專(zhuān)利名稱(chēng)：封裝具有蓋帽部件的半導(dǎo)體管芯的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及組裝半導(dǎo)體器件的方法，并且更具體地，涉及封裝具有蓋帽部件的帶屏蔽的半導(dǎo)體管芯的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件封裝實(shí)現(xiàn)基本功能，諸如提供電連接和保護(hù)管芯不受機(jī)械和環(huán)境應(yīng)カ的影響。完成的半導(dǎo)體器件可被安裝在具有電連接器的支撐物(諸如電路板(“PCB”))上。半導(dǎo)體器件可以具有用于連接支撐物上的電連接器的引線或暴露的外部電觸點(diǎn)表面。使用表面貼裝技術(shù)，封裝的外部電觸點(diǎn)表面或引線可被直接接合到支撐物上的對(duì)應(yīng)焊盤(pán)上，提供機(jī)械附接以及電連接。通過(guò)封裝一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯來(lái)共同封裝用于表面貼裝的多個(gè)半導(dǎo)體器件，封 裝處理包括將管芯或多個(gè)管芯嵌入模塑化合物內(nèi)。某些半導(dǎo)體器件可以具有在半導(dǎo)體管芯或多個(gè)半導(dǎo)體管芯的一個(gè)面上延伸的蓋帽。這種蓋帽可由導(dǎo)熱材料形成，并且起散熱器的作用。在另ー個(gè)例子中，這種蓋帽可以作為電磁屏蔽，并且在另ー個(gè)例子中，蓋帽可以作為抵抗靜態(tài)或緩慢改變的磁場(chǎng)的磁屏蔽部件。在半導(dǎo)體器件中集成蓋帽可以涉及額外的エ藝步驟，増加了器件的成本，并且引入了制造缺陷的附加風(fēng)險(xiǎn)。


以示例方式說(shuō)明本發(fā)明，并且本發(fā)明不限于在附圖中示出的實(shí)施例，在附圖中類(lèi)似的參考號(hào)指示類(lèi)似部件。為了簡(jiǎn)單和清楚起見(jiàn)示出圖中的部件，并且這些部件不必然按比例繪制。圖I是沿著圖2的已知BGA器件的直線1_1的示意性詳細(xì)截面；圖2是處于生產(chǎn)的中間階段的圖I的已知BGA器件的示意性平面圖；圖3是生產(chǎn)圖I和2的BGA器件的已知方法的各階段的簡(jiǎn)化流程圖；圖4是作為例子給出的組裝根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的各階段的簡(jiǎn)化流程圖；圖5是在組裝圖4的半導(dǎo)體器件的方法的一個(gè)例子的一個(gè)階段中，位于管芯支撐物上的半導(dǎo)體管芯陣列的示意性平面圖；圖6是蓋帽陣列結(jié)構(gòu)的示意性平面圖，該蓋帽陣列結(jié)構(gòu)用于圖5的處于組裝處理的一個(gè)階段的半導(dǎo)體管芯陣列；圖7是處于組裝處理的ー個(gè)階段的位于圖6的蓋帽框架結(jié)構(gòu)中的蓋帽的放大平面圖；圖8到11是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如圖5到7所示組裝半導(dǎo)體器件的方法例子過(guò)程中的各個(gè)階段的半導(dǎo)體器件的各部件的截面圖；圖12是圖4的組裝半導(dǎo)體器件的方法的另ー個(gè)例子的一個(gè)階段的用于半導(dǎo)體管芯陣列的引線框架結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；圖13是蓋帽框架結(jié)構(gòu)的示意性平面圖，其用于處于組裝根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的ー個(gè)階段的圖12的引線框架結(jié)構(gòu)；圖14是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，處于組裝半導(dǎo)體器件的ー個(gè)階段的圖12的引線框架結(jié)構(gòu)內(nèi)的單個(gè)引線框架的放大示意性平面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，處于組裝半導(dǎo)體器件的ー個(gè)階段的圖13的蓋帽框架結(jié)構(gòu)內(nèi)的蓋帽的放大示意性平面圖；圖16到20是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，處于圖12到15所示的組裝半導(dǎo)體器件的方法例子過(guò)程中的各個(gè)階段的半導(dǎo)體器件的各部件的截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖I到3示出了制作具有蓋帽部件的半導(dǎo)體器件的已知方法。