專利名稱：用于led封裝的嵌套散熱支架、led燈及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于散熱技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
LED燈的應(yīng)用逐步普及，但由于散熱能力的不足，使得LED燈的使用壽命受到影響。為了解決LED燈的散熱問題，目前已經(jīng)發(fā)展了多種解決方案。比如，采用鋁基板的散熱方案，或者加大散熱器的尺寸及散熱面積等，以及采用高散熱性能的材料，如散熱陶瓷等?，F(xiàn)階段，LED封裝用的散熱支架，主要采用單純的氧化鋁陶瓷板或金屬基印刷電路板來實(shí)現(xiàn)。這些結(jié)構(gòu)大都存在著導(dǎo)熱系數(shù)較低、與LED芯片的熱膨脹系數(shù)差異大等不足，會(huì)造成LED芯片的散熱不良、可靠性低等后果。因此，開發(fā)新型的大功率LED封裝用的散熱支架，就顯得很重要了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，以及該嵌套散熱支架的配套制造方法，以及一種具有嵌套散熱支架的LED燈，以及該LED燈的配套制造方法，利用本發(fā)明，能夠使得LED封裝中的散熱支架，具有更加優(yōu)良的散熱性能。一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，該支架包括封裝基片，是其上設(shè)置有內(nèi)嵌孔的片狀結(jié)構(gòu)，該內(nèi)嵌孔用以容放下述內(nèi)嵌散熱件；內(nèi)嵌散熱件，是用以嵌入到前述內(nèi)嵌孔中的導(dǎo)熱體結(jié)構(gòu)，位置對(duì)應(yīng)著待封裝的LED
-H-· I I心片。進(jìn)一步，所述的用于LED封裝的嵌套散熱支架，還包括有如下的技術(shù)特征所述的內(nèi)嵌散熱件，為石墨復(fù)合材料，對(duì)應(yīng)的封裝基片為絕緣材料。所述的石墨復(fù)合材料，為石墨-銅復(fù)合材料、石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料其中至少其一；對(duì)應(yīng)地，所述的封裝基片采用氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板兩者至少其一。所述的內(nèi)嵌散熱件為高度與封裝基片厚度相同的圓臺(tái)結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)的內(nèi)嵌孔為形狀與尺寸和該圓臺(tái)尺寸一致的孔。前述的圓臺(tái)，其斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角介于60度-89度之間。所述的圓臺(tái)，其斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角介于80度-87. 5度之間。所述的內(nèi)嵌散熱件，由位于一端的圓柱部分，以及位于另一端的圓臺(tái)部分共同組成，其總高度與封裝基片厚度相同；對(duì)應(yīng)地，在封裝基片上，設(shè)置有上部為圓柱結(jié)構(gòu)、下部為圓臺(tái)結(jié)構(gòu)的內(nèi)嵌孔，用以容放所述的包括有圓柱部分和圓臺(tái)部分的內(nèi)嵌散熱件。所述的圓臺(tái)，其斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角介于60度-120度之間。所述的內(nèi)嵌散熱件為高度與封裝基片厚度相同的圓柱結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明還提供一種用于LED封裝的嵌套散熱支架的制造方法，該方法包括有如下步驟步驟1，采用石墨復(fù)合材料制備用以嵌在封裝基片中的內(nèi)嵌散熱件；以及制備具有內(nèi)嵌孔的封裝基片，該內(nèi)嵌孔用以容放前述內(nèi)嵌散熱件，其尺寸與前述內(nèi)嵌散熱件對(duì)應(yīng)；步驟2，將所述的內(nèi)嵌散熱件嵌入到封裝基片的內(nèi)嵌孔中，內(nèi)嵌散熱件的鑲嵌位置，對(duì)應(yīng)著待固定的LED芯片位置。