專利名稱：陣列基板及其制造方法和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。圖IA為現(xiàn)有TFT-IXD的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖IB為圖IA中沿A-A 線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖IA和圖IB所示，TFT-LCD的陣列基板包括襯底基板1 ；襯底基板1上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線5和柵線2 ；數(shù)據(jù)線5和柵線2圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個像素單元包括TFT開關(guān)、公共電極12和像素電極11 ；TFT開關(guān)包括柵電極 3、源電極7、漏電極8和有源層6 ；柵電極3連接?xùn)啪€2，源電極7連接數(shù)據(jù)線5，漏電極8通過鈍化層過孔連接像素電極11，有源層6形成在源電極7和漏電極8與柵電極3之間，柵電極3和有源層6之間為柵絕緣層4，像素電極11與漏電極8之間為鈍化層9。其中，柵線 2、數(shù)據(jù)線5、柵電極3、源電極7、漏電極8和像素電極11等圖案統(tǒng)稱為導(dǎo)電圖案，柵絕緣層 4和鈍化層9統(tǒng)稱為絕緣層。為了提高公共電極的均勻性，可以采用矩陣公共電極(Matrix Vcom)方法提高顯示質(zhì)量，如圖IA和圖IB所示，在形成像素電極的過程中，可以采用與像素電極相同的材料如ΙΤ0形成公共電極連接線14通過公共電極連接過孔15連通公共電極12。其中，在TN模式下，公共電極可以為類似于條狀的圖案，通常也叫做公共電極線；在 AD-SDS或IPS模式下公共電極可以為整塊圖案。高級超維場開關(guān)技術(shù)(Advanced-Super Dimensional Switching ；簡稱AD-SDQ通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維空間復(fù)合電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-IXD畫面品質(zhì)，具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應(yīng)時間、無擠壓水波紋(push Mura)波紋等優(yōu)點。在刻蝕過程中，連通公共電極連接線14與像素電極11之間容易產(chǎn)生像素電極的材料殘留的現(xiàn)象，導(dǎo)致像素電極11與公共電極12短路，引起TFT-IXD顯示不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，以減少因像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路，提高液晶顯示器的良品率。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極，所述陣列基板上的公共電極之間通過公共電極連接線連通，其中，所述公共電極連接線與所述像素電極之間還包括阻斷塊和阻斷溝槽，形成所述阻斷塊和阻斷溝槽的步驟具體包括在形成柵線、公共電極、柵電極和絕緣層的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成包括阻斷塊的圖案，所述阻斷塊位于所述公共電極連接線與所述像素電極的圖案對應(yīng)的位置之間；在形成上述圖案的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成包括阻斷溝槽的圖案，所述阻斷溝槽位于所述公共電極連接線與所述像素電極的圖案對應(yīng)的位置之間，所述阻斷溝槽將所述阻斷塊的第二部分與所述絕緣層斷開，所述阻斷塊的第一部分與所述絕緣層接觸，所述阻斷塊的第二部分懸空。本發(fā)明又提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上有導(dǎo)電圖案和絕緣層，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極，數(shù)據(jù)線和柵線橫縱交叉圍設(shè)形成多個像素單元，每個像素單元中包括像素電極、柵電極、源電極、漏電極、有源層和公共電極，所述陣列基板上的公共電極之間通過公共電極連接線連通，其中所述公共電極連接線與所述像素電極之間形成有阻斷塊和阻斷溝槽，所述阻斷溝槽將所述阻斷塊的第二部分與所述絕緣層斷開，所述阻斷塊的第一部分與所述絕緣層接觸，所述阻斷塊的第二部分懸空。本發(fā)明還提供一種液晶顯示器，包括液晶面板，其特征在于所述液晶面板包括對盒設(shè)置的彩膜基板和本發(fā)明提供的任一所述的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板中夾設(shè)有液晶層。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，通過在連通公共電極連接線與像素電極之間形成阻斷塊和阻斷溝槽，在形成像素電極時，由于阻斷溝槽與阻斷塊已經(jīng)將鈍化層斷開，形成臺階，可以使像素電極的材料在鈍化層斷開的臺階處斷裂，即使公共電極連接線與像素電極之間存在像素電極的材料殘留，也不會使像素電極與公共電極短路， 因此可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高了良品率。


圖IA為現(xiàn)有TFT-IXD的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為圖IA中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖；圖2B為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制造方法制成的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2C為圖2B中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖；圖;3B為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成柵線、柵電極、公共電極的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3C為圖;3B中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3D為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成柵絕緣層的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3E為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成有源層的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3F為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電
