專利名稱：芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種在基板上形成有刻痕圖案的芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的發(fā)光二極管元件在封裝制作工藝中，是利用透光樹脂材料由預(yù)設(shè)的注膠孔注入，并充滿于模具與基板之間的空隙中，使其完全包覆住發(fā)光二極管元件。待透光樹酯材料以高溫短烤I小時(shí)，使其脫模之后，方可成型為固態(tài)的透鏡。此外，為了確保透鏡內(nèi)部的 硬化，須將巳離模的半成品再放入烤箱長(zhǎng)烤，長(zhǎng)烤的時(shí)間長(zhǎng)達(dá)數(shù)小時(shí)，方能完成整個(gè)成型的作業(yè)，故傳統(tǒng)的成型作業(yè)存有如下的缺點(diǎn)(一)制作工藝過于繁復(fù)，而且短烤加上長(zhǎng)烤的時(shí)間太長(zhǎng)，故生產(chǎn)成本偏高，效能低落，不利于大量生產(chǎn)。(二)成型模具一次只能生產(chǎn)單一規(guī)格尺寸的透鏡，無法符合客制化的需求。(三)成型模具的精度要求高、容易因受熱變形而損壞，且在成型的過程中，模具中熔融的樹酯材料流動(dòng)速度不易控制，常導(dǎo)致成品內(nèi)有氣泡產(chǎn)生，影響良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其在基板上形成有刻痕圖案，以克服現(xiàn)有使用成型模具的缺點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一芯片、一基板以及一第一透鏡?；寰哂幸还叹^(qū)以及一點(diǎn)膠區(qū)，芯片配置于固晶區(qū)上，點(diǎn)膠區(qū)環(huán)繞于固晶區(qū)的周圍，且點(diǎn)膠區(qū)上形成有一第一刻痕圖案。第一透鏡覆蓋芯片以及第一刻痕圖案，第一透鏡未固化時(shí)為一第一液態(tài)物，第一液態(tài)物由固晶區(qū)往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)時(shí)，通過第一刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一芯片、一基板以及一透鏡?；寰哂幸还叹^(qū)以及一點(diǎn)膠區(qū)，芯片配置于固晶區(qū)上，點(diǎn)膠區(qū)環(huán)繞于固晶區(qū)的周圍，且點(diǎn)膠區(qū)上形成有一第一刻痕圖案以及一第二刻痕圖案。第一刻痕圖案位于第二刻痕圖案的外圍。透鏡覆蓋芯片、第一刻痕圖案以及第二刻痕圖案，透鏡未固化時(shí)為一液態(tài)物，當(dāng)液態(tài)物由固晶區(qū)往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)的外圍時(shí)，通過第一刻痕圖案與第二刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一芯片、一基板、一第一透鏡以及一第二透鏡?；寰哂幸还叹^(qū)以及一點(diǎn)膠區(qū)，芯片配置于固晶區(qū)上，點(diǎn)膠區(qū)環(huán)繞于固晶區(qū)的周圍，且點(diǎn)膠區(qū)上形成有一第一刻痕圖案、一第二刻痕圖案以及一第三刻痕圖案。第一刻痕圖案位于第二刻痕圖案的外圍。第二刻痕圖案位于第三刻痕圖案的外圍。第一透鏡覆蓋芯片以及第三刻痕圖案，第一透鏡未固化時(shí)為一第一液態(tài)物，當(dāng)?shù)谝灰簯B(tài)物由固晶區(qū)往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)時(shí)，通過第三刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)中。此外，第二透鏡覆蓋第一透鏡、第一刻痕圖案以及第二刻痕圖案，第二透鏡未固化時(shí)為一第二液態(tài)物，當(dāng)?shù)诙簯B(tài)物由第一透鏡的周圍往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)的外圍時(shí)，通過第一刻痕圖案與第二刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)中。為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下