進(jìn)一步，本發(fā)明所提供的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架的制造方法，還具有如下技術(shù)特征在步驟2中，內(nèi)嵌散熱件的上下表面與所在封裝基片的上下表面平齊。所述的內(nèi)嵌散熱件，采用包括石墨-銅復(fù)合材料、石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料中至少其一在內(nèi)的石墨復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)；對(duì)應(yīng)地，所述的封裝基片采用氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板兩者至少其一。本發(fā)明還提供一種具有嵌套散熱支架的LED燈，該燈包括有設(shè)置在燈的外殼部位的散熱框架、用以向LED芯片提供輸出電流的LED控制電路和用以固定封裝基片的封裝底板，該燈還包括封裝基片，是固定在所述的封裝底板上，其上設(shè)置有內(nèi)嵌孔的片狀結(jié)構(gòu)，該內(nèi)嵌孔用以容放下述內(nèi)嵌散熱件；內(nèi)嵌散熱件，是用以嵌入到前述內(nèi)嵌孔中的導(dǎo)熱體結(jié)構(gòu)，位置對(duì)應(yīng)著待封裝的LED
-H-* LL
心片；所述的LED芯片，設(shè)置在前述的封裝基片上，對(duì)應(yīng)著前述內(nèi)嵌散熱件的位置。進(jìn)一步，本發(fā)明所提供一種具有嵌套散熱支架的LED燈還具有如下技術(shù)特征在所述的封裝基片上，設(shè)置有用以連通LED芯片的電路組件。連接在所述的LED芯片和所述的電路組件之間，為連接導(dǎo)線。所述的內(nèi)嵌散熱件，采用包括石墨-銅復(fù)合材料、石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料中至少其一在內(nèi)的石墨復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)；對(duì)應(yīng)地，所述的封裝基片采用氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板兩者至少其一。本發(fā)明還提供一種具有嵌套散熱支架的LED燈的制造方法，該方法包括有如下步驟步驟1，采用石墨復(fù)合材料制備用以嵌入到下述封裝基片中的內(nèi)嵌散熱件；以及制備封裝基片，在該封裝基片上，設(shè)置有用以容放及固定前述內(nèi)嵌散熱件的內(nèi)嵌孔，該內(nèi)嵌孔的尺寸與前述內(nèi)嵌散熱件的尺寸相對(duì)應(yīng)；步驟2，將所述的內(nèi)嵌散熱件嵌入到封裝基片的內(nèi)嵌孔中，使其內(nèi)嵌散熱件的上下表面與所在封裝基片的上下表面平齊；步驟3，將LED芯片在封裝基片上對(duì)應(yīng)著內(nèi)嵌散熱件的位置固定，在LED芯片與封裝基片之間設(shè)置連接導(dǎo)線；步驟4，將完成步驟3操作后的封裝基片，固定在封裝底板上；
步驟5，針對(duì)于前述的封裝底板設(shè)置配套的LED控制電路以及散熱框架，制成LED 燈。進(jìn)一步，本發(fā)明所提供的一種具有嵌套散熱支架的LED燈的制造方法，還具有如下技術(shù)特征對(duì)應(yīng)著步驟1或步驟2或步驟3，在所述的封裝基片上，內(nèi)嵌孔之外的位置設(shè)置有電路組件，該電路組件用以通過連接導(dǎo)線接通所述的LED芯片，以及封裝底板上的電路。所述的內(nèi)嵌散熱件，采用包括石墨-銅復(fù)合材料、石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料中至少其一在內(nèi)的石墨復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)；對(duì)應(yīng)地，所述的封裝基片采用氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板兩者至少其一。通過本發(fā)明中的封裝基片和內(nèi)嵌散熱件，使得該用于LED封裝的嵌套散熱支架能夠更加迅速地將LED芯片散發(fā)的熱量導(dǎo)出，提高了散熱性能。另一方面，利用本發(fā)明所實(shí)現(xiàn)的具有嵌套散熱支架的LED燈，通過嵌套散熱支架獲得了良好的散熱能力。


