專(zhuān)利名稱(chēng)：鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半 導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容；本發(fā)明還涉及一種鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法。
背景技術(shù)：
可變電容是射頻和模擬電路中廣泛使用的一種無(wú)源器件，與普通電容不同，可變電容需要容值隨外加電壓的變化而變化。性能好的可變電容要求容值隨外加電壓呈線性反比關(guān)系，以方便電路設(shè)計(jì)?，F(xiàn)有技術(shù)中常用的兩種可變電容為MOS可變電容和結(jié)可變電容， 這兩種現(xiàn)有可變電容都不能實(shí)現(xiàn)容值與外加電壓的反比線性關(guān)系，其中現(xiàn)有MOS可變電容的線性度更差。在現(xiàn)有結(jié)可變電容中，單邊突變結(jié)的結(jié)電容與電壓呈平方根反比關(guān)系，是可實(shí)現(xiàn)的可變電容中最接近反比線性關(guān)系的器件，而線性緩變結(jié)則呈立方根反比關(guān)系。因此高性能的可變電容應(yīng)該制作成接近單邊突變結(jié)的結(jié)可變電容。然而現(xiàn)有結(jié)電容絕大多數(shù)都是通過(guò)離子注入方式形成，都是緩變結(jié)，電容值和電壓的反比線性關(guān)系都比較差，很難滿足射頻和模擬電路的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容，能改善可變電容的電壓系數(shù)、提高可變電容的性能并能滿足射頻產(chǎn)品對(duì)可變電容的性能要求，能和鍺硅BiCMOS工藝兼容并降低成本；本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問(wèn)題是提供一種鍺硅 BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容形成于硅襯底上，有源區(qū)由淺槽場(chǎng)氧隔離，可變電容包括一 N阱，形成于所述有源區(qū)中，所述N阱的深度大于所述淺槽場(chǎng)氧底部的深度；在所述淺槽場(chǎng)氧的底部形成有一 N型贗埋層，所述贗埋層和所述N阱形成接觸，在所述贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成有和所述贗埋層相接觸的深孔接觸，所述深孔接觸為所述N阱的引出電極。一 P型多晶硅層，形成于所述有源區(qū)表面并橫向延伸到所述有源區(qū)周側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的上方，所述多晶硅層的摻雜濃度大于所述N阱的摻雜濃度，所述多晶硅層和所述N阱相接觸并形成一單邊突變結(jié)，由所述單邊突變結(jié)組成可變電容；在所述多晶硅層上形成有金屬接觸，所述金屬接觸為所述多晶硅層的引出電極。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述可變電容的容值由所述N阱的摻雜濃度決定，所述N阱的N 型摻雜雜質(zhì)包括多次不同注入能量的磷原子或砷原子，所述N阱的N型摻雜雜質(zhì)的注入劑量 lel2cnT2 5el4cnT2、注入能量為 50KeV 500KeV。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述多晶硅層的P型雜質(zhì)的摻雜條件和鍺硅BiCMOS工藝中的 PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的摻雜條件相同，所述PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的注入劑量為大于lel5cnT2、注入能量為2keV lOkeV、注入雜質(zhì)為B或BF2。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述贗埋層的N型摻雜雜質(zhì)的注入雜質(zhì)為磷或砷、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2、注入能量為 IKeV IOOKeV。進(jìn)一步的改進(jìn)是，在所述多晶硅層的側(cè)壁形成有側(cè)墻。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法包括如下步驟步驟一、在硅襯底上形成淺槽場(chǎng)氧的溝槽和有源區(qū)。步驟二、在所述溝槽的底部進(jìn)行N型離子注入形成一贗埋層。步驟三、在所述溝槽中填入氧化硅形成所述淺槽場(chǎng)氧。步驟四、在所述有源區(qū)中進(jìn)行N型離子注入形成一 N阱，所述N阱的深度大于所述淺槽場(chǎng)氧底部的深度，所述贗埋層和所述N阱在所述淺槽場(chǎng)氧的底部形成接觸。