專利名稱：平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子元器件制造領(lǐng)域，特別是平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
隨著微電子制造工藝的進(jìn)步，圖形的精細(xì)程度越來越高，線寬越來越小。隨之對(duì)硅片的平整度要求也越來越高。完整的電路是由分離的器件通過特定的電學(xué)通路連接起來的，因此在集成電路制造中必須能夠把器件隔離開來，這些器件隨后還要能夠互連以形成所需要的特定的電路結(jié)構(gòu)。隔離不好會(huì)造成漏電、擊穿低、閂鎖效應(yīng)等。因此隔離技術(shù)是集成電路制造中一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。對(duì)于0.35微米及以上工藝節(jié)點(diǎn)的普通CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物(PM0S管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝)，普遍使用LOCOS (局部氧化隔離工藝)作為元件與元件之間的電隔離。LOCOS結(jié)構(gòu)的制作過程是利用SiN薄膜掩蔽氧化層的特點(diǎn)，先在器件的有源區(qū)覆蓋一層SiN，接著在暴露的隔離區(qū)場(chǎng)區(qū)通過濕氧氧化生長(zhǎng)一層較厚的氧化層，最后去除SiN層，形成有源區(qū)，在有源區(qū)中制作器件。如何減小LOCOS工藝對(duì)硅片平整度帶來的負(fù)面影響是一個(gè)非常重要的問題?，F(xiàn)有的做法有PBL (Poly Buffered L0C0S，多晶襯墊L0C0Q等方法，其缺點(diǎn)是硅片平整度不高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法， 可以比現(xiàn)有的L0C0S工藝顯著的提高硅片平整度。本發(fā)明的技術(shù)方案是包括以下工藝流程
(a)提供一硅襯底，使用四甲基氫氧化氨在硅襯底刻蝕出凹槽；
(b)在凹槽區(qū)氧化出一層200A- 2000A的氧化層；
(c)在氧化層生長(zhǎng)一層氧化硅，將凹槽填平；
(d)把凹槽以外的氧化硅去除。作為優(yōu)選，所述(d)步驟的方法為化學(xué)機(jī)械研磨法。


圖1是腐蝕出凹槽的硅襯底示意圖； 圖2是凹槽區(qū)制作出氧化層示意圖3是氧化硅生成狀態(tài)示意圖； 圖4是凹槽以外的氧化硅去除后示意圖。圖中標(biāo)號(hào)如下1-硅襯底，2-凹槽，3-氧化硅。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其技術(shù)特征是包括以下工藝流程(a)提供一硅襯底，使用四甲基氫氧化氨(TMAH)在硅襯底刻蝕出凹槽，如圖1所示。(b)在凹槽區(qū)氧化出一層200A - 2000A的氧化硅，如圖2所示。(c)生長(zhǎng)氧化硅，將凹槽填平，如圖3所示。(d)用化學(xué)機(jī)械研磨法把凹槽以外的氧化硅去除，如圖4所示。本發(fā)明不限于本實(shí)施例提供的技術(shù)方案，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以推導(dǎo)出多種方案， 凡是本構(gòu)思下的各種技術(shù)方案都在本申請(qǐng)權(quán)利要求書保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其技術(shù)特征是包括以下工藝流程(a)提供一硅襯底，使用四甲基氫氧化氨在硅襯底刻蝕出凹槽；(b)在凹槽區(qū)氧化出一層200A- 2000A的氧化硅；(c)生長(zhǎng)氧化硅，將凹槽填平；(d)把凹槽以外的氧化硅去除。
2.按照權(quán)利要求1所述的平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所述(d)步驟的方法為化學(xué)機(jī)械研磨法。
全文摘要
平坦化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，屬于微電子元器件制造領(lǐng)域，包括以下工藝流程提供一硅襯底，使用四甲基氫氧化氨在硅襯底刻蝕出凹槽；在凹槽區(qū)氧化出一層200A–2000A的氧化層；在氧化層生長(zhǎng)一層氧化硅，將凹槽填平；把凹槽以外的氧化硅去除。本發(fā)明可比現(xiàn)有的LOCOS工藝顯著的提高硅片平整度。
文檔編號(hào)H01L21/762GK102157373SQ20111005624
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2011年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者龔?fù)?申請(qǐng)人:無錫邦普氿順微電子有限公司