圖1是本發(fā)明所描述的用于LED封裝的嵌套散熱支架的制造工藝的流程圖。圖2是本發(fā)明所描述的具有嵌套散熱支架的LED燈的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3a是本發(fā)明所描述的內(nèi)嵌散熱件沿中線的剖面示意圖，該實(shí)施例中內(nèi)嵌散熱件為圓臺(tái)結(jié)構(gòu)。圖北是本發(fā)明所描述的內(nèi)嵌散熱件沿中線的剖面示意圖，該實(shí)施例中內(nèi)嵌散熱件為圓柱和圓臺(tái)共同組成的結(jié)構(gòu)，為一種實(shí)施例。圖3c是本發(fā)明所描述的內(nèi)嵌散熱件沿中線的剖面示意圖，該實(shí)施例中內(nèi)嵌散熱件為圓柱和圓臺(tái)共同組成的結(jié)構(gòu)，為另一種實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式石墨復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)，目前最高能達(dá)到400W/(m · K)以上。因此，具有將LED 芯片處產(chǎn)生的熱量迅速導(dǎo)出的能力。其線膨脹系數(shù)約為6X10_6/K，與藍(lán)寶石襯底(是一種 LED封裝用的涂料)線膨脹系數(shù)接近，能避免熱失配導(dǎo)致的芯片拉裂。但是，石墨復(fù)合材料是導(dǎo)體，需要對(duì)其進(jìn)行絕緣處理才能用在LED的散熱支架中， 但絕緣處理的過程，常常會(huì)損害石墨復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。而在本發(fā)明中，將石墨復(fù)合材料與電絕緣體復(fù)合，相互嵌套，能避免常規(guī)的絕緣處理導(dǎo)致的散熱能力大幅下降的不足。同時(shí)，利用石墨復(fù)合材料和封裝基片相近的熱膨脹系數(shù)，來制作的用以LED封裝的嵌套散熱支架，能有效減少不同材料之間因熱膨脹系數(shù)差異帶來的熱應(yīng)力，降低成品的失效概率。相對(duì)于傳統(tǒng)的封裝基板，石墨復(fù)合材料嵌套于封裝基片(材料如氧化鋁陶瓷)所組成的散熱支架中，使其綜合散熱效能大幅提升，從而降低了 LED芯片的光效衰減、減小了散熱不良導(dǎo)致的色溫漂移，并能夠延長LED芯片的使用壽命。另一方面，較好的熱膨脹匹配還提高了器件的可靠性。下面結(jié)合著附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
參圖1所示，在該圖所描述的結(jié)構(gòu)中，利用石墨復(fù)合材料100，經(jīng)加工之后，做成內(nèi)嵌散熱件110。該內(nèi)嵌散熱件110，作為優(yōu)選的實(shí)施例而非限定，適合被加工成柱狀結(jié)構(gòu)，或圓臺(tái)結(jié)構(gòu)，或由柱狀部分和圓臺(tái)部分所共同構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。參圖3a所示，內(nèi)嵌散熱件110被做成了圓臺(tái)結(jié)構(gòu)，其圓臺(tái)斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角取為a。作為優(yōu)選的實(shí)施例，傾角a適合介于60度-89度之間。該角度既可以使得所述的內(nèi)嵌散熱件110和封裝基片200之間能夠良好地相互固定，同時(shí)也便于加工；并且，在加工成LED燈的時(shí)候，內(nèi)嵌散熱件110平底的一段還能夠和圖2所示的封裝底板600之間實(shí)現(xiàn)良好接觸，有利于導(dǎo)熱。進(jìn)一步，該圓臺(tái)斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角a，更優(yōu)選的選擇，是介于80度-87. 5 度之間。參圖北或圖3c所示，所述的內(nèi)嵌散熱件110包括有位于一端的圓柱部分，以及位于另一端的圓臺(tái)部分，兩者的總高度適合與封裝基片厚度相同。當(dāng)然，也可以將內(nèi)嵌散熱件 110的厚度做的比封裝基片稍大一點(diǎn)，當(dāng)內(nèi)嵌散熱件110在封裝基片中嵌套之后，再將多余部分去掉，就可以了。