專利名稱：硼擴散源片的制備和檢測補源方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于硼擴散的硼擴散源片的制備和檢測補源方法。
背景技術：
氮化硼片源擴散是目前廣泛用于硅平面和集成電路的P型摻雜方法。其主要優(yōu)點 是能在較低的淀積溫度下，在大面積硅片上獲得高均勻性和高重復性的硼摻雜。使用時選 取與待擴散硅片相同尺寸大小的氮化硼片，并將氮化硼片在高溫下進行氧化，使其表面生 成三氧化硼，將表面生長有三氧化硼的氮化硼片與待擴散硅片相間放在石英舟上，利用三 氧化硼做雜質源向硅中進行擴散。這種氮化硼片可重復使用，使用多次后需重新氧化處理， 該擴散源雖擴散均勻性較好，但造價較高，由于厚度相對待擴散硅片要厚很多，批量擴散的 數(shù)量受到一定限制，且隨著氮化硼源的消耗，最終會報廢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制造成本低廉、無需燒源處理、適用于大批量生產(chǎn)、批量 擴散數(shù)量多、擴散質量好、可重復使用的硼擴散源片的制備和檢測補源方法。為達到上述目的，本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的硼擴散源片的制備方法為 將硼擴散源粉末均勻分散于醇類或醚類或酯類有機溶劑中，然后將分散均勻的液態(tài)擴散源 均勻涂抹在硅基片表面，烘干后形成用于硼擴散的硼擴散源片。所述的硼擴散源片的制備方法，其硼擴散源粉末為氧化硼或氮化硼或氧化硼與氮 化硼的混合物。所述的硼擴散源片的制備方法，其醇類有機溶劑為無水乙醇，醚類有機溶劑為乙 二醇乙醚，酯類有機溶劑為丁基卡必醇醋酸酯，上述有機溶劑中添加硼擴散源粉末后，經(jīng)充 分攪拌均勻配置成飽和液態(tài)擴散源。所述的硼擴散源片的制備方法，其液態(tài)擴散源均勻涂抹在與待擴散硅片相同大小 的硅基片上下兩面，硅基片為P型重摻雜硅片。一種硼擴散源片的檢測補源方法為通過檢測每次使用后被擴散硅片表面的方塊 電阻值來判斷硼擴散源片是否還符合使用要求，若測得的方塊電阻值明顯偏大且離散性增 加，則需要對硼擴散源片進行補源，其補源方法是在硼擴散源片表面重新涂覆所述的液態(tài) 擴散源，烘烤干燥后即可繼續(xù)使用。本發(fā)明由于采用了上述技術方案，因而具有以下優(yōu)點(一)本發(fā)明提供的硼擴散 源片不需要燒源處理，操作及使用更加簡單；(二)本發(fā)明提供的硼擴散源片制造成本較低， 可重復多次使用；(三)本發(fā)明提供的硼擴散源片在使用中占用的空間僅與被擴散的硅片相 當，遠小于其他類型的片狀擴散源片，與其他類型的片狀擴散源片相比，在相同的擴散空間 使用時可大大提高效率。


圖1本發(fā)明所述硼擴散源片的結構示意圖。圖2本發(fā)明所述硼擴散源片裝舟雙面擴散示意圖。圖3本發(fā)明所述硼擴散源片裝舟單面擴散示意圖。
具體實施例方式下面對本發(fā)明的實施例作進一步詳細的描述。實施例1 一種硼擴散源片的制備方法為將硼擴散源粉末均勻分散于醇類或醚 類或酯類有機溶劑中，然后如圖1所示，將分散均勻的液態(tài)擴散源5均勻涂抹在硅基片1表 面，烘干后形成用于硼擴散的硼擴散源片3，硼擴散源粉末為氧化硼或氮化硼或氧化硼與氮 化硼的混合物，醇類有機溶劑為無水乙醇，醚類有機溶劑為乙二醇乙醚，酯類有機溶劑為丁 基卡必醇醋酸酯，上述有機溶劑中添加硼擴散源粉末后，經(jīng)充分攪拌均勻配置成飽和液態(tài) 擴散源，液態(tài)擴散源5均勻涂抹在與待擴散硅片2相同大小的硅基片1上下兩面，硅基片1 為P型重摻雜硅片。使用時，如圖2及圖3所示，將硼擴散源片3與待擴散硅片2相間放 在石英舟4上，對待擴散硅片2進行雙面或單面擴散。