專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體封裝技術(shù)，特別是一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
于半導(dǎo)體封裝工藝中，由于電子產(chǎn)品輕薄短小的趨勢(shì)加上功能不斷增多，使得封裝密度隨之不斷提高，亦不斷縮小封裝尺寸與改良封裝技術(shù)。如何開(kāi)發(fā)以提高工藝良率與改善散熱效率的封裝技術(shù)一直為為此技術(shù)領(lǐng)域的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明目的是提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以提高工藝良率與改善散熱效率。根據(jù)本發(fā)明一方面提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點(diǎn)是包括下列步驟形成一芯片封裝體以及提供一重配線基板于芯片封裝體下方，并與芯片封裝體電性連接。其中形成芯片封裝體的步驟包括提供一載板；形成一第一金屬層形成于載板的一上表面；形成至少一開(kāi)口于第一金屬層上，以露出部分載板；設(shè)置一芯片于露出的部分載板上，其中芯片的一有源面是朝向載板；形成一封膠體覆蓋芯片與第一金屬層；以及移除載板以露出芯片的有源面及第一金屬層。根據(jù)本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點(diǎn)是包括下列步驟形成一芯片封裝體以及提供一重配線基板于芯片封裝體下方，并與芯片封裝體電性連接。其中形成一芯片封裝體，其步驟包括提供一載板；設(shè)置一芯片于載板上，其中芯片的一有源面是朝向載板；形成一第一金屬層覆蓋芯片與載板；形成一封膠體覆蓋芯片與第一金屬層；以及移除載板以露出芯片的有源面及第一金屬層。根據(jù)本發(fā)明又一方面提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是包括一芯片封裝體，包括一第一金屬層，具有一開(kāi)口 ；一芯片位于開(kāi)口上，其中芯片的一背面與第一金屬層的一上表面是朝向同一方向；以及一封膠體，覆蓋芯片的背面與第一金屬層的上表面，且芯片的一有源面與第一金屬層的一下表面是露出于封膠體。以及一重配線基板設(shè)置于芯片封裝體下方，并與芯片的有源面電性連接。本發(fā)明的有益技術(shù)效果是利用對(duì)芯片先封裝再與重配線基板結(jié)合，且芯片封裝體內(nèi)設(shè)有金屬層位于與基板的接合面，這樣可增加芯片封裝體與基板之間的接合力以提高工藝良率及可增加芯片的散熱效率，并可提高EMI遮蔽效果。以下將配合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳加說(shuō)明，當(dāng)可更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。


圖I為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的結(jié)構(gòu)剖視圖。 圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E、圖2F為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖3A、圖3B為本發(fā)明不同實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖。
具體實(shí)施例方式其詳細(xì)說(shuō)明如下，所述較佳實(shí)施例僅做一說(shuō)明非用以限定本發(fā)明。請(qǐng)參考圖1，圖I為本發(fā)明一實(shí) 施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的結(jié)構(gòu)剖視圖。如圖所示，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包括下列步驟形成一芯片封裝體100以及提供一重配線基板200于芯片封裝體100下方，并使重配線基板200與芯片封裝體100電性連接。接續(xù)上述，于一實(shí)施例中，形成芯片封裝體100的步驟如圖2A至圖2E所示。首先，如圖2A,提供一載板110,并形成一第一金屬層120形成于載板110的一上表面112。于一實(shí)施例中，第一金屬層120包括但不限于一導(dǎo)電金屬薄膜,且第一金屬層120是以壓合方式設(shè)置于載板110上，另可以理解的是，除單層結(jié)構(gòu)之外，第一金屬層120亦可為復(fù)合膜層由多層金屬層堆疊而成。接著，請(qǐng)參考圖2B,形成至少一開(kāi)口 122于第一金屬層120上，以露出部分載板110的上表面112。而形成開(kāi)口 122的方法包括干膜曝光顯影的方式。接著，如圖2C所示，設(shè)置一芯片130于露出的部分載板110上，其中芯片130的一有源面132是朝向載板110,芯片130的一背面134是背向載板110。之后,請(qǐng)參考圖2D,形成一封膠體140覆蓋芯片130與第一金屬層120。再接著，移除載板110以露出部分芯片130及第一金屬層120，例如芯片130的有源面132及第一金屬層120的下表面123，如圖2E所示。最后，如圖2F所示，將所提供的重配線基板200設(shè)置于芯片封裝體100下方，并使重配線基板200與芯片130的有源面132電性連接。