對(duì)應(yīng)地，在配套的封裝基片200上，設(shè)置有上部為圓柱結(jié)構(gòu)、下部為圓臺(tái)結(jié)構(gòu)的內(nèi)嵌孔，用以容放前述的包括有圓柱部分和圓臺(tái)部分的內(nèi)嵌散熱件110。參圖北或圖3c所示，對(duì)于同時(shí)包括有圓柱部分和圓臺(tái)部分的內(nèi)嵌散熱件110而言，其圓臺(tái)部分中，圓臺(tái)斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角取為b，該角度適合介于60度-120度之間。其中，在圖北所示的實(shí)施例中，圓臺(tái)斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角b的角度范圍，在 60度-90度之間。其中，在圖3c所示的實(shí)施例中，圓臺(tái)斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角b的角度范圍，在 90度-120度之間。所述的石墨復(fù)合材料100，在本發(fā)明中，作為實(shí)施例而非限定，通過以石墨為基材， 浸潤金屬材料來實(shí)現(xiàn)。利用該方式來制作的優(yōu)勢在于，石墨結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)低，在浸潤了金屬材料之后，制成品同樣具有低熱膨脹系數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。和石墨材料相復(fù)合的金屬材料，作為優(yōu)選的實(shí)施例而非限定，適合通過金屬銅來實(shí)現(xiàn)。于是，本發(fā)明中的內(nèi)嵌散熱件110，可采用石墨-銅復(fù)合材料來制作。該材料具有導(dǎo)熱率高，熱膨脹系數(shù)低的優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)一步，石墨復(fù)合材料100還可以是石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料等材料的其中之一或混合物，若是混合物，還可以包括前述的石墨-銅復(fù)合材料。這些結(jié)構(gòu)，具有良好的散熱能力與合適的熱膨脹系數(shù)， 能夠應(yīng)用于本發(fā)明。另一方面，經(jīng)加過之后的封裝基片200，為薄片結(jié)構(gòu)。比如，厚度約為0. 5-1. 0毫米之間。而該薄片結(jié)構(gòu)的上下表面的尺寸，作為舉例而非限定，可以將其做成3X3毫米的正方形結(jié)構(gòu)。 在封裝基片200上，開設(shè)有內(nèi)嵌孔300，該內(nèi)嵌孔300，其尺寸適合設(shè)置為剛好用以容放前述的內(nèi)嵌散熱件110。當(dāng)然，只要能夠?qū)崿F(xiàn)容放及固定目的，其尺寸也可以在小范圍內(nèi)浮動(dòng)。作為舉例而非限定，該內(nèi)嵌孔300可以通過機(jī)械鉆頭進(jìn)行加工，或高速高壓的流體進(jìn)行加工，或通過激光進(jìn)行加工等。所述的內(nèi)嵌散熱件110，為了能夠和封裝基片200實(shí)現(xiàn)良好的嵌入目的，內(nèi)嵌散熱件110的高度適合與封裝基片厚度相同。當(dāng)然，也可以將內(nèi)嵌散熱件110做的高度稍大于封裝基片的厚度，當(dāng)完成嵌入操作之后，通過打磨或者其它的方式將高出的部分去掉，就可以了。所述的封裝基片200，作為優(yōu)選的實(shí)施例而非限定，可以通過氧化鋁陶瓷板來實(shí)現(xiàn)。氧化鋁陶瓷板，它的絕緣性能良好，同時(shí)具有較高的散熱率。作為舉例而非限定，它的散熱率約24W/(m· 。另外，氮化鋁陶瓷板，其絕緣性能良好，而且導(dǎo)熱能力更強(qiáng)，作為舉例，可達(dá)到 200ff/(m · K)。因此，該氮化鋁陶瓷板同樣適合制做封裝基片200，只是成本稍高。將前述的內(nèi)嵌散熱件110，嵌入到陶瓷散熱片上的內(nèi)嵌孔300中，實(shí)現(xiàn)良好固定與充分接觸后，就可以做成本發(fā)明所描述的用以LED封裝的嵌套散熱支架400 了。當(dāng)完成嵌套散熱支架400的制作之后，就可以在該嵌套散熱支架400上封裝LED 燈的其它配件了。本發(fā)明所設(shè)置的內(nèi)嵌散熱件110，采用石墨-銅復(fù)合材料制作，作為舉例而非限定，其導(dǎo)熱率可高達(dá)450W/(m · K)。