專利名稱：一種白光電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電子器件領(lǐng)域，尤其是涉及一種白光電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為I. 511m/W、壽命大于100小時(shí)。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在 發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。發(fā)光材料是影響發(fā)光效率的最重要的因素，發(fā)光材料可以分為熒光材料(即藍(lán)光材料)和磷光材料(即紅光磷光材料和/或綠光磷光材料)，熒光材料由于三線態(tài)躍遷受阻，因此，只能通過單線態(tài)的輻射失活而發(fā)光，三線態(tài)激子與單線態(tài)激子的比例約為3 I ；而由于熒光材料只有25wt%的激子可以有效的利用，剩下的75wt%都通過非輻射衰減，能量以熱的形式釋放，使器件溫度升高，從而減少器件的壽命，而磷光材料則由于金屬原子自身較強(qiáng)的自旋耦合作用，因此，使得原來不可能的三線態(tài)躍遷成為可能，因此，發(fā)光效率大大提高，目前綠光磷光材料和紅光磷光材料的發(fā)光效率都比較好，材料穩(wěn)定性較高，而藍(lán)光材料的壽命和穩(wěn)定性都不太好，制約了藍(lán)光的發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以提高發(fā)光效率的白光電致發(fā)光器件。本發(fā)明的技術(shù)方案如下—種白光電致發(fā)光器件，該器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/第一藍(lán)光發(fā)光層/第一間隔層/磷光發(fā)光層/第二間隔層/第二藍(lán)光發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；所述第一藍(lán)光發(fā)光層和第二藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)均為鈹配合物材料中摻雜藍(lán)光材料，且鈹配合物材料為主體材料，藍(lán)光材料的摻雜質(zhì)量百分比為5_20wt % ；所述磷光發(fā)光層的材質(zhì)為鈹配合物材料中摻雜紅光磷光材料和綠光磷光材料，且鈹配合物材料為主體材料，紅光磷光材料的摻雜質(zhì)量百分比為0. 5-5wt%,紅光磷光材料的摻雜質(zhì)量百分比為5-10Wt% ；在上述白光電致發(fā)光器件中基底和導(dǎo)電層可以采用ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底，ITO為導(dǎo)電層；陰極層的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、銀鎂(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一種；藍(lán)光材料為Perylene (花)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺連萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi)中的任一種；所述第一間隔層和第二間隔層的材料均為所述鈹配合物材料，且第一間隔層和第二間隔層的材料與第一藍(lán)光發(fā)光層、第二藍(lán)光發(fā)光層、磷光發(fā)光層的主體材料一致；所述鈹配合物材料為吩基吡啶鈹 印 2)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8_羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2-甲基_8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7_丙基_8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任一種；紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq)2 (acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)；
綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2_苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac))或乙酰丙酮酸二(2_對(duì)苯氧基苯基卩比唳)銥((Oppy) 2 Ir (acac))中的任一種；空穴注入層采用三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、VOx或五氧化二釩(V2O5)中的任一種；.空穴傳輸層與電子阻擋層分別采用1，1_ 二 [4_[N，N' -二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N，- 二 (3-甲基苯基)-N，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD) ,4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，-(I-萘基)-N，N，- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅CuPc中的任一種；電子傳輸層與空穴阻擋層分別采用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基_1，3，4-噁二唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)_1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一種；電子注入層為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2 或者 NaF 中的任一種。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，米用藍(lán)光發(fā)光層與紅光、綠光磷光材料制備混合發(fā)光層，在第一、二藍(lán)光發(fā)光層與磷光發(fā)光層之間分別插入第一、二間隔層，阻擋藍(lán)光發(fā)光層單線態(tài)擴(kuò)散到磷光發(fā)光層中，同時(shí)，又使藍(lán)光材料的三線態(tài)激子可以擴(kuò)散到磷光發(fā)光層中躍遷發(fā)光，將第一、二藍(lán)光發(fā)光層分別制備在磷光發(fā)光層的兩側(cè)，兩側(cè)藍(lán)光發(fā)光層可以產(chǎn)生更多的三線態(tài)能量，從而轉(zhuǎn)移到磷光發(fā)光層中，使磷光發(fā)光層充分的利用藍(lán)光發(fā)光層產(chǎn)生的三線態(tài)能量而發(fā)光，磷光發(fā)光層由主體材料(鈹配合物材料)與紅光磷光材料和綠光磷光材料共摻雜制備而成，這種結(jié)構(gòu)有效地提高了主體材料與發(fā)光材料之間的能量轉(zhuǎn)移效率，從而提高發(fā)光層的發(fā)光效率。