6極和阻斷塊的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3G為圖3F中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖;3H為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成鈍化層后圖3F沿A-A 線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖31為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成阻斷溝槽后圖3F沿 A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3J為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成像素電極和公共電極連接線后圖3F沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖；圖4B為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法中形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4C為圖4B中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4D為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法中形成阻斷溝槽后圖4B沿 A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4E為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法中沉積透明導(dǎo)電薄膜的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4F為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法中形成像素電極的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4G為圖4F中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A為本發(fā)明實施例四提供的陣列基板的制造方法中形成公共電極連接過孔與阻斷溝槽的流程示意圖；圖5B為本發(fā)明實施例四提供的陣列基板的制造方法中形成公共電極連接線與像素電極的流程示意圖；圖6A為本發(fā)明實施例六提供的陣列基板中阻斷塊位置的一種示意圖；圖6B為本發(fā)明實施例六提供的陣列基板中阻斷塊位置的另一種示意圖；圖6C為本發(fā)明實施例六提供的陣列基板中阻斷塊位置的再一種示意圖。主要附圖標(biāo)記1-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；4-柵絕緣層；5-數(shù)據(jù)線；6-有源層；7-源電極；8-漏電極；9-鈍化層；11-像素電極；12-公共電極；14-公共電極連接線；15-公共電極連接過孔；17-阻斷塊； 171-第一部分；172-第二部分；173-第一阻斷塊；174-第二阻斷塊；19-阻斷溝槽。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例一圖2A為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖，圖2B為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制造方法制成的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2C為圖2B中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2B和圖2C所示，該陣列基板的制造方法包括在襯底基板1上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線2、柵電極3、 有源層6、源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5、像素電極11和公共電極12，其中，一個公共電極可以對應(yīng)一個或多個像素單元，公共電極之間可以通過公共電極連接線連接，例如一行像素單元對應(yīng)一個公共電極，或一列像素單元對應(yīng)一個公共電極，或其他形式。其中，公共電極可以與柵線同時形成，也可以與其他層薄膜結(jié)構(gòu)同時形成或是單獨形成。公共電極12互相連接形成矩陣公共電極(MatrixVcom)。其中，公共電極連接線14與像素電極11之間還包括阻斷塊17和阻斷溝槽19，形成阻斷塊17和阻斷溝槽19的步驟具體可以包括步驟101、在形成柵線2、公共電極12、柵電極3和絕緣層20的襯底基板1上，通過構(gòu)圖工藝形成包括阻斷塊17的圖案，所述阻斷塊17位于所述公共電極連接線14與所述像素電極11的圖案對應(yīng)的位置之間；其中，有源層可以包括半導(dǎo)體層和重?fù)诫s半導(dǎo)體層(即歐姆接觸層)，也可以僅包括半導(dǎo)體層。其中，阻斷塊17可以與數(shù)據(jù)線5采用相同的材料同步制成，也可以單獨形成。步驟102、在形成上述圖案的襯底基板1上，通過構(gòu)圖工藝形成包括阻斷溝槽19的圖案，所述阻斷溝槽19位于所述公共電極連接線14與所述像素電極11的圖案對應(yīng)的位置之間，所述阻斷溝槽19將所述阻斷塊17的第二部分172與所述絕緣層20斷開，所述阻斷塊17的第一部分171與所述絕緣層20接觸，所述阻斷塊17的第二部分172懸空。