在這個(gè)例子中，半導(dǎo)體器件是通過(guò)線接合內(nèi)部連接的球柵陣列(“BGA”)器件。圖I所示的半導(dǎo)體器件100包括具有承載接觸焊盤(pán)(未示出)的有源面104的半導(dǎo)體管芯102。半導(dǎo)體管芯102被安裝為其與有源面104相対的面以環(huán)氧粘合劑或膠水108固定在電絕緣的管芯支撐物106上。管芯支撐物106還包括外部電觸點(diǎn)表面110的陣列。如圖2所示，在封裝之前，通過(guò)諸如112的接合線形成半導(dǎo)體管芯的接觸焊盤(pán)和諸如110的外部電觸點(diǎn)表面之間的內(nèi)部連接。半導(dǎo)體器件100還包括蓋帽部件114。在圖I到3所示的制造半導(dǎo)體器件的已知方法中，例如，蓋帽部件114包括箔片，該箔片被拾取并放置在半導(dǎo)體管芯102的有源面104上，并且以環(huán)氧粘合劑或膠水116附接。在這個(gè)例子中，半導(dǎo)體管芯102包括對(duì)外部靜態(tài)或緩慢改變的磁場(chǎng)敏感的磁阻隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(“MRAM”)模塊。蓋帽部件是導(dǎo)磁率材料，諸如NiFe合金。半導(dǎo)體管芯102的陣列被封裝在模塑化合物118內(nèi)，焊球120的陣列被施加到外部電觸點(diǎn)表面110上，并且半導(dǎo)體器件隨后被切単。圖3示出了形成半導(dǎo)體器件100的方法300的例子的概況。在方法300中，包含半導(dǎo)體管芯102陣列的晶片被在302安裝并且通過(guò)例如鋸切而被切単。在304，各個(gè)半導(dǎo)體管芯102被拾取并且通過(guò)環(huán)氧粘合劑或膠水108在電絕緣的管芯支撐物106上以陣列方式固定。在306，通過(guò)接合線諸如112形成半導(dǎo)體管芯的接觸焊盤(pán)和諸如110的外部電觸點(diǎn)表面之間的內(nèi)部連接，得到圖2所示的一個(gè)半導(dǎo)體器件的未完成結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)理解，在倒裝芯片封裝的情況下，可以省略線接合步驟306。在308，通過(guò)表面處理、尺寸修整、拾取和放置從而為蓋帽部件114的箔片進(jìn)行接合準(zhǔn)備。在310，各個(gè)箔片部件114通過(guò)例如環(huán)氧粘合劑或膠水116被固定到半導(dǎo)體管芯102的有源面104。在312，進(jìn)行接合后檢查。在314，具有接合線112和蓋帽部件114的半導(dǎo)體管芯102的陣列被封裝在具有模塑化合物118的模套(未示出)內(nèi)，并且對(duì)模制組件進(jìn)行模塑后固化。在316，對(duì)于BGA封裝，焊球120的陣列被施加到外部電觸點(diǎn)表面110上。然后，在318，半導(dǎo)體器件被切單并且進(jìn)行修整，隨后是最終目視檢查。在方法300的適用于引線框架半導(dǎo)體器件的變形中，除了在步驟304，各個(gè)半導(dǎo)體管芯102被拾取并且在引線框架結(jié)構(gòu)上以陣列方式固定，并且以引線框架的電鍍和激光處理操作320取代步驟316之外，方法是類(lèi)似的。圖4到20示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的方法的例子。該方法包括將半導(dǎo)體管芯陣列放置在管芯支撐物上。提供蓋帽陣列結(jié)構(gòu)，其包括由蓋帽框架結(jié)構(gòu)支撐的相應(yīng)蓋帽部件。