專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過樹脂密封了半導(dǎo)體芯片及基板的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
作為以往的半導(dǎo)體裝置，公知有通過密封樹脂密封了半導(dǎo)體芯片及基板的半導(dǎo)體裝置。目前正在探討通過統(tǒng)一形成該多個(gè)半導(dǎo)體裝置來容易并且低價(jià)地制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置的方法。該方法在下面進(jìn)行詳述。首先，將多個(gè)半導(dǎo)體芯片的下表面粘著在工具上。接著，在包含全部多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工具上形成密封樹脂。由此，各個(gè)半導(dǎo)體芯片通過密封樹脂被密封。接著，除去密封樹脂直到各半導(dǎo)體芯片的上表面露出，并在包含多個(gè)半導(dǎo)體芯片的上表面的密封樹脂上粘貼一枚基板。之后，將工具從通過密封樹脂及基板而得到的一體化的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的集合體剝離，并在各半導(dǎo)體芯片的下表面統(tǒng)一形成配線圖案、阻焊膜、BGA球。最后，通過對密封樹脂及基板進(jìn)行切割等方法來切削切斷，從而使各半導(dǎo)體裝置單片化。另外，在本申請中，所謂上述多個(gè)半導(dǎo)體裝置的統(tǒng)一形成是指，通過樹脂對多個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行統(tǒng)一密封，在統(tǒng)一形成配線圖案等后，通過切斷樹脂來形成多個(gè)半導(dǎo)體裝置。但是，對于統(tǒng)一形成上述以往的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的方法而言，當(dāng)應(yīng)用特別是由比例如金屬、陶瓷等的樹脂更硬的材料構(gòu)成的基板時(shí)，在最終的切削切斷工序中，難以將基板切斷。因此，在切削切斷工序中，對于配線圖案、阻焊膜發(fā)生切斷毛刺(切斷)等損傷， 存在裝置的成品率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而做出的，目的在于提供一種能夠提高半導(dǎo)體裝置成品率的半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及通過該制造方法制造的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有將多個(gè)基板粘著于支撐體的工序；形成密封樹脂的工序；形成配線圖案的工序；形成配線保護(hù)膜的工序；形成外部電極的工序；切斷所述密封樹脂及所述配線保護(hù)膜的工序；以及將被所述密封樹脂所覆蓋的半導(dǎo)體芯片及所述基板從所述支撐體剝離的工序。將多個(gè)基板粘著于支撐體的工序是指，將分別搭載有所述半導(dǎo)體芯片的所述多個(gè)基板以規(guī)定的間隔粘著于所述支撐體的工序。形成所述密封樹脂的工序是指，將所述密封樹脂形成于所述支撐體以覆蓋所述多個(gè)基板及多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的工序。形成所述配線圖案的工序是指，將所述配線圖案形成于所述密封樹脂以使得與各個(gè)所述半導(dǎo)體芯片電連接的工序。形成所述配線保護(hù)膜的工序是指，將所述配線保護(hù)膜形成于包含所述配線圖案的所述密封樹脂并使所述配線圖案的一部分露出的工序。形成所述外部電極的工序是指，形成所述外板電極以使得該外部電極與從所述配線保護(hù)膜露出的所述配線圖案相接觸的工序。本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備，將分別搭載有半導(dǎo)體芯片的多個(gè)基板以規(guī)定的間隔粘著到支撐體的工序；將密封樹脂形成于所述支撐體、以使得該密封樹脂覆蓋所述多個(gè)基板及多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的工序；在所述密封樹脂中形成使所述基板的側(cè)面露出的槽的工序；將配線圖案形成于所述密封樹脂、以使得該配線圖案與各個(gè)所述半導(dǎo)體芯片電連接的工序；將配線保護(hù)膜形成于包含所述配線圖案的所述密封樹脂、并使得所述配線圖案的一部分露出的工序；形成外部電極、以使得該外部電極與從所述配線保護(hù)膜露出的所述配線圖案相接觸的工序；和將被所述密封樹脂覆蓋的所述半導(dǎo)體芯片及所述基板從所述支撐體剝離的工序。