專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)施方式一般地涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為便攜電話機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備的存儲(chǔ)裝置，廣泛使用采用了 NAND型閃存等存儲(chǔ)元件的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。作為在電子設(shè)備中所使用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置， 能夠例示存儲(chǔ)卡(半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡、控制芯片等半導(dǎo)體芯片被搭載于形成有外部端子的布線基板上。半導(dǎo)體芯片的電極應(yīng)用弓丨線接合而與布線基板的連接焊盤(pán)電連接， 進(jìn)而以覆蓋半導(dǎo)體芯片整體的方式進(jìn)行樹(shù)脂封裝。在擴(kuò)展這樣的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的使用中，正在推進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造成本的抑制。例如，公開(kāi)了下述技術(shù)對(duì)布線基板，使用由比較高價(jià)的材料構(gòu)成的有機(jī)基板，通過(guò)將該有機(jī)基板的形狀制成為俯視L字狀，來(lái)抑制有機(jī)基板的使用量從而抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造成本。但是，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，占據(jù)比較大的區(qū)域的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的載置區(qū)域由有機(jī)基板構(gòu)成。因此，制造成本的抑制效果容易變得有限。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式提供能夠抑制有機(jī)基板的使用量而實(shí)現(xiàn)制造成本的抑制的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。根據(jù)實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其具備在一個(gè)面設(shè)置有外部連接端子的有機(jī)基板；和半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還具備引線框架，該引線框架具有粘接于有機(jī)基板的另一個(gè)面的粘接部及載置半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的載置部。另外，還具備樹(shù)脂模鑄部，其使外部連接端子露出而封裝有機(jī)基板、弓I線框架以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，并且俯視呈大致方形形狀。有機(jī)基板，被單片化為在粘接于粘接部的狀態(tài)下、俯視與載置部基本不重疊的形狀。在引線框架，以從載置部以及粘接部的至少一方朝向樹(shù)脂模鑄部的至少大于等于2 條的邊延伸的方式形成有多個(gè)延伸部。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法，能夠抑制有機(jī)基板的使用量而實(shí)現(xiàn)制造成本的抑制。


圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外觀的俯視圖。圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外觀的仰視圖。
圖3是示意性地表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示沿著圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的A-A線的剖面構(gòu)造的橫截面圖。圖5是有機(jī)基板的仰視圖。圖6是引線框架的俯視圖。圖7是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的流程圖。圖8是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖9是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖10是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖11是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖12是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖13是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖14是示意性地表示作為比較例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。圖15是表示圖14所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的剖面構(gòu)造的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖，詳細(xì)地說(shuō)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。另外，本發(fā)明并不由該實(shí)施方式所限定。圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外觀的俯視圖。圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外觀的仰視圖。圖3是示意性地表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示沿著圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的A-A線的剖面構(gòu)造的橫截面圖。