然后，在形成上述圖案的襯底基板1上，形成導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括所述公共電極連接線14的圖案。其中，導(dǎo)電薄膜可以為透明導(dǎo)電薄膜例如ΙΤ0，這種情況下， 公共電極連接線14可以與像素電極11采用相同的材料同步制成、且同層設(shè)置；導(dǎo)電薄膜也可以為非透明導(dǎo)電薄膜，這種情況下，公共電極連接線14可以單獨形成。本實施例通過在連通公共電極連接線與像素電極之間形成阻斷塊和阻斷溝槽，在形成像素電極時，由于阻斷溝槽與阻斷塊已經(jīng)將絕緣層斷開，形成臺階，可以使像素電極的材料在絕緣層斷開的臺階處斷裂，即使經(jīng)過刻蝕后，公共電極連接線與像素電極之間存在像素電極的材料殘留，也不會使像素電極與公共電極短路，因此可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高了液晶顯示器的良品率。實施例二圖3Α為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖，圖:3Β為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成柵線、柵電極、公共電極的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖3C為圖;3Β中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3Α、圖;3Β和圖3C所示，阻斷塊 17可以與源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5同層設(shè)置且同步形成，本實施例中，以絕緣層包括鈍化層9和柵絕緣層4為例，該陣列基板的制造方法具體包括首先，在襯底基板1上先沉積柵極金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成柵線2、柵電極3(以柵電極形成在柵線上為例)、公共電極 12后，沉積一層?xùn)沤^緣層4，如圖3D所示，為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成柵絕緣層的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。接著，在形成上述圖案的襯底基板上，形成有源層薄膜；在所述有源層薄膜上涂覆光刻膠后，采用單色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層的圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域，刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的有源層薄膜形成包括有源層的圖案；去除剩余的光刻膠；經(jīng)過該構(gòu)圖工藝過程形成有源層，如圖3E所示，為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成有源層的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，在圖3E中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)可以參見圖3D，此時公共電極12之上可以覆蓋有柵絕緣層4。然后，形成阻斷塊17、源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5的步驟具體可以包括步驟201、在形成柵線、公共電極、柵電極、柵絕緣層和有源層圖案的襯底基板上， 形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜；步驟202、在所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜上涂覆光刻膠后，采用單色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域，刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的圖案，并刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的有源層形成溝道圖案；其中，阻斷塊的材料可以為數(shù)據(jù)線金屬薄膜的材料，并且與數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極同步形成，不需要增加額外的工藝。步驟203、去除剩余的光刻膠。圖3F為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖3G為圖3F中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖 3F和圖3G所示，在形成有源層6的襯底基板1上，形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜后，涂覆光刻膠，采用單色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影后，刻蝕數(shù)據(jù)線金屬薄膜可以形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7、漏電極8和阻斷塊17的圖案，然后去除剩余的光刻膠，完成一次光刻過程。在通過兩次構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和阻斷塊的圖案之后，在形成上述圖案的襯底基板1上，可以沉積鈍化層9，如圖;3H所示，為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成鈍化層后圖3F沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；然后，通過構(gòu)圖工藝形成刻蝕所述鈍化層9形成包括公共電極連接過孔15和阻斷溝槽19的圖案， 由于柵絕緣層和鈍化層的成分基本一致，刻蝕性質(zhì)相近，且與阻斷層、公共電極層等金屬的刻蝕性質(zhì)不同，因此鈍化層和柵絕緣層可以同時刻蝕，例如采取干刻工藝可以光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的柵絕緣層和鈍化層，形成阻斷溝槽和過孔，不需要增加額外的刻蝕步驟，在不增加額外的成本的情況下，提高了良率。