、以及所述第三電介質(zhì)層具有相同的電介質(zhì)材料；或者不同的電介質(zhì)材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述第三電介質(zhì)層具有第二通孔，所述超材料還包括位于所述第三電介質(zhì)層上面，且通過所述第二通孔與所述第二金屬層連接的第三金屬層，該第三金屬層具有第三微結(jié)構(gòu)；以及，以及位于所述第三金屬層上面的第四電介質(zhì)層；其中所述第二通孔填充有與所述第一金屬層相同的材料；所述第三金屬層的材料與所述第一金屬層的材料相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述超材料還包括位于所述第一電介質(zhì)層下面的第四電介質(zhì)層，該第四電介質(zhì)層與所述第一電介質(zhì)層具有相同的材料或者不同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料，其特征在于，所述第二電介質(zhì)層中內(nèi)置有第二通孔和第三金屬層；所述第三金屬層的一端通過所述第一通孔與所述第一金屬層連接，另一端通過所述第二通孔與所述第二金屬層連接；其中，所述第二通孔填充有與所述第一金屬層相同的材料；所述第三金屬層的材料與所述第一金屬層的材料相同；所述第三金屬層的長度小于所述第一金屬層的長度。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供了一種基于CMOS工藝制備的超材料，該超材料包括第一電介質(zhì)層；位于所述第一電介質(zhì)層上面的第一金屬層，該第一金屬層具有第一微結(jié)構(gòu)；位于所述第一金屬層上面的第二電介質(zhì)層，該第二電介質(zhì)層具有第一通孔，該第一通孔中填充的材料與第一金屬層的材料相同；位于所述第二電介質(zhì)層上面，通過第一通孔與所述第一金屬層連接的第二金屬層，該第二金屬層具有第二微結(jié)構(gòu)，且與所述第一金屬層具有相同的材料；以及位于所述第二金屬層上面的第三電介質(zhì)層。該超材料具有更豐富、更優(yōu)越的電磁特性。
文檔編號H01Q15/00GK102480017SQ20111014575
公開日2012年5月30日 申請日期2011年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月1日
發(fā)明者劉若鵬, 楊宗榮, 繆錫根, 趙治亞 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司, 深圳光啟高等理工研究院