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10例如是Micro SD卡(注冊(cè)商標(biāo))。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10具備有機(jī)基板11、引線框架13、半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15、控制芯片16、電子部件17和樹(shù)脂模鑄部18。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10，如圖1以及圖2所示，以在底面?zhèn)仁雇獠窟B接端子19露出的狀態(tài)，由樹(shù)脂模鑄部18覆蓋其外周。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10，通過(guò)被樹(shù)脂模鑄部18覆蓋而俯視呈大致方形形狀。有機(jī)基板11是例如在絕緣性樹(shù)脂基板的內(nèi)部和/或表面設(shè)置有布線網(wǎng)的基板，兼作元件搭載基板和端子形成基板。作為這樣的有機(jī)基板11，使用采用了玻璃環(huán)氧樹(shù)脂和/ 或BT樹(shù)脂(雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂)等的印刷布線板。雖然省略詳細(xì)的圖示，但有機(jī)基板 11為多層構(gòu)造，按各層所使用的材料有時(shí)不同。圖5是有機(jī)基板11的仰視圖。在有機(jī)基板11的底面(一個(gè)面)11a，設(shè)置含有金屬層的外部連接端子19。外部連接端子19為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的輸入輸出端子。有機(jī)基板11被單片化為在俯視半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的情況下、與后述的引線框架13 的存儲(chǔ)芯片載置部(載置部)21基本不重疊的形狀(也參照?qǐng)D9)。換言之，在俯視的情況下，有機(jī)基板11與載置部21不重疊的部分比有機(jī)基板11與載置部21重疊的部分大。有機(jī)基板11的上表面lib (另一個(gè)面)成為搭載控制芯片16和/或電子部件17 的搭載面。因此，有機(jī)基板11的上表面lib的面積比從上方觀察控制芯片16和/或電子部件17所見(jiàn)的面積大。在有機(jī)基板11的上表面11b，形成有多個(gè)連接焊盤(pán)(沒(méi)有圖示)。 連接焊盤(pán)與外部連接端子19之間和/或連接焊盤(pán)彼此之間，經(jīng)由有機(jī)基板11的內(nèi)部布線 (通孔等)電連接。通過(guò)將半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15和/或控制芯片16的電極焊盤(pán)(沒(méi)有圖示)與連接焊盤(pán)電連接，來(lái)將半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15、控制芯片16、外部連接端子19等各要素電連接。這里，多個(gè)連接焊盤(pán)之中連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的連接焊盤(pán)，與外部端子的排列方向大致平行地配置。另外，多個(gè)連接焊盤(pán)之中連接于控制芯片16的連接焊盤(pán)，配置于控制芯片16的電極焊盤(pán)附近。其結(jié)果，能夠用金屬線觀直接連接半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的電極焊盤(pán)與配置在有機(jī)基板11的上表面lib的連接焊盤(pán)。另外，能夠用金屬線27直接連接控制芯片16的電極焊盤(pán)與配置在有機(jī)基板11的上表面lib的連接焊盤(pán)。另外，通過(guò)將連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的連接焊盤(pán)及連接于控制芯片16的連接焊盤(pán)配置在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的電極焊盤(pán)與控制芯片16的電極焊盤(pán)之間，能夠縮短連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的連接焊盤(pán)與控制芯片16的距離。其結(jié)果，能夠以低電阻連接半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15與控制芯片 16。另外，有機(jī)基板11的連接焊盤(pán)的配置并不限于上述的情況。例如，在使控制芯片16從圖3所示的配置旋轉(zhuǎn)了 180度的情況下，連接于控制芯片16的連接焊盤(pán)配置為，相對(duì)于連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的連接焊盤(pán)將控制芯片16夾于中間。另外，多個(gè)連接焊盤(pán)之中電連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的連接焊盤(pán)的間距，為大致 80 150 μ m左右，電連接于控制芯片16的連接焊盤(pán)的間距為大致50 120 μ m左右。艮口， 電連接于控制芯片16的連接焊盤(pán)的間隔這一方比電連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的連接焊盤(pán)的間隔小。圖6是引線框架13的俯視圖。引線框架13使用比有機(jī)基板11所使用的材料先對(duì)便宜的通用材料、例如42 Alloy(鐵鎳合金)和/或銅。引線框架13具有載置部21、基板粘接部22和連結(jié)部23。載置部21是用于載置半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的區(qū)域。在載置部21的周圍，以從載置部21起延伸的方式形成有基板粘接部22和/或連結(jié)部23?；逭辰硬?2是使用粘接劑而粘接于有機(jī)基板11的上表面lib的區(qū)域。通過(guò)將基板粘接部22粘接于有機(jī)基板11的上表面11b，載置部21被定位于俯視與有機(jī)基板11基本不重疊的位置。另外，載置部21與有機(jī)基板11雖然俯視基本不重疊，但在一部分區(qū)域有相互重疊的部分。在該重疊的部分，載置部21也與有機(jī)基板11接合。