專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管及其制造方法和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有作為溝道層的有機(jī)半導(dǎo)體層的薄膜晶體管及其制造方法和一種含有該薄膜晶體管的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，將有機(jī)半導(dǎo)體層用作溝道層的薄膜晶體管(TFT)受到關(guān)注，這種薄膜晶體管被稱(chēng)作有機(jī)TFT。在有機(jī)TFT中，有機(jī)半導(dǎo)體層布置成隔著柵極絕緣層與柵電極相對(duì)。有機(jī)TFT被認(rèn)為有希望替代現(xiàn)有的將無(wú)機(jī)半導(dǎo)體層用作溝道層的無(wú)機(jī)TFT，有機(jī) TFT應(yīng)用到各種包括顯示裝置的電子設(shè)備。相比于無(wú)機(jī)TFT，有機(jī)TFT具有很多優(yōu)點(diǎn)。首先， 由于通過(guò)涂敷(coating)形成有機(jī)半導(dǎo)體層，所以實(shí)現(xiàn)了低成本。其次，由于在低于氣相沉積法(vapor deposition)溫度的溫度下形成有機(jī)半導(dǎo)體層，所以有機(jī)TFT可安置在諸如低耐熱塑料膜之類(lèi)的基板上。第三，通過(guò)化學(xué)性地改變有機(jī)半導(dǎo)體材料的性質(zhì)(通過(guò)引入需要的官能團(tuán)等)，可以對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層的物理性質(zhì)進(jìn)行控制。特別地，通過(guò)在諸如塑料膜之類(lèi)的柔性基板上安置有機(jī)TFT，由此利用該柔性實(shí)現(xiàn)了可折疊的電子設(shè)備。在此情況下，在低于氣相沉積法溫度的溫度下形成有機(jī)半導(dǎo)體層，從而防止基板受到熱損傷。因此，提出了通過(guò)使用印刷法等來(lái)形成有機(jī)半導(dǎo)體層的方法(例如，參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)WO 2003/016599)。為了改進(jìn)有機(jī)TFT的性能，使有機(jī)半導(dǎo)體層與柵電極之間絕緣的柵極絕緣層的特性是非常重要的。柵極絕緣層必須具有耐溶劑性、熱穩(wěn)定性和致密性等特性。然而，相關(guān)技術(shù)的有機(jī)TFT中的柵極絕緣層的特性還無(wú)法滿(mǎn)足要求。特別是，當(dāng)使用低耐溶劑性的有機(jī)半導(dǎo)體材料時(shí)，柵極絕緣層易于在光刻(photolithography)等工序中被有機(jī)溶劑溶解。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述原因，期望提供一種改進(jìn)性能的薄膜晶體管及其制造方法和一種電子設(shè)備。本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管具有柵電極、有機(jī)半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，所述柵極絕緣層布置在所述柵電極與所述有機(jī)半導(dǎo)體層之間并與所述有機(jī)半導(dǎo)體層相鄰接。在所述柵極絕緣層所含有的材料中，第一單體與第二單體共聚且交聯(lián)，所述第一單體是苯乙烯和苯乙烯衍生物中的至少一種，所述第二單體具有碳-碳雙鍵和交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)。本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中設(shè)置有上述薄膜晶體管。
本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法包括下列步驟形成柵電極；形成有機(jī)半導(dǎo)體層；并且在所述柵電極與所述有機(jī)半導(dǎo)體層之間形成與所述有機(jī)半導(dǎo)體層相鄰接的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層所含有的材料中，第一單體與第二單體共聚且交聯(lián)，所述第一單體是苯乙烯和苯乙烯衍生物中的至少一種，所述第二單體具有碳-碳雙鍵和交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)。本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備中設(shè)置有上述薄膜晶體管。在本發(fā)明實(shí)施例的所述薄膜晶體管、薄膜晶體管的所述制造方法以及所述電子設(shè)備中，與所述有機(jī)半導(dǎo)體層相鄰接的所述柵極絕緣層含有上述材料(交聯(lián)共聚物材料)。因此，改善了所述柵極絕緣層的耐溶劑性、熱穩(wěn)定性和致密性，從而改善了性能。應(yīng)當(dāng)理解，上述一般性說(shuō)明以及下面的詳細(xì)說(shuō)明都是示例性的，其旨在進(jìn)一步說(shuō)明所保護(hù)的技術(shù)。