實施例2 —種硼擴散源片的檢測補源方法為通過檢測每次使用后被擴散硅片2 表面的方塊電阻值來判斷硼擴散源片3是否還符合使用要求，若測得的方塊電阻值明顯偏 大且離散性增加，則需要對硼擴散源片3進行補源，其補源方法是在硼擴散源片3表面重 新涂覆如實施例1所述的液態(tài)擴散源5，烘烤干燥后即可繼續(xù)使用。實施例3 將85g氧化硼粉末溶解于300ml乙二醇乙醚中，配置成飽和溶液，充分 攪拌溶解后濾去沉淀物，取過濾后的氧化硼清液雙面旋涂于厚度為300mm，電阻率為0. 01 歐姆的P型硅基片上下兩面，烘干后硼擴散源片制作完成，其余同實施例1或實施例2。實施例4 將4g氮化硼粉末均勻分散于40ml乙二醇乙醚中，攪拌均勻后將溶液雙 面均勻旋涂于厚度為300mm，電阻率為0. 01歐姆的P型硅基片上下兩面，烘干后硼擴散源片 制作完成，其余同實施例1或實施例2。實施例5 將2g氧化硼粉末和2g氮化硼粉末混合物均勻分散于40ml乙二醇乙醚 中，攪拌均勻后將溶液雙面均勻旋涂于厚度為300mm，電阻率為0. 01歐姆的P型硅基片上下 兩面，烘干后硼擴散源片制作完成，其余同實施例1或實施例2。以上對本發(fā)明作了詳細說明，不能認為本發(fā)明的保護范圍僅局限于上述實施方 式。如果與本發(fā)明權利要求的技術方案沒有產(chǎn)生本質上的區(qū)別，對上述實施方式的推演或 替換仍然被視為在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種硼擴散源片的制備方法，其特征在于將硼擴散源粉末均勻分散于醇類或醚類 或酯類有機溶劑中，然后將分散均勻的液態(tài)擴散源(5 )均勻涂抹在硅基片(1)表面，烘干后 形成用于硼擴散的硼擴散源片(3 )。
2.根據(jù)權利要求1所述的硼擴散源片的制備方法，其特征在于硼擴散源粉末為氧化 硼或氮化硼或氧化硼與氮化硼的混合物。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的硼擴散源片的制備方法，其特征在于醇類有機溶劑為 無水乙醇，醚類有機溶劑為乙二醇乙醚，酯類有機溶劑為丁基卡必醇醋酸酯，上述有機溶劑 中添加硼擴散源粉末后，經(jīng)充分攪拌均勻配置成飽和液態(tài)擴散源。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的硼擴散源片的制備方法，其特征在于液態(tài)擴散源(5)均 勻涂抹在與待擴散硅片(2)相同大小的硅基片(1)上下兩面，硅基片(I)SP型重摻雜硅 片。
5.根據(jù)權利要求3所述的硼擴散源片的制備方法，其特征在于液態(tài)擴散源(5)均勻涂 抹在與待擴散硅片(2)相同大小的硅基片(1)上下兩面，硅基片(I)SP型重摻雜硅片。
6.一種硼擴散源片的檢測補源方法，其特征在于通過檢測每次使用后被擴散硅片(2)表面的方塊電阻值來判斷硼擴散源片(3)是否還符合使用要求，若測得的方塊電阻值 明顯偏大且離散性增加，則需要對硼擴散源片(3)進行補源，其補源方法是在硼擴散源片(3)表面重新涂覆如權利要求1所述的液態(tài)擴散源(5)，烘烤干燥后即可繼續(xù)使用。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種硼擴散源片的制備和檢測補源方法。其制備方法為將硼擴散源粉末均勻分散于醇類或醚類或酯類有機溶劑中，然后將分散均勻的液態(tài)擴散源均勻涂抹在硅基片表面，烘干后形成用于硼擴散的硼擴散源片。其檢測補源方法為通過檢測確定是否對硼擴散源片進行補源，如需補源，其方法是在硼擴散源片表面重新涂覆所述的液態(tài)擴散源，烘烤干燥后即可繼續(xù)使用。本發(fā)明具有成本低廉、操作簡單、可多次重復使用且適用于大批量硼擴散作業(yè)等優(yōu)點。
文檔編號H01L21/66GK102148145SQ201110056260
公開日2011年8月10日 申請日期2011年3月9日 優(yōu)先權日2011年3月9日
發(fā)明者保愛林, 朱建華, 謝曉東, 鄧愛民 申請人:紹興旭昌科技企業(yè)有限公司