專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光裝置，該半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括在頂表面上具有發(fā)光區(qū)域的面發(fā)射半導(dǎo)體發(fā)光部分。
背景技術(shù)：
與法布里-珀羅(Fabry-Perot)激光二極管不同，垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL) 在垂直于基板的方向上發(fā)光，并且在垂直腔面發(fā)射激光器中，大量的諧振器構(gòu)造允許在單一基板上設(shè)置成二維陣列。因此，近年來，垂直腔面發(fā)射激光器已經(jīng)在數(shù)據(jù)通訊和印刷機(jī)等技術(shù)領(lǐng)域中受到關(guān)注。垂直腔面發(fā)射激光器典型地具有臺式(mesa)諧振器構(gòu)造，其通過在基板上依次層疊下DBR層、下間隔物層、有源層、上間隔物層、電流限制層、上DBR層和接觸層而構(gòu)造。在這樣的激光二極管中，其振蕩波長由諧振器構(gòu)造的有效諧振器長度決定，并且光輸出的大小在對應(yīng)于有源層帶隙的發(fā)光波長處被最大化。因此，如日本特開第2008-306118號公報(bào)中所描述，典型地，諧振器構(gòu)造和有源層被構(gòu)造為諧振器構(gòu)造的有效諧振器長度和有源層的發(fā)光波長彼此相等。

發(fā)明內(nèi)容
在典型的垂直腔面發(fā)射激光器中，其諧振器構(gòu)造極小。因此，有源層因電流注入的溫升很大，并且可能引起隨著有源層的溫升光輸出下降的所謂“下降(droop)”現(xiàn)象。而且，在某些情況下，閾值電流通過積極地改變元件溫度而改變，以改變諧振器構(gòu)造的有效諧振器長度與有源層的發(fā)光波長之差(波長失諧△ λ)。然而，在此情況下，光輸出的波形與電流脈沖波形相比被扭曲。為了解決這樣的問題，必須精確地測量基板溫度或者環(huán)境溫度，并且精確估算元件溫度(具體地講，有源層的溫度)，而熱敏電阻典型地用于測量基板溫度或者環(huán)境溫度。 然而，熱敏電阻的元件尺寸很大，并且極難將熱敏電阻安裝在激光元件的表面上。因此，熱敏電阻典型地設(shè)置在其中安裝激光元件的副底座(未示出)上；因此，難以精確地估算元件的溫度。所希望的是提供允許精確估算元件溫度的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所提供的半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括半導(dǎo)體基板上的一個(gè)或多個(gè)面發(fā)射半導(dǎo)體發(fā)光部分和一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體溫度檢測部分，該面發(fā)射半導(dǎo)體發(fā)光部分在半導(dǎo)體基板的法線方向上發(fā)光，該半導(dǎo)體溫度檢測部分不向外發(fā)光。該半導(dǎo)體發(fā)光部分和該半導(dǎo)體溫度檢測部分在半導(dǎo)體基板的法線方向上具有PN結(jié)或者PIN結(jié)。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，半導(dǎo)體溫度檢測部分與半導(dǎo)體發(fā)光部分一起設(shè)置在半導(dǎo)體基板上。因此，半導(dǎo)體溫度檢測部分允許靠近半導(dǎo)體發(fā)光部分檢測元件的基板溫度或者環(huán)境溫度。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，允許靠近半導(dǎo)體發(fā)光部分檢測元件的基板溫度或者環(huán)境溫度；因此，允許精確地估算元件溫度。本發(fā)明的其它以及進(jìn)一步的目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)通過下面的描述將更加明顯易懂。