在具體的使用過程中，通過該內(nèi)嵌散熱件110能夠更加快速地將LED器件所發(fā)出的熱量導(dǎo)出。參圖1及圖2所示，在進(jìn)行LED器件封裝的時(shí)候，應(yīng)當(dāng)將LED芯片500對(duì)應(yīng)著嵌套散熱支架400上的內(nèi)嵌散熱件110的所在位置，緊貼著進(jìn)行設(shè)置。這樣，通過LED芯片500 所散發(fā)出來的熱量，才能夠更加高效地經(jīng)由嵌套散熱支架400導(dǎo)出。所導(dǎo)出的熱量，指向兩個(gè)方面，其中之一，指向周邊的封裝基片200，其中之二，指向與內(nèi)嵌散熱件110的另外一側(cè)相連接的封裝底板600 (如圖2所示)上。另一方面，在嵌套散熱支架400上，完成LED芯片500的封裝之后，就可以便利地將封裝底板600的電路結(jié)構(gòu)和嵌套散熱支架400上的電路組件510進(jìn)行連通。所述的電路組件510，作為舉例而非限定，可以通過印刷電路來實(shí)現(xiàn)。電路組件 510設(shè)置在封裝基片200上，內(nèi)嵌孔300之外的位置。電路組件510可以在制成內(nèi)嵌孔300 之前，就在封裝基片200上進(jìn)行制做；也可以在制成內(nèi)嵌孔300之后，在封裝基片200上制做。該電路組件510用以通過連接導(dǎo)線520接通所述的LED芯片500，并用以連通封裝底板 600上的電路。而封裝底板600上的電源供給，則可以通過配套的控制電路700來提供。前述的連接導(dǎo)線520，在當(dāng)前的技術(shù)實(shí)施方案中，通常是采用細(xì)小但性能穩(wěn)定的金線來實(shí)現(xiàn)。通過焊接的方式，使得LED芯片500和電路組件510之間進(jìn)行電路導(dǎo)通。進(jìn)而和封裝底板600上的電路進(jìn)行導(dǎo)通，以及進(jìn)一步和整個(gè)LED燈的控制電路700相導(dǎo)通。參圖2所示，所述的嵌套散熱支架400緊貼著封裝底板600進(jìn)行設(shè)置。在封裝底板600的上，作為舉例而非限定，設(shè)置有導(dǎo)通電路結(jié)構(gòu)；并采用導(dǎo)熱能力較強(qiáng)的材質(zhì)來作為基板，目前，大多采用鋁板來實(shí)現(xiàn)。繼續(xù)參圖2所示，在封裝底板600的下側(cè)，還設(shè)置有控制電路700。該控制電路 700，用以向LED芯片500輸出經(jīng)過整流后的電流，從而能夠控制LED芯片500的發(fā)光狀況。在封裝底板600的外側(cè)，還可以根據(jù)設(shè)置有散熱框架800。該散熱框架800在使用狀態(tài)下，與封裝底板600緊密接觸，用以將封裝底板600中來自于LED芯片500的熱量，向外界散發(fā)出去。所述的散熱框架800，也同樣適合采用散熱能力強(qiáng)的材質(zhì)來實(shí)現(xiàn)，目前，大多采用鋁制材料來制作。并且，為了增加散熱能力，在該散熱框架800的外側(cè)，還經(jīng)常刻制有溝槽，以增加散熱面積、提高散熱效率。前述的封裝有LED芯片500的嵌套散熱支架400，以及封裝底板600，以及對(duì)應(yīng)的控制電路700，以及作為外殼的散熱框架800等，共同組成了本發(fā)明所描述的具有嵌套散熱支架的LED燈900。以上是對(duì)本發(fā)明的描述而非限定，基于本發(fā)明思想的其它實(shí)施例，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于該支架包括封裝基片，是其上設(shè)置有內(nèi)嵌孔的片狀結(jié)構(gòu)，該內(nèi)嵌孔用以容放下述內(nèi)嵌散熱件； 