圖I為本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)施例I的白光電致發(fā)光器件能級(jí)圖；圖3為實(shí)施例I的白光電致發(fā)光器件與參比白光電致發(fā)光器件的亮度電壓圖；其中，曲線I是實(shí)施例I的電流效率-電流密度的曲線，曲線2是對(duì)比例的電流效率-電流密度的曲線。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供的一種白光電致發(fā)光器件，如圖I所示，該器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為基底11/導(dǎo)電層12/空穴注入層13/空穴傳輸層14/電子阻擋層15/第一藍(lán)光發(fā)光層16/第一間隔層17/磷光發(fā)光層18/第二間隔層19/第二藍(lán)光發(fā)光層20/空穴阻擋層21/電子傳輸層22/電子注入層23/陰極層24 ;其中，第一藍(lán)光發(fā)光層16/第一間隔層17/磷光發(fā)光層18/第二間隔層19/第二藍(lán)光發(fā)光層20這一復(fù)合層結(jié)構(gòu)構(gòu)成了該電致發(fā)光器件的發(fā)光層；在該電致發(fā)光器件的發(fā)光層中，所述第一藍(lán)光發(fā)光層16和第二藍(lán)光發(fā)光層20的厚度均為5-15nm，兩者的材質(zhì)均選用鈹配合物材料作為主體材料摻雜藍(lán)光材料，且藍(lán)光材料的摻雜質(zhì)量百分比為5-20Wt%;所述磷光發(fā)光層18的厚度為5-20nm，其材質(zhì)選用鈹配合物材料作為主體材料摻雜紅光磷光材料和綠光磷光材料，且紅光磷光材料的摻雜質(zhì)量百分比為0. 5-5wt%，綠光磷光材料的摻雜質(zhì)量百分比為5-20wt%。 在上述白光電致發(fā)光器件中，每一有機(jī)功能層均采用蒸鍍技術(shù)依次進(jìn)行蒸鍍制備的。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，各功能層的材質(zhì)及制備工藝技術(shù)如下基底和導(dǎo)電層可以采用現(xiàn)有一體化的ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底，ITO為導(dǎo)電層；藍(lán)光材料為Perylene (花)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺連萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi)中的任一種；第一間隔層和第二間隔層的材料均為所述鈹配合物材料，且第一間隔層和第二間隔層的材料與第一、二藍(lán)光發(fā)光層、以及磷光發(fā)光層的主體材料(即鈹配合物材料)相同；該鈹配合物材料為吩基吡啶鈹 印 2)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8_羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2-甲基_8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7_丙基_8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任一種紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq)2 (acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3))中的任一種；綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2_苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac)))或者乙酰丙酮酸二(2_對(duì)苯氧基苯基卩比唳)銥中的任一種；空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、V0X或五氧化二釩(V2O5)中的任一種，優(yōu)選為MoO3 ;其中，空穴注入層厚度為5-40nm，優(yōu)選厚度為5nm ；空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為1，I- 二 [4_[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N’_ 二(3-甲基苯基)-N，N’_ 二苯基-4，4’_聯(lián)苯二胺(TH))、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，-(I-萘基)-N，N，-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的任一種，空穴傳輸層和電子阻擋層的厚度分別為5-80nm ;其中，空穴傳輸層優(yōu)選NPB，優(yōu)選厚度為40nm，電子阻擋層優(yōu)選為TCTA，優(yōu)選厚度為5nm;電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基_1，3，4_ 噁二唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5_ 二(I-萘基)-I，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBi)或喹喔啉衍生物(TPQ)。其中，空穴阻擋層厚度為3-10nm，優(yōu)選厚度為5nm，空穴阻擋層的材料優(yōu)選為TPBi ;電子傳輸層厚度為40-80nm,優(yōu)選厚度為60nm,電子傳輸層的材料優(yōu)選為Bphen ；電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一種，電子注入層的厚度0. 5-5nm ;對(duì)于該注入層的材料，也可采用Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF與電子傳輸材料(如，2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-I，3，4-噁二唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)-1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基 _1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N_芳基苯并咪唑(TPBi)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一種)摻雜組成的混合物中的任一種,摻雜比例為20-60wt%，此時(shí)的電子注入層厚度為20_60nm ;就摻雜混合物材料而言,優(yōu)選Bphen :CsN3,優(yōu)選摻雜比例為20wt*%,此時(shí)電子注入層厚度優(yōu)選為40nm ；陰極層的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、銀鎂(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一種， 優(yōu)選Al ;該陰極層的厚度為20-200nm，優(yōu)選厚度為150nm ；本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，用相對(duì)穩(wěn)定，性能較好藍(lán)光材料與紅光、綠光磷光材料制備的發(fā)光層，由于三線態(tài)激子的擴(kuò)散長度為IOOnm,單線態(tài)的擴(kuò)散長度為5nm,為了使熒光材料單線態(tài)激子在熒光層中充分的進(jìn)行Forster能量轉(zhuǎn)移，且采用藍(lán)光發(fā)光層與紅光、綠光磷光材料制備混合發(fā)光層,在第一、二藍(lán)光發(fā)光層與磷光發(fā)光層之間分別插入第一、二間隔層，阻擋藍(lán)光發(fā)光層單線態(tài)擴(kuò)散到磷光發(fā)光層中，同時(shí)，又使藍(lán)光材料的三線態(tài)激子可以擴(kuò)散到磷光發(fā)光層中躍遷發(fā)光，將第一、二藍(lán)光發(fā)光層分別制備在磷光發(fā)光層的兩側(cè)，兩側(cè)藍(lán)光發(fā)光層可以產(chǎn)生更多的三線態(tài)能量，從而轉(zhuǎn)移到磷光發(fā)光層中，使磷光發(fā)光層充分的利用藍(lán)光發(fā)光層產(chǎn)生的三線態(tài)能量而發(fā)光，磷光發(fā)光層由主體材料(鈹配合物材料)與紅光磷光材料和綠光磷光材料共摻雜制備而成，這種結(jié)構(gòu)有效地提高了主體材料與發(fā)光材料之間的能量轉(zhuǎn)移效率，從而提高發(fā)光層的發(fā)光效率。下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例I一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/Bepp2 :BCzVBi/Bepp2/Bepp2 :Ir (ppy) 3 :Ir (MDQ) 2 (acac) /Bepp2/Bepp2 BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen :CsN3/A1。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5-15min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為^pp2，摻雜比例為15wt% (質(zhì)量百分比，下同)，該發(fā)光層厚度為IOnm;第一間隔層,其主體材料為Bepp2,且該間隔層厚度為2nm ；
紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)、綠光磷光材料為Ir(ppy)3、主體材料為Bepp2 ;紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為0. 5wt%，綠光磷光材料摻雜比例為7wt% ;該磷光發(fā)光層厚度為7nm ；第二間隔層，厚度為2nm,材料為Bepp2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為8印 2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ； 電子注入層的材料為Bphen :CsN3,厚度為0. 5nm,Bphen與CsN3的摻雜質(zhì)量百分比為 60wt% ；陰極層的材料為Al,厚度為80nm。圖2為實(shí)施例I的電子發(fā)光器能級(jí)圖；從能級(jí)圖上可以看到，在使用同一主體之后電子、空穴以及能量的傳輸轉(zhuǎn)移沒有了勢(shì)壘的阻礙，可以最大程度的降低克服勢(shì)壘所需要的能量損失，從而提高發(fā)光效率，而藍(lán)光熒光層分別在磷光層的兩側(cè)，可以使更多的三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移到磷光層中，有利于提高磷光層的發(fā)光效率。圖3是該實(shí)施例的白光電致發(fā)光器件與參比白光電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖；其中，曲線I是實(shí)施例I的電流效率-電流密度的曲線，曲線2是對(duì)比例的電流效率-電流密度的曲線；參比電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/Bepp2 :BCzVBi/Bepp2 :Ir (ppy) 3/Bepp2 :Ir (MDQ) 2 (acac) /TPBi/Bphen/Bphen CsN3/A1。從圖3可以看到，實(shí)施例I的器件最高電流效率為34cd/A，而沒有間隔層，藍(lán)光發(fā)光層沒有制備在磷光發(fā)光層的兩側(cè)的參比器件亮度為27cd/A，這說明，當(dāng)加入間隔層之后，電子和空穴的復(fù)合幾率得到提高，同時(shí)，第一、二藍(lán)光發(fā)光層制備在磷光發(fā)光層的兩側(cè)，也可以使藍(lán)光材料產(chǎn)生更多的三線態(tài)擴(kuò)散到磷光層而被紅光、綠光磷光材料捕獲，因此，器件的電流效率得到了增大。實(shí)施例2一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/W03/Tro/TAPC/BeqQ2 TBPe/BeqQ2/BeqQ2 Ir (ppy) 3 Ir (MDQ) 2 (acac) /BeqQ2/BeqQ2 TBPe/Alq3/BND/Cs2CO3/Ag 首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為lOmin，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為WO3,厚度為IOnm ；空穴傳輸層的材料為TPD，厚度5nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為20nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為TBPe,主體材料為BeqQ2,摻雜質(zhì)量百分比為IOwt該發(fā)光層厚度為15nm ;第一間隔層,其主體材料為BeqQ2,且該間隔層厚度為Inm;磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac),綠光磷光材料為Ir(ppy)3,主體材料為BeqQ2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為I. 5wt%，綠光磷光材料摻雜比例為15wt%，該磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二間隔層，厚度為IOnm,材料為BeqQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為TBPe，主體材料為BeqQ2，摻雜質(zhì)量百分比為5wt%，該發(fā)光層厚度為15nm ；空穴阻擋層的材料為Alq3,厚度為5nm ；電子傳輸層的材料為BND，厚度為80nm ；電子注入層的材料為Cs2CO3,厚度為5nm ；陰極層的材料為Ag,厚度為20nm。