為了提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，說(shuō)明書(shū)包含附圖，并且將附圖并入說(shuō)明書(shū)從而成為說(shuō)明書(shū)的一部分。附示了實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用來(lái)解釋技術(shù)原理。圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2是用于說(shuō)明薄膜晶體管的制造方法的剖面圖。圖3是用于說(shuō)明圖2的后續(xù)工序的剖面圖。圖4是用于說(shuō)明圖3的后續(xù)工序的剖面圖。圖5是用于說(shuō)明圖4的后續(xù)工序的剖面圖。圖6是用于說(shuō)明圖5的后續(xù)工序的剖面圖。圖7是用于說(shuō)明圖6的后續(xù)工序的剖面圖。圖8是用于說(shuō)明薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的第一變形例的剖面圖。圖9是用于說(shuō)明薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的第二變形例的剖面圖。圖10是用于說(shuō)明薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的第三變形例的剖面圖。圖11是表示液晶顯示器的結(jié)構(gòu)的剖面圖，該液晶顯示器是薄膜晶體管的應(yīng)用示例。圖12表示圖11所示的液晶顯示器的電路結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例。在下文中將按照下列順序進(jìn)行說(shuō)明。1.薄膜晶體管1-1.薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)1-2.薄膜晶體管的制造方法2.薄膜晶體管的應(yīng)用示例(電子設(shè)備)1.薄膜晶體管1-1.薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)圖1表示作為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的有機(jī)TFT的剖面結(jié)構(gòu)。在有機(jī)TFT中，有機(jī)半導(dǎo)體層6作為溝道層布置成隔著柵極絕緣層3與柵電極2 相對(duì)，并且有機(jī)半導(dǎo)體層6與源電極4和漏電極5相連接。
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例如，柵電極2、柵極絕緣層3、源電極4和漏電極5以及有機(jī)半導(dǎo)體層6依次堆疊在基板1上。該有機(jī)TFT是底柵底接觸型有機(jī)TFT，在該底柵底接觸型有機(jī)TFT中，柵電極 2布置于有機(jī)半導(dǎo)體層6的下側(cè)(更靠近基板1的一側(cè))，有機(jī)半導(dǎo)體層6設(shè)置在源電極4 和漏電極5上?；?是由塑料材料、金屬材料和無(wú)機(jī)材料中的一種或多種材料制成。上述塑料材料的示例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚醚砜(PEQ、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)。上述金屬材料的示例包括鋁、鎳和不銹鋼。上述無(wú)機(jī)材料的示例包括硅(Si)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、鋁氧化物(AlOx)以及其它金屬氧化物。例如，硅氧化物包括玻璃、石英以及旋涂玻璃(Spin-On-glaSS，S0G)等硅氧化物材料。基板1可以是諸如晶片之類(lèi)的剛性基板或者可以是柔性膜?；?的表面可設(shè)置有任何具有預(yù)定功能的多種涂敷層，例如用于確保粘合的緩沖層以及用于防止氣體釋放的阻氣層等?；?可以是由單層制成或由多層制成。在多層的情況下，可以堆疊兩層以上的上述多種材料。類(lèi)似地，柵電極2、柵極絕緣層3、源電極4、漏電極5和有機(jī)半導(dǎo)體層6中的每個(gè)層也可以是由單層制成或由多層制成。例如，柵電極2是由金屬材料、無(wú)機(jī)導(dǎo)電材料、有機(jī)導(dǎo)電材料以及碳材料中的一種或多種材料制成。上述金屬材料的示例包括鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、 鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鉭(Ta)、鎢(W)、銦(In)、錫(Sn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鋅 (Zn)和鎂(Mg)以及含有這些金屬材料的合金。無(wú)機(jī)導(dǎo)電材料的示例包括多晶硅、氧化銦 (In2O3)、銦錫氧化物(ITO)，銦鋅氧化物(IZO)和氧化鋅(ZnO)。有機(jī)導(dǎo)電材料的示例包括聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸鹽/酯(PSS)和聚苯胺。例如，碳材料是石墨。柵極絕緣層3布置在柵電極2與有機(jī)半導(dǎo)體層6之間，并與有機(jī)半導(dǎo)體層6相鄰接。柵極絕緣層3包含如下絕緣材料(交聯(lián)共聚物材料)在該絕緣材料中，特定的兩種單體(第一單體和第二單體)共聚并交聯(lián)。柵極絕緣層3與有機(jī)半導(dǎo)體層6是相鄰接的原因在于由于柵極絕緣層3與有機(jī) TFT操作時(shí)的電子通道(有機(jī)半導(dǎo)體層6)相鄰接，所以柵極絕緣層3必須含有用于取向控制(下文中將要說(shuō)明)的交聯(lián)共聚物材料?；谙铝性颍瑬艠O絕緣層3含有交聯(lián)共聚物材料。首先，獲得了優(yōu)異的絕緣特性。第二，改善了柵極絕緣層3的耐溶劑性和熱穩(wěn)定性。因此，在有機(jī)TFT的制造過(guò)程中， 柵極絕緣層3不易于被有機(jī)溶劑溶解，且不易受到熱損壞。第三，改善了柵極絕緣層3的致密性，從而使柵電極2與有機(jī)半導(dǎo)體層6之間的介電強(qiáng)度電壓變得更高。第四，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層6時(shí)，極好地控制了該有機(jī)半導(dǎo)體層的取向，抑制了柵極絕緣層3對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體材料的取向的不利影響。第一單體是苯乙烯和任何苯乙烯衍生物中的至少一種。