蓋帽陣列結(jié)構(gòu)和管芯支撐物上的半導(dǎo)體管芯陣列被對(duì)準(zhǔn)地定位在模套內(nèi)，蓋帽部件在對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體管芯上延伸。半導(dǎo)體管芯陣列和蓋帽部件陣列通過(guò)模塑化合物被封裝在模套內(nèi)。具有相應(yīng)蓋帽部件的半導(dǎo)體管芯的封裝単元被切単。切單封裝單元可以包括從封裝單元去除蓋帽框架結(jié)構(gòu)。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的類(lèi)似于圖3的使用線接合形成半導(dǎo)體器件的方法400的例子。在方法400中，在402，安裝并且通過(guò)例如鋸切單包含半導(dǎo)體管芯102陣列的晶片。在404，各個(gè)半導(dǎo)體管芯102被拾取并且通過(guò)環(huán)氧粘合劑或膠水108在電絕緣管芯支撐物106上以陣列固定。在406，通過(guò)接合線諸如112形成半導(dǎo)體管芯的接觸焊盤(pán)和諸如110的外部電觸點(diǎn)表面之間的內(nèi)部連接?？捎深?lèi)似于制造引線框架結(jié)構(gòu)的方法制造蓋帽陣列結(jié)構(gòu)，并且根據(jù)其功能，可由類(lèi)似于引線框架結(jié)構(gòu)中使用的材料形成蓋帽陣列結(jié)構(gòu)。因此，可由通常提供引線框架結(jié)構(gòu) 的相同來(lái)源提供蓋帽陣列結(jié)構(gòu)。在408，進(jìn)行接合后檢查。在410，在模套中對(duì)齊蓋帽陣列結(jié)構(gòu)和管芯支撐物106。在412，具有接合線112和蓋帽部件114的半導(dǎo)體管芯102的陣列通過(guò)模塑化合物118被封裝在模套內(nèi)，并且對(duì)模塑組件進(jìn)行模塑后固化。在414，對(duì)于BGA封裝，焊球120陣列被施加到外部電觸點(diǎn)表面110。然后，在416，半導(dǎo)體器件被切單并且進(jìn)行修整，隨后是最終目視檢查。該方法避免了在步驟308處理單個(gè)蓋帽部件114，并且避免了接合蓋帽部件114的附加步驟310。在方法400的適用于引線框架半導(dǎo)體器件的變形中，除了在步驟404，各個(gè)半導(dǎo)體管芯102被拾取并且在引線框架結(jié)構(gòu)上以陣列方式固定，并且以引線框架的電鍍和激光處理操作418取代步驟414之外，方法是類(lèi)似的。方法400的步驟402到406可以類(lèi)似于已知方法300的步驟302到306。圖5到11示出了方法400的沒(méi)有線接合的適用于倒裝芯片BGA半導(dǎo)體器件的另ー個(gè)變形的例子。在圖5到11所示的方法中，半導(dǎo)體管芯102被拾取并且在管芯支撐物502上以陣列500放置，如圖5所示，管芯支撐物502包括臨時(shí)襯底。管芯支撐物502包括用于與封裝模具內(nèi)的定位銷(xiāo)配合的對(duì)準(zhǔn)孔504。圖8以放大的比例示出了管芯支撐物502上的一個(gè)半導(dǎo)體管芯102的細(xì)節(jié)的截面圖。圖6示出了用于圖5的管芯支撐物502上的半導(dǎo)體管芯陣列的蓋帽陣列結(jié)構(gòu)600。蓋帽陣列結(jié)構(gòu)600包括以蓋帽框架結(jié)構(gòu)支撐的蓋帽部件602的陣列。蓋帽部件602的陣列具有類(lèi)似于管芯支撐物502上的半導(dǎo)體管芯102的陣列500的幾何形狀。蓋帽陣列結(jié)構(gòu)600包括對(duì)準(zhǔn)孔604，對(duì)準(zhǔn)孔604的位置和大小類(lèi)似于用于配合模套內(nèi)的定位銷(xiāo)的對(duì)準(zhǔn)孔504，以便確保管芯支撐物502上的半導(dǎo)體管芯102的陣列500相對(duì)于模套中蓋帽陣列結(jié)構(gòu)600的對(duì)準(zhǔn)。圖7以平面圖和沿著圖9中的線9-9的截面圖以放大比例示出了蓋帽陣列結(jié)構(gòu)600內(nèi)的一個(gè)蓋帽部件602的細(xì)節(jié)。