圖IA和IB是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光二極管陣列的構(gòu)造示例的俯視圖和截面圖；圖2是示出圖IA和IB中的激光二極管陣列的另一個(gè)構(gòu)造示例的俯視圖；圖3是示出圖IA和IB中的激光器構(gòu)造部分的構(gòu)造示例的截面圖；圖4是示出圖IA和IB中的溫度檢測部分的構(gòu)造示例的截面圖；圖5是圖IA和IB中溫度檢測部分中的溫度和輸出電壓之間的關(guān)系示例的圖示；圖6是用于調(diào)整來自圖IA和IB中溫度檢測部分的檢測電壓偏離的構(gòu)造示例的圖示；圖7是圖4中溫度檢測部分的另一個(gè)構(gòu)造示例的圖示。
具體實(shí)施例方式下面，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。描述將以下面的順序給出。1.實(shí)施例構(gòu)造操作效果2.修改構(gòu)造圖IA示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光二極管陣列1的頂側(cè)構(gòu)造的示例。圖IB示出了沿著圖IA中激光二極管陣列1的A-A箭頭方向剖取的截面構(gòu)造的示例。如圖IA和IB 所示，激光二極管陣列1包括在半導(dǎo)體基板10的頂表面上的多個(gè)激光器構(gòu)造部分20和一個(gè)溫度檢測部分30。激光器構(gòu)造部分20的每一個(gè)都是在半導(dǎo)體基板10的法線方向上發(fā)光的垂直腔面發(fā)射激光器。另一方面，溫度檢測部分30是不向外發(fā)光的垂直腔面發(fā)射激光器。激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30的每一個(gè)都通過引出配線(extractionwiring line) 32電連接到電極焊盤31。應(yīng)當(dāng)注意的是，激光二極管陣列1對應(yīng)于本發(fā)明中的"半導(dǎo)體發(fā)光裝置"的具體示例。而且，激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30分別對應(yīng)于本發(fā)明中的"半導(dǎo)體發(fā)光部分"和"半導(dǎo)體溫度檢測部分"的具體示例。在圖IA中，示出了 12個(gè)激光器構(gòu)造部分20 二維地設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的頂表面上的情況；然而，激光器構(gòu)造部分20的數(shù)量沒有特別限制。而且，在圖IA中，示出了一個(gè)溫度檢測部分30設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的頂表面上的情況；然而，多個(gè)溫度檢測部分30可以設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的頂表面上。例如，如圖2所示，兩個(gè)溫度檢測部分30可以設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的頂表面上。此時(shí)，例如，兩個(gè)溫度檢測部分30可以相對于多個(gè)激光器構(gòu)造部分20對稱設(shè)置。圖3是在激光二極管陣列1中包括一個(gè)激光構(gòu)造部分20的部分α (參考圖1Β) 的截面構(gòu)造示例的放大圖。圖4是在激光二極管陣列1中包括一個(gè)溫度檢測部分30的部分β (參考圖1Β)的截面構(gòu)造示例的放大圖。在該實(shí)施例中，激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30形成在作為生長基板的半導(dǎo)體基板10上，并且，例如，如圖3和4所示，激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30具有相同的層疊構(gòu)造。更具體地講，例如，如圖3和4所示，激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30的每一個(gè)都通過在半導(dǎo)體基板10上依次層疊下DBR層21、下間隔物層22、有源層23、上間隔物層對、上DBR層25和接觸層沈而構(gòu)造。換言之，激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30的從下DBR層21至接觸層沈的層疊部分(PIN結(jié)部分)具有相同的層疊構(gòu)造。