實(shí)施例3一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V0x/TCTA/NPB/BeqQ2 DPAVBi/BeqQ2/BeqQ2 :Ir (ppy) 2 (acac)) Ir (piq) 2 (acac) /BeqQ2/BeqQ2 DPAVBi/BND/TAZ/CsN3Ag-Mg。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為15min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為V0X，厚度為40nm ；空穴傳輸層的材料為TCTA，厚度80nm ；電子阻擋層的材料為NPB，厚度為60nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVBi，主體材料為BeqQ2，摻雜質(zhì)量百分比為20Wt%，該發(fā)光層厚度為5nm ；第一間隔層，其主體材料為BeqQ2，且該間隔層厚度為2nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (piq)2 (acac),綠光磷光材料為Ir (ppy) 2 (acac)),主體材料為BeqQ2,紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為5wt%,綠光磷光材料摻雜比例為5wt%，該磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二間隔層，厚度為Inm,材料為BeqQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVBi，主體材料為BeqQ2，摻雜質(zhì)量百分比為20Wt%，該發(fā)光層厚度為5nm ；空穴阻擋層的材料為BND，厚度為3nm ；電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為80nm ；電子注入層的材料為CsN3,厚度為5nm ；陰極層的材料為Ag-Mg,厚度為200nm。實(shí)施例4一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/TDAPB/CuPc/BePrQ2 BDAVBi/BePrQ2/BePrQ2 (OPPy) 2Ir (acac) Ir (piq) 3/BePrQ2/BePrQ2 :BDAVBi/TDAPB/TPBI/Bphen :CsN3/A1。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5-15min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為V2O5,厚度為30nm ；空穴傳輸層的材料為TDAPB，厚度20nm ；電子阻擋層的材料為CuPc,厚度為5nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BDAVBi，主體材料為BePrQ2，摻雜質(zhì)量百分比為8wt%,該發(fā)光層厚度為12nm ；第一間隔層，其主體材料為BePrQ2，且該間隔層厚度為8nm ；
磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (piq)3綠光磷光材料為(Oppy)2Ir (acac),主體材料為BePrQ2,紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為2. 5wt%,綠光磷光材料摻雜比例為8wt%，該磷光發(fā)光層厚度為13nm ；第二間隔層，厚度為2nm，材料為BePrQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BDAVBi，主體材料為BePrQ2，摻雜質(zhì)量百分比為6wt%,該發(fā)光層厚度為12nm ；空穴阻擋層的材料為TDAPB，厚度為60nm ；電子傳輸層的材料為TPBI，厚度為20nm ；電子注入層的材料為LiF，厚度為2. 5nm ；陰極層的材料為Au,厚度為50nm。實(shí)施例5一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/TAPC/TAPC/BeBq2 花/BeBq2/BeBq2 Ir (ppy) 2 (acac) Ir (MDQ) 2 (acac) /BeBq2/BeBq2 :花/TPQ/Bphen/CsF/Al。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理處理時(shí)間為7min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為30nm ；空穴傳輸層的材料為TAPC，厚度70nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為50nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為茈，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為17wt%，該發(fā)光層厚度為Ilnm ;第一間隔層，其主體材料為BeBq2，且該間隔層厚度為4nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ) 2 (acac),綠光磷光材料為Ir (ppy) 2 (acac),主體材料為BeBq2,紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為3. 5wt%,綠光磷光材料摻雜比例為9wt%，該磷光發(fā)光層厚度為6nm ；第二間隔層，厚度為2nm,材料為BeBq2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為茈，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為20wt%，該發(fā)光層厚度為14nm ；空穴阻擋層的材料為TPQ，厚度為4nm;電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為70nm ；
電子注入層的材料為CsF，厚度為30nm ；陰極層的材料為Al,厚度為180nm。實(shí)施例6一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/Tro/TAPC/BeMQ2 DPAVB/BeMQ2/BeMQ2 Ir(ppy)3 Ir (piq) 3/BeMQ2/BeMQ2 :DPAVB/Alq3/BND/CaF2/Au。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理處理時(shí)間為8min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，