由于柵絕緣層4和鈍化層9為透明絕緣材料，本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成阻斷溝槽的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖可以參見圖3F，并且，圖31為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成阻斷溝槽后圖3F 沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。最后，在形成上述圖案的襯底基板1上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括所述像素電極11和公共電極連接線14的圖案，其中，圖3J為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成像素電極和公共電極連接線后圖3F沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，阻斷塊17和所述阻斷溝槽19位于連通所述公共電極連接線14與所述像素電極11
9之間，公共電極連接線14可以通過公共電極連接過孔15將不同像素對應(yīng)的公共電極12連通，參見圖2B和圖3J。其中，一種情況下，阻斷塊17的第一部分171可以與公共電極12之間形成柵絕緣層4，此時，阻斷溝槽19與公共電極12之間具有交疊區(qū)域；另一種情況下，阻斷塊17的第一部分171可以與襯底基板1之間形成有柵絕緣層4，此時，阻斷溝槽19與公共電極12不具有交疊區(qū)域，而是位于公共電極12與像素電極11之間的區(qū)域，圖:3B到圖31 僅以與公共電極12具有交疊區(qū)域為例進行示意，并非對阻斷塊17和阻斷溝槽19的位置進行限制。并且，阻斷塊17的第一部分既可以在阻斷溝槽19邊上鄰近公共電極12的一邊， 也可以在阻斷溝槽19邊上鄰近像素電極11的一邊，也可以在阻斷溝槽19的兩邊分別存在一個阻斷塊17，這兩個阻斷塊的第二部分都懸空，互相不接觸。本實施例通過在連通公共電極連接線與像素電極之間形成阻斷塊和阻斷溝槽，在形成像素電極時，由于阻斷溝槽與阻斷塊已經(jīng)將鈍化層斷開，形成臺階，可以使像素電極的材料在鈍化層斷開的臺階處斷裂，即使公共電極連接線與像素電極之間存在像素電極的材料殘留，也不會使像素電極與公共電極短路，因此可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高了液晶顯示器的良品率。實施例三圖4A為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖，參見圖4A、圖 3B和圖3C，阻斷塊17可以與有源層6、源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5同層設(shè)置且同步形成， 本實施例中，以絕緣層包括鈍化層9和柵絕緣層4為例，該陣列基板的制造方法具體包括 首先，在襯底基板1上先形成柵線2、柵電極3、公共電極12后，阻斷塊、有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的步驟具體可以包括步驟301、在形成柵線、公共電極、柵電極和柵絕緣層圖案的襯底基板上，依次沉積形成所述有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；步驟302、在所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜上涂覆光刻膠后，采用雙色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度，其中，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)薄膜晶體管有源層之上的溝道區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和阻斷塊的圖案，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；步驟303、刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜，形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的圖案；步驟304、采用灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，即薄膜晶體管有源層之上的溝道區(qū)域的光刻膠被全部去除，光刻膠完全保留區(qū)域，即源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和阻斷塊的圖案之上的仍覆蓋有光刻膠，但厚度變小；步驟305、刻蝕掉所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并刻蝕所述有源層形成溝道圖案(若有源層包括半導(dǎo)體層和重?fù)诫s半導(dǎo)體層，還需刻蝕掉溝道上方的重?fù)诫s半導(dǎo)體層，若有緣層僅包括半導(dǎo)體層僅刻蝕掉數(shù)據(jù)線金屬薄膜即可)；步驟306、去除剩余的光刻膠。圖4B為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法中形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖4C為圖4B中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4B和圖4C所示，在形成柵線2、柵電極3、公共電極12的襯底基板1上，形成有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜后，涂覆光刻膠，采用雙色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影后，刻蝕有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜可以形成包括有源層6、數(shù)據(jù)線5、源電極7、漏電極8和阻斷塊17的圖案，然后去除剩余的光刻膠，完成一次光刻過程，該一次光刻過程為一次構(gòu)圖工藝，其中阻斷塊17之下形成有有源層薄膜的材料。