圖IA及圖IB為本發(fā)明一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖；圖2A及圖2B為本發(fā)明另一實(shí)施例的 芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖；圖3A及圖3B為本發(fā)明一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖；圖4A及圖4B為本發(fā)明另一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖；圖5A及圖5B為本發(fā)明一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖；圖6A及圖6B為本發(fā)明一實(shí)施例的芯片110封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖；圖7 圖10分別為本發(fā)明四個(gè)不同實(shí)施例的刻痕圖案的俯視示意圖；圖11為本發(fā)明基板與未固化的透鏡之間作用力的示意圖。主要元件符號(hào)說明100、200、300、400 :芯片封裝結(jié)構(gòu)110、210、310、410、510 :芯片112、212、312、412 :第一刻痕圖案112a、112b、212a、212b、312a、412a :第一刻痕120、220、320、420、520 :基板122、222、322、422 :固晶區(qū)124、224、324、似4 :點(diǎn)膠區(qū)130,230,430 :第一透鏡232,432 :第二透鏡214、314、414 :第二刻痕圖案214a、214b、314a、414a :第二刻痕330a :第一凸部330b :第二凸部416 :第三刻痕圖案416a:第三刻痕512、516、517、518 :圓形刻痕514,522 :輻射形刻痕524 :刻痕圖案526 :液態(tài)物530:凸透鏡540:點(diǎn)膠口A、B:箭頭SD、SDI、SD2、SD3 :斜面
W:寬度T :表面張力F:附著力0 :角度
具體實(shí)施例方式本實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)，是在基板上形成有刻痕圖案?？毯蹐D案位 于基板的點(diǎn)膠區(qū)中，可使未固化的透鏡在點(diǎn)膠區(qū)中自動(dòng)擴(kuò)散成型于一定區(qū)域內(nèi)。因此，透鏡在成型的過程中，可通過不同疏密分布或是不同長(zhǎng)度的刻痕(或溝槽)來增加基板與透鏡之間的附著力(或阻力)，以成型為預(yù)定尺寸的透鏡。以下就不同實(shí)施態(tài)樣的芯片封裝結(jié)構(gòu)逐一說明，但各個(gè)實(shí)施例并不限定只能采用一種刻痕圖案，各個(gè)實(shí)施例也可采用其他不同刻痕圖案或其組合。第一實(shí)施例圖IA及圖IB繪示依照一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖。圖2A及圖2B繪示依照另一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖1A、圖1B、圖2A及圖2B，芯片封裝結(jié)構(gòu)100包括一芯片110、一基板120以及一第一透鏡130?；?20具有一固晶區(qū)122以及一點(diǎn)膠區(qū)124，芯片110配置于固晶區(qū)122上，點(diǎn)膠區(qū)124環(huán)繞于固晶區(qū)122的周圍，且點(diǎn)膠區(qū)124上形成有一第一刻痕圖案112。第一透鏡130覆蓋芯片110以及第一刻痕圖案112，第一透鏡130未固化時(shí)為一第一液態(tài)物(見圖11)，第一液態(tài)物由固晶區(qū)122往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)124時(shí)，通過第一刻痕圖案112的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)124中。在一實(shí)施例中，第一刻痕圖案112包括多個(gè)呈放射狀的第一刻痕112a，其可通過刀具在基板120上刻劃而形成。