內(nèi)嵌散熱件，是用以嵌入到前述內(nèi)嵌孔中的導(dǎo)熱體結(jié)構(gòu)，位置對(duì)應(yīng)著待封裝的LED芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于所述的內(nèi)嵌散熱件，為石墨復(fù)合材料，對(duì)應(yīng)的封裝基片為絕緣材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于所述的石墨復(fù)合材料，為石墨-銅復(fù)合材料、石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料其中至少其一；對(duì)應(yīng)地，所述的封裝基片采用氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板兩者至少其一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于所述的內(nèi)嵌散熱件為高度與封裝基片厚度相同的圓臺(tái)結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)的內(nèi)嵌孔為形狀與尺寸和該圓臺(tái)尺寸一致的孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于所述的圓臺(tái)，其斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角介于60度-89度之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于所述的圓臺(tái)，其斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角介于80度-87. 5度之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于所述的內(nèi)嵌散熱件由位于一端的圓柱部分，以及位于另一端的圓臺(tái)部分共同組成，其總高度與封裝基片厚度相同；對(duì)應(yīng)地，在封裝基片上，設(shè)置有上部為圓柱結(jié)構(gòu)、下部為圓臺(tái)結(jié)構(gòu)的內(nèi)嵌孔，用以容放所述的包括有圓柱部分和圓臺(tái)部分的內(nèi)嵌散熱件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于所述的圓臺(tái)，其斜面與圓臺(tái)底面之間的傾角介于60度-120度之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架，其特征在于所述的內(nèi)嵌散熱件為高度與封裝基片厚度相同的圓柱結(jié)構(gòu)。
10.一種用于LED封裝的嵌套散熱支架的制造方法，其特征在于該方法包括有如下步驟步驟1，采用石墨復(fù)合材料制備用以嵌在封裝基片中的內(nèi)嵌散熱件； 以及制備具有內(nèi)嵌孔的封裝基片，該內(nèi)嵌孔用以容放前述內(nèi)嵌散熱件，其尺寸與前述內(nèi)嵌散熱件對(duì)應(yīng)；步驟2，將所述的內(nèi)嵌散熱件嵌入到封裝基片的內(nèi)嵌孔中，內(nèi)嵌散熱件的鑲嵌位置，對(duì)應(yīng)著待固定的LED芯片位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架的制造方法，其特征在于在步驟2中，內(nèi)嵌散熱件的上下表面與所在封裝基片的上下表面平齊。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種用于LED封裝的嵌套散熱支架的制造方法，其特征在于所述的內(nèi)嵌散熱件，采用包括石墨-銅復(fù)合材料、石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料中至少其一在內(nèi)的石墨復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)；對(duì)應(yīng)地，所述的封裝基片采用氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板兩者至少其一。
13.一種具有嵌套散熱支架的LED燈，該燈包括有設(shè)置在燈的外殼部位的散熱框架、用以向LED芯片提供輸出電流的LED控制電路和用以固定封裝基片的封裝底板，其特征在于該燈還包括封裝基片，是固定在所述的封裝底板上，其上設(shè)置有內(nèi)嵌孔的片狀結(jié)構(gòu)，該內(nèi)嵌孔用以容放下述內(nèi)嵌散熱件；內(nèi)嵌散熱件，是用以嵌入到前述內(nèi)嵌孔中的導(dǎo)熱體結(jié)構(gòu)，位置對(duì)應(yīng)著待封裝的LED芯片；所述的LED芯片，設(shè)置在前述的封裝基片上，對(duì)應(yīng)著前述內(nèi)嵌散熱件的位置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種具有嵌套散熱支架的LED燈，其特征在于在所述的封裝基片上，設(shè)置有用以連通LED芯片的電路組件。