在通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和阻斷塊的圖案后，在形成上述圖案的襯底基板1上，通過沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝刻蝕形成鈍化層9，形成包括阻斷溝槽19和公共電極連接線14的圖案，由于柵絕緣層4和鈍化層9為透明絕緣材料，本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制造方法中形成阻斷溝槽的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖可以參見圖3F，并且，圖4D為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法中形成阻斷溝槽后圖4B沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。最后，在形成上述圖案的襯底基板1上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜可以為像素電極材料ΙΤ0，如圖4E為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法中沉積透明導(dǎo)電薄膜的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。然后通過構(gòu)圖工藝刻蝕該透明導(dǎo)電薄膜形成包括所述像素電極11的圖案，圖4F為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法中形成像素電極的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖4G為圖4F中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，其中，阻斷塊17和所述阻斷溝槽19位于連通所述公共電極連接線14與所述像素電極11之間。阻斷塊17和阻斷溝槽19的位置，既可以與公共電極12具有交疊區(qū)域，也可以與公共電極沒有交疊區(qū)域， 而位于公共電極與像素電極之間的區(qū)域，圖4B到圖4G僅以與公共電極12具有交疊區(qū)域為例進行示意，并非對阻斷塊17和阻斷溝槽19的位置進行限制。并且，阻斷塊17既可以在阻斷溝槽19上鄰近公共電極12的一邊，也可以在阻斷溝槽19上鄰近像素電極11的一邊， 也可以在阻斷溝槽19的兩邊都存在部分的阻斷塊17。本實施例通過在連通公共電極連接線與像素電極之間形成阻斷塊和阻斷溝槽，在形成像素電極時，由于阻斷溝槽與阻斷塊已經(jīng)將鈍化層斷開，形成臺階，可以使像素電極的材料在鈍化層斷開的臺階處斷裂，即使公共電極連接線與像素電極之間存在像素電極的材料殘留，也不會使像素電極與公共電極短路，因此可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高了液晶顯示器的良品率。實施例四圖5A為本發(fā)明實施例四提供的陣列基板的制造方法中形成公共電極連接過孔與阻斷溝槽的流程示意圖，在上述的實施例一、二、三的基礎(chǔ)上，參見圖5A、圖2B和圖2C，該陣列基板上的公共電極連接線14可以通過公共電極連接過孔15連通所述公共電極12，所述公共電極連接過孔15與所述阻斷溝槽19同步形成，參見圖31和圖4D，以絕緣層包括鈍化層9和柵絕緣層4為例，在形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊之后，形成所述公共電極連接過孔與阻斷溝槽的步驟具體包括步驟401、在形成阻斷塊圖案的襯底基板上，形成鈍化層。步驟402、在所述鈍化層之上涂覆光刻膠；步驟403、對光刻膠進行曝光顯影之后，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域包括對應(yīng)阻斷溝槽和公共電極連接過孔的圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；其中，所述對應(yīng)阻斷溝槽和公共電極連接過孔的圖案對應(yīng)阻斷塊的第二部分以及所述阻斷塊與像素電極之間的部分區(qū)域；步驟404、刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層和柵絕緣層形成包括所述阻斷溝槽和公共電極連接過孔的圖案，所述阻斷溝槽包括位于所述阻斷塊的第二部分之下的空間，所述阻斷塊的第一部分位于所述柵絕緣層之上、夾設(shè)在所述鈍化層與柵絕緣層之間。此外，這一步形成的公共電極連接過孔的同時也可以形成連通漏電極與像素電極的過孔。由于柵絕緣層和鈍化層的成分基本一致，刻蝕性質(zhì)相近，且與阻斷層、公共電極層等金屬的刻蝕性質(zhì)不同，因此鈍化層和柵絕緣層可以同時刻蝕，例如采取干刻工藝可以光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的柵絕緣層和鈍化層，形成阻斷溝槽和公共電極連接過孔，不需要增加額外的刻蝕步驟，在不增加額外的成本的情況下，提高了良率。進一步地，在形成了阻斷溝槽與公共電極連接線過孔之后，公共電極連接線與所述像素電極也可以同層設(shè)置且同步形成，圖5B為本發(fā)明實施例四提供的陣列基板的制造方法中形成公共電極連接線與像素電極的流程示意圖，參見圖5A、圖5B、圖4E、圖4F和圖 4G，形成所述公共電極連接線14和像素電極11的步驟具體包括步驟501、在形成所述公共電極連接過孔15和阻斷溝槽19圖案的襯底基板1上， 形成透明導(dǎo)電薄膜；步驟502、在所述透明導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠；步驟503、對光刻膠進行曝光顯影之后，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域包括對應(yīng)所述公共電極連接線14和像素電極11的圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；步驟504、刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述透明導(dǎo)電薄膜形成包括所述公共電極連接線14和像素電極11的圖案。