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，具備，基板，該基板與半導(dǎo)體芯片的上表面相接觸；密封樹脂，該密封樹脂形成得覆蓋所述基板的側(cè)面及下表面、并且覆蓋所述半導(dǎo)體芯片；配線圖案，該配線圖案形成在所述密封樹脂的下表面，并與所述半導(dǎo)體芯片電連接；配線保護(hù)膜，該配線保護(hù)膜形成在包含所述配線圖案的所述密封樹脂的下表面，使所述配線圖案的一部分露出；和外部電極，該外部電極形成得與從該配線保護(hù)膜露出的所述配線圖案相接觸。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提高半導(dǎo)體裝置成品率。


圖1為從下表面?zhèn)瓤吹降?、由基于本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法所形成的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖2為沿圖1的點(diǎn)劃線A-A’表示的剖視圖。圖3為從下表面?zhèn)瓤吹降?、圖1及圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的平面圖。圖4為沿圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示圖1及圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的裝置的剖視圖。圖5為用于對圖4的方法進(jìn)行更具體地說明的剖視圖。圖6為沿圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示圖1及圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的裝置的剖視圖。圖7為沿圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示圖1及圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的裝置的剖視圖。圖8為沿圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示圖1及圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的裝置的剖視圖。圖9為沿圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示圖1及圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的裝置的剖視圖。圖10為沿圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示圖1及圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的裝置的剖視圖。圖11為沿圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示圖1及圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的裝置的剖視圖。圖12為通過本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法而形成的半導(dǎo)體裝置的、與圖2相當(dāng)?shù)钠室晥D。圖13為從下側(cè)看到的、基于本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工序的附視圖。圖14為對沿圖13的點(diǎn)劃線C-C’的剖面的一部分?jǐn)U大地表示的圖。圖15為表示圖13所示的制造工序的變形例的平面圖。圖16為基于本發(fā)明的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工序的、與圖11相當(dāng)?shù)钠室晥D。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。(第1實(shí)施方式)圖1為從下表面?zhèn)瓤吹降?、通過基于本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法而形成的半導(dǎo)體裝置的平面圖。并且，圖2為沿圖1的點(diǎn)劃線A-A’所示的剖視圖。圖1所示的半導(dǎo)體裝置11的內(nèi)部具有半導(dǎo)體芯片13(圖2)。并且，半導(dǎo)體裝置 11的下表面具有格子狀的多個(gè)BGA (Ball Grid Array 球柵陣列)球12。BGA球12成為裝置11的外部電極。因此，半導(dǎo)體芯片13(圖2)經(jīng)由BGA球12與未圖示的安裝基板上的配線電連接。