空穴注入層的材料為V2O5，厚度為25nm;空穴傳輸層的材料為TPD，厚度55nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為15nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體材料為BeMQ2，摻雜質(zhì)量百分比為18wt%,該發(fā)光層厚度為8nm ；第一間隔層，其主體材料為BeMQ2，且該間隔層厚度為3nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (piq)3,綠光磷光材料為Ir (ppy) 3,主體材料為BeMQ2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為4. 5wt%，綠光磷光材料摻雜比例為9wt%，該磷光發(fā)光層厚度為3nm ；第二間隔層，厚度為2nm，材料為BeMQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體材料為BeMQ2，摻雜質(zhì)量百分比為16wt%,該發(fā)光層厚度為6nm ；空穴阻擋層的材料為Alq3，厚度為7nm ；電子傳輸層的材料為BND，厚度為50nm ；電子注入層的材料為CaF2,厚度為50nm ；陰極層的材料為Au，厚度為120nm。實(shí)施例7一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/TDAPB/TAPC/BeqQ2 :TBPe/BeqQ2/BeqQ2 :Ir (ppy) 3 :Ir (MDQ) 2 (acac) /BeqQ2/BeqQ2 TBPe/Bphen/Bphen/MgF2/Al。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理處理時(shí)間為9min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3，厚度為35nm ；空穴傳輸層的材料為TDAPB，厚度40nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為35nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為TBPe，主體材料為BeqQ2，摻雜質(zhì)量百分比為IOwt %,該發(fā)光層厚度為5nm ；第一間隔層,其主體材料為BeqQ2,且該間隔層厚度為6nm ；
紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac),綠光磷光材料為Ir(ppy)3,主體材料為BeqQ2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為I. 5wt%，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為8nm ；第二間隔層，厚度為8nm,材料為BeqQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為TBPe，主體材料為BeqQ2，摻雜質(zhì)量百分比為IOwt %,該發(fā)光層厚度為5nm ；空穴阻擋層的材料為Bphen,厚度為6nm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為30nm ；電子注入層的材料為MgF2,厚度為30nm ；
陰極層的材料為Al,厚度為40nm。實(shí)施例8一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/W03/CuPc/TAPC/BePrQ2 BCzVB/BePrQ2/BePrQ2 :(Oppy)2Ir(acac) Ir (MDQ)2(acac)/BePrQ2/BePrQ2 BCzVB/TPBi/Bphen/NaF/Al。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為14min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為WO3,厚度為25nm ；空穴傳輸層的材料為CuPc，厚度15nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為65nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVB，主體材料為BePrQ2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%，該發(fā)光層厚度為2nm;第一間隔層,其主體材料為BePrQ2,且該間隔層厚度為8nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ) 2 (acac),綠光磷光材料為(Oppy)2Ir (acac)，主體材料為BeBq2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為3. 5wt%，綠光磷光材料摻雜比例為8wt%，該磷光發(fā)光層厚度為2nm ；第二間隔層，厚度為8nm,材料為BePrQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVB，主體材料為BePrQ2，摻雜質(zhì)量百分比為IOwt該發(fā)光層厚度為14nm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為6nm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為80nm ；電子注入層的材料為NaF,厚度為60nm ；陰極層的材料為Al,厚度為170nm。實(shí)施例9一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/BeMQ2 BCzVBi/BeMQ2/BeMQ2 Ir(ppy)3 Ir (MDQ) 2 (acac) /BeMQ2/BeMQ2 BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen CsN3/A1。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為13min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度40nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeMQ2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一間隔層，其主體材料為BeMQ2，且該間隔層厚度為2nm ； 磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac),綠光磷光材料為Ir(ppy)3,主體材料為BeMQ2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為0. 5wt%，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，該磷光發(fā)光層厚度為7nm ；第二間隔層，厚度為2nm，材料為BeMQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeMQ2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為5nm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為60nm ；電子注入層的材料為Bphen =CsN3，厚度為40nm，Bphen與CsN3的摻雜質(zhì)量百分比為 20wt% ；陰極層的材料為Al,厚度為150nm。實(shí)施例10一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/BeBq2 :BCzVBi/BeBq2/BeBq2 :Ir (ppy) 3 :Ir (MDQ) 2 (acac) /BeBq2/BeBq2 BCzVBi/TPBi/Bphen/TPBi :CaF2/Al。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為15min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一間隔層，其主體材料為BeBq2，且該間隔層厚度為2nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac),綠光磷光材料為Ir(ppy)3,主體材料為BeBq2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為0. 5wt %，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，該磷光發(fā)光層厚度為7nm ；第二間隔層,厚度為2nm,材料為BeBq2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為TPBi =CaF2，厚度為20nm，TPBi :與CaF2的摻雜質(zhì)量百分比為30wt% ；陰極層的材料為Al,厚度為90nm。實(shí)施例11