本實施例通過在連通公共電極連接線與像素電極之間形成阻斷塊和阻斷溝槽，在形成像素電極時，由于阻斷溝槽與阻斷塊已經(jīng)將絕緣層斷開，形成臺階，可以使像素電極的材料在絕緣層斷開的臺階處斷裂，即使公共電極連接線與像素電極之間存在像素電極的材料殘留，也不會使像素電極與公共電極短路，因此可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高了液晶顯示器的良品率。實施例五本發(fā)明實施例五提供一種陣列基板，參見圖2B和圖2C，該陣列基板包括襯底基板 1，所述襯底基板1有導(dǎo)電圖案和絕緣層，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線2、柵電極3、有源層6、 源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5、像素電極11和公共電極12，數(shù)據(jù)線5和柵線2橫縱交叉圍設(shè)形成多個像素單元，每個像素單元中包括像素電極11、柵電極3、源電極7、漏電極8、有源層 6和公共電極12，所述陣列基板上的公共電極12之間通過公共電極連接線14連通，其中 所述公共電極連接線14與所述像素電極之間形成有阻斷塊17和阻斷溝槽19，所述阻斷溝槽19將所述阻斷塊17的第二部分172與所述絕緣層20斷開，所述阻斷塊17的第一部分 171與所述絕緣層20接觸，所述阻斷塊17的第二部分172懸空。本實施例的陣列基板可以采用本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的制造方法來制備，形成相應(yīng)的圖案結(jié)構(gòu)。本實施例的陣列基板中，在連通公共電極連接線與像素電極之間形成阻斷塊和阻斷溝槽，由于阻斷溝槽與阻斷塊將鈍化層斷開，形成臺階，可以使像素電極的材料在鈍化層斷開的臺階處斷裂，即使公共電極連接線與像素電極之間存在像素電極殘留，也不會使像素電極與公共電極短路，因此可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高液晶顯示器的良品率。實施例六本發(fā)明實施例六提供一種陣列基板，參見圖3J和圖4G，該陣列基板包括襯底基板 1，所述襯底基板1有導(dǎo)電圖案和絕緣層，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線2、柵電極3、有源層6、 源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5、像素電極11和公共電極12，數(shù)據(jù)線5和柵線2橫縱交叉圍設(shè)形成多個像素單元，每個像素單元中包括像素電極11、柵電極3、源電極7、漏電極8、有源層 6和公共電極12，所述陣列基板上的公共電極12之間通過公共電極連接線14連通，其中 絕緣層可以包括柵絕緣層4和鈍化層9 ；所述阻斷溝槽19將所述阻斷塊17的第二部分與所述鈍化層9和所述柵絕緣層4 斷開，所述阻斷溝槽19包括位于所述阻斷塊17的第二部分之下的空間，所述阻斷塊17的第一部分位于所述柵絕緣層4之上、夾設(shè)在所述鈍化層9與柵絕緣層4之間。其中，所述阻斷塊17可以采用數(shù)據(jù)線金屬薄膜制成，所述阻斷塊17與所述源電極 7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5同層設(shè)置且同步形成。具體形成過程可以參見實施例二中的圖3A-圖 3J及其相關(guān)描述?；蛘?，所述阻斷塊17也可以采用數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜制成，所述阻斷塊17與所述有源層6、源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5同層設(shè)置且同步形成。具體形成過程可以參見實施例三中的圖4A-圖4G及其相關(guān)描述。此外，阻斷塊的位置可以包括多種情況一種情況下，所述阻斷塊17的第一部分與所述公共電極12之間形成有絕緣層，其中，阻斷塊17的第一部分與公共電極12之間形成有絕緣層的示例可以參見圖2C、圖3J、圖 4G及其相關(guān)描述。這種情況下，參見圖2C，阻斷塊17可以夾設(shè)在阻斷溝槽19邊上鄰近公共電極12的一邊，將阻斷塊17的第一部分171鄰近所述公共電極12設(shè)置，所述阻斷塊的第二部分鄰近所述像素電極設(shè)置。圖6A為本發(fā)明實施例六提供的陣列基板中阻斷塊位置的一種示意圖，參見圖6A，也可以將阻斷塊17的第一部分171鄰近所述像素電極11設(shè)置， 所述阻斷塊17的第二部分172鄰近所述公共電極12設(shè)置，阻斷塊17的第一部分171夾設(shè)在柵絕緣層4與鈍化層9之間，阻斷塊17的第二部分172懸空，與柵絕緣層4、鈍化層9都不接觸。另一種情況下，所述阻斷塊17的第一部分與所述襯底基板1之間形成有絕緣層。 這種情況下，既可以將阻斷塊的第一部分鄰近所述像素電極設(shè)置，所述阻斷塊的第二部分鄰近所述公共電極設(shè)置。也可以將阻斷塊的第一部分鄰近所述公共電極設(shè)置，所述阻斷塊的第二部分鄰近所述像素電極設(shè)置，圖6B為本發(fā)明實施例六提供的陣列基板中阻斷塊位置的另一種示意圖，如圖6B所示，如果公共電極12為條形結(jié)構(gòu)，阻斷塊17的第一部分171 可以與公共電極12沒有交疊區(qū)域，而是與襯底基板1之間形成有柵絕緣層4，并且夾設(shè)在柵絕緣層4與鈍化層9之間，并且阻斷塊17的第二部分172懸空，與柵絕緣層4、鈍化層9都不接觸。再一種情況下，圖6C為本發(fā)明實施例六提供的陣列基板中阻斷塊位置的再一種示意圖，如圖6C所示，所述阻斷塊包括第一阻斷塊173和第二阻斷塊174，所述第一阻斷塊173的第一部分鄰近所述像素電極設(shè)置，所述第一阻斷塊173的第二部分鄰近所述公共電極設(shè)置；所述第二阻斷塊174的第一部分鄰近所述公共電極設(shè)置，所述第二阻斷塊174的第二部分鄰近所述像素電極設(shè)置；所述阻斷溝槽19形成在所述第一阻斷塊173和所述第二阻斷塊174之間以及所述第一阻斷塊173的第二部分和所述第二阻斷塊174的第二部分之下。其中，第一阻斷塊173的第二部分和所述第二阻斷塊174的第二部分之間不接觸，且與鈍化層9和柵絕緣層4都不接觸；第一阻斷塊173的第一部分與第二阻斷塊174的第一部分都可以夾設(shè)在鈍化層9和柵絕緣層4之間。進一步地，參見圖2C、圖3J、圖4G，公共電極連接線14與所述像素電極11可以同層設(shè)置且同步形成，具體形成的方法可以參見上述實施例二、三、四中的相關(guān)描述。