步驟五、在所述硅襯底表面上淀積多晶硅層，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕使所述多晶硅層覆蓋于所述N阱上并橫向延伸到所述N阱周側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧上；采用離子注入工藝對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行P型摻雜，且所述多晶硅層的摻雜濃度大于所述N阱的摻雜濃度；所述多晶硅層和所述N阱相接觸并形成一單邊突變結(jié)，由所述單邊突變結(jié)組成可變電容。步驟六、在所述贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成一和所述贗埋層相接觸的深孔接觸，所述深孔接觸為所述阱區(qū)的引出電極；在所述多晶硅層的上方形成金屬接觸，所述金屬接觸為所述多晶硅層的引出電極。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中所述贗埋層的N型離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2、注入能量為IKeV lOOKeV。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中所述N阱的N型離子注入按照不同注入能量分多步實(shí)現(xiàn)，所述N阱的N型離子注入的注入雜質(zhì)為磷原子或砷原子、注入劑量lel2CnT2 5el4CnT2、 注入能量為50KeV 500KeV。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中所述多晶硅層的P型雜質(zhì)的離子注入工藝采用鍺硅BiCMOS工藝中的PMOS源漏注入，所述PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的注入劑量為大于 lel5cnT2、注入能量為2keV lOkeV、注入雜質(zhì)為B或BF2。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟五中還包括在所述多晶硅層的側(cè)壁形成側(cè)墻的步驟；以及在所述多晶硅層中進(jìn)行硅化物生長(zhǎng)的步驟?，F(xiàn)有技術(shù)中的結(jié)可變電容都是由離子注入形成的擴(kuò)散結(jié)，近似于線性緩變結(jié)，結(jié)電容與外加電壓呈立方根反比關(guān)系，與線性反比關(guān)系相差甚遠(yuǎn)，不滿足射頻電路的需求。作為射頻工藝的典型代表，鍺硅BiCMOS工藝中鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管工藝正廣泛應(yīng)用于射頻技術(shù)中，鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管通常都采用多晶硅作為發(fā)射極。本發(fā)明正是利用鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的P+摻雜的多晶硅發(fā)射極與N阱形成可變電容即本發(fā)明可變電容的多晶硅層和N阱分別采用鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的多晶硅發(fā)射極與N阱。上述工藝形成的本發(fā)明可變電容的優(yōu)點(diǎn)是1、由于硼在多晶硅中分布 均勻，而且在多晶硅和單晶硅界面分布很陡峭，使得本發(fā)明可變電容接近單邊突變結(jié)，該結(jié)電容與電壓的相關(guān)性變成平方根反比關(guān)系，更加接近線性反比關(guān)系。2、本發(fā)明可變電容的制造工藝能和鍺硅BiCMOS工藝兼容，包括阱區(qū)形成、贗埋層制作、深孔接觸、多晶硅發(fā)射極形成等。因此本發(fā)明可變電容能作為鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管應(yīng)用的射頻電路中的高性能、低成本的無(wú)源器件。附圖 說(shuō)明下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例可變電容的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2-圖9是本發(fā)明實(shí)施例制造方法中器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，是本發(fā)明實(shí)施例可變電容的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例鍺硅BiCMOS 工藝中的可變電容形成于硅襯底1上，有源區(qū)由淺槽場(chǎng)氧2隔離，可變電容包括— N阱7，形成于所述有源區(qū)中，所述N阱7的深度大于所述淺槽場(chǎng)氧2底部的深度。