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的一種具有嵌套散熱支架的LED燈，其特征在于連接在所述的LED芯片和所述的電路組件之間，為連接導(dǎo)線。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種具有嵌套散熱支架的LED燈，其特征在于所述的內(nèi)嵌散熱件，采用包括石墨-銅復(fù)合材料、石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料中至少其一在內(nèi)的石墨復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)；對(duì)應(yīng)地，所述的封裝基片采用氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板兩者至少其一。
17.一種具有嵌套散熱支架的LED燈的制造方法，其特征在于該方法包括有如下步驟步驟1，采用石墨復(fù)合材料制備用以嵌入到下述封裝基片中的內(nèi)嵌散熱件；以及制備封裝基片，在該封裝基片上，設(shè)置有用以容放及固定前述內(nèi)嵌散熱件的內(nèi)嵌孔，該內(nèi)嵌孔的尺寸與前述內(nèi)嵌散熱件的尺寸相對(duì)應(yīng)；步驟2，將所述的內(nèi)嵌散熱件嵌入到封裝基片的內(nèi)嵌孔中，使其內(nèi)嵌散熱件的上下表面與所在封裝基片的上下表面平齊；步驟3，將LED芯片在封裝基片上對(duì)應(yīng)著內(nèi)嵌散熱件的位置固定，在LED芯片與封裝基片之間設(shè)置連接導(dǎo)線；步驟4，將完成步驟3操作后的封裝基片，固定在封裝底板上；步驟5，針對(duì)于前述的封裝底板設(shè)置配套的LED控制電路以及散熱框架，制成LED燈。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的一種具有嵌套散熱支架的LED燈的制造方法，其特征在于 對(duì)應(yīng)著步驟1或步驟2或步驟3，在所述的封裝基片上，內(nèi)嵌孔之外的位置設(shè)置有電路組件， 該電路組件用以通過連接導(dǎo)線接通所述的LED芯片，以及封裝底板上的電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的一種具有嵌套散熱支架的LED燈的制造方法，其特征在于 所述的內(nèi)嵌散熱件，采用包括石墨-銅復(fù)合材料、石墨-鋁復(fù)合材料、石墨-銀復(fù)合材料、石墨-氧化鋁復(fù)合材料、石墨-氮化鋁復(fù)合材料中至少其一在內(nèi)的石墨復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)；對(duì)應(yīng)地，所述的封裝基片采用氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板兩者至少其一。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于LED封裝的嵌套散熱支架、LED燈及制造方法，屬于散熱技術(shù)領(lǐng)域。所述的嵌套散熱支架包括封裝基片，是其上設(shè)置有內(nèi)嵌孔的片狀結(jié)構(gòu)，該內(nèi)嵌孔用以容放下述內(nèi)嵌散熱件；內(nèi)嵌散熱件，是用以嵌入到前述內(nèi)嵌孔中的導(dǎo)熱體結(jié)構(gòu)，位置對(duì)應(yīng)著待封裝的LED芯片。通過本發(fā)明中的封裝基片和內(nèi)嵌散熱件，使得該用于LED封裝的嵌套散熱支架能夠更加迅速地將LED芯片散發(fā)的熱量導(dǎo)出，提高了散熱性能。另一方面，利用本發(fā)明所實(shí)現(xiàn)的具有嵌套散熱支架的LED燈，通過嵌套散熱支架獲得了良好的散熱能力。
文檔編號(hào)H01L33/64GK102306694SQ20111013579
公開日2012年1月4日 申請日期2011年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月24日
發(fā)明者徐世中 申請人:常州碳元科技發(fā)展有限公司