本實施例的陣列基板可以采用本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的制造方法來制備，形成相應(yīng)的圖案結(jié)構(gòu)。本實施例的陣列基板中，在連通公共電極連接線與像素電極之間形成阻斷塊和阻斷溝槽，由于阻斷溝槽與阻斷塊將鈍化層斷開，形成臺階，可以使像素電極的材料在鈍化層斷開的臺階處斷裂，即使公共電極連接線與像素電極之間存在像素電極殘留，也不會使像素電極與公共電極短路，因此可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高液晶顯示器的良品率。實施例七本發(fā)明實施例七提供一種液晶顯示器，包括液晶面板，其中所述液晶面板包括對盒設(shè)置的彩膜基板和本發(fā)明實施例提供的任一陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板中夾設(shè)有液晶層。本實施例液晶顯示器的陣列基板中，在連通公共電極連接線與像素電極之間形成阻斷塊和阻斷溝槽，由于阻斷溝槽與阻斷塊將鈍化層斷開，形成臺階，可以使像素電極的材料在鈍化層斷開的臺階處斷裂，即使公共電極連接線與像素電極之間存在像素電極殘留， 也不會使像素電極與公共電極短路，因此可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高液晶顯示器的良品率。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
1權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極，所述陣列基板上的公共電極之間通過公共電極連接線連通，其特征在于，所述公共電極連接線與所述像素電極之間還包括阻斷塊和阻斷溝槽，形成所述阻斷塊和阻斷溝槽的步驟具體包括在形成柵線、公共電極、柵電極和絕緣層的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成包括阻斷塊的圖案，所述阻斷塊位于所述公共電極連接線與所述像素電極的圖案對應(yīng)的位置之間；在形成上述圖案的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成包括阻斷溝槽的圖案，所述阻斷溝槽位于所述公共電極連接線與所述像素電極的圖案對應(yīng)的位置之間，所述阻斷溝槽將所述阻斷塊的第二部分與所述絕緣層斷開，所述阻斷塊的第一部分與所述絕緣層接觸，所述阻斷塊的第二部分懸空。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述阻斷塊與所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且同步形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層包括鈍化層和柵絕緣層，形成所述阻斷塊、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的步驟具體包括在形成柵線、公共電極、柵電極、柵絕緣層和有源層圖案的襯底基板上，形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜；在所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜上涂覆光刻膠后，采用單色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影， 形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域，刻蝕所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的圖案，并刻蝕所述有源層形成溝道圖案；去除剩余的光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述阻斷塊與所述有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且同步形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層包括鈍化層和柵絕緣層，形成所述阻斷塊、有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的步驟具體包括在形成柵線、公共電極、柵電極和柵絕緣層的襯底基板上，形成有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；在所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜上涂覆光刻膠后，采用雙色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影， 形成包括光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度， 所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)薄膜晶體管有源層之上的溝道區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和阻斷塊的圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜，形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和阻斷塊的圖案；去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并刻蝕所述有源層形成溝道圖案；去除剩余的光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述公共電極連接線通過公共電極連接過孔連通所述公共電極，所述公共電極連接過孔與所述阻斷溝槽同步形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層包括鈍化層和柵絕緣層，形成所述公共電極連接過孔與阻斷溝槽的步驟具體包括在形成阻斷塊圖案的襯底基板上，形成鈍化層；在所述鈍化層之上涂覆光刻膠；對光刻膠進行曝光顯影之后，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域包括對應(yīng)阻斷溝槽和公共電極連接過孔的圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