通過(guò)使載置部21接合于有機(jī)基板11，使有機(jī)基板11與引線框架13的接觸面積增大。因此，與僅用基板粘接部22與有機(jī)基板11粘接的情況相比，能夠強(qiáng)化有機(jī)基板11與引線框架13的粘接力。另外，也可以在載置部21與有機(jī)基板11重疊的部分使用粘接劑進(jìn)行粘接。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步強(qiáng)化有機(jī)基板11與引線框架13的粘接力。連結(jié)部23形成為從載置部21和/或基板粘接部22朝向半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部即后述的樹(shù)脂模鑄部18的外部延伸。如圖6所示，在引線框架13，形成有多個(gè)連結(jié)部23。 連結(jié)部23在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造階段使多個(gè)引線框架13彼此連結(jié)。這樣，通過(guò)使多個(gè)引線框架13連結(jié)，能夠一并地制造多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10。在圖6中，由兩點(diǎn)劃線表示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外形。在本實(shí)施方式中，以朝向俯視呈大致方形形狀的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10 的全部4邊延伸的方式形成有多個(gè)連結(jié)部23。另外，在俯視的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的4邊中的至少1邊，以朝向該1邊延伸的方式設(shè)置有大于等于2個(gè)的連結(jié)部23。另外，在本實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的全部 4邊，以朝向該1邊延伸的方式設(shè)置有大于等于2個(gè)的連結(jié)部23。
連結(jié)部23包括余留部13a和延伸部1 而構(gòu)成。余留部13a是從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外形伸出的部分，最終會(huì)被切斷而除去。延伸部1 不從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的最終的外徑伸出，其構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的一部分。連結(jié)部23形成為，與其靠載置部21 和/或基板粘接部22側(cè)的根基部相比，其與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部的邊界部分這一方俯視變細(xì)。尤其是，在本實(shí)施方式中，連結(jié)部23形成為，在其與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部的邊界部分的附近變細(xì)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15是NAND型閃存等存儲(chǔ)元件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15在其1邊具有多個(gè)電極焊盤(pán)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的電極焊盤(pán)的間距為大于等于大致80μπι，有機(jī)基板 11的多個(gè)連接焊盤(pán)之中電連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的連接焊盤(pán)與半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片相一致，形成為大致80 150 μ m的間距。在載置部21上，層疊多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15。多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15之中最下層的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15，相對(duì)于載置部21通過(guò)粘接材料25而粘接。作為粘接材料25，例如使用一般的以聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂等為主成分的熱固化性或光固化性的貼裝薄膜(粘接劑薄膜)或者液狀材料。通過(guò)在粘接于載置部21的最下層的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15上，以階梯狀粘接其他的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15，可層疊多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15。通過(guò)將半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15層疊為階梯狀，能夠使設(shè)置在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的一邊側(cè)的電極焊盤(pán)露出。另外，以各個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的配置有電極焊盤(pán)的邊與有機(jī)基板11相對(duì)的方式進(jìn)行層疊。該露出了的電極焊盤(pán)用Au線等金屬線27與有機(jī)基板11的連接焊盤(pán)電連接(引線接合)?？刂菩酒?6搭載于有機(jī)基板11的上表面lib。控制芯片16從多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15選擇進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入和/或讀出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15?？