專利名稱：制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光led的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制作發(fā)光二極管的技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法。
背景技術(shù)：
一般發(fā)光二極管可以利用固晶膠將發(fā)光芯片定置在一個(gè)預(yù)設(shè)有凹坑狀承載部的載體當(dāng)中，并且利用金線構(gòu)成此發(fā)光芯片與電極端的鏈接，以及利用具有熒光粉材的熒光膠將發(fā)光芯片包覆。在發(fā)光芯片通電作用下，發(fā)光芯片的光源激發(fā)熒光膠的熒光粉材，以形成預(yù)期的光色。熒光膠的覆蓋方式大多為點(diǎn)膠與拉膠方式；其是將熒光粉材與膠體以一定比例相混后，注入于點(diǎn)膠針筒中，然后利用點(diǎn)膠機(jī)及X-Y位移機(jī)構(gòu)做出小點(diǎn)或線條狀拉膠，用以將含有熒光粉材的膠體涂布于發(fā)光芯片上。然而熒光粉膠量不易精確控制，易造成無法形成預(yù)期的光色，且膠體位置不易控制易產(chǎn)生偏位等問題。例如中國專利CN201315322揭示一種發(fā)光二級(jí)管組件，其包括支架、置于支架上的發(fā)光二級(jí)管芯片、分布在發(fā)光二級(jí)管芯片四周的底膠層、發(fā)光二級(jí)管芯片與底膠層上涂覆的熒光粉層和熒光粉層外具有的保護(hù)和取光層。所述底膠層為圓柱形固態(tài)或膠態(tài)薄膜， 均勻分布在發(fā)光二極管芯片四周。該專利前案的熒光膠的配置方式為點(diǎn)膠方式。此外中國專利CN1960013揭示一種發(fā)光二極管的制造方法，其是將發(fā)光芯片利用固晶膠定置于載體上預(yù)設(shè)的凹坑狀承載部中，并且在承載部周緣的基板設(shè)有不同電極的導(dǎo)電電路，利用金線構(gòu)成發(fā)光芯片與各導(dǎo)電電路的聯(lián)結(jié)后，再于承載部中利用噴印方式，覆蓋由熒光粉材與膠體混合而成的熒光膠，最后并于熒光膠上設(shè)置透明外罩，以形成一發(fā)光二極管；據(jù)此結(jié)構(gòu)，利用噴嘴噴印熒光膠的方式，不僅加快生產(chǎn)速度，可大幅提升其產(chǎn)能，并可精確控制噴印范圍使熒光膠均勻覆蓋于承載部中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法，其具有容易控制熒光粉的覆著量、覆著位置，以及具備制作快速的功效。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下a.提供一個(gè)已制作有LED晶粒及電極的外延片；b.將外延片對(duì)應(yīng)一個(gè)已涂置有熒光粉的模具；c.以模具搭配印刷手段，使模具與該外延片表面接觸；d.模具上的熒光粉被印制在LED晶粒表面。在本發(fā)明的實(shí)施措施中所述的模具于對(duì)應(yīng)電極的位置，不涂布熒光粉，藉此外延片上的各電極不會(huì)被熒
光粉覆蓋。所述的熒光粉(含膠)的印制密度可以是微米級(jí)或納米級(jí)的印制密度。
所述的熒光粉可被限制印制在LED晶粒的發(fā)光面上。所述的印刷手段包含選自壓印，噴印，轉(zhuǎn)印，網(wǎng)版印刷。所述的熒光粉材料選自鋁酸鹽熒光粉、硅酸鹽熒光粉、氮化物熒光粉、硫化物熒光粉、氮氧化合物熒光粉。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于1.因?yàn)槭褂糜≈品绞?，所以操作?jiǎn)便、且能快速走進(jìn)行生產(chǎn)。2.因?yàn)槭褂糜≈品绞?，所以印制位置及印制量容易控制；換言之，可以精確的控制熒光粉不覆著于電極上，以及可以將熒光粉限制在LED的發(fā)光面。


圖1為本發(fā)明應(yīng)用于外延片的示意圖；圖2為本發(fā)明的一個(gè)LED晶粒的示意圖；圖3為本發(fā)明的制作方法方塊圖；圖4為本發(fā)明印制熒光粉于發(fā)光面的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下即依本發(fā)明的目的、功效及結(jié)構(gòu)組態(tài)，舉出較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明。圖1為本發(fā)明的應(yīng)用于外延片10的平面示意圖。在外延片10上是藉磊晶生長多個(gè)LED晶粒12，且每一個(gè)LED晶粒12上具備二個(gè)電極14和16。圖2為一個(gè)LED晶粒12的示意圖，在該LED晶粒12的表面可以覆著一層熒光粉 20。該熒光粉20是與膠體均勻混合，所以可附著在LED晶粒12的表面。使用熒光粉20是為了使LED晶粒12在受電力驅(qū)動(dòng)后，可以激發(fā)熒光粉20以形成預(yù)期的光色。