專利名稱：半導(dǎo)體薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體薄膜晶體管。背景技術(shù)：
半導(dǎo)體薄膜晶體管一般包括柵極、柵極絕緣層、通道層及源極/漏極等膜層結(jié)構(gòu)， 其通常在顯示器，如液晶顯示器中，作為開關(guān)元件使用。如圖1和圖2所示，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體薄膜晶體管100包括基底層(圖中未示)、設(shè)于基底層上的氧化鋁柵極層(圖中未示)、設(shè)于氧化鋁柵極層上的鋁引線層110、以及設(shè)于氧化鋁柵極層及鋁引線層Iio上的用于形成源極的導(dǎo)電層120。鋁引線層110在鍍膜完成后，需要對其進(jìn)行進(jìn)一步的加工處理，如雕刻成合適的圖案等，這些加工處理過程都是在大氣環(huán)境下進(jìn)行的，但鋁裸露在大氣環(huán)境中，在其表面極易形成一層氧化鋁氧化層，氧化鋁的電導(dǎo)率很低，從而當(dāng)在鋁引線層110上再鍍置導(dǎo)電層 120時，由于氧化層的存在，增加了鋁引線層110與導(dǎo)電層120的接觸電阻，從而影響半導(dǎo)體薄膜晶體管100的驅(qū)動能力及使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容基于此，有必要提供一種能顯著降低鋁膜接觸電阻的半導(dǎo)體薄膜晶體管。一種半導(dǎo)體薄膜晶體管，包括基底層、設(shè)于基底層上的柵極層、設(shè)于柵極層上的鋁引線層、設(shè)于柵極層及鋁引線層上的用于形成源極的導(dǎo)電層，此外，該半導(dǎo)體薄膜晶體管還包括設(shè)于基底層與鋁引線層之間的抗氧化性金屬層，抗氧化性金屬層分別與鋁引線層及導(dǎo)電層電性接觸，所述鋁引線層與所述導(dǎo)電層之間絕緣。在優(yōu)選的實施方式中，鋁引線層與導(dǎo)電層接觸部分設(shè)有用于絕緣的氧化鋁層。在優(yōu)選的實施方式中，柵極層為氧化鋁材質(zhì)。在優(yōu)選的實施方式中，抗氧化性金屬層為鉬、金、銀、銅或鎳。通過在基底層上先設(shè)置一層抗氧化性金屬層，做成圖案后，再設(shè)置鋁引線層，從而之前與鋁引線層直接電性接觸的導(dǎo)電層變成與抗氧化性金屬層直接電性接觸，間接形成與鋁引線層之間的電性連接，可以有效避免在加工過程中因鋁引線層裸露在空氣中易被氧化而增加接觸電阻的問題，從而可以有效提高半導(dǎo)體薄膜晶體管的驅(qū)動能力，延長其使用壽命。

圖1為傳統(tǒng)的半導(dǎo)體薄膜晶體管膜層結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中鋁引線層與導(dǎo)電層接觸示意圖；圖3為一實施方式中半導(dǎo)體薄膜晶體管膜層結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3中鋁引線層、抗氧化性金屬層及導(dǎo)電層的接觸示意圖。
具體實施方式下面主要結(jié)合附圖及具體實施例對半導(dǎo)體薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。如圖3和圖4所示，一實施方式的半導(dǎo)體薄膜晶體管200包括基底層(圖中未示)、 設(shè)于基底層上的柵極層(圖中未示)、設(shè)于柵極層上的鋁引線層210、以及設(shè)于柵極層及鋁引線層210上的用于形成源極的導(dǎo)電層220。此外，本實施方式的半導(dǎo)體薄膜晶體管200還包括設(shè)于基底層與鋁引線層210之間的抗氧化性金屬層230?？寡趸越饘賹?30同時與鋁引線層210及導(dǎo)電層220電性接觸，鋁引線層210與導(dǎo)電層220之間絕緣。本實施方式中的半導(dǎo)體薄膜晶體管200在制造過程中，首先在基底層上形成柵極層及抗氧化性金屬層230 ；加工成合適的圖案后，再在柵極層及抗氧化性金屬層230上鍍置鋁引線層210，從而鋁引線層210與抗氧化性金屬層230形成電性接觸；鋁引線層210鍍置完成后，將鋁引線層210加工成合適的圖案，抗氧化性金屬層230有一接觸角裸露出來； 然后對鋁引線層210的與將要鍍置的導(dǎo)電層220接觸的表面進(jìn)行選擇性氧化處理后，形成一氧化鋁層對0，再在抗氧化性金屬層230裸露出的接觸角及鋁引線層210上鍍置導(dǎo)電層 220，從而鋁引線層210與導(dǎo)電層220接觸部分由于氧化鋁層240的存在而絕緣，導(dǎo)電層220 通過抗氧化性金屬層230形成與鋁引線層210的間接電性接觸，可以有效避免在加工過程中因鋁引線層210裸露在空氣中易被氧化而增加接觸電阻的問題，從而可以有效提高半導(dǎo)體薄膜晶體管200的驅(qū)動能力，延長其使用壽命。本實施方式的柵極層為氧化鋁材質(zhì)。抗氧化性金屬層230為銅金屬層，在其他實施方式中，抗氧化性金屬層230還可以為其他在大氣環(huán)境中不易被氧化的穩(wěn)定性較好的金屬，例如鉬、金、銀或鎳等金屬層。以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體薄膜晶體管，包括基底層、設(shè)于所述基底層上的柵極層、設(shè)于所述柵極層上的鋁引線層、設(shè)于所述柵極層及所述鋁引線層上的用于形成源極的導(dǎo)電層，其特征在于， 還包括設(shè)于所述基底層與所述鋁引線層之間的抗氧化性金屬層，所述抗氧化性金屬層與所述鋁引線層及所述導(dǎo)電層電性接觸，所述鋁引線層與所述導(dǎo)電層之間絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，所述鋁引線層與所述導(dǎo)電層接觸部分設(shè)有用于絕緣的氧化鋁層。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極層為氧化鋁材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，所述抗氧化性金屬層為鉬、 金、銀、銅或鎳。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體薄膜晶體管，包括基底層、設(shè)于基底層上的柵極層、設(shè)于柵極層上的鋁引線層、設(shè)于柵極層及鋁引線層上的用于形成源極的導(dǎo)電層，此外，該半導(dǎo)體薄膜晶體管還包括設(shè)于基底層與鋁引線層之間的抗氧化性金屬層，抗氧化性金屬層分別與鋁引線層及導(dǎo)電層電性接觸。通過在基底層上先設(shè)置一層抗氧化性金屬層，做成圖案后，再設(shè)置鋁引線層，從而之前與鋁引線層直接電性接觸的導(dǎo)電層變成與抗氧化性金屬層直接電性接觸，間接形成與鋁引線層之間的電性連接，可以有效避免在加工過程中因鋁引線層裸露在空氣中易被氧化而增加接觸電阻的問題，從而可以有效提高半導(dǎo)體薄膜晶體管的驅(qū)動能力，延長其使用壽命。
文檔編號H01L29/43GK102157567SQ201110065520
公開日2011年8月17日 申請日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者傅志敏, 王戰(zhàn)娥, 金弼 申請人:深圳南玻偉光導(dǎo)電膜有限公司