刂菩酒?6進(jìn)行向所選擇的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的數(shù)據(jù)的寫(xiě)入和/或存儲(chǔ)在所選擇的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15中的數(shù)據(jù)的讀出等。在控制芯片16的上表面，形成有電極焊盤(pán)(沒(méi)有圖示)。另外，控制芯片16的多個(gè)電極焊盤(pán)配置在控制芯片16的周邊?？刂菩酒?6所具有的電極焊盤(pán)的數(shù)量比半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15所具有的電極焊盤(pán)的數(shù)量多。另外，控制芯片16所具有的電極焊盤(pán)的間距為大致30 100 μ m左右，比有機(jī)基板11的多個(gè)連接焊盤(pán)之中電連接于控制芯片16的連接焊盤(pán)的間隔窄?？刂菩酒?6的電極焊盤(pán)與有機(jī)基板11的連接焊盤(pán)由金屬線觀引線接合。電子部件17搭載于有機(jī)基板11的上表面lib。電子部件17例如是芯片電容器、 電阻和/或電感器。在此，通過(guò)將電子部件17配置在有機(jī)基板11上，無(wú)需用金屬線連接， 而可經(jīng)由有機(jī)基板的內(nèi)部布線與半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15和/或控制芯片16電連接。其結(jié)果， 能夠降低半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的寄生電容、寄生電阻。樹(shù)脂模鑄部18通過(guò)用樹(shù)脂系材料封裝有機(jī)基板11的上表面lib和引線框架13 的兩面而形成。通過(guò)用樹(shù)脂材料封裝閉有機(jī)基板11的上表面11b，使外部連接端子19露出于外部。樹(shù)脂模鑄部18構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外殼。樹(shù)脂模鑄部18以覆蓋半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15和/或控制芯片16的高度形成。樹(shù)脂模鑄部18通過(guò)用模具覆蓋安裝有半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15等安裝部件的有機(jī)基板11以及引線框架13并對(duì)該模具內(nèi)注入軟化了的樹(shù)脂系材料而形成。接著，關(guān)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造工序進(jìn)行說(shuō)明。圖7是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造工序的流程圖。圖8 圖13是用于說(shuō)明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造工序的圖。
首先，將有機(jī)基板11單片化(步驟Si)。有機(jī)基板11的單片化，由于通過(guò)使用了例如切割刀片(dicing blate)(沒(méi)有圖示)的一般的工序進(jìn)行，所以省略詳細(xì)的說(shuō)明。接著，在引線框架13的基板粘接部22涂敷粘接劑30 (步驟S2，也參照?qǐng)D8)。作為粘接劑30， 例如使用一般的以聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂等為主成分的熱固化性或光固化性的貼裝薄膜(粘接劑薄膜)或者液狀材料。另外，在載置部21與有機(jī)基板11重疊的部分也涂敷粘接劑30。在此，能夠省略在載置部21與有機(jī)基板11重疊的部分所涂敷的粘接劑30接著，使有機(jī)基板11的上表面lib粘接于涂敷有粘接劑30的基板粘接部22 (步驟S3，也參照?qǐng)D9)。接著，在有機(jī)基板11的上表面lib安裝控制芯片16和電子部件17 (步驟S4,也參照?qǐng)D10)。接著，在載置部21經(jīng)由粘接材料25粘接半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15，進(jìn)而再在其上粘接半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15而使半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15層疊(步驟S5，也參照?qǐng)D11)。接著，用金屬線27J8對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的電極焊盤(pán)與有機(jī)基板11的連接焊盤(pán)以及控制芯片16的電極焊盤(pán)與有機(jī)基板11的連接焊盤(pán)進(jìn)行引線接合(步驟S6，也參照?qǐng)D12)。接著，用樹(shù)脂系材料封裝有機(jī)基板11的上表面lib和引線框架13的兩面，形成樹(shù)脂模鑄部18，并切除余留部13a(步驟S7，也參照?qǐng)D13)。另外，在圖13中，為了方便說(shuō)明而示出了由于被樹(shù)脂模鑄部18所覆蓋而實(shí)際上無(wú)法觀察到的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)(半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片 15等)。通過(guò)上述一系列的工序，制造出半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10。圖14是示意性地表示作為比較例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置100的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。圖15 是表示圖14所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置100的剖面構(gòu)造的橫截面圖。如圖14、圖15所示，在比較例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置100中，將半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片115層疊在有機(jī)基板111上。因此，有機(jī)基板111以具備用于載置半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片115的區(qū)域的大小而形成。