也就是說(shuō)，第一單體可以是苯乙烯、一種或多種苯乙烯衍生物、或者苯乙烯與一種或多種苯乙烯衍生物的混合物。第一單體具有苯乙烯的骨架(苯環(huán)以及與苯環(huán)鍵合的碳-碳雙鍵)的主要原因在于通過(guò)苯環(huán)易于獲得優(yōu)異的絕緣性能，并且第一單體通過(guò)碳-碳雙鍵易于穩(wěn)定地與第二單體共聚。苯乙烯衍生物是通過(guò)在苯乙烯中引入一個(gè)或多個(gè)取代基而獲得。盡管取代基的種類(lèi)不受限制，但取代基優(yōu)選為烴基。這是因?yàn)闊N基取代基不易于對(duì)衍生物的化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生影響。例如，烴基是烷基、烯基、炔基、芳基和環(huán)烷基中的至少一種。在取代基是鏈狀(烷基、 烯基或炔基)的情況下，盡管不受限制，碳原子數(shù)越少則越優(yōu)選。碳原子數(shù)優(yōu)選為3以下， 并且更加優(yōu)選為2以下。這是因?yàn)橛捎趲缀醪话l(fā)生空間位阻(sterichindrance)現(xiàn)象，所以第一單體易于穩(wěn)定地與第二單體共聚。烷基優(yōu)選作為取代基，這是因?yàn)橥榛〈灰子趯?duì)衍生物的化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生影響，從而第一單體易于穩(wěn)定地與第二單體共聚。因此，具有一個(gè)或多個(gè)烷基的烷基苯乙烯優(yōu)選作為苯乙烯衍生物。烷基苯乙烯的示例包括α -甲基苯乙烯、α -乙基苯乙烯、α-丁基苯乙烯和4-甲基苯乙烯，特別地，含有2個(gè)以下碳原子數(shù)的α -甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯和4-甲基苯乙烯是更優(yōu)選的。第二單體是具有碳-碳雙鍵和交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)的材料。當(dāng)?shù)诙误w具有交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)時(shí)，共聚物材料(通過(guò)將第一單體與第二單體共聚而獲得的材料)是交聯(lián)的，從而改善了柵極絕緣層3的耐溶劑性、熱穩(wěn)定性以及致密性，并且在形成有機(jī)半導(dǎo)體層6時(shí)能夠極好地控制有機(jī)半導(dǎo)體材料的取向。碳-碳雙鍵用于將第二單體與第一單體共聚。交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)是通過(guò)形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)而將共聚物材料交聯(lián)起來(lái)的基團(tuán)。由于通過(guò)交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)來(lái)交聯(lián)(固化)共聚物，所以改善了柵極絕緣層3的耐溶劑性等，且極好地控制有機(jī)半導(dǎo)體材料的取向。交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)的固化類(lèi)型可以是熱固化或能量線固化等。顯然， 第二單體可以具有兩種或多種不同固化類(lèi)型的交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)。盡管交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)的種類(lèi)不受限制，但優(yōu)選為環(huán)氧基(-C2H3O)、縮水甘油基 (-CH2-C2H3O)、羥基(-0Η)、丙烯酰基(-C0-CH = CH2)、甲基丙烯酰基(-CO-C(CH3) = CH2)以及烯丙基(-CH2-CH = CH2)中的至少一種。這是因?yàn)檫@樣易于穩(wěn)定地形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)。在第二單體含有環(huán)氧基或縮水甘油基的情況下，通過(guò)例如加熱來(lái)產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)。 在第二單體含有羥基的情況下，通過(guò)例如加熱(與異氰酸鹽/酯或三聚氰胺等的反應(yīng))來(lái)產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)。在第二單體含有丙烯酰基、甲基丙烯?；蛳┍那闆r下，通過(guò)例如使用過(guò)氧化物等的加熱或者使用自由基聚合引發(fā)劑的紫外光照射等來(lái)產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)。只要交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)之外的部分(與交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)相聯(lián)接的聯(lián)接基團(tuán))具有碳-碳雙鍵，該部分的種類(lèi)就不受限制。聯(lián)接基團(tuán)的示例包括甲基丙烯?；?、丙烯?；?、烯丙基以及通過(guò)將其它基團(tuán)(間隔基團(tuán))聯(lián)接至上述那些基團(tuán)而獲得的基團(tuán)。例如，上述間隔基團(tuán)是亞烷基或聚氧亞烷基等。盡管亞烷基的碳原子數(shù)不受限制，但優(yōu)選為1 30(包括兩個(gè)端點(diǎn))。例如，聚氧亞烷基是聚氧亞乙基([-CH2CH2O-]η，η是1以上的整數(shù))或者聚氧亞丙基([-CH2CH2CH2O-] η)。只要第二單體如上所述地含有碳-碳雙鍵和交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)，第二單體的種類(lèi)就不受限制。