基板120例如為散熱用的招基板,而芯片110的底面可通過表面粘著的導(dǎo)熱膠固定在基板120的固晶區(qū)122上，以增加芯片110的散熱能力。此外，基板120例如為印刷電路基板、薄膜電路板或?qū)Ь€型電路板,而芯片110可通過導(dǎo)電凸塊與基板120的電極電連接，以固定在基板120的固晶區(qū)122上。另外，以點(diǎn)膠機(jī)提供的第一液態(tài)物可通過熱固化或光固化而成型為固態(tài)的第一透鏡130，因此不需通過成形模具，以減少模具的損耗及開模的成本。再者，芯片110例如為發(fā)光二極管芯片，可作為點(diǎn)光源或陣列光源。在圖IA及圖IB中，第一刻痕圖案112由中央的固晶區(qū)122往點(diǎn)膠區(qū)124的外圍延伸，以形成多個(gè)等長(zhǎng)且呈放射狀的第一刻痕112a。此些第一刻痕112a的深度由內(nèi)向外依序遞減，以形成一斜面SD于各個(gè)第一刻痕112a的底部。此外,在圖IB的放大區(qū)域中，第一刻痕112a的寬度W也可由內(nèi)向外依序遞減，以形成尖銳的三角形刻痕。因此，未固化的第一透鏡130向外流經(jīng)各個(gè)第一刻痕112a內(nèi)時(shí)，其流動(dòng)的速度會(huì)受到各個(gè)刻痕方向的斜面SD的附著力而越來越慢，最后靜止不動(dòng)，并通過透鏡130本身的內(nèi)聚力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)124中，以形成一半球體的凸透鏡。另外，在圖2A及圖2B中，第一刻痕圖案112形成多個(gè)不等長(zhǎng)且呈放射狀的第一刻痕112a及112b，其作用與上述實(shí)施例中等長(zhǎng)的第一刻痕112a—樣，在此不再贅述。不同的是，較短的第一刻痕112b密集地排列于固晶區(qū)122的周圍，而較長(zhǎng)的第一刻痕112a由中央的固晶區(qū)122往點(diǎn)膠區(qū)124的外圍延伸，且較長(zhǎng)的第一刻痕112a與較短的第一刻痕112b交錯(cuò)排列。由于固晶區(qū)122周圍的刻痕數(shù)量較多，相對(duì)地附著力也較大，因此未固化的第一透鏡130更容易聚集在固晶區(qū)122周圍，使得固化后的第一透鏡130其整體高度增加，進(jìn)而改變第一透鏡130的曲率。第二實(shí)施例圖3A及圖3B繪示依照一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖。圖4A及圖4B繪示依照另一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖3A、圖3B、圖4A及圖4B，芯片封裝結(jié)構(gòu)200包括一芯片210、一基板220、一第一透鏡230以及一第二透鏡232?；?20具有一固晶區(qū)222以及一點(diǎn)膠區(qū)224，芯片210配置于固晶區(qū)222上，點(diǎn)膠區(qū)224環(huán)繞于固晶區(qū)222的周圍，且點(diǎn)膠區(qū)224上形成有一第一刻痕圖案212以及一第二刻痕圖案214。第二刻痕圖案214位于第一刻痕圖案212的外圍。第一透鏡230覆蓋芯片210以及第一刻痕圖案212，第一透鏡230未固化時(shí)為一第一液態(tài)物(見圖 11)，第一液態(tài)物可由固晶區(qū)222往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)224時(shí)，通過第一刻痕圖案212的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)224中。此外，第二透鏡232覆蓋第一透鏡230以及第二刻痕圖案214，第二透鏡232未固化時(shí)為一第二液態(tài)物(見圖11)，當(dāng)?shù)诙簯B(tài)物由第一透鏡230的周圍往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)224的外圍時(shí)，通過第二刻痕圖案214的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)224中。在一實(shí)施例中，第一刻痕圖案212與第二刻痕圖案214分別包括多個(gè)呈放射狀的第一刻痕212a與第二刻痕214a。