于一實(shí)施例中，第一金屬層120亦可利用沉積或電鍍方式形成于載板110的上表面112上。此外，請(qǐng)參考圖3A，于又一實(shí)施例中，在形成封膠體140包覆芯片130之前，還包括以形成一第二金屬層125覆蓋芯片130的一背面134。亦或者,如圖3B所不,第二金屬層125還包括覆蓋芯片130的一側(cè)面135,其中第二金屬層125與第一金屬層120可為相同材質(zhì)。通過(guò)金屬層對(duì)芯片的覆蓋，可提升EMI遮蔽的功效。此外，金屬層的設(shè)置亦可增加不同材質(zhì)之間的接合力，例如增加封裝體140與重配線基板200之間的接合力。利用上述實(shí)施例的制作方法所形成的結(jié)構(gòu)如圖2F所示。如圖所示，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括一芯片封裝體100以及一重配線基板200。其中芯片封裝體100包括一第一金屬層120，其具有一開(kāi)口 122，其中第一金屬層120的材質(zhì)包含但不限于銅。一芯片130設(shè)置于開(kāi)口 122上,其中芯片130的一背面134與第一金屬層120的一上表面121是朝向同一方向。以及一封膠體140覆蓋芯片130的背面134與第一金屬層120的上表面121,且芯片130的一有源面132與第一金屬層120的一下表面123露出于封膠體140 ；以及一重配線基板200，設(shè)置于芯片封裝體100下方，并與芯片130的有源面132電性連接。接續(xù)上述，于一實(shí)施例中，重配線基板200包括多個(gè)內(nèi)電接墊210、多個(gè)外電接墊212與多個(gè)內(nèi)連接線路220，其中每一內(nèi)連接線路220 —端連接內(nèi)電接墊210，一另端連接外電接墊212。且如圖所示，內(nèi)電接墊210與芯片130的有源面132電性連接。而多個(gè)焊球230設(shè)置于重配線基板200的外電接墊212上，以供與外界裝置電性連接。于一實(shí)施例中，重配線基板200為重配線薄膜基板。
于一實(shí)施例中，如圖3A所不,芯片封裝體100還包括一第二金屬層125,設(shè)置于芯片130的背面134。于又一實(shí)施例中，如圖3B所示，第二金屬層125還包括覆蓋芯片130的側(cè)面135，且第一金屬層120與第二金屬層125可為相同材質(zhì)，例如銅。請(qǐng)繼續(xù)參考圖3B，其中重配線基板200還包括至少一接地線路222，連接第一金屬層120與內(nèi)連接線路220。通過(guò)金屬層覆蓋芯片，不僅提供遮蔽及良好的接合力，亦可改善芯片散熱問(wèn)題。于又一實(shí)施例中，形成芯片封裝體100的步驟亦可如圖4A至圖4D所示。與上述實(shí)施例不同之處在于先設(shè)置芯片于載板上，再形成第一金屬層覆蓋芯片，其詳細(xì)述如下。首先，如圖4A，提供一載板110。接著，設(shè)置一芯片130于載板110上，其中芯片130的一有源面132是朝向載板110，芯片130的一背面134是背向載板110。接著，請(qǐng)參考圖4B，形成一第一金屬層120覆蓋芯片130，包括但不限于覆蓋芯片130的背面134、側(cè)面135與載板110。 接著，如如圖4C所示，形成一封膠體140覆蓋芯片130與第一金屬層120。再接著，移除載板110以露出芯片130的有源面132及第一金屬層120的下表面123，如圖4D所示。于一實(shí)施例中，第一金屬層120可利用沉積或是電鍍方式形成，若以電鍍方式形成，則在形成第一金屬層120之前，還包括以濺鍍方式形成一金屬接合層126，例如鎳，覆蓋芯片130與載板110，則移除載板110后如圖4E所示，會(huì)露出金屬接合層126與芯片130的有源面132。其后，如同圖4F所示，將所提供的重配線基板200設(shè)置于芯片封裝體100下方，并使重配線基板200與芯片130的有源面132電性連接。如圖4G所示，亦可如上述實(shí)施例中所述，重配線基板200可包括至少一接地線路222連接第一金屬層120與內(nèi)連接線路220。綜合上述，本發(fā)明一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，利用對(duì)芯片先封裝在再重配線基板結(jié)合，且芯片封裝體內(nèi)設(shè)有第一金屬層位于與基板的接合面，可增加芯片封裝體與基板之間的接合力以提高工藝良率。此外，金屬層可增加芯片的散熱效率，并可提高EMI遮蔽效果。以上所述的實(shí)施例僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使熟悉本技術(shù)的人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以的限定本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，即凡是根據(jù)本發(fā)明所揭示的精神所作的等同的改變或替換，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專(zhuān)利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包含下列步驟 形成一芯片封裝體，其步驟包含 提供一載板； 形成一第一金屬層形成于該載板的一上表面； 形成至少一開(kāi)口于該第一金屬層上，以露出部分該載板的該上表面； 設(shè)置一芯片于露出的部分該載板上，其中該芯片的一有源面是朝向該載板； 形成一封膠體覆蓋該芯片與該第一金屬層；以及 移除該載板以露出該芯片的該有源面及該第一金屬層；以及 提供一重配線基板于該芯片封裝體下方，并使該重配線基板與該芯片的該有源面電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該開(kāi)口的方式包含干膜曝光顯影的方式。