所述可變電容的容值由所述N阱7的摻雜濃度決定，所述N阱7的N型摻雜雜質(zhì)包括多次不同注入能量的磷原子或砷原子，所述N阱7的N型摻雜雜質(zhì)的注入劑量lel2Cnr2 5el4cnT2、注入能量為 50KeV 500KeV。在所述淺槽場(chǎng)氧2的底部形成有一 N型贗埋層5，所述贗埋層5的N型摻雜雜質(zhì)的注入雜質(zhì)為磷或砷、注入劑量為IeHcnT2 lel6CnT2、注入能量為IKeV lOOKeV。所述贗埋層5和所述N阱7形成接觸，在所述贗埋層5頂部的所述淺槽場(chǎng)氧2中形成有和所述贗埋層5相接觸的深孔接觸12，所述深孔接觸12為所述N阱7的引出電極。一 P型多晶硅層9，形成于所述有源區(qū)表面并橫向延伸到所述有源區(qū)周側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧2的上方，所述多晶硅層9的摻雜濃度大于所述N阱7的摻雜濃度且所述多晶硅層 9的P型雜質(zhì)的摻雜條件和鍺硅BiCMOS工藝中的PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的摻雜條件相同，所述PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的注入劑量為大于lel5cm_2、注入能量為2keV lOkeV、 注入雜質(zhì)為B或BF2。在所述多晶硅層9的側(cè)壁形成有側(cè)墻10。所述多晶硅層9和所述N 阱7相接觸并形成一單邊突變結(jié)，由所述單邊突變結(jié)組成可變電容；在所述多晶硅層9上形成有金屬接觸13，所述金屬接觸13為所述多晶硅層9的引出電極。如圖2 圖9所示，是本發(fā)明實(shí)施例制造方法中器件的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法包括如下步驟步驟一、如圖2所示，在P型硅襯底1上依次淀積氧化硅3和氮化硅4，由所述氧化硅層3和氮化硅層4組成硬掩膜層。通過(guò)光刻和刻蝕制作形成淺槽場(chǎng)氧2的溝槽2A和有源區(qū)。步驟二、如圖2所示，利用所述硬質(zhì)掩膜層的阻擋作用，在所述溝槽2A的底部進(jìn)行低能量、高劑量的N型離子注入形成一贗埋層5。所述贗埋層5的N型離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2、注入能量為IKeV lOOKeV。步驟三、如圖3所示，去除所述硬質(zhì)掩膜層并在所述溝槽2A中填入氧化硅形成所述淺槽場(chǎng)氧2。步驟四、如圖3所示，生長(zhǎng)一犧牲氧化硅層，利用N阱光刻工藝打開(kāi)可變電容的有源區(qū)，并在可變電容的有源區(qū)中進(jìn)行N型離子注入形成一 N阱7，所述N阱7的深度大于所述淺槽場(chǎng)氧2底部的深度，所述贗埋層5和所述N阱7在所述淺槽場(chǎng)氧2的底部形成接觸。 所述N阱7的離子注入的條件和鍺硅BiCMOS工藝中CMOS N阱兼容，上述兩個(gè)注入工藝可以在同一硅襯底上的可變電容區(qū)域和CMOS區(qū)域同時(shí)進(jìn)行。所述N阱7的N型離子注入按照不同注入能量分多步實(shí)現(xiàn)，所述N阱7的N型離子注入的注入雜質(zhì)為磷原子或砷原子、注入劑量lel2cnT2 5el4cnT2、注入能量為50KeV 500KeV。當(dāng)所述可變電容和鍺硅BiCMO S工藝中的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管一起形成于同一硅襯底1上時(shí)，在所述可變電容區(qū)域形成所述N阱之后，還需在所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管區(qū)域形成集電區(qū)以及鍺硅基區(qū)。形成所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管區(qū)域形成集電區(qū)和鍺硅基區(qū)的步驟如下如圖4所示，淀積介質(zhì)層6，采用光刻工藝打開(kāi)所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管區(qū)域的集電區(qū)，而所述可變電容區(qū)域以及所述硅襯底1上的其它非所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管區(qū)域的集電區(qū)的區(qū)域都被所述介質(zhì)層6覆蓋；根據(jù)所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的特性要求進(jìn)行集電區(qū)離子注入，形成集電區(qū)；所述介質(zhì)層6可以是單層絕緣介質(zhì)，也可以是多層絕緣膜結(jié)構(gòu)。如圖5所示，形成所述集電區(qū)后，接著采用外延工藝在所述硅襯底1上生長(zhǎng)一層鍺硅層，在所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的有源區(qū)上方所述鍺硅層為鍺硅外延層，所述鍺硅外延層組成了所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)。