蓋帽陣列結(jié)構(gòu)600包括蓋帽框架結(jié)構(gòu)，蓋帽框架結(jié)構(gòu)包括形成矩形框架605 (在這個(gè)例子中為方形)的框架組件，該矩形框架605圍繞蓋帽部件602，框架組件為相鄰蓋帽部件602所共用。蓋帽部件602在矩形框架605的每個(gè)角處以連接件606機(jī)械連接到矩形框架605，從而矩形框架605和連接件606支撐蓋帽部件602，直到封裝步驟412。連接件606向著矩形框架605在其中延伸的平面傾斜，從而大體上平行于該平面延伸的蓋帽部件602偏離該平面，并且如圖10所示，當(dāng)蓋帽陣列結(jié)構(gòu)600利用與管芯支撐物502毗鄰的矩形框架605與半導(dǎo)體管芯陣列500組裝在一起時(shí)，蓋帽部件602與半導(dǎo)體管芯102具有間隔。圖10示意性地示出了封裝模套1000以及接合在對(duì)準(zhǔn)孔504和604內(nèi)的其中ー個(gè)定位銷(xiāo)1002，模套1000被與形成管芯支撐物502的臨時(shí)襯底接合的背板1004封閉。在方法400的步驟412，當(dāng)模塑化合物被引入模套1000內(nèi)時(shí)，模塑化合物可以通過(guò)矩形框架605拐角處的連接件606之間的間隙流動(dòng)，并且流入蓋帽部件602與半導(dǎo)體管芯102之間的空間，該空間是由蓋帽部件602偏離半導(dǎo)體管芯102和管芯支撐物502而留下的，由此完成了蓋帽部件602之下的半導(dǎo)體器件的封裝。圖11示出了在步驟414的球陣列1102的附接和步驟416的切單之后的半導(dǎo)體器件1100。一旦封裝了器件1100，模塑化合物1104獨(dú)立于管芯支撐物502支撐半導(dǎo)體管芯102，管芯支撐物502被去除。模塑化合物1104還獨(dú)立于連接件606 (其也被嵌入，但是在圖11中被模塑化合物1104所遮擋)和矩形框架605支撐蓋帽部件602，并且矩形框架605 可被去除和丟棄。例如，通過(guò)切單處理沿著鋸切通道通過(guò)切單鋸，以便從相應(yīng)蓋帽部件602和半導(dǎo)體管芯102上切下框架組件，由此可以在切單過(guò)程中方便地完成矩形框架605的去除。在這個(gè)例子中，蓋帽部件602被封閉在模塑化合物1104內(nèi)，但是也可被保留為在器件的表面處暴露。圖12到20示出了方法400的適用于引線框架半導(dǎo)體器件的具有線接合的另ー個(gè)變形的例子。在圖12到20所示的方法中，半導(dǎo)體管芯102被拾取并且如圖12所示在管芯支撐物1202上以陣列1200放置。管芯支撐物1202是引線框架結(jié)構(gòu)，其包括用干與封裝模套內(nèi)的定位銷(xiāo)配合的對(duì)準(zhǔn)孔1204。圖14以平面圖和沿著圖16中的線16-16的截面圖以放大比例示出了引線框架管芯支撐物1202的其中一個(gè)部件的細(xì)節(jié)。引線框架結(jié)構(gòu)1202包括安裝底盤(pán)(flag)或焊盤(pán)1206，在步驟404，各個(gè)半導(dǎo)體管芯被放置并且粘合在其上。引線框架結(jié)構(gòu)1202還包括支撐框架結(jié)構(gòu)，其包括圍繞安裝底盤(pán)1206并且形成圍繞安裝底盤(pán)1206的矩形框架1208的框架組件，矩形框架1208在這個(gè)例子中是正方形，框架組件為相鄰安裝底盤(pán)1206共用?？蚣芙M件通過(guò)例如沖壓與各組電觸點(diǎn)1210 —體形成，電觸點(diǎn)1210暴露在完成的半導(dǎo)體器件的有源面?zhèn)?。各組外部電觸點(diǎn)1210從矩形框架1208的內(nèi)邊向著安裝底盤(pán)1206向內(nèi)凸出。在封裝之后，在這個(gè)例子中在切單416過(guò)程中，將切掉并且去除矩形框架1208。引線或外部電觸點(diǎn)表面組布置在安裝底盤(pán)1206外圍的兩個(gè)相對(duì)側(cè)(“雙列直插封裝”)或所有四個(gè)側(cè)面上(“方形封裝”)。示出的例子是“無(wú)引線四方扁平封裝”(“QFN”)封裝，其中外部電觸點(diǎn)表面暴露于完成的器件2000的有源面2004和各側(cè)面。類(lèi)似的配置適用于雙列直插扁形無(wú)引線封裝。