第一刻痕212a與第二刻痕214a的深度由內(nèi)向外依序遞減，以分別形成一斜面SD于各個(gè)刻痕的底部。在圖3B中，第一刻痕212a的長(zhǎng)度小于第二刻痕214a的長(zhǎng)度，且不同方向的多個(gè)第一刻痕212a與多個(gè)第二刻痕214a交錯(cuò)排列于固晶區(qū)222的周圍。由于第一刻痕212a的長(zhǎng)度較短，因此未固化的第一透鏡230向外流經(jīng)各個(gè)第一刻痕212a內(nèi)時(shí)，其流動(dòng)的速度會(huì)受到各個(gè)刻痕方向的斜面SD的附著力而越來越慢，最后靜止不動(dòng)，并通過透鏡230本身的內(nèi)聚力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)224中央，以形成一半球體的凸透鏡。此外，未固化的第二透鏡232向外流經(jīng)長(zhǎng)度較長(zhǎng)的各個(gè)第二刻痕214a內(nèi)時(shí)，其流動(dòng)的速度也會(huì)受到各個(gè)刻痕方向的斜面SD的附著力而越來越慢，最后靜止不動(dòng)，并通過第二透鏡232本身的內(nèi)聚力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)224的外圍，以形成體積更大的凸透鏡，并包覆于第一透鏡230的外圍。同樣的原理，在圖4A及圖4B中，第二刻痕圖案214包括多個(gè)呈放射狀的較短的第二刻痕214b，其作用與上述實(shí)施例中較長(zhǎng)的第二刻痕214a—樣，在此不再贅述。不同的是，本實(shí)施例的第二刻痕214b與第一刻痕212b的長(zhǎng)度差異不大，且各個(gè)第二刻痕214b的位置與各個(gè)第一刻痕212b的位置大致上對(duì)齊而位于同一刻痕方向上。此外，第一刻痕212b的尖端與第二刻痕214b的末端可相連或不相連。當(dāng)兩者彼此相連時(shí)，則可形成連續(xù)的鋸齒狀刻痕。在一實(shí)施例中，第一透鏡230與第二透鏡232的折射率可以相同或不相同。當(dāng)折射率不同時(shí)，光折射的角度也會(huì)不同，進(jìn)而改變出光的角度。此外，第一透鏡230與第二透鏡232中至少其中之一可添加熒光劑或其他調(diào)色劑，以調(diào)整出射的光線中各色光的比例。第三實(shí)施例圖5A及圖5B繪示依照一實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖。請(qǐng)參考圖5A及圖5B，芯片封裝結(jié)構(gòu)300包括一芯片310、一基板320以及一透鏡330?；?20具有一固晶區(qū)322以及一點(diǎn)膠區(qū)324，芯片310配置于固晶區(qū)322上，點(diǎn)膠區(qū)324環(huán)繞于固晶區(qū)322的周圍，且點(diǎn)膠區(qū)324上形成有一第一刻痕圖案312以及一第二刻痕圖案314。第一刻痕圖案312位于第二刻痕圖案314的外圍。透鏡330覆蓋芯片310、第一刻痕圖案312以及第二刻痕圖案314，透鏡330未固化時(shí)為一液態(tài)物(見圖11)，當(dāng)液態(tài)物由固晶區(qū)322往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)324的外圍時(shí)，通過第一刻痕圖案312與第二刻痕圖案314的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)324中。在一實(shí)施例中，第一刻痕圖案312與第二刻痕圖案314分別包括多個(gè)呈放射狀的第一刻痕312a與第二刻痕314a。第一刻痕312a的深度由內(nèi)向外依序遞減，以形成一第一斜面SDl于各個(gè)第一刻痕312a的底部。與上述實(shí)施例不同的是，第二刻痕314a的深度由內(nèi)向外依序遞增，以形成一第二斜面S D2于各個(gè)第二刻痕314a的底部，如圖5A所示。此外，在圖5B的放大區(qū)域中，第二刻痕314a的寬度也可由內(nèi)向外依序遞增，以形成尖銳的三角形亥IJ痕。由于第二刻痕314a的傾斜角度與第一刻痕312a的傾斜角度相反，因此未固化的絕大部分液態(tài)物會(huì)內(nèi)聚于透鏡330的外圍而形成一第一凸部330a，一部分的液態(tài)物會(huì)內(nèi)聚于透鏡330的中央而形成一第二凸部330b。