應(yīng)當(dāng)注意的是，下DBR層21對應(yīng)于本發(fā)明中的"第一多層反射鏡"的具體示例，并且上DBR層25對應(yīng)于本發(fā)明中的"第二多層反射鏡"的具體示例。而且，例如，激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30的每一個(gè)都包括在上DBR層25 的一部分中的電流限制層25A。此外，下DBR層21的上部、下間隔物層22、有源層23、上間隔物層M、上DBR層25和接觸層沈形成柱狀形狀。例如，如圖3和4所示，接觸層沈僅形成在上DBR層25的頂表面的邊緣部分上。應(yīng)當(dāng)注意的是，接觸層沈可以形成在上DBR層 25的整個(gè)頂表面上。半導(dǎo)體基板10例如由η型GaAs基板構(gòu)造。盡管未示出，但是下DBR層21通過交替地層疊低折射系數(shù)層和高折射系數(shù)層而構(gòu)造。在此情況下，低折射系數(shù)層由光學(xué)厚度為 λ/4(λ是振蕩波長)的η型Alxl^vxlAs制造，并且高折射系數(shù)層由光學(xué)厚度為λ/4的η 型Alx2(iai_x2AS(Xl > x2)制造。應(yīng)當(dāng)注意的是，η型雜質(zhì)的示例包括硅(Si)和硒(Se)。下間隔物層22例如由未摻雜的AWaAs制造。有源層23例如由非摻雜的GaAs基材料制造。在有源層23中，面對稍后描述的電流注入?yún)^(qū)域25Β的區(qū)域是發(fā)光區(qū)域。上間隔物層M例如由非摻雜的AWaAs制造。盡管未示出，但是上DBR層25通過交替層疊低折射系數(shù)層和高折射系數(shù)層而構(gòu)造。在此情況下，低折射系數(shù)層例如由光學(xué)厚度為λ/4的ρ型Alx3Gah3As制造，并且高折射系數(shù)層例如由光學(xué)厚度為λ /4的ρ型Alx4Gai_x4As (χ3 > χ4)制造。接觸層沈例如由ρ 型GaAs制造。應(yīng)當(dāng)注意的是，ρ型雜質(zhì)的示例包括鋅(Zn)、鎂(Mg)和鈹(Be)。電流限制層25Α包括在其邊緣區(qū)域中的電流限制區(qū)域25C及其中心區(qū)域中的電流注入?yún)^(qū)域25Β。電流注入?yún)^(qū)域25Β例如由ρ型AKiaAs或者ρ型AlAs制造。電流限制區(qū)域 25C包括Al2O3 (氧化鋁)，并且通過在制造工藝中從其側(cè)表面氧化包括在AlGaAs或者AlAs 中的高濃度Al而獲得。因此，電流限制層25A具有限制電流的功能。而且，在激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30中，在對應(yīng)于上述的電流注入?yún)^(qū)域 25B的區(qū)域中具有開口的環(huán)形上電極27形成在接觸層沈的頂表面上。上電極27連接到引出配線32。而且，下電極觀形成在半導(dǎo)體基板10的背面。下電極觀用作激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30的公用電極。此外，絕緣層四形成在激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30的每一個(gè)的表面(側(cè)表面和頂表面)上。絕緣層四形成為激光器構(gòu)造部分 20和溫度檢測部分30的柱狀部分的側(cè)表面和頂表面覆蓋有絕緣層四。在此情況下，上電極27和電極焊盤31通過依次層疊例如鈦(Ti)、鉬(Pt)和金 (Au)而構(gòu)造，并且電連接到接觸層沈。引出配線32例如由焊料形成。下電極觀例如具有金(Au)和鍺(Ge)的合金、鎳(Ni)和金(Au)依次層疊在半導(dǎo)體基板10上的構(gòu)造，并且電連接到半導(dǎo)體基板10。