在所述可變電容區(qū)域則所述鍺硅層形成于所述介質(zhì)層6上，所述鍺硅層為圖5所示的多晶鍺硅層8。如圖6所示，形成了所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電區(qū)和基區(qū)之后，采用刻蝕工藝去除形成于所述可變電容區(qū)域的所述介質(zhì)層6和所述多晶硅層8。步驟五、如圖7所示，在所述硅襯底1表面上淀積多晶硅層9。該工藝可和所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的多晶硅發(fā)射極的形成工藝兼容。當(dāng)所述可變電容和所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管一起形成于同一硅襯底1上時(shí)，在所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的區(qū)域需要形成一介質(zhì)膜并刻蝕介質(zhì)膜形成發(fā)射區(qū)窗口，而在所述可變電容的所述介質(zhì)膜全部去除，之后， 在所述硅襯底1表面上淀積多晶硅層9，使所述多晶硅層9同時(shí)形成于所述可變電容和所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的區(qū)域。接著采用離子注入工藝對(duì)所述多晶硅層9進(jìn)行摻雜，在所述鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的區(qū)域是進(jìn)行N型雜質(zhì)的離子注入，在進(jìn)行N型雜質(zhì)的離子注入時(shí)，所述可變電容區(qū)域的多晶硅層9要進(jìn)行屏蔽，使N型雜質(zhì)不注入到所述可變電容區(qū)域的多晶硅層9中。對(duì)所述可變電容區(qū)域的多晶硅層9進(jìn)行的是P型雜質(zhì)的離子注入，所述多晶硅層9的P型雜質(zhì)的離子注入工藝采用鍺硅BiCMOS工藝中的PMOS源漏注入，當(dāng)在同一硅襯底1上同時(shí)形成所述可變電容和所述PMOS時(shí)，所述可變電容區(qū)域的多晶硅層9和所述PMOS 的源漏注入可以同時(shí)進(jìn)行，所述PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的注入劑量為大于lel5CnT2、注入能量為2keV lOkeV、注入雜質(zhì)為B或BF2。離子注入后，所述可變電容區(qū)域的所述多晶硅層9的摻雜濃度大于所述N阱7的摻雜濃度；所述多晶硅層9和所述N阱7相接觸并形成一單邊突變結(jié)，由所述單邊突變結(jié)組成可變電容。如圖8所示，接著對(duì)所述多晶硅層9進(jìn)行刻蝕使所述多晶硅層9覆蓋于所述N阱 7上并橫向延伸到所述N阱7周側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧2上。如圖9所示，接著在所述多晶硅層9的側(cè)壁上形成側(cè)墻10。所述側(cè)墻10的材料為氧化硅或氮化硅。接著在所述多晶硅層9中進(jìn)行硅化物生長(zhǎng)，所述硅化物用于減少接觸電阻。步驟六、在所述贗埋層5頂部的所述淺槽場(chǎng)氧2中形成一和所述贗埋層5相接觸的深孔接觸12，所述深孔接觸12為所述阱區(qū)的引出電極；在所述多晶硅層9的上方形成金屬接觸13，所述金屬接觸13為所述多晶硅層9的引出電極。
以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容，其特征在于，形成于硅襯底上，有源區(qū)由淺槽場(chǎng)氧隔離，可變電容包括一 N阱，形成于所述有源區(qū)中，所述N阱的深度大于所述淺槽場(chǎng)氧底部的深度；在所述淺槽場(chǎng)氧的底部形成有一 N型贗埋層，所述贗埋層和所述N阱形成接觸，在所述贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成有和所述贗埋層相接觸的深孔接觸，所述深孔接觸為所述N阱的引出電極；一 P型多晶硅層，形成于所述有源區(qū)表面并橫向延伸到所述有源區(qū)周側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧的上方，所述多晶硅層的摻雜濃度大于所述N阱的摻雜濃度，所述多晶硅層和所述N阱相接觸并形成一單邊突變結(jié)，由所述單邊突變結(jié)組成可變電容；在所述多晶硅層上形成有金屬接觸，所述金屬接觸為所述多晶硅層的引出電極。
2.如權(quán)利要求1所述鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容，其特征在于所述可變電容的容值由所述N阱的摻雜濃度決定，所述N阱的N型摻雜雜質(zhì)包括多次不同注入能量的磷原子或砷原子，所述N阱的N型摻雜雜質(zhì)的注入劑量lel2Cm_2 kl4cm 2、注入能量為50KeV 500KeVo