一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/BeBq2 BCzVBi/BeBq2/BeBq2 Ir (ppy) 3 Ir (MDQ) 2 (acac) /BeBq2/BeBq2 BCzVBi/TPBi/Bphen/TPQ NaF/Al。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為lOmin，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一間隔層，其主體材料為BeBq2，且該間隔層厚度為2nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac),綠光磷光材料為Ir(ppy)3,主體材料為BeBq2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為0. 5wt %，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，該磷光發(fā)光層厚度為7nm ；第二間隔層，厚度為2nm，材料為BeBq2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為TPQ :NaF，厚度為20nm，TPQ與NaF的摻雜質(zhì)量百分比為40wt % ；陰極層的材料為Al，厚度為40nm。實(shí)施例12一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/BeBq2 :BCzVBi/BeBq2/BeBq2 :Ir (ppy) 3 :Ir (MDQ) 2 (acac) /BeBq2/BeBq2 BCzVBi/TPBi/Bphen/TPQ :CsF/Al。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理處理時(shí)間為8min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，
空穴注入層的材料為MoO3，厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一間隔層，其主體材料為BeBq2，且該間隔層厚度為2nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac),綠光磷光材料為Ir(ppy)3,主體材料為BeBq2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為0. 5wt %，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，該磷光發(fā)光層厚度為7nm ；第二間隔層，厚度為2nm，材料為BeBq2 ；
第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為TPQ :CsF，厚度為45nm，TPQ與CsF摻雜質(zhì)量百分比為50wt % ；陰極層的材料為Al，厚度為180nm。實(shí)施例13一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/BePrQ2 BCzVBi/BePrQ2/BePrQ2 Ir (ppy) 2 (acac) Ir (piq) 3/TCTA TPBi/BeBq2 Ir (ppy) 3/BePrQ2/BePrQ2 BCzVBi/TPBi/Bphen/PBD :MgF2/Al。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理處理時(shí)間為9min，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BePrQ2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一間隔層，其主體材料為BePrQ2，且該間隔層厚度為2nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (piq)3,綠光磷光材料為Ir (ppy)2 (acac),主體材料為BePrQ2,紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為0. 5wt%,綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，該磷光發(fā)光層厚度為7nm ；第二間隔層，厚度為2nm，材料為BePrQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BePrQ2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；
電子注入層的材料為PBD :MgF2，厚度為35mn，PBD與MgF2的摻雜質(zhì)量百分比為40wt %陰極層的材料為Al，厚度為50nm。實(shí)施例14一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/BeMQ2 DPAVB/BeMQ2/BeMQ2 (Oppy) 2Ir (acac) Ir (MDQ) 2 (acac) /BeMQ2/BeMQ2 DPAVB/TPBi/Bphen/BND :Cs2CO3Al。首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為lOmin，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中， 空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體材料為BeMQ2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一間隔層，其主體材料為BeMQ2,且該間隔層厚度為2nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ) 2 (acac),綠光磷光材料為(Oppy)2Ir (acac)，主體材料為BeMQ2,紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為0. 5wt%，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，該磷光發(fā)光層厚度為7nm ；第二間隔層，厚度為2nm，材料為BeMQ2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體材料為BeMQ2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen，厚度為40nm ；電子注入層的材料為BND =Cs2CO3,厚度為40nm，BND與Cs2CO3的摻雜質(zhì)量百分比為35wt %陰極層的材料為Al，厚度為160nm。實(shí)施例15一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/BeBq2 BCzVBi/BeBq2/BeBq2 : Ir (piq) 2 (acac) Ir (piq) 2 (acac) /BeBq2/BeBq2 BCzVBi/TPBi/Bphen/TAZ CsN3/A10首先，將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為lOmin，功率為50W ;接著在ITO導(dǎo)電層上依次蒸鍍各有機(jī)功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；