；其中，所述對應(yīng)阻斷溝槽和公共電極連接過孔的圖案對應(yīng)阻斷塊的第二部分以及所述阻斷塊與像素電極之間的部分區(qū)域；刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層和柵絕緣層形成包括所述阻斷溝槽和公共電極連接過孔的圖案，所述阻斷溝槽包括位于所述阻斷塊的第二部分之下的空間，所述阻斷塊的第一部分位于所述柵絕緣層之上、夾設(shè)在所述鈍化層與柵絕緣層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述公共電極連接線與所述像素電極同層設(shè)置且同步形成，形成所述公共電極連接線和像素電極的步驟具體包括在形成所述公共電極連接過孔和阻斷溝槽圖案的襯底基板上，形成透明導(dǎo)電薄膜；在所述透明導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠；對光刻膠進行曝光顯影之后，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域包括對應(yīng)所述公共電極連接線和像素電極的圖案， 所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述透明導(dǎo)電薄膜形成包括所述公共電極連接線和像素電極的圖案。
9.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上有導(dǎo)電圖案和絕緣層，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極，數(shù)據(jù)線和柵線橫縱交叉圍設(shè)形成多個像素單元，每個像素單元中包括像素電極、柵電極、源電極、漏電極、有源層和公共電極，所述陣列基板上的公共電極之間通過公共電極連接線連通，其特征在于所述公共電極連接線與所述像素電極之間形成有阻斷塊和阻斷溝槽，所述阻斷溝槽將所述阻斷塊的第二部分與所述絕緣層斷開，所述阻斷塊的第一部分與所述絕緣層接觸，所述阻斷塊的第二部分懸空。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述阻斷塊采用數(shù)據(jù)線金屬薄膜制成，所述阻斷塊與所述源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且同步形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于所述阻斷塊采用數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜制成，所述阻斷塊與所述有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且同步形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層包括柵絕緣層和鈍化層；所述阻斷溝槽將所述阻斷塊的第二部分與所述鈍化層和所述柵絕緣層斷開，所述阻斷溝槽包括位于所述阻斷塊的第二部分之下的空間，所述阻斷塊的第一部分位于所述柵絕緣層之上、夾設(shè)在所述鈍化層與柵絕緣層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一所述的陣列基板，其特征在于所述阻斷塊的第一部分與所述公共電極之間形成有絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一所述的陣列基板，其特征在于所述阻斷塊的第一部分與所述襯底基板之間形成有絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一所述的陣列基板，其特征在于所述阻斷塊的第一部分鄰近所述像素電極設(shè)置，所述阻斷塊的第二部分鄰近所述公共電極設(shè)置。
16.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一所述的陣列基板，其特征在于所述阻斷塊的第一部分鄰近所述公共電極設(shè)置，所述阻斷塊的第二部分鄰近所述像素電極設(shè)置。
17.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一所述的陣列基板，其特征在于所述阻斷塊包括第一阻斷塊和第二阻斷塊，所述第一阻斷塊的第一部分鄰近所述像素電極設(shè)置，所述第一阻斷塊的第二部分鄰近所述公共電極設(shè)置；所述第二阻斷塊的第一部分鄰近所述公共電極設(shè)置，所述第二阻斷塊的第二部分鄰近所述像素電極設(shè)置；所述阻斷溝槽形成在所述第一阻斷塊和所述第二阻斷塊之間以及所述第一阻斷塊第二部分和所述第二阻斷塊第二部分之下。
18.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極連接線與所述像素電極同層設(shè)置且同步形成。
19.一種液晶顯示器，包括液晶面板，其特征在于所述液晶面板包括對盒設(shè)置的彩膜基板和權(quán)利要求9-18任一所述的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板中夾設(shè)有液晶層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，該陣列基板的制造方法包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極，所述陣列基板上的公共電極之間通過公共電極連接線連通，其中，所述公共電極連接線與所述像素電極之間還包括阻斷塊和阻斷溝槽，形成所述阻斷塊和阻斷溝槽的步驟具體包括在形成柵線、公共電極、柵電極和絕緣層的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成包括阻斷塊的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成包括阻斷溝槽的圖案。本發(fā)明可以解決像素電極的材料殘留導(dǎo)致像素電極與公共電極短路的問題，提高良品率。
文檔編號H01L27/12GK102468308SQ20111010223
公開日2012年5月23日 申請日期2011年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月28日
發(fā)明者姚琪, 崔承鎮(zhèn), 張鋒, 惠官寶, 戴天明 申請人:京東方科技集團股份有限公司