例如，含有作為交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)的縮水甘油基的第二單體是甲基丙烯酸縮水甘油酯、 丙烯酸縮水甘油酯或者烯丙基縮水甘油醚。盡管上述交聯(lián)共聚物材料的分子量(重均分子量Mw)沒(méi)有受到限制，但優(yōu)選為 5，000 1，000，000(包括兩端點(diǎn))，這樣能夠獲得優(yōu)異的特性，且上述材料易于穩(wěn)定地溶解到多種有機(jī)溶劑中。當(dāng)使用諸如涂覆法或印刷法之類(lèi)的溶液技術(shù)來(lái)形成柵極絕緣層3時(shí)，這樣的溶解性是有利的。柵極絕緣層3在含有交聯(lián)共聚物材料的同時(shí)還可以含有其它絕緣材料。例如，其它絕緣材料是一種或多種的無(wú)機(jī)絕緣材料或者有機(jī)絕緣材料。無(wú)機(jī)絕緣材料的示例包括硅氧化物、硅氮化物、鋁氧化物、氧化鈦(TiO2)、鉿氧化物(HfOx)和鈦酸鋇(BaTiCXB)。有機(jī)絕緣材料的示例包括聚乙烯基苯酚(PVP)、聚酰亞胺、聚甲基丙烯酸丙烯酸酯、感光聚酰亞胺、 感光線型酚醛樹(shù)脂和聚對(duì)二甲苯。柵極絕緣層3可以不鄰接于柵電極2。例如，在柵極絕緣層3不鄰接于柵電極2的情況下，在柵電極2與柵極絕緣層3之間插入一層以上的其它柵極絕緣層。例如，上述其它柵極絕緣層的材料與柵極絕緣層3中所包含的交聯(lián)共聚物材料之外的其它絕緣材料相類(lèi)似。例如，通過(guò)與柵電極2的材料相類(lèi)似的材料形成源電極4和漏電極5，并且優(yōu)選地， 源電極4和漏電極5與有機(jī)半導(dǎo)體層6歐姆接觸(ohmic-contact)。源電極4的材料和漏電極5的材料可以與柵電極2的材料相同，也可以與柵電極2的材料不同。例如，有機(jī)半導(dǎo)體層6是由下列有機(jī)半導(dǎo)體材料中的任意一種或多種形成(1)聚吡咯；(2)聚噻吩；(3)諸如聚異硫茚之類(lèi)的異硫茚類(lèi)物質(zhì)；(4)諸如聚亞噻吩基亞乙烯基 (polythenylenevinylene)之類(lèi)的亞噻吩基亞乙烯基類(lèi)物質(zhì)(thienylenevinylene) ； (5) 諸如聚對(duì)亞苯基亞乙烯基之類(lèi)的對(duì)亞苯基亞乙烯基類(lèi)物質(zhì)(p-phenylenevinylene) ； (6) 聚苯胺；(7)聚乙炔；(8)聚二乙炔；(9)聚奧；(10)聚芘；(11)聚咔唑；(12)聚哂吩；(13) 聚呋喃；(14)聚對(duì)亞苯；(15)聚吲哚；(16)聚噠嗪；(17)諸如丁省、戊省、己省、庚省、二苯并五苯、四苯并五苯、芘、二苯并芘、窟、花、六苯并苯(coronene)、三萘嵌二苯(Terrylene)、 卵苯(ovalene)、四萘嵌三苯(quaterrylene)或者循環(huán)蒽之類(lèi)的并苯；(18)通過(guò)使用氮 (N)、硫(S)或氧(0)等或者使用諸如羰基之類(lèi)的官能團(tuán)(例如三苯并二噁嗪、三苯并二噻嗪或己省-6，15-醌等)取代并苯中的部分碳而獲得的衍生物；(19)諸如聚乙烯咔唑、聚苯硫醚或聚乙烯硫醚之類(lèi)的高分子材料和多環(huán)稠合物；00)具有與上述的高分子材料的重復(fù)單元相同的重復(fù)單元的低聚物；(21)諸如銅酞菁之類(lèi)的金屬酞菁；(22)四硫富瓦烯； (23)四硫戊搭烯；(M)具有萘-1，4，5，8-四羧酸二酰亞胺的N，N，_雙(1H，IH-全氟辛基) 萘-1，4，5，8-四羧酸二酰亞胺衍生物、N，N’ -雙(1H，IH-全氟丁基)萘_1，4，5，8-四羧酸二酰亞胺衍生物或者N，N’ - 二辛基萘-1，4，5，8-四羧酸二酰亞胺衍生物，或者是N，N’ -雙 (4-三氟甲基芐基)萘-1，4，5，8-四羧酸二酰亞胺；05)諸如萘-2，3，6，7-四羧酸二酰亞胺之類(lèi)的萘四羧酸二酰亞胺；(26)以諸如蒽_2，3，6，7-四羧酸二酰亞胺之類(lèi)的蒽四羧酸二酰亞胺為代表的稠環(huán)四羧酸二酰亞胺；(XT)諸如C6(l、C70, C76, C78或C84之類(lèi)的富勒烯；08) 諸如單壁納米管(SWNT)之類(lèi)的碳納米管；09)諸如部花青染料或者半菁染料之類(lèi)的染料； 以及(30)諸如2，9-二萘基-追咕噸并咕噸之類(lèi)的迫咕噸并咕噸化合物。上述有機(jī)半導(dǎo)體材料可以是上述系列材料的衍生物。1-2.薄膜晶體管的制造方法圖2至圖7是用于說(shuō)明有機(jī)TFT的制造方法的圖，其圖示了與圖1相對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)。由于已經(jīng)說(shuō)明了系列部件的形成材料，所以下文將不再進(jìn)行重復(fù)說(shuō)明。首先，如圖2所示，在基板1上形成具有開(kāi)口部7K的光致抗蝕劑圖案7。開(kāi)口部7K 是在后續(xù)工序中用于形成柵電極2的間隔。例如，對(duì)于形成光致抗蝕劑圖案7的步驟來(lái)說(shuō)，通過(guò)在基板1的表面上施加光致抗蝕劑來(lái)形成光致抗蝕劑膜(未圖示)，并進(jìn)行圖案化。例如，光致抗蝕劑膜的圖案化方法是光刻法、激光刻蝕法、電子束刻蝕法或X射線刻蝕法等。 可以使用抗蝕劑轉(zhuǎn)印法等方法來(lái)形成光致抗蝕劑圖案7。接下來(lái)，形成覆蓋光致抗蝕劑圖案7和開(kāi)口部7K(基板1的暴露面)的電極層8。 例如，電極層8的形成方法是物理氣相沉積法(PVD)、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、剝離法、陰影掩模法或鍍覆法等。