而且，相位調(diào)整層41形成在激光器構(gòu)造部分20的頂表面上，更具體地講，在激光器構(gòu)造部分20的半導(dǎo)體部分的頂表面和絕緣層四之間。相位調(diào)整層41形成在發(fā)射激光的區(qū)域的中心區(qū)域(也就是，基本橫模振蕩主要發(fā)生的區(qū)域)中。在此情況下，由絕緣層四的面對相位調(diào)整層41的部分和相位調(diào)整層41構(gòu)成的層疊部分形成高反射率區(qū)域42，并且絕緣層四的沒有面對相位調(diào)整層41的部分以及發(fā)射激光的區(qū)域的邊緣部分(也就是，高階橫模振蕩主要發(fā)生的區(qū)域)形成低反射率區(qū)域43。相位調(diào)整層41的膜厚度為Oa-I) λ Mn1 (a是1或者大于1的整數(shù)，并且Ii1是折射系數(shù))，并且由折射系數(shù)H1低于激光器構(gòu)造部分20的半導(dǎo)體部分的頂表面的折射系數(shù)的材料制造，例如，由諸如SiO2 (二氧化硅)的電介質(zhì)制造。絕緣層四的面對相位調(diào)整層41 的部分具有Ob-I) λ /4η2的膜厚度(b是1或者大于1的整數(shù)，并且n2是折射系數(shù))，并且由折射系數(shù)n2高于相位調(diào)整層41的折射系數(shù)Ii1的材料制造，例如，由諸如SiN(氮化硅) 的電介質(zhì)制造。既是絕緣層四的沒有面對相位調(diào)整層41的部分又是發(fā)射激光的區(qū)域的邊緣部分的部分的膜厚度為Oc-I) λ /4n3 (c是1或者大于1的整數(shù)，并且n3是折射系數(shù))， 并且由折射系數(shù)113低于相位調(diào)整層41的折射系數(shù)Ii1的材料制造，例如，由諸如SiN(氮化硅)的電介質(zhì)制造。在此情況下，這些折射系數(shù)優(yōu)選調(diào)整為滿足由下面的關(guān)系式表示的關(guān)系，其中高反射率區(qū)域42的反射率為札，低反射率區(qū)域43的反射率為&，并且在絕緣層四和相位調(diào)整層41不設(shè)置在發(fā)射激光的區(qū)域中的情況下的反射率為民。因此，僅允許抑制高階橫模振蕩而不減少基本橫模光輸出。R1 ^ R3 > R2應(yīng)當(dāng)注意的是，相位調(diào)整層41可以在必要時(shí)去除。然而，在此情況下，絕緣層四的厚度優(yōu)選為不允許減少發(fā)射激光的區(qū)域中的反射率。另一方面，在溫度檢測部分30中，絕緣層四的其中發(fā)射激光的部分用作低反射率層40。低反射率層40的厚度和折射系數(shù)設(shè)定為在相同的電流流過激光器構(gòu)造部分20和溫度檢測部分30時(shí)僅在激光器構(gòu)造部分20中引起激光振蕩而不在溫度檢測部分30中引起激光振蕩。更具體地講，低反射率層40的膜厚度為0(1-1)入/4114((1是1或者大于1的整數(shù)，并且n4是折射系數(shù))，并且由折射系數(shù)n4高于溫度檢測部分30的半導(dǎo)體部分的頂表面的折射系數(shù)的材料制造，例如，由諸如SiN(氮化硅)的電介質(zhì)制造。垂直腔面發(fā)射激光器典型地以約3mA的電流執(zhí)行激光振蕩，并且上述激光構(gòu)造部分20也以約3mA的電流執(zhí)行激光振蕩，而與相位調(diào)整層41的存在或不存在無關(guān)。另一方面，盡管溫度檢測部分30的半導(dǎo)體部分與激光器構(gòu)造部分20的半導(dǎo)體部分具有相同的構(gòu)造，但是溫度檢測部分30的頂表面上的低反射率層40不允許溫度檢測部分30以約3mA的電流執(zhí)行激光振蕩。因此，即使約3mA的電流流過溫度檢測部分30，溫度檢測部分30也保持在非振蕩狀態(tài)；因此，溫度檢測部分30的電阻穩(wěn)定在高于振蕩期間的值。因此，在半導(dǎo)體基板10的溫度或者激光二極管陣列1周圍的環(huán)境溫度改變而相應(yīng)地改變溫度檢測部分30 的電壓時(shí)，穩(wěn)定了這樣的電壓改變。在約3mA的恒定電流流過溫度檢測部分30的情況下，當(dāng)半導(dǎo)體基板10的溫度或者激光二極管陣列1周圍的環(huán)境溫度改變時(shí)，例如，圖5所示的電壓改變發(fā)生在溫度檢測部分30中。電壓改變的梯度基本上是恒定的，而從一個(gè)溫度檢測部分30到另一個(gè)不變化。然而，電壓值可以從一個(gè)溫度檢測部分30到另一個(gè)變化。在此情況下，從溫度檢測部分30獲得的電壓值優(yōu)選被修正為半導(dǎo)體基板10的溫度或者激光二極管陣列1周圍的環(huán)境溫度為特定值時(shí)的預(yù)定值。例如，如圖6所示，放大溫度檢測部分30的電壓的放大部分50和調(diào)整從放大部分 50傳輸?shù)臋z測電壓(V_)的偏離的偏離調(diào)整部分60優(yōu)選連接到激光二極管陣列1。