應(yīng)當(dāng)理解，示出的例子可適用于方型扁平式封裝(“QFP”)，其中外部電觸點(diǎn)表面是延伸超出完成的器件2000的側(cè)面的引線，并且通常不與有源面2004共面。安裝底盤(pán)1206在矩形框架1208的每個(gè)拐角處通過(guò)連接件1212與矩形框架1208機(jī)械連接，從而矩形框架1208和連接件1212支撐安裝底盤(pán)1206，直到封裝步驟412。在這個(gè)例子中，連接件1212與安裝底盤(pán)1206和矩形框架1208共面，從而安裝底盤(pán)1206暴露于完成的半導(dǎo)體器件的有源面。在本發(fā)明的實(shí)施例的另ー個(gè)例子中，連接件1212相對(duì)于安裝底盤(pán)1206和矩形框架1208傾斜，從而安裝底盤(pán)1206被嵌入在完成的半導(dǎo)體器件的有源面之下。在本發(fā)明的實(shí)施例的另ー個(gè)例子中，省略了連接件1212和安裝底盤(pán)1206，半導(dǎo)體管芯102被安裝在外部電觸點(diǎn)1210上。圖13示出了用于管芯支撐物1202上的半導(dǎo)體管芯的陣列1200的蓋帽陣列結(jié)構(gòu)1300。蓋帽陣列結(jié)構(gòu)1300包括被以蓋帽陣列結(jié)構(gòu)支撐的蓋帽部件1302的陣列。蓋帽部件1302的陣列與管芯支撐物1202上的半導(dǎo)體管芯102的陣列1200具有類(lèi)似的幾何形狀。蓋帽陣列結(jié)構(gòu)1300包括對(duì)準(zhǔn)孔1304，對(duì)準(zhǔn)孔1304的位置和大小與對(duì)準(zhǔn)孔1204類(lèi)似，用于配合封裝模套內(nèi)的定位銷(xiāo)，以便確保管芯支撐物1202上的半導(dǎo)體管芯102的陣列1200相對(duì)于蓋帽陣列結(jié)構(gòu)1300在封裝模套內(nèi)的對(duì)齊。圖15以平面圖和沿著圖17中的線17-17的截面圖以放大比例示出了蓋帽陣列結(jié)構(gòu)1300內(nèi)的一個(gè)蓋帽部件1302的細(xì)節(jié)。蓋帽陣列結(jié)構(gòu)1300包括蓋帽框架結(jié)構(gòu)，其包括形成矩形框架1306的框架組件，矩形框架1306圍繞蓋帽部件1302，在這個(gè)例子中矩形框架1306為正方形，框架組件為相鄰蓋帽部件1302所共用。蓋帽部件1302在矩形框架1306的每個(gè)拐角處通過(guò)連接件1308與矩形框架1306機(jī)械連接，從而矩形框架1306和連接件1308 支撐蓋帽部件1302，直至封裝步驟412。連接件1308向著矩形框架1306在其中延伸的平面傾斜，從而大體上平行于該平面延伸的蓋帽部件1302偏離該平面，并且如圖19所示，當(dāng)蓋帽陣列結(jié)構(gòu)1300通過(guò)與引線框架陣列的框架1208毗鄰的蓋帽陣列的矩形框架1306而與半導(dǎo)體管芯陣列1200組裝在一起時(shí)，蓋帽部件1302與半導(dǎo)體管芯102和接合線間隔開(kāi)。如圖所示，蓋帽部件1302可以是凹陷的，從而在其側(cè)面給出與接合線分離的額外空隙，同時(shí)保持蓋帽部件1302的中心部分接近半導(dǎo)體管芯102，以便保持其與半導(dǎo)體管芯的交互。圖18示意性地示出了在步驟404通過(guò)環(huán)氧粘合劑或膠水106在管芯支撐物1202的其中ー個(gè)安裝底盤(pán)1206上安裝半導(dǎo)體管芯102，并且在步驟406通過(guò)接合線1800將半導(dǎo)體管芯102的與安裝底盤(pán)1206相対的表面上的接觸焊盤(pán)連接到各組電觸點(diǎn)1210之后的半導(dǎo)體管芯102。圖19示意性地示出了封裝模套1000，其中ー個(gè)定位銷(xiāo)1002接合在對(duì)準(zhǔn)孔1204和1304中，模套1000被板1900封閉。在方法400的步驟412，當(dāng)模塑化合物被引入模套1000時(shí)，它可以通過(guò)矩形框架1306拐角處的連接件1308之間的間隙流動(dòng)，并且流入蓋帽部件1302和半導(dǎo)體管芯102之間的空間，該空間是由于蓋帽部件1302偏離半導(dǎo)體管芯102和管芯支撐物1202而留下的，由此完成蓋帽部件1302之下的半導(dǎo)體器件的封裝。