PVD法的示例包括(1)諸如電子束蒸發(fā)法、電阻加熱法、快速蒸發(fā)法 (flashevaporation)或坩堝加熱法(crucible heating)之類(lèi)的真空蒸發(fā)法；(2)等離子沉積法；(3)諸如雙極濺射法、DC濺射法、DC磁控管濺射法、RF濺射法、磁控管濺射法、離子束濺射法或偏置濺射法之類(lèi)的濺射法；以及(4)諸如DC離子鍍覆法、RF離子鍍覆法、多陰極離子鍍覆法、活化反應(yīng)離子鍍覆法(activation reaction ion plating)、電場(chǎng)蒸發(fā)離子鍍覆法、RF離子鍍覆法或反應(yīng)離子鍍覆法之類(lèi)的離子鍍覆法。例如，CVD法是金屬有機(jī) CVD(MOCVD)法。例如，鍍覆法是電解鍍覆法或非電解鍍覆法。在將形成溫度往往為高的真空蒸發(fā)法等用作電極層8的形成方法的情況下，優(yōu)選地，將能夠進(jìn)行溫度調(diào)整的支撐托架(未圖示)用作基板1的支撐部，從而抑制基板1的熱變形等?？稍谛纬呻姌O層8之前形成粘合層來(lái)加強(qiáng)電極層8與基板1的粘合。例如，粘合層的材料是諸如鉭之類(lèi)的金屬材料，例如，粘合層的形成方法與電極層8的形成方法相同。接著，使用剝離法(lift-off method)去除光致抗蝕劑圖案7以及部分電極層8。 例如，光致抗蝕劑圖案7的去除方法是灰化法(ashing)等。因此，如圖3所示，在基板1上形成了圖案化的柵電極2。然后，如圖4所示，形成柵極絕緣層3，柵極絕緣層3覆蓋柵電極2和柵電極2周邊的基板1。在此情況下，首先，通過(guò)下列步驟獲得共聚物材料將第一單體與第二單體混合， 將得到的混合物溶解到有機(jī)溶劑等中，并使第一單體與第二單體共聚。對(duì)于混合第一單體與第二單體的情況來(lái)說(shuō)，優(yōu)選地，使第一單體的比例(重量)大于第二單體的比例(重量)，這是因?yàn)樽鳛闁艠O絕緣層3的主要功能的絕緣性主要獲得自第一單體。對(duì)于將第一單體與第二單體共聚的情況來(lái)說(shuō)，根據(jù)需要，也可以混合諸如聚合引發(fā)劑或分子量調(diào)整劑 (molecular weight modifier)之類(lèi)的其它材料。下面是第一單體與第二單體的混合比率的示例。第一單體的重量比優(yōu)選為50% 99% (包括兩端點(diǎn))，更優(yōu)選為70% 97% (包括兩端點(diǎn))。當(dāng)該重量比少于50%時(shí)，絕緣性低，且有可能無(wú)法充分控制有機(jī)半導(dǎo)體層6 (有機(jī)半導(dǎo)體材料)的取向。第二單體的重量比優(yōu)選為 50% (包括兩端點(diǎn))，更優(yōu)選為3% 30% (包括兩端點(diǎn))。當(dāng)該重量比少于時(shí)，密封性、耐熱性和交聯(lián)性為低。當(dāng)該重量比大于50%時(shí)，有可能由于交聯(lián)時(shí)的強(qiáng)熱收縮的原因而使加工性能劣化，并且有可能由于極性成分增加的原因而使吸水性和介電常數(shù)變高。第一單體與第二單體之間的具體混合比率(重量比)優(yōu)選為1 1 50 1(包括兩端點(diǎn))，并且更優(yōu)選為10 1 50 1(包括兩端點(diǎn))，并且進(jìn)一步優(yōu)選為20 1 50 1(包括兩端點(diǎn))。接著，通過(guò)下列步驟獲得交聯(lián)共聚物材料根據(jù)需要，將共聚物材料與諸如固化劑或催化劑之類(lèi)的其它材料混合，將得到的混合物溶解到有機(jī)溶劑等中，并使共聚物材料交聯(lián)。為了使共聚物材料交聯(lián)，例如，根據(jù)第二單體的交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)的種類(lèi)對(duì)材料進(jìn)行加熱或者進(jìn)行能量束照射。固化劑和催化劑的添加量與交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)的添加量等量即可。具體地， 例如，當(dāng)交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)是環(huán)氧基的情況下，對(duì)于重量份數(shù)為100的共聚物材料，固化劑和催化劑的添加量的重量份數(shù)優(yōu)選為0. 01 50 (包括兩端點(diǎn))，更加優(yōu)選為0. 1 20 (包括兩端點(diǎn))。特別地，對(duì)于重量份數(shù)為100的共聚物材料，熱固型環(huán)氧基的添加量的重量份數(shù)優(yōu)選為0. 01 5 (包括兩端點(diǎn))。對(duì)于重量份數(shù)為100的共聚物材料，能量束固化型環(huán)氧基的添加量的重量份數(shù)優(yōu)選為1 50(包括兩端點(diǎn))?？梢酝瑫r(shí)進(jìn)行(而不是分開(kāi)進(jìn)行)共聚物反應(yīng)和交聯(lián)反應(yīng)。固化劑的示例包括3-甲基-1，2，3，6-四氫鄰苯二甲酸酐或者4_甲基_1，2，3， 6-四氫鄰苯二甲酸酐。用于熱固化的催化劑材料的示例包括(1)諸如聚亞甲基二胺、二亞丙基二胺或三甲基六亞甲基二胺之類(lèi)的鏈狀脂肪族伯二胺；( 諸如亞氨基雙丙胺、1，3，6_三氨基甲基己烷或四亞乙基五胺之類(lèi)的鏈狀脂肪族伯聚胺；C3)諸如N-氨乙基哌嗪或雙(4-氨基-3-甲基環(huán)己基)甲烷之類(lèi)的脂環(huán)族聚胺；(4)諸如間苯二甲胺之類(lèi)的含有芳環(huán)的脂肪族伯胺；( 諸如間苯二甲胺、2，4_ 二氨基二苯胺或二氨基二苯砜之類(lèi)的芳香族伯胺；(6) 諸如二甲胺或二乙胺之類(lèi)的仲胺；(7)諸如二甲基環(huán)己胺、吡啶或α-皮考啉之類(lèi)的叔胺； (8)諸如鄰苯二酸酐、均苯四酸酐或三(偏苯三甲酸酐)甘油酯之類(lèi)的芳香族酸酐；(9)諸如馬來(lái)酸酐、甲基四氫酞酸酐或甲基環(huán)己烯四羧酸酐之類(lèi)的環(huán)狀脂肪族酸酐；(10)諸如聚己二酸酐、聚壬二酸酐或聚癸二酸酐之類(lèi)的脂肪族酸酐；(11)通過(guò)二聚酸與多聚胺的縮合反應(yīng)獲得的聚酰胺樹(shù)脂；(12)諸如2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑或1-氰乙基-2-苯基咪唑鐺偏苯三酸鹽之類(lèi)的咪唑類(lèi)物質(zhì)；(13)諸如三氟化硼-胺絡(luò)合物、有機(jī)酸酰胼或多聚胺鹽之類(lèi)的潛在性固化劑；(14)諸如液態(tài)聚硫醇或聚硫醚(polysulfide)之類(lèi)的聚硫醇；以及(1 諸如線型酚醛樹(shù)脂或聚乙烯基苯酚之類(lèi)的合成樹(shù)脂初始縮合產(chǎn)物。