因此，在圖5A中，成型后的透鏡330不會(huì)成為中央凸起的半球體狀透鏡，而是成為周圍凸起的雙曲面透鏡，用于改變透鏡330的曲率。第四實(shí)施例圖6A及圖6B繪示依照一實(shí)施例的芯片110封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖及俯視示意圖。請(qǐng)參考圖6A及圖6B，芯片封裝結(jié)構(gòu)400包括一芯片410、一基板420、一第一透鏡430以及一第二透鏡432。基板420具有一固晶區(qū)422以及一點(diǎn)膠區(qū)424，芯片410配置于固晶區(qū)422上，點(diǎn)膠區(qū)424環(huán)繞于固晶區(qū)422的周圍，且點(diǎn)膠區(qū)424上形成有一第一刻痕圖案412、一第二刻痕圖案414以及一第三刻痕圖案416。第一刻痕圖案412位于第二刻痕圖案414的外圍。第二刻痕圖案414位于第三刻痕圖案416的外圍。第一透鏡430覆蓋芯片410以及第三刻痕圖案416,第一透鏡430未固化時(shí)為一第一液態(tài)物(見圖11)，當(dāng)?shù)谝灰簯B(tài)物由固晶區(qū)422往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)424時(shí)，通過第三刻痕圖案416的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)424中。此外，第二透鏡432覆蓋第一透鏡430、第一刻痕圖案412以及第二刻痕圖案414，第二透鏡432未固化時(shí)為一第二液態(tài)物(見圖11)，當(dāng)?shù)诙簯B(tài)物由第一透鏡430的周圍往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)424的外圍時(shí)，通過第一刻痕圖案412與第二刻痕圖案414的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)424中。在一實(shí)施例中，第一刻痕圖案412、第二刻痕圖案414與第三刻痕圖案416分別包括多個(gè)呈放射狀的第一刻痕412a、第二刻痕412a與第三刻痕412a。第一刻痕412a與第二刻痕414a的配置方式與上述實(shí)施例相同，因此在本實(shí)施例中，成型后的第二透鏡432不會(huì)成為中央凸起的半球體狀透鏡，而是成為周圍凸起的雙曲面透鏡，用于改變第二透鏡432的曲率。不同的是，本實(shí)施例的第三刻痕416a配置于點(diǎn)膠區(qū)424的最內(nèi)緣，且第三刻痕416a的深度由內(nèi)向外依序遞減，以形成一第三斜面SD3于各個(gè)第三刻痕416a的底部。因此，未固化的第一透鏡430向外流經(jīng)各個(gè)第三刻痕416a內(nèi)時(shí),可通過第三斜面SD3的附著力而內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)424中，以形成一半球體的凸透鏡。在一實(shí)施例中，第一透鏡430與第二透鏡432的折射率可以相同或不相同。當(dāng)折射率不同時(shí)，光折射的角度也會(huì)不同，進(jìn)而改變出光的角度。此外，第一透鏡430與第二透鏡432中至少其中之一可添加熒光劑或其他調(diào)色劑，以調(diào)整出射的光線中各色光的比例。其他實(shí)施例
圖7 圖10繪示依照四個(gè)不同實(shí)施例的刻痕圖案的俯視示意圖。除了上述實(shí)施例所介紹的放射狀刻痕圖案之外，第一刻痕圖案與第二刻痕圖案的形狀也可包括圓形、輻射形或其組合。請(qǐng)參考圖7及圖8，刻痕圖案包括由位于外圍的一圓形刻痕512以及位于內(nèi)部的多個(gè)輻射形刻痕514所組成。輻射形刻痕514的長(zhǎng)度可調(diào)，且位置不限，例如集中于固晶區(qū)的周圍或點(diǎn)膠區(qū)的外圍。此外，請(qǐng)參考圖9，刻痕圖案包括由多個(gè)同心的圓形刻痕516、517、518所組成。此些圓形刻痕的數(shù)量及尺寸可變。另外，請(qǐng)參考圖10，刻痕圖案包括由多個(gè)呈花瓣?duì)畹妮椛湫慰毯?22所組成，但也可為其他類似的形狀。此些刻痕圖案雖然在形狀上有所不同，但均能通過不同疏密分布或是不同長(zhǎng)度的刻痕(或溝槽)來增加基板與透鏡之間的附著力(或阻力)，以使透鏡內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)中。