圖20示出了步驟418的電鍍和激光處理和步驟416的切單之后的半導(dǎo)體器件2000。一旦器件2000被封裝，模塑化合物2002獨(dú)立于管芯支撐物1202的矩形框架1208而支撐半導(dǎo)體管芯102、外部觸點(diǎn)1210和接合線1800，矩形框架1208被去除并且丟棄。模塑化合物2000還獨(dú)立于連接件1308和矩形框架1306支撐蓋帽部件1302，并且矩形框架1306可被去除和丟棄。在本發(fā)明實(shí)施例的這個(gè)例子中，可以同時(shí)執(zhí)行去除管芯支撐物1202的矩形框架1208和蓋帽陣列結(jié)構(gòu)的矩形框架1306。例如通過(guò)沿著鋸?fù)ǖ劳ㄟ^(guò)切單鋸的切單處理，從而從相應(yīng)安裝底盤(pán)1206和半導(dǎo)體管芯102以及蓋帽部件1302上切下框架組件，從而可以在切單過(guò)程中方便地去除矩形框架1208和矩形框架1306。在這個(gè)例子中，蓋帽部件1302被封閉在模塑化合物1104內(nèi)，但是可被保留為在器件的表面處暴露。在這個(gè)例子中，外部觸點(diǎn)1210暴露于完成的器件2000的有源面2004和側(cè)面。上述本發(fā)明的實(shí)施例的例子，特別是圖5到20所示的方法和方法400，適用于形成其中蓋帽部件實(shí)現(xiàn)不同功能的半導(dǎo)體器件。例如，蓋帽部件可由導(dǎo)熱材料形成，并且起散熱器的作用，將內(nèi)部產(chǎn)生的熱分散在半導(dǎo)體管芯或多個(gè)管芯的表面上，并且通過(guò)例如傳導(dǎo)輻射和/或?qū)α飨⒃摕崃俊Ｔ诹愆`個(gè)例子中，這種蓋帽部件可由導(dǎo)電材料形成，并且起電磁屏蔽部件的作用；相同或不同導(dǎo)電材料的引線框架結(jié)構(gòu)的安裝底盤(pán)可以形成半導(dǎo)體管芯或多個(gè)管芯的相對(duì)側(cè)上的補(bǔ)充電磁屏蔽部件，以便進(jìn)一歩減小電磁干擾作用。在另ー個(gè)例子中，這種蓋帽部件可由高導(dǎo)磁率的材料形成，并且作為對(duì)抗靜態(tài)或緩慢改變的磁場(chǎng)的磁屏蔽部件。在前面的說(shuō)明中，已經(jīng)參考本發(fā)明的實(shí)施例的特定例子描述了本發(fā)明。然而顯然可以做出各種修改和改動(dòng)，而不脫離所附權(quán)利要求中提出 的本發(fā)明的更寬精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種組裝半導(dǎo)體器件的方法，包括 將半導(dǎo)體管芯的陣列放置在管芯支撐物上； 提供蓋帽陣列結(jié)構(gòu)，所述蓋帽陣列結(jié)構(gòu)包括通過(guò)蓋帽框架結(jié)構(gòu)支撐的相應(yīng)的蓋帽部件的陣列； 在模套內(nèi)，在所述管芯支撐物上對(duì)齊所述蓋帽陣列結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體管芯陣列，其中所述蓋帽部件在相應(yīng)的半導(dǎo)體管芯之上延伸； 通過(guò)模塑化合物封裝所述半導(dǎo)體管芯陣列和所述蓋帽部件陣列；以及 切單所述半導(dǎo)體管芯和蓋帽部件的封裝單元。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，還包括提供連接到所述半導(dǎo)體管芯的相應(yīng)的各組外部電觸點(diǎn)表面。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述管芯支撐物包括臨時(shí)襯底，在封裝所述半導(dǎo)體管芯陣列和所述蓋帽部件陣列之后，去除所述臨時(shí)襯底，并且其中提供相應(yīng)的各組外部電觸點(diǎn)表面包括在去除所述臨時(shí)襯底之后，將電觸點(diǎn)表面施加到所述封裝單元。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述管芯支撐物包括承載所述電觸點(diǎn)表面的電絕緣襯底。