另一方面，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10中，由于有機(jī)基板11被單片化為在俯視半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的情況下、與載置部21基本不重疊的形狀，所以與比較例相比，有機(jī)基板11變得小型，能夠大幅抑制有機(jī)基板11的使用量。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造成本的抑制。另外，也可以通過(guò)將有機(jī)基板11單片化為與設(shè)置有外部連接端子19的區(qū)域S(參照?qǐng)D幻大致相同的俯視形狀，來(lái)實(shí)現(xiàn)有機(jī)基板11的進(jìn)一步小型化。另外，以朝向俯視呈大致方形形狀的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的4邊延伸的方式，形成有多個(gè)連結(jié)部23。即，連結(jié)部23從引線框架13起向4個(gè)方向延伸。在形成樹(shù)脂模鑄部18 的工序中，通過(guò)使向4個(gè)方向延伸的連結(jié)部23被模具夾持，來(lái)保持引線框架13。由于由向 4個(gè)方向延伸的連結(jié)部23保持，所以由模具產(chǎn)生的對(duì)引線框架13的保持力增加。尤其是，容易使存儲(chǔ)芯片載置部21在模具內(nèi)保持于適合的位置。在對(duì)模具注入了樹(shù)脂系材料之后，如果引線框架13由于該注入壓力而移動(dòng)，則半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15會(huì)從樹(shù)脂模鑄部18露出，但本實(shí)施方式能夠抑制這樣的問(wèn)題的發(fā)生，實(shí)現(xiàn)成品率的提高。另外，連結(jié)部23也可以不朝向俯視下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的全部4邊延伸。只有以至少朝向俯視下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的大于等于2條的邊延伸的方式設(shè)置多個(gè)連結(jié)部23即可。另外，由于在俯視下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的4邊之中的至少1邊，以朝向該1邊延伸的方式設(shè)置有大于等于2個(gè)的連結(jié)部23，所以能夠進(jìn)一步提高上述的由模具產(chǎn)生的對(duì)引線框架13的保持力。
另外，連結(jié)部23也以從基板粘接部22延伸的方式形成。因此，由于與上述同樣的理由，形成樹(shù)脂模鑄部18的工序中的、由模具產(chǎn)生的對(duì)基板粘接部22的保持力增加。在此， 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10中，使有機(jī)基板11的底面Ila露出。因此，在形成樹(shù)脂模鑄部18的工序中，需要通過(guò)使有機(jī)基板11的底面Ila與模具緊密附著，來(lái)防止樹(shù)脂浸入到底面Ila 與模具的間隙。例如，如果引線框架13、尤其是基板粘接部22在有機(jī)基板11從模具分離的方向變形，則會(huì)在有機(jī)基板11的底面Ila與模具之間出現(xiàn)間隙，樹(shù)脂容易侵入。如果由侵入到底面Ila與模具的間隙的樹(shù)脂覆蓋外部連接端子19，則存在會(huì)引起與外部設(shè)備的接觸不良、 產(chǎn)生切除飛邊這樣的多余的時(shí)間和勞力的問(wèn)題。另一方面，在本實(shí)施方式中，由于通過(guò)從基板粘接部22延伸的連結(jié)部23 (延伸部1 )，能夠提高由模具產(chǎn)生的對(duì)基板粘接部22的保持力，所以能夠抑制引線框架13的變形、尤其是基板粘接部22的變形，容易使有機(jī)基板11 可靠地緊密附著于模具。由此，能夠抑制樹(shù)脂侵入到基板11的底面Ila與模具的間隙的情況，實(shí)現(xiàn)成品率的提高和/或制造成本的抑制。另外，從基板粘接部22有2個(gè)連結(jié)部23 (延伸部13b)朝向樹(shù)脂模鑄部的2條邊延伸。其結(jié)果，能夠有效地抑制樹(shù)脂侵入到基板11的底面Ila與模具的間隙的情況。另外，由于連結(jié)部23形成為，與其靠載置部21和/或基板粘接部22側(cè)的根基部相比，其與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部的邊界部分這一方俯視變細(xì)，所以在切除余留部23a 時(shí)，能夠減小連結(jié)部23的切斷面積。因此，能夠抑制切斷連結(jié)部23的工具的磨損，實(shí)現(xiàn)工具的長(zhǎng)壽命化。另外，由于連結(jié)部23的根基部，比連結(jié)部與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部的邊界部分粗，所以能夠抑制連結(jié)部23的強(qiáng)度降低。由此，能夠抑制由上述的模具產(chǎn)生的對(duì)引線框架13的保持力降低的情況。另外，通過(guò)使引線框架13與有機(jī)基板11接觸，來(lái)確定有機(jī)基板11與載置部21的相對(duì)的位置關(guān)系。通過(guò)使引線框架13與有機(jī)基板11接觸，能夠使半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15與有機(jī)基板11的位置偏離變小，能夠抑制引線接合工序中的施工不良而抑制成品率的降低。另外，由于有機(jī)基板11與引線框架13最終由樹(shù)脂模鑄部18封裝，所以對(duì)于有機(jī)基板11與引線框架13的粘接，不要求高的可靠性，只要直至樹(shù)脂模鑄部18的形成工序?yàn)橹咕S持兩者的粘接即可。即，能夠在載置部21和基板粘接部22涂敷粘接劑30，而省略涂敷于載置部21 與有機(jī)基板11的重疊部分的粘接劑30。例如，在載置部21與有機(jī)基板11重疊的部分小等情況下，能夠防止粘接部30從載置部21與有機(jī)基板11重疊的部分溢出的情況。另外，位于引線框架13的大致中央部、從載置部21與有機(jī)基板11重疊的部分朝向樹(shù)脂模鑄部18的外部延伸的連結(jié)部23-1，也與有機(jī)基板11重疊。其結(jié)果，能夠增加引線框架13與有機(jī)基板11接觸的面積。