而值得注意的是，熒光粉20不能覆蓋電極14和16，如此可以使電極14和16順利的與金屬導(dǎo)線(未顯示)連結(jié)并接受電力。此外本發(fā)明所揭示的結(jié)構(gòu)中，熒光粉(含膠)20是利用印制方式被制作于LED晶粒12表面。本發(fā)明將熒光粉20印制于LED晶粒20表面的時(shí)機(jī)，可以是在制作成LED芯片的階段前完成。另外可視所預(yù)期要形成的光色而改變LED芯片及熒光粉的組成。例如形成接近白光效果的出光色，可使用藍(lán)色LED芯片，以及使用可受激發(fā)產(chǎn)生黃光的熒光粉；或其他形式二種色光或三種色光的混合。請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明所揭示的制作方法包含以下步驟步驟S32，是提供一個(gè)已制作有LED晶粒及電極的外延片；步驟S34，是將上述的外延片對(duì)應(yīng)一個(gè)已涂置有熒光粉的模具；例如將上述的外延片擺置在另一個(gè)適當(dāng)模具或治具上；步驟S36，以模具搭配印刷手段，使模具與該外延片表面接觸；步驟S38，模具上的熒光粉被印制在LED晶粒表面。值得注意的是，上述的印制模具雖然涂覆有熒光粉，但在對(duì)應(yīng)電極的位置則不必涂覆熒光粉；如此一來，當(dāng)模具以印刷手段接觸于外延片表面時(shí)，可以確保電極不會(huì)被熒光粉覆蓋。再者，上述的熒光粉(含膠)的印制密度可以是微米級(jí)或納米級(jí)的印制密度。然而本發(fā)明采用的是印制方式，可以精確控制印制時(shí)的熒光粉量及印制位置。印刷手段是可以包含壓印、噴印、轉(zhuǎn)印及網(wǎng)版印刷，或是其他的印刷方式。請(qǐng)參閱圖4，基于本發(fā)明可以精確控制印制時(shí)的熒光粉量及印制位置，加上LED晶粒12所發(fā)出的色光需用以激發(fā)熒光粉20，所以熒光粉20可以僅被印制在發(fā)光面18上。熒光粉材料可以選自鋁酸鹽熒光粉、硅酸鹽熒光粉、氮化物熒光粉、硫化物熒光粉、氮氧化合物熒光粉。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法，其特征在于，包括a.提供一個(gè)已制作有LED晶粒及電極的外延片；b.將外延片對(duì)應(yīng)一個(gè)已涂置有熒光粉的模具；c.以模具搭配印刷手段，使模具與該外延片表面接觸；以及d.模具上的熒光粉被印制在LED晶粒表面。
2.如權(quán)利要求1所述的制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法，其特征在于 該模具對(duì)應(yīng)電極的位置不涂布熒光粉，藉此外延片上的各電極不會(huì)被熒光粉覆蓋。
3.如權(quán)利要求1所述的制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法，其特征在于 該熒光粉的印制密度可以是微米級(jí)或納米級(jí)的印制密度。
4.如權(quán)利要求1所述的制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法，其特征在于 模具上的熒光粉被印制在LED晶粒表面，是可使熒光粉被限制在LED晶粒的發(fā)光面上。
5.如權(quán)利要求1所述的制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法，其特征在于 印刷手段包含選自壓印、噴印、轉(zhuǎn)印及網(wǎng)版印刷。
6.如權(quán)利要求1所述的制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法，其特征在于 熒光粉材料選自鋁酸鹽熒光粉、硅酸鹽熒光粉、氮化物熒光粉、硫化物熒光粉、氮氧化合物熒光粉。
全文摘要
本發(fā)明是一種制作芯片階的平面熒光粉產(chǎn)生白光LED的方法，其包含以下步驟a.提供一個(gè)已制作有LED晶粒及電極的外延片；b.將外延片對(duì)應(yīng)一個(gè)已涂置有熒光粉的模具；c.以模具搭配印刷手段，使模具與該外延片表面接觸；d.模具上的熒光粉被印制在LED晶粒表面。其中模具對(duì)應(yīng)電極的位置不涂布熒光粉，藉此使外延片上的各電極不會(huì)被熒光粉覆蓋。又該熒光粉的印制密度可以是微米級(jí)或納米級(jí)的印制密度，且可進(jìn)一步使熒光粉被限制在LED晶粒的發(fā)光面上。藉此可以精確的控制熒光粉的覆蓋位置及面積，且操作容易。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102290498SQ20111014157
公開日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月27日
發(fā)明者高成 申請(qǐng)人:協(xié)鑫光電科技(張家港)有限公司