第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一間隔層,其主體材料為BeBq2,且該間隔層厚度為2nm ；磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (piq)2 (acac),綠光磷光材料為Ir (piq)2 (acac)，主體材料為BeBq2，紅光磷光材料摻雜質(zhì)量百分比為0. 5wt%，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，該磷光發(fā)光層厚度為7nm ；第二間隔層，厚度為2nm，材料為BeBq2 ；第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料為BeBq2，摻雜質(zhì)量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為TAZ =CsN3,厚度為50nm ；TAZ與CsN3的摻雜質(zhì)量百分比為25wt % ；陰極層的材料為Al，厚度為lOOnm。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為 是對(duì)本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種白光電致發(fā)光器件，其特征在于，該器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/第一藍(lán)光發(fā)光層/第一間隔層/磷光發(fā)光層/第二間隔層/第二藍(lán)光發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層； 所述第一藍(lán)光發(fā)光層和第二藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)均為鈹配合物材料中摻雜藍(lán)光材料； 所述磷光發(fā)光層的材質(zhì)為鈹配合物材料中摻雜紅光磷光材料和綠光磷光材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍(lán)光材料為茈、二萘嵌苯衍生物、三苯胺二苯乙烯衍生物、三苯胺連萘基乙烯衍生物或苯乙烯衍生物中的任一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一間隔層和第二間隔層的材料均為所述鈹配合物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或3所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈹配合物材料為吩基吡啶鈹、10-羥基苯并喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、2-甲基-8-羥基喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、或者7-丙基-8羥基喹啉鈹中的任一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥、或者三(I-苯基-異喹啉)合銥中的任一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥、或者乙酰丙酮酸二(2-對(duì)苯氧基苯基批唳)依中的任一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鶴、VOx或五氧化二fL中的任一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為1，I- 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N，- 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺、4，4'，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺、N，N’ -(I-萘基)_N，N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，3，5_三苯基苯或酞菁銅中的任一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5- 二(I-萘基)-I，3，4- 二唑、4，7- 二苯基-I，10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物中的任一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料為CS2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一種；所述陰極層的材質(zhì)為銀、鋁、銀鎂合金或金。
全文摘要
本發(fā)明屬于光電子器件領(lǐng)域，其公開了一種白光電致發(fā)光器件，該器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/第一藍(lán)光發(fā)光層/第一間隔層/磷光發(fā)光層/第二間隔層/第二藍(lán)光發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；第一藍(lán)光發(fā)光層和第二藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)均為鈹配合物材料中摻雜藍(lán)光材料；磷光發(fā)光層的材質(zhì)為鈹配合物材料中摻雜紅光磷光材料和綠光磷光材料。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，藍(lán)光發(fā)光層與磷光發(fā)光層制備的混合發(fā)光層，在藍(lán)光發(fā)光層與磷光發(fā)光層之間插入間隔層，可使藍(lán)光材料的三線態(tài)激子擴(kuò)散到紅光和綠光兩個(gè)磷光發(fā)光層中輻射躍遷發(fā)光，進(jìn)一步提高器件的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102738398SQ20111008110
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司