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15與有機(jī)基板11的位置偏離減小，能夠抑制引線接合工序中的施工不良而抑制成品率的降低?？刂菩酒?6，與半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15相比，所形成的電極焊盤(pán)的數(shù)量容易變多。另外，控制芯片16與半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15相比，從上方所見(jiàn)的俯視形狀容易形成得小。因此， 用于引線接合控制芯片16的電極焊盤(pán)和/或連接焊盤(pán)，與用于引線接合半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15 的電極焊盤(pán)和/或連接焊盤(pán)相比，密集地形成。在本實(shí)施方式中，由于將控制芯片16安裝在有機(jī)基板11上而非引線框架13上，所以即使在電極焊盤(pán)和/或連接焊盤(pán)密集地形成的條件下，也能夠可靠地進(jìn)行引線接合。另一方面，用于進(jìn)行半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的引線接合的電極焊盤(pán)和/或連接焊盤(pán)其間隔比較寬闊。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的引線接合比較容易進(jìn)行，通過(guò)將半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15安裝于引線框架13上，即使相互之間的距離稍微分離也能夠進(jìn)行引線接合。另外，由于將控制芯片16和/或電子部件17安裝在有機(jī)基板11的上表面11b，所以能夠使有機(jī)基板11的底面Ila側(cè)、即形成有外部連接端子19的一側(cè)變得大致平坦。由此，能夠有助于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的小型化。另外，通過(guò)減少半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外周面的凹凸，能夠有助于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10向電子設(shè)備的順暢的插入、從電子設(shè)備的拔
出ο另外，外部連接端子、半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15、控制芯片16以及電子部件17，經(jīng)由有機(jī)基板11的內(nèi)部布線連接。即，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15、控制芯片16以及電子部件17不經(jīng)由引線部件地電連接。由此，余留部13a的切除部分露出于樹(shù)脂模鑄部18的外側(cè)，但能夠節(jié)省對(duì)該部分進(jìn)行絕緣處理等的時(shí)間和勞力，能夠進(jìn)一步抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造成本。另外，通過(guò)使有機(jī)基板11的俯視形狀小型化，能夠抑制由在電子部件17的安裝工序等中對(duì)有機(jī)基板11施加的熱而導(dǎo)致的有機(jī)基板11的變形。如上所述，有機(jī)基板11為多層構(gòu)造，按各層所使用的材料有時(shí)不同。由于按各層所使用的材料不同，所以線膨脹系數(shù)也按各層而不同，所以容易產(chǎn)生由受熱歷程引起的變形。在此，通過(guò)使有機(jī)基板11的俯視形狀小型化，能夠使有機(jī)基板11占半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10整體的比例變小，使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10 整體的變形難以產(chǎn)生。另外，載置部21與有機(jī)基板10的相對(duì)的位置關(guān)系的確定，不限于通過(guò)引線框架13 的粘接來(lái)進(jìn)行的情況。例如，也可以由用于形成樹(shù)脂模鑄部18的模具分別固定有機(jī)基板11 和引線框架13。通過(guò)使有機(jī)基板11和引線框架13固定于模具，來(lái)確定相互的相對(duì)位置關(guān)系。另外，在本實(shí)施方式中，舉出在載置部21上層疊多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15的例子而進(jìn)行了說(shuō)明，但是并不限于此，而也可以僅使1塊半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片15粘接于載置部21上而構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10。另外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片10的制造工序不限于由圖7的流程圖所示的情況。例如， 也可以在將有機(jī)基板11粘接于引線框架13之前，使控制芯片16和電子部件17安裝于有機(jī)基板11。另外，也可以在將有機(jī)基板11單片化之前，使控制芯片16和電子部件安裝于有機(jī)基板11。另外，在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10舉出微SD卡為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此，而能夠?qū)⒈緦?shí)施方式應(yīng)用于具備半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片而構(gòu)成的各種存儲(chǔ)裝置。進(jìn)一步的效果和/或變形例，能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易導(dǎo)出。因此，本發(fā)明的更為廣泛的方式，不限定于以上所表示且記述的特定的詳細(xì)的以及代表性的實(shí)施方式。因此， 不脫離由所附權(quán)利要求及其均等物所定義的概括性的發(fā)明的概念的精神或范圍，能夠?qū)崿F(xiàn)各種變形。