偏離調(diào)整部分60例如包括可變電阻。在此情況下，當(dāng)恒定電流Is流過溫度檢測部分30時(shí)，半導(dǎo)體基板10的溫度或者激光二極管陣列1周圍的環(huán)境溫度達(dá)到一定值，此時(shí)，當(dāng)從放大部分50傳輸?shù)碾妷褐?V_)大大偏離預(yù)定值時(shí)，從放大部分50傳輸?shù)碾妷褐?V_)例如通過調(diào)整偏離調(diào)整部分60的可變電阻值而允許修正到預(yù)定值。操作接下來，將在下面描述根據(jù)實(shí)施例的激光二極管陣列1的操作示例。在根據(jù)實(shí)施例的激光二極管陣列1中，脈沖電流單獨(dú)地施加給激光器構(gòu)造部分20的每一個(gè)，以從激光器構(gòu)造部分20的每一個(gè)輸出脈沖激光。此時(shí)，恒定電流Is流過溫度檢測部分30，并且經(jīng)常監(jiān)測溫度檢測部分30的電壓值，采用監(jiān)測的電壓值修正施加給激光器構(gòu)造部分20的每一個(gè)的脈沖電流波形，從而光輸出具有矩形波形。例如，在元件溫度增加時(shí)，或者，在波長失諧△ λ設(shè)定為很大值時(shí)，光輸出的波形通常變形。在該實(shí)施例中，即使光輸出的波形因上述因素而可能變形，利用從溫度檢測部分 30獲得的電壓值也能修正變形的光輸出波形。效果在實(shí)施例中，溫度檢測部分30與激光器構(gòu)造部分20設(shè)置在半導(dǎo)體基板10上。因此，允許溫度檢測部分30靠近每個(gè)激光器構(gòu)造部分20檢測半導(dǎo)體基板10的溫度或者激光二極管陣列1周圍的環(huán)境溫度。結(jié)果，允許準(zhǔn)確地估算元件溫度。因此，在實(shí)施例中，施加給激光器構(gòu)造部分20的每一個(gè)的脈沖電流的波形允許精確地修正以便具有矩形形狀。而且，在實(shí)施例中，熱敏電阻不是必要的，并且溫度檢測部分30允許在激光器構(gòu)造部分20的制造工藝中與激光器構(gòu)造部分20 —起形成；因此，與現(xiàn)有技術(shù)中采用熱敏電阻的情況相比，允許降低部件成本。此外，在實(shí)施例中，在設(shè)置多個(gè)溫度檢測部分30的情況下，例如，從溫度檢測部分 30獲得的電壓值的平均值可以用于修正脈沖電流的波形。在此情況下，允許以較高的穩(wěn)定性和較小的誤差進(jìn)行修正。修改在上述實(shí)施例中，相位調(diào)整層41僅設(shè)置在激光器構(gòu)造部分20中；然而，相位調(diào)整層41也可以設(shè)置在溫度檢測部分30中。在此情況下，激光振蕩發(fā)生在溫度檢測部分30中以向外發(fā)射激光；因此，例如，如圖7所示，金屬層44可以設(shè)置在溫度檢測部分30的整個(gè)頂表面上，以防止激光泄漏到外面。而且，盡管未示出，但是金屬層44也可以設(shè)置在圖3所示的激光器構(gòu)造部分20的整個(gè)頂表面上。在此情況下，金屬層44阻擋了甚至LED發(fā)光級別的弱光。因此，金屬層44優(yōu)選設(shè)置在需要低噪聲光輸出的情況下。而且，在上述實(shí)施例中，溫度檢測部分30形成在作為生長基板的半導(dǎo)體基板10 上；然而，溫度檢測部分30可以形成在與作為生長基板的半導(dǎo)體基板10不同的基板上。然而，在此情況下，激光二極管陣列1允許通過將溫度檢測部分30安裝在半導(dǎo)體基板10上而形成。此外，在上述實(shí)施例及其修改中，激光器構(gòu)造部分20形成在作為生長基板的半導(dǎo)體基板10上；然而，激光器構(gòu)造部分20可以形成在與作為生長基板的半導(dǎo)體基板10不同的基板上。然而，在此情況下，激光二極管陣列1允許通過將激光器構(gòu)造部分20安裝在半導(dǎo)體基板10上而形成。而且，在上述實(shí)施例及其修改中，描述了設(shè)置多個(gè)激光器構(gòu)造部分20的情況；然而，激光器構(gòu)造部分20的數(shù)量不必是多個(gè)，而是可以僅為一個(gè)。此外，在上述實(shí)施例及其修改中，描述了本發(fā)明應(yīng)用于激光二極管陣列的情況；然而，本發(fā)明可應(yīng)用于例如LED陣列。