用于固化能量束的催化劑材料的示例包括(1)諸如四氟硼酸重氮苯鹽、六氟磷酸4-甲氧基重氮苯鹽之類(lèi)的芳基重氮鹽；( 諸如四氟硼酸二苯基碘鐺鹽或六氟磷酸二 (4- 丁基苯基)碘鐺鹽之類(lèi)的二芳基碘鐺鹽；(3)諸如六氟磷酸三苯基硫鐺鹽、四氟硼酸三苯基硫鐺鹽或六氟磷酸三甲氧基苯基)硫鐺鹽之類(lèi)的三芳基硫鐺鹽；(4)諸如六氟磷酸二甲基苯甲酰甲基硫鐺鹽或者四氟硼酸苯甲酰甲基四亞甲基硫鐺鹽之類(lèi)的二烷基苯甲酰甲基硫鐺鹽；(5)諸如四氟硼酸3，5- 二甲基-4-羥苯基硫鐺鹽或者六氟銻酸3，5- 二丁基-4-羥苯基硫鐺鹽之類(lèi)的二烷基-4-羥苯基硫鐺鹽；(6)諸如α -羥甲基安息香磺酸酯、 N-羥基酰亞胺磺酸酯(N-hydroxyimidesulfonate)或者α -磺酰氧基酮之類(lèi)的磺酸酯； (7)諸如2-甲氧苯基)-4，6-二(三氯甲基)三嗪之類(lèi)的三嗪化合物；以及(8)諸如鄰重氮萘醌-4-磺酸酯或者鄰重氮萘醌-5-磺酸酯之類(lèi)的重氮萘醌化合物。與共聚物材料混合的其它材料可以是將除了固化劑和催化劑之外的材料。上述其它材料的示例包括硬化促進(jìn)齊U (hardening accelerator)、脫模齊[J (mold release agent)、 軟化劑(flexibilizer)、偶聯(lián)劑(coupling agent)和填充劑(filler)。最后，將交聯(lián)共聚物材料溶解到有機(jī)溶劑等中來(lái)制備溶液，施加溶液并進(jìn)行干燥。 例如，用來(lái)制備溶液的上述有機(jī)溶劑是芳香烴、酮或非芳香烴等中的一種或多種。芳香烴的示例包括甲苯、二甲苯、均三甲苯和四氫萘。例如，酮是環(huán)戊酮或環(huán)己酮等。例如，非芳香烴是十氫萘等。有機(jī)溶劑可以是丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)等。溶液涂敷法的示例包括涂敷法、印刷法、浸漬法、澆鑄法和溶膠凝膠法等。例如，涂敷法的示例包括旋轉(zhuǎn)涂敷法、狹縫涂敷法、棒式涂敷法或噴霧涂敷法等。印刷法的示例包括噴墨印刷法、掃描印刷法、凹版印刷法和凹版膠印法。由此形成柵極絕緣層3。接著，通過(guò)與光致抗蝕劑圖案7(圖2、的形成工序類(lèi)似的工序，在柵極絕緣層3上形成具有開(kāi)口部9K的光致抗蝕劑圖案9。開(kāi)口部9K是在后續(xù)工序中用于形成源電極4和漏電極5的間隔。隨后，通過(guò)與電極層8的形成工序類(lèi)似的工序，形成覆蓋光致抗蝕劑圖案9和開(kāi)口部9K (柵極絕緣層3的暴露面)的電極層10。使用剝離法將光致抗蝕劑圖案9與部分電極層10 —起去除。例如，通過(guò)與光致抗蝕劑圖案7的去除方法類(lèi)似的方法來(lái)去除光致抗蝕劑圖案9。這樣，如圖5所示，在柵極絕緣層3上形成了圖案化的源電極4和漏電極5。接下來(lái)，如圖6所示，形成覆蓋源電極4、漏電極5以及這兩個(gè)電極周邊的柵極絕緣層3的有機(jī)半導(dǎo)體層11。對(duì)于形成有機(jī)半導(dǎo)體層11的情況，例如，通過(guò)將有機(jī)半導(dǎo)體材料溶解到有機(jī)溶劑中來(lái)制備溶液。此后，通過(guò)涂敷法等將該溶液施加到源電極4、漏電極5以及這兩個(gè)電極周邊的柵極絕緣層3上，并進(jìn)行干燥。用于制備上述溶液的上述有機(jī)溶劑與用于形成柵極絕緣層3的有機(jī)溶劑類(lèi)似，尤其是，高沸點(diǎn)的芳香烴(均三甲苯、四氫萘或十氫萘等)是優(yōu)選的。有機(jī)半導(dǎo)體層11的材料與有機(jī)半導(dǎo)體層6的材料類(lèi)似。最后，如圖1所示，對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層11進(jìn)行蝕刻以形成圖案化的有機(jī)半導(dǎo)體層6。 盡管對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層11進(jìn)行蝕刻的方法不受限制，但在蝕刻時(shí)幾乎不對(duì)源電極4、漏電極5 和柵極絕緣層3產(chǎn)生影響的濕法蝕刻是優(yōu)選的蝕刻方法。由此完成有機(jī)TFT。如圖7所示，根據(jù)需要，可以形成覆蓋柵極絕緣層3、源電極4、漏電極5和有機(jī)半導(dǎo)體層6的絕緣層12。在此情況下，可以在絕緣層12中所設(shè)置的開(kāi)口部12K中形成分別連接至源電極4和漏電極5的布線13和布線14。例如，絕緣層12的材料是硅氧化物，絕緣層 12的形成方法是真空蒸發(fā)法。例如，布線13和布線14的材料和形成方法類(lèi)似于源電極4 和漏電極5的材料和形成方法。薄膜晶體管及其制造方法的操作和效果在有機(jī)TFT及其制造方法中，與有機(jī)半導(dǎo)體層6鄰接的柵極絕緣層3含有交聯(lián)共聚物材料。由于改善了柵極絕緣層3的耐溶劑性和熱穩(wěn)定性，所以，在有機(jī)TFT的制造過(guò)程中，柵極絕緣層3不易于被有機(jī)溶劑溶解，且不易于受到熱損壞。另外，由于改善了柵極絕緣層3的致密性，所以介電強(qiáng)度電壓變得更高。因此，改善了遷移率和開(kāi)關(guān)時(shí)間比 (on-offratio)等，從而改善了性能。特別地，當(dāng)?shù)谝粏误w是含有一個(gè)或多個(gè)烷基的烷基苯乙烯，且第二單體的交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)是環(huán)氧基、縮水甘油基、羥基、丙烯?；?、甲基丙烯酰基和烯丙基中的至少一種時(shí)，上述具有優(yōu)異特性的交聯(lián)共聚物材料易于穩(wěn)定地形成，從而獲得了更好的效果。