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備有機(jī)基板，其在一個(gè)面設(shè)置有外部連接端子；引線框架，其具有粘接部及載置部，所述粘接部粘接于所述有機(jī)基板的另一個(gè)面； 半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，其載置于所述載置部；以及樹(shù)脂模鑄部，其使所述外部連接端子露出而封裝所述有機(jī)基板、所述引線框架以及所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，并且俯視呈大致方形形狀；所述有機(jī)基板被單片化為在粘接于所述粘接部的狀態(tài)下、俯視所述有機(jī)基板與所述載置部不重疊的部分這一方比所述有機(jī)基板與所述載置部重疊的部分大的形狀；在所述引線框架，以從所述載置部及所述粘接部的至少一方朝向所述樹(shù)脂模鑄部的至少大于等于2條的邊延伸的方式形成有多個(gè)延伸部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述延伸部，與其靠所述載置部或所述粘接部側(cè)的根基部分相比，其與所述樹(shù)脂模鑄部的外部的邊界部分這一方俯視形成得細(xì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，在所述引線框架，以朝向所述樹(shù)脂模鑄部的至少一條邊延伸的方式形成有多個(gè)所述延伸部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述有機(jī)基板的一部分與所述延伸部的一部分俯視重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，從所述粘接部朝向所述樹(shù)脂模鑄部的2條邊延伸有2個(gè)所述延伸部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還具備 搭載于所述有機(jī)基板的另一個(gè)面的控制芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中， 在所述有機(jī)基板形成有內(nèi)部布線，所述內(nèi)部布線與所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片之間以及所述內(nèi)部布線與所述控制芯片之間用接合引線連接，所述控制芯片與所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片經(jīng)由所述內(nèi)部布線電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中， 在所述有機(jī)基板形成有內(nèi)部布線，所述控制芯片與所述外部連接端子經(jīng)由所述內(nèi)部布線電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還具備 搭載于所述有機(jī)基板的另一個(gè)面的電子部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中， 所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片為NAND型閃存。
11.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法，包括將在一個(gè)面形成有外部連接端子的有機(jī)基板單片化為所述有機(jī)基板與載置部不重疊的部分這一方比所述有機(jī)基板與所述載置部重疊的部分大的俯視形狀，所述載置部形成于引線框架而載置半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片；所述引線框架具有從所述載置部延伸的粘接部，將所述粘接部粘接于所述有機(jī)基板的另一個(gè)面；形成使所述外部連接端子露出而封裝所述有機(jī)基板、所述引線框架以及所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的樹(shù)脂模鑄部；在所述引線框架，以從所述載置部及所述粘接部的至少一方朝向所述樹(shù)脂模鑄部的至少大于等于2條的邊延伸的方式形成多個(gè)延伸部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法，包括 在所述有機(jī)基板的另一個(gè)面安裝控制芯片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法，包括 在所述有機(jī)基板形成內(nèi)部布線；用接合引線連接所述內(nèi)部布線與控制芯片，用接合引線連接所述內(nèi)部布線與所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，經(jīng)由所述內(nèi)部布線將所述控制芯片與所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法，包括 在所述有機(jī)基板形成與所述外部連接端子電連接的內(nèi)部布線；用接合引線連接所述控制芯片與所述內(nèi)部布線，經(jīng)由所述內(nèi)部布線與所述外部連接端子電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法，包括 在所述有機(jī)基板的另一個(gè)面安裝電子部件。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法，其中， 所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片為NAND型閃存。
全文摘要
根據(jù)本實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其具備設(shè)置有外部連接端子的有機(jī)基板；和半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還具備引線框架，該引線框架具有粘接部及載置部。另外，還具備樹(shù)脂模鑄部，其封裝半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片。在引線框架，以從載置部以及粘接部的至少一方朝向樹(shù)脂模鑄部的至少大于等于2條的邊延伸的方式形成有多個(gè)延伸部。
文檔編號(hào)H01L21/8247GK102201414SQ20111005240
公開(kāi)日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者奧村尚久, 石井齊 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