3.如權(quán)利要求1所述鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容，其特征在于所述多晶硅層的P 型雜質(zhì)的摻雜條件和鍺硅BiCMOS工藝中的PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的摻雜條件相同，所述PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的注入劑量為大于lel5cm_2、注入能量為^ceV lOkeV、注入雜質(zhì)為B或BF2。
4.如權(quán)利要求1所述鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容，其特征在于所述贗埋層的N 型摻雜雜質(zhì)的注入雜質(zhì)為磷或砷、注入劑量為IeHcm2 le16cm_2、注入能量為IKeV IOOKeV0
5.如權(quán)利要求1所述鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容，其特征在于在所述多晶硅層的側(cè)壁形成有側(cè)墻。
6.一種鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法，其特征在于，包括如下步驟步驟一、在硅襯底上形成淺槽場(chǎng)氧的溝槽和有源區(qū)；步驟二、在所述溝槽的底部進(jìn)行N型離子注入形成一贗埋層；步驟三、在所述溝槽中填入氧化硅形成所述淺槽場(chǎng)氧；步驟四、在所述有源區(qū)中進(jìn)行N型離子注入形成一 N阱，所述N阱的深度大于所述淺槽場(chǎng)氧底部的深度，所述贗埋層和所述N阱在所述淺槽場(chǎng)氧的底部形成接觸；步驟五、在所述硅襯底表面上淀積多晶硅層，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕使所述多晶硅層覆蓋于所述N阱上并橫向延伸到所述N阱周側(cè)的所述淺槽場(chǎng)氧上；采用離子注入工藝對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行P型摻雜，且所述多晶硅層的摻雜濃度大于所述N阱的摻雜濃度；所述多晶硅層和所述N阱相接觸并形成一單邊突變結(jié)，由所述單邊突變結(jié)組成可變電容；步驟六、在所述贗埋層頂部的所述淺槽場(chǎng)氧中形成一和所述贗埋層相接觸的深孔接觸，所述深孔接觸為所述阱區(qū)的引出電極；在所述多晶硅層的上方形成金屬接觸，所述金屬接觸為所述多晶硅層的引出電極。
7.如權(quán)利要求6所述鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法，其特征在于步驟二中所述贗埋層的N型離子注入的注入雜質(zhì)為磷或砷、注入劑量為IeHcm2 IeiecnT2、注入能量為IKeV IOOKeV0
8.如權(quán)利要求6所述鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法，其特征在于步驟四中所述N阱的N型離子注入按照不同注入能量分多步實(shí)現(xiàn)，所述N阱的N型離子注入的注入雜質(zhì)為磷原子或砷原子、注入劑量lel2cnT2 5el4cnT2、注入能量為50KeV 500KeV。
9.如權(quán)利要求6所述鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法，其特征在于步驟四中所述多晶硅層的P型雜質(zhì)的離子注入工藝采用鍺硅BiCMOS工藝中的PMOS源漏注入，所述PMOS源漏注入的P型雜質(zhì)的注入劑量為大于lel5cm_2、注入能量為2keV lOkeV、注入雜質(zhì)為B或BF2。
10.如權(quán)利要求6所述鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法，其特征在于步驟五中還包括在所述多晶硅層的側(cè)壁形成側(cè)墻的步驟；以及在所述多晶硅層中進(jìn)行硅化物生長(zhǎng)的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容，包括N阱和P型多晶硅層。N阱形成于有源區(qū)中并和淺槽場(chǎng)氧底部的贗埋層相連并通過(guò)一深孔接觸引出。多晶硅層形成于N阱上方并和N阱形成接觸并形成一單邊突變結(jié)，由所述單邊突變結(jié)組成可變電容。本發(fā)明還公開(kāi)了一種鍺硅BiCMOS工藝中的可變電容的制造方法。本發(fā)明能改善可變電容的電壓系數(shù)、提高可變電容的性能并能滿足射頻產(chǎn)品對(duì)可變電容的性能要求，能和鍺硅BiCMOS工藝兼容并降低成本。
文檔編號(hào)H01L21/329GK102412291SQ20111005225
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者錢(qián)文生 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司