有機(jī)TFT不限于如圖1中所示的底柵底接觸型有機(jī)TFT，其還可以是如與圖1相對(duì)應(yīng)的圖8至圖10所示的底柵頂接觸型有機(jī)TFT、頂柵底接觸型有機(jī)TFT或頂柵頂接觸型有機(jī) TFT。如圖8所示，在底柵頂接觸型有機(jī)TFT中，柵電極2、柵極絕緣層3、有機(jī)半導(dǎo)體層6以及源電極4和漏電極5依次堆疊在基板1上。如圖9所示，在頂柵底接觸型有機(jī)TFT中， 源電極4和漏電極5、有機(jī)半導(dǎo)體層6、柵極絕緣層3以及柵電極2依次堆疊在基板1上。如圖10所示，在頂柵頂接觸型有機(jī)TFT中，有機(jī)半導(dǎo)體層6、源電極4和漏電極5、柵極絕緣層 3以及柵電極2依次堆疊在基板1上。除了改變系列部件的形成順序之外，上述其它類(lèi)型的有機(jī)TFT的制造工序與底柵底接觸型有機(jī)TFT的制造工序類(lèi)似。在此情況下，柵極絕緣層3也與有機(jī)半導(dǎo)體層6相鄰接，所以改善了性能。顯然，在如圖8至圖10所示的情況下，與圖7的情況一樣，也可以形成絕緣層12以及布線13和布線14。2.薄膜晶體管的應(yīng)用示例(電子設(shè)備)接著，將說(shuō)明上述薄膜晶體管(有機(jī)TFT)的應(yīng)用示例。有機(jī)TFT適用于各種電子設(shè)備。例如，有機(jī)TFT作為電子設(shè)備應(yīng)用到液晶顯示器。圖11和圖12分別圖示了該液晶顯示器的主要部分的剖面結(jié)構(gòu)和電路結(jié)構(gòu)。下面將要說(shuō)明的設(shè)備結(jié)構(gòu)(圖11)和電路結(jié)構(gòu)(圖12)僅僅是示例，可以對(duì)它們進(jìn)行適當(dāng)?shù)馗淖?。電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)例如，下面將要說(shuō)明的液晶顯示器是應(yīng)用有有機(jī)TFT的由有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)的透射型液晶顯示器。將該有機(jī)TFT用作切換(像素選擇)元件。如圖11所示，在該液晶顯示器中，液晶層41密封在驅(qū)動(dòng)基板20與對(duì)向基板30之間。在驅(qū)動(dòng)基板20中，例如，有機(jī)TFT 22、平坦化絕緣層23和像素電極M依次形成在支撐基板21的一個(gè)表面上，并且多個(gè)有機(jī)TFT 22和多個(gè)像素電極M以矩陣形式布置。例如，支撐基板21是由諸如玻璃材料或塑料材料之類(lèi)的透射材料制成，有機(jī)TFT 22的結(jié)構(gòu)類(lèi)似于上述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。例如，該塑料材料的種類(lèi)與已說(shuō)明的關(guān)于薄膜晶體管的情況的塑料材料的種類(lèi)相類(lèi)似。例如，平坦化絕緣層23是由諸如聚酰亞胺之類(lèi)的絕緣樹(shù)脂材料制成，例如，像素電極M是由諸如氧化銦錫(ITO)之類(lèi)的透射導(dǎo)電材料形成。像素電極M通過(guò)形成在平坦化絕緣層23中的接觸孔(未圖示)與有機(jī)TFT 22相連接。通過(guò)在支撐基板31的一個(gè)表面上形成對(duì)向電極32而獲得對(duì)向基板30。例如，支撐基板31是由諸如玻璃材料或塑料材料之類(lèi)的透射材料制成，例如，對(duì)向電極32是由諸如 ITO之類(lèi)的導(dǎo)電材料制成。例如，該塑料材料的種類(lèi)類(lèi)似于說(shuō)明薄膜晶體管的情況下的塑料材料的種類(lèi)。驅(qū)動(dòng)基板20與對(duì)向基板30通過(guò)密封構(gòu)件40彼此粘合，從而像素電極M與對(duì)向電極32中間隔著液晶層41而彼此相對(duì)設(shè)置?？梢匀我膺x擇液晶層41中所包含的液晶分子(液晶材料)的種類(lèi)。另外，該液晶顯示器還可以設(shè)置有諸如位相差板(retarder)、偏光板、取向膜和背光單元之類(lèi)的其它部件(未圖示)。如圖12所示，例如，用于驅(qū)動(dòng)該液晶顯示器的電路包括電容器45、有機(jī)TFT 22和液晶顯示器元件44(像素電極M、對(duì)向電極32和液晶層41)。在該電路中，在行方向上布置有多條信號(hào)線42，在列方向上布置有多條掃描線43，并且在信號(hào)線42與掃描線43彼此交叉的位置處布置有有機(jī)TFT 22、液晶顯示器元件44和電容器45。信號(hào)線42和掃描線43 分別連接至未圖示的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路(數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器)和未圖示的掃描線驅(qū)動(dòng)電路(掃描驅(qū)動(dòng)器)。有機(jī)TFT 22的源電極、柵電極和漏電極的連接位置不限于圖12所示的位置。電子設(shè)備的操作在該液晶顯示器中，當(dāng)通過(guò)有機(jī)TFT 22選擇像素電極M，并在像素電極M與對(duì)向電極32間施加電場(chǎng)時(shí)，液晶層41(液晶分子)的取向狀態(tài)隨著電場(chǎng)的強(qiáng)度而發(fā)生變化。于是，根據(jù)液晶分子的取向狀態(tài)對(duì)透光量(透光率)進(jìn)行控制，由此顯示出了色調(diào)圖像。電子設(shè)備的操作和效果在該液晶顯示器中，有機(jī)TFT 22的結(jié)構(gòu)與上述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)相類(lèi)似，因此改善了有機(jī)TFT 22的遷移率和開(kāi)關(guān)時(shí)間比。因此，改善了顯示性能。