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述管芯支撐物包括引線框架結(jié)構(gòu)，并且所述引線框架結(jié)構(gòu)包括所述各組外部電觸點(diǎn)表面和支撐框架結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中切單所述封裝單元包括從所述封裝單元去除所述支撐框架結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述引線框架結(jié)構(gòu)包括安裝底盤(pán)陣列，所述安裝底盤(pán)陣列用于容納所述半導(dǎo)體管芯陣列并且最初由所述支撐框架結(jié)構(gòu)支撐，其中所述各組外部電觸點(diǎn)表面被布置在所述安裝底盤(pán)外圍。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其中切單所述封裝單元包括從所述封裝單元去除所述蓋帽框架結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求I所述的方法，其中所述蓋帽陣列結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)熱材料，從而使得所述蓋帽部件作為所述半導(dǎo)體管芯的散熱器。
10.如權(quán)利要求I所述的方法，其中所述蓋帽陣列結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電材料，從而使得所述蓋帽部件為所述半導(dǎo)體管芯提供電磁屏蔽。
11.如權(quán)利要求I所述的方法，其中所述模套包括定位銷(xiāo)，所述定位銷(xiāo)用于在所述管芯支撐物上定位和對(duì)齊所述蓋帽陣列結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體管芯陣列。
12.如權(quán)利要求I所述的方法，其中所述蓋帽框架結(jié)構(gòu)包括蓋帽框架組件，所述蓋帽框架組件分別圍繞所述蓋帽部件，所述蓋帽框架組件形成矩形框架，所述框架組件為相鄰蓋帽部件所共用。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述蓋帽部件在所述矩形框架的每個(gè)拐角處通過(guò)連接件與所述矩形框架機(jī)械連接，從而使得所述矩形框架和所述連接件至少臨時(shí)地支撐所述蓋帽部件。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述連接件向所述矩形框架在其中延伸的平面傾斜，從而使得所述蓋帽部件偏離所述平面，并且當(dāng)所述蓋帽陣列結(jié)構(gòu)通過(guò)與所述管芯支撐物毗鄰的所述矩形框架而與所述半導(dǎo)體管芯陣列組裝在一起時(shí)，使得所述蓋帽部件與所述半導(dǎo)體管芯間 隔開(kāi)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種封裝具有蓋帽部件的半導(dǎo)體管芯的方法，包括將半導(dǎo)體管芯陣列放置在管芯支撐物上。提供蓋帽陣列結(jié)構(gòu)，蓋帽陣列結(jié)構(gòu)包括以蓋帽陣列結(jié)構(gòu)支撐的蓋帽的相應(yīng)陣列。在模套內(nèi)在管芯支撐物上對(duì)齊蓋帽陣列結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體管芯陣列，蓋帽在相應(yīng)的半導(dǎo)體管芯之上延伸。在模套內(nèi)以模塑化合物封裝半導(dǎo)體管芯陣列和蓋帽陣列。從模套中取出并且切單具有相應(yīng)蓋帽的半導(dǎo)體管芯的封裝單元。切單封裝單元可以包括從封裝單元去除蓋帽陣列結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L21/50GK102683222SQ20111006571
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者姚晉鐘, 白志剛, 許南, 駱軍華 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司