在此情況下，半導(dǎo)體發(fā)光部分和半導(dǎo)體溫度檢測部分具有相同的LED構(gòu)造，并且具有相同的PN結(jié)構(gòu)造或者相同的PIN結(jié)構(gòu)造。本申請包含與2010年4月2日提交日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP 2010-086313中公開的相關(guān)的主題，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在權(quán)利要求或其等同方案的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括在半導(dǎo)體基板上的一個(gè)或多個(gè)面發(fā)射半導(dǎo)體發(fā)光部分和一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體溫度檢測部分，所述面發(fā)射半導(dǎo)體發(fā)光部分在所述半導(dǎo)體基板的法線方向上發(fā)光，所述半導(dǎo)體溫度檢測部分不向外發(fā)光，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光部分和所述半導(dǎo)體溫度檢測部分在所述半導(dǎo)體基板的法線方向上具有PN結(jié)或者PIN結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光部分和所述半導(dǎo)體溫度檢測部分具有相同的所述PN結(jié)構(gòu)造或者所述 PIN結(jié)構(gòu)造。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光部分和所述半導(dǎo)體溫度檢測部分都具有層疊構(gòu)造，該層疊構(gòu)造依次包括第一多層反射鏡、有源層和第二多層反射鏡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光部分和所述半導(dǎo)體溫度檢測部分具有相同的層疊構(gòu)造。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光部分和所述半導(dǎo)體溫度檢測部分都形成在作為生長基板的所述半導(dǎo)體基板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述半導(dǎo)體溫度檢測部分的每一個(gè)都在頂表面上具有低反射率層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述半導(dǎo)體溫度檢測部分的每一個(gè)都在整個(gè)頂表面上包括金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包括電路，用于調(diào)整從每個(gè)所述半導(dǎo)體溫度檢測部分傳輸?shù)臋z測電壓的偏離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。該半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括允許精確地估算元件溫度的溫度檢測部分。該半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括在半導(dǎo)體基板上的一個(gè)或多個(gè)面發(fā)射半導(dǎo)體發(fā)光部分和一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體溫度檢測部分，該面發(fā)射半導(dǎo)體發(fā)光部分在半導(dǎo)體基板的法線方向上發(fā)光，該半導(dǎo)體溫度檢測部分不向外發(fā)光。該半導(dǎo)體發(fā)光部分和該半導(dǎo)體溫度檢測部分具有在半導(dǎo)體基板的法線方向上的PN結(jié)或者PIN結(jié)。
文檔編號H01S5/026GK102214896SQ20111007328
公開日2011年10月12日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月2日
發(fā)明者佐藤進(jìn), 內(nèi)田史朗, 前田修, 汐先政貴, 荒木田孝博 申請人:索尼公司