特別地，如果將諸如塑料材料之類(lèi)的柔性基板用作有機(jī)TFT 22的基板(薄膜晶體管的基板1)，則實(shí)現(xiàn)了可折疊的液晶顯示器。上述液晶顯示器不限于透射型液晶顯示器，也可以是反射型液晶顯示器。示鑼 Ij現(xiàn)在將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的示例。示例1至示例3按照下列工序制造底柵底接觸型有機(jī)TFT。首先，通過(guò)使用真空蒸發(fā)法和剝離法將粘合層(鈦薄膜)和柵電極(金薄膜)依次形成在基板(PES基板)上。剝離法的工序與在薄膜晶體管的制造方法中說(shuō)明的剝離法的工序類(lèi)似。接著，在反應(yīng)容器中，將作為第一單體的α-甲基苯乙烯與作為第二單體的甲基丙烯酸縮水甘油酯進(jìn)行懸浮聚合。在此情況下，將第一單體與第二單體的混合比率(重量比)設(shè)置為50 1、20 1或者10 1。然后，將反應(yīng)容器的內(nèi)部換為氮?dú)?N2),將溫度升高至40°C 120°C (包括兩端點(diǎn))的反應(yīng)(共聚反應(yīng))溫度，然后滴入聚合引發(fā)劑、分子量調(diào)節(jié)劑和有機(jī)溶劑的混合溶液。此后，使該反應(yīng)溶液熟化(age)以完成共聚反應(yīng)。接著， 使用真空干燥器除去該反應(yīng)溶液中的水分來(lái)獲得固體材料。粉碎該固體材料從而獲得共聚物材料。將共聚物材料、作為固化劑的3-甲基-1，2，3，6-四氫鄰苯二甲酸酐和作為胺固化催化劑的N，N- 二甲基環(huán)己胺溶解到PGMEA中來(lái)制備溶液。在此情況下，將共聚物材料、固化材料與催化劑的混合比率(重量比)設(shè)置為100 4 3(示例1)、100 10 3(示例 2)以及 10 20 3 (示例 3)。通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷法將該溶液施加在上述基板和柵電極上，并在空氣中以150°C加熱兩小時(shí)。由于通過(guò)上述操作使共聚物材料交聯(lián)(固化)，所以形成了柵極絕緣層。接著，使用真空蒸發(fā)法和剝離法依次形成粘合層(鈦薄膜)、源電極(金薄膜)和漏電極。將有機(jī)半導(dǎo)體材料溶解到二甲苯中來(lái)制備溶液。通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷該溶液并使之干燥，從而形成有機(jī)半導(dǎo)體層。將由分子式1表示的二噁烷蒽嵌蒽化合物(迫咕噸并咕噸的衍生物)用作有機(jī)半導(dǎo)體材料。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，其包括 柵電極；有機(jī)半導(dǎo)體層；以及柵極絕緣層，其布置在所述柵電極與所述有機(jī)半導(dǎo)體層之間，并與所述有機(jī)半導(dǎo)體層相鄰接，其中，在所述柵極絕緣層所含有的材料中，第一單體與第二單體共聚且交聯(lián)，所述第一單體是苯乙烯和苯乙烯衍生物中的至少一種，所述第二單體具有碳-碳雙鍵和交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)是環(huán)氧基(-C2H3O)、縮水甘油基(-CH2-C2H3O)、羥基(-0H)、丙烯?；?-C0-CH = CH2)、甲基丙烯酰基(-CO-C(CH3) =CH2)和烯丙基(-CH2-CH = CH2)中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述苯乙烯衍生物是具有一個(gè)或多個(gè)烷基的烷基苯乙烯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述第一單體是α-甲基苯乙烯、α -乙基苯乙烯、α-丁基苯乙烯和4-甲基-苯乙烯以及它們的衍生物中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述第二單體是丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯和烯丙基縮水甘油醚以及它們的衍生物中的至少一種。
6.一種薄膜晶體管的制造方法，其包括下列步驟 形成柵電極；形成有機(jī)半導(dǎo)體層；并且在所述柵電極與所述有機(jī)半導(dǎo)體層之間形成與所述有機(jī)半導(dǎo)體層相鄰接的柵極絕緣層，其中，在所述柵極絕緣層所含有的材料中，第一單體與第二單體共聚且交聯(lián)，所述第一單體是苯乙烯和苯乙烯衍生物中的至少一種，所述第二單體具有碳-碳雙鍵和交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)。
7.一種電子設(shè)備，其具有上述權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的薄膜晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有改進(jìn)性能的薄膜晶體管及其制造方法和具有該薄膜晶體管的電子設(shè)備。所述薄膜晶體管包括柵電極、有機(jī)半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，所述柵極絕緣層布置在所述柵電極與所述有機(jī)半導(dǎo)體層之間并與所述有機(jī)半導(dǎo)體層相鄰接。在所述柵極絕緣層所含有的材料中，第一單體與第二單體共聚且交聯(lián)，所述第一單體是苯乙烯和苯乙烯衍生物中的至少一種，所述第二單體具有碳-碳雙鍵和交聯(lián)反應(yīng)基團(tuán)。根據(jù)本發(fā)明，改善了所述薄膜晶體管的所述柵極絕緣層的耐溶劑性、熱穩(wěn)定性和致密性，從而改善了所述薄膜晶體管的性能。
文檔編號(hào)H01L51/10GK102270744SQ201110141548
公開(kāi)日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月3日
發(fā)明者福田敏生 申請(qǐng)人:索尼公司