請(qǐng)參考圖11，其繪示基板與未固化的透鏡之間作用力的示意圖。箭頭A表示流動(dòng)的液態(tài)物526由點(diǎn)膠口 540流出至芯片510的上方，而箭頭B表示流動(dòng)的液態(tài)物526往芯片510的周圍流動(dòng)，并流經(jīng)刻痕圖案524內(nèi)。最后，液態(tài)物526通過本身的表面張力T以及基板520與液態(tài)物526之間的附著力F而內(nèi)聚于基板520上，以形成一凸透鏡530。在本實(shí) 施例中，可通過調(diào)整刻痕的深度以及傾斜的角度來形成不同曲率的凸透鏡?？毯鄣纳疃仍缴?，傾斜的角度也越大。在圖11中，附著力F沿著刻痕的斜面傾斜一角度0，例如小于或等于120度，較佳為小于或等于60度。當(dāng)傾斜的角度大于90度時(shí)，將可形成倒勾結(jié)構(gòu)于基板520內(nèi)，基板520的倒勾結(jié)構(gòu)可通過復(fù)合板組合來實(shí)現(xiàn)，以克服單一材料無法以機(jī)械加工方式制作的問題，并且點(diǎn)膠時(shí)可在真空的環(huán)境下完成，以避免空氣滯留于倒勾結(jié)構(gòu)中。此外，刻痕的深度/寬度比值介于0. 5 20之間。當(dāng)刻痕的深度/寬度比值小于0. 5時(shí)，液態(tài)物526不容易通過毛細(xì)現(xiàn)象附著在基板520上，而當(dāng)刻痕的深度/寬度比值大于20時(shí)，基板520的厚度相對(duì)增加，且刻痕的深度太深不易制作。相對(duì)于使用成型模具而言，點(diǎn)膠的成本低，效率高，可大量生產(chǎn)，并可生產(chǎn)不同規(guī)格尺寸的單層透鏡或多層透鏡，以符合客制化的需求。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括 心片； 基板，具有固晶區(qū)以及點(diǎn)膠區(qū)，該芯片配置于該固晶區(qū)上，該點(diǎn)膠區(qū)環(huán)繞于該固晶區(qū)的周圍，且該點(diǎn)膠區(qū)上形成有第一刻痕圖案；以及 第一透鏡，覆蓋該芯片以及該第一刻痕圖案，該第一透鏡未固化時(shí)為一第一液態(tài)物，該第一液態(tài)物由該固晶區(qū)往外流動(dòng)至該點(diǎn)膠區(qū)時(shí)，通過該第一刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于該點(diǎn)膠區(qū)中。
2.如權(quán)利要求I所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一刻痕圖案包括多個(gè)呈放射狀的第一刻痕。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該些第一刻痕的深度由內(nèi)向外依序遞減，以形成一斜面。
4.如權(quán)利要求I所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該點(diǎn)膠區(qū)上還形成有第二刻痕圖案，位于該第一刻痕圖案的外圍，該芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括第二透鏡，覆蓋該第一透鏡以及該第二刻痕圖案，該第二透鏡未固化時(shí)為一第二液態(tài)物，當(dāng)該第二液態(tài)物由該第一透鏡的周圍往外流動(dòng)至該點(diǎn)膠區(qū)的外圍時(shí)，通過該第二刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于該點(diǎn)膠區(qū)中。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該第二刻痕圖案包括多個(gè)呈放射狀的第二刻痕。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該些第二刻痕的深度由內(nèi)向外依序遞減，以形成一斜面。
7.如權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一刻痕圖案與該第二刻痕圖案的形狀包括圓形、輻射形或其組合。