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一金屬層為一導(dǎo)電金屬薄膜，且該第一金屬層是以壓合方式設(shè)置于該載板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一金屬層是以沉積或電鍍方式形成于該載板的該上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成該封膠體之前，還包含形成一第二金屬層覆蓋該芯片的一背面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第二金屬層覆蓋還包含覆蓋該芯片的一側(cè)面。
7.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包含下列步驟 形成一芯片封裝體，其步驟包含 提供一載板； 設(shè)置一芯片于該載板上，其中該芯片的一有源面是朝向該載板； 形成一第一金屬層覆蓋該芯片與該載板； 形成一封膠體覆蓋該芯片與該第一金屬層；以及 移除該載板以露出該芯片的該有源面及該第一金屬層；以及 提供一重配線基板于該芯片封裝體下方，并使該重配線基板與該芯片的該有源面電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一金屬層是以沉積或電鍍方式形成于該載板的該上表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成該第一金屬層之前，還包含以濺鍍方式形成一金屬接合層覆蓋該芯片與該載板。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一金屬層覆蓋該芯片的一背面與一側(cè)面。
11.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包含 一芯片封裝體，包含 一第一金屬層，具有一開(kāi)口 ； 一芯片，位于該開(kāi)口上，其中該芯片的一背面與該第一金屬層的一上表面是朝向同一方向；以及 一封膠體，覆蓋該芯片的該背面與該第一金屬層的該上表面，且該芯片的一有源面與該第一金屬層的一下表面露出于該封膠體；以及 一重配線基板，設(shè)置于該芯片封裝體下方，并與該芯片的該有源面電性連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第二金屬層，設(shè)置于該芯片的該背面與該芯片一側(cè)面的至少其中之一上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二金屬層與該第一金屬層為相同材質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該重配線基板包含多個(gè)內(nèi)電接墊、多個(gè)外電接墊與多個(gè)內(nèi)連接線路，其中每一該內(nèi)連接線路一端連接該內(nèi)電接墊，一 另端連接該外連接點(diǎn)，其中這些內(nèi)電接墊與該芯片的該有源面電性連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含多個(gè)焊球設(shè)置于該重配線基板的這些外電接墊上。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該重配線基板還包含至少一接地線路，連接該第一金屬層與該內(nèi)連接線路。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬層為一導(dǎo)電金屬薄膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬層由多層金屬層堆疊而成。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該重配線基板為重配線薄膜基板。
全文摘要
本發(fā)明是一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括一芯片封裝體與一重配線基板，該重配線基板設(shè)置于芯片封裝體下，并與其電性連接。其中芯片封裝體包括具有一開(kāi)口的一金屬層；設(shè)置于開(kāi)口上的一芯片，芯片的一背面與金屬層的一上表面是朝向同一方向；以及一封膠體，覆蓋芯片的背面與金屬層的上表面，且使芯片的一主動(dòng)面與部分金屬層暴露于封膠體外，以讓重配線基板與芯片電性連接。本發(fā)明利用對(duì)芯片先封裝再與重配線基板結(jié)合，且芯片封裝體內(nèi)設(shè)有金屬層位于與基板的接合面，可增加芯片封裝體與基板之間的接合力以提高工藝良率。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102655097SQ20111010622
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2011年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者卓恩民 申請(qǐng)人:群成科技股份有限公司