8.—種芯片封裝結(jié)構(gòu),包括 芯片； 基板，具有固晶區(qū)以及點(diǎn)膠區(qū)，該芯片配置于該固晶區(qū)上，該點(diǎn)膠區(qū)環(huán)繞于該芯片的周圍，且該點(diǎn)膠區(qū)上形成有第一刻痕圖案以及第二刻痕圖案，該第一刻痕圖案位于該第二刻痕圖案的外圍；以及 透鏡，覆蓋該芯片、該第一刻痕圖案以及該第二刻痕圖案，該透鏡未固化時(shí)為一液態(tài)物，當(dāng)該液態(tài)物由該固晶區(qū)往外流動(dòng)至該點(diǎn)膠區(qū)的外圍時(shí)，通過該第一刻痕圖案與該第二刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于該點(diǎn)膠區(qū)中。
9.一種芯片封裝結(jié)構(gòu),包括 芯片； 基板，具有固晶區(qū)以及點(diǎn)膠區(qū)，該芯片配置于該固晶區(qū)上，該點(diǎn)膠區(qū)環(huán)繞于該芯片的周圍，且該點(diǎn)膠區(qū)上形成有第一刻痕圖案、第二刻痕圖案以及第三刻痕圖案，該第一刻痕圖案位于該第二刻痕圖案的外圍，該第二刻痕圖案位于該第三刻痕圖案的外圍； 第一透鏡，覆蓋該芯片以及該第三刻痕圖案，該第一透鏡未固化時(shí)為一第一液態(tài)物，當(dāng)該第一液態(tài)物由該固晶區(qū)往外流動(dòng)至該點(diǎn)膠區(qū)時(shí)，通過該第三刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于該點(diǎn)膠區(qū)中；以及 第二透鏡，覆蓋該第一透鏡、該第一刻痕圖案以及該第二刻痕圖案，該第二透鏡未固化時(shí)為一第二液態(tài)物，當(dāng)該第二液態(tài)物由該第一透鏡的周圍往外流動(dòng)至該點(diǎn)膠區(qū)的外圍時(shí)，通過該第一刻痕圖案與該第二刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于該點(diǎn)膠區(qū)中。
10.如權(quán)利要求8或9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一及第二刻痕圖案包括多個(gè)呈放射狀的第一刻痕及第二刻痕。
11.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該些第一刻痕的深度由內(nèi)向外依序遞減，以形成一第一斜面，該些第二刻痕的深度由內(nèi)向外依序遞增，以形成一第二斜面。
12.如權(quán)利要求8或9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一刻痕圖案與該第二刻痕圖案的形狀包括圓形、輻射形或其組合。
13.如權(quán)利要求9或11所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該第三刻痕圖案包括多個(gè)呈放射狀的第三刻痕。
14.如權(quán)利要求13所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該些第三刻痕的深度由內(nèi)向外依序遞減，以形成一第三斜面。
全文摘要
本發(fā)明公開一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一芯片、一基板以及一第一透鏡?；寰哂幸还叹^(qū)以及一點(diǎn)膠區(qū)，芯片配置于固晶區(qū)上，點(diǎn)膠區(qū)環(huán)繞于固晶區(qū)的周圍，且點(diǎn)膠區(qū)上形成有一第一刻痕圖案。第一透鏡覆蓋芯片以及第一刻痕圖案，第一透鏡未固化時(shí)為一第一液態(tài)物，第一液態(tài)物由固晶區(qū)往外流動(dòng)至點(diǎn)膠區(qū)時(shí)，通過第一刻痕圖案的附著力內(nèi)聚于點(diǎn)膠區(qū)中。
文檔編號(hào)H01L33/58GK102655199SQ20111010146
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2011年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月3日
發(fā)明者周彥志, 張瓊文, 王能誠(chéng), 陳怡君 申請(qǐng)人:隆達(dá)電子股份有限公司