另外，裝置11的下表面是指半導(dǎo)體裝置11的形成有BGA球12的面，上表面是指與半導(dǎo)體裝置11的下表面對置的面。并且，半導(dǎo)體裝置11的上方是指比上表面還靠上的一側(cè)，下方是指比下表面還靠下的一側(cè)。下面，對于半導(dǎo)體裝置31、半導(dǎo)體芯片13、基板16、 密封樹脂17、32、41及支撐薄膜18、51的上表面、下表面、上方、下方的各含義，遵從半導(dǎo)體裝置11的上下各方向。在裝置11的下表面，BGA球12以外的區(qū)域由阻焊膜14所覆蓋。阻焊膜14是指， 作為保護(hù)后述的配線圖案15(圖2)的配線保護(hù)膜而起作用、并且作為對配線圖案15及BGA 球12進(jìn)行絕緣的絕緣膜而起作用的樹脂。如圖2所示，半導(dǎo)體裝置11為通過密封樹脂17將半導(dǎo)體芯片13及基板16密封的裝置。密封樹脂17覆蓋基板16的上表面以外的部分及半導(dǎo)體芯片13。密封樹脂17由例如環(huán)氧樹脂等構(gòu)成。半導(dǎo)體芯片13為例如高頻用半導(dǎo)體芯片或大功率用半導(dǎo)體芯片。在半導(dǎo)體芯片 13的下表面形成有例如柱形凸塊(7夕〃 K K > )等外部電極13-1。半導(dǎo)體芯片13的平面形狀為例如一邊為2mm IOmm左右的四方形狀?；?6設(shè)計(jì)為使其下表面的一部分與半導(dǎo)體芯片13的上表面相接觸。并且，基板16形成為比半導(dǎo)體芯片13更大的尺寸，基板16的平面形狀為例如一邊為5mm 15mm 左右的四方形狀。另外，基板16優(yōu)選由例如不銹鋼、銅、陶瓷等熱傳導(dǎo)性好的材料形成。若對基板16采用熱傳導(dǎo)性好的材料，則能夠得到相當(dāng)于散熱板的效果。當(dāng)基板16由例如銅等易腐蝕的材料構(gòu)成時(shí)，優(yōu)選采用金等對基板16的上表面進(jìn)行鍍處理從而形成鍍層16A。
在密封樹脂17的下表面形成有配線圖案15。配線圖案15的至少一部分與設(shè)置在半導(dǎo)體芯片13的下表面的柱形凸塊等外部電極13-1相連接。通過外部電極13-1，半導(dǎo)體芯片13與配線圖案15的至少一部分電導(dǎo)通。并且，雖然未圖示，但配線圖案15的一部分形成于比半導(dǎo)體芯片13的外周部更靠近外側(cè)的位置。配線圖案15由阻焊膜14所覆蓋。阻焊膜14在形成BGA球12的區(qū)域中分別具有開口。通過在阻焊膜14的開口處形成BGA球12來使配線圖案15與BGA球12電導(dǎo)通。另外，在上述半導(dǎo)體裝置11中，為了防止氧化，可以利用金等薄膜(圖中未顯示) 來覆蓋配線圖案15的表面。并且，還可以在配線圖案15的表面中的、與BGA球12相接觸的區(qū)域進(jìn)行金屬擴(kuò)散防止處理。接著，對包含上述半導(dǎo)體芯片13及基板16的多個(gè)半導(dǎo)體裝置11的制造方法進(jìn)行說明。該方法為，在事先單片化的多個(gè)基板16上分別搭載半導(dǎo)體芯片13后進(jìn)行整體密封、 并在形成配線圖案15等后按每個(gè)各裝置11進(jìn)行單片化的方法。下面，參照圖3至圖11來說明該方法。圖3為從下表面?zhèn)扔^察基于第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11的制造工序時(shí)的平面圖。圖4至圖11為沿圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示基于第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11的制造工序的剖視圖。首先，如圖3、圖4所示，按照事先決定的半導(dǎo)體裝置11的外形尺寸程度來準(zhǔn)備被單片化的多個(gè)基板16。接著，在各基板16的下表面搭載半導(dǎo)體芯片13。半導(dǎo)體芯片13在基板16的下表面按照下面的方式進(jìn)行搭載。首先，在基板16的下表面或半導(dǎo)體芯片13的上表面，預(yù)先提供糊狀或液體狀的粘著材料(圖中未顯示)。接著，使與基板16相對的半導(dǎo)體芯片13的位置對位于所期望的位置。在對準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片13的位置后，使基板16與半導(dǎo)體芯片13粘合。如此，將半導(dǎo)體芯片13搭載到基板16的下表面。將半導(dǎo)體芯片13搭載到基板16的下表面后，將搭載有半導(dǎo)體芯片13的各基板16 的上表面以基本相等的間隔粘貼到由支撐薄膜18構(gòu)成的支撐體的下表面。支撐薄膜18優(yōu)選具有粘著功能的膠帶(f 一 )材料。支撐薄膜18優(yōu)選由具有耐化學(xué)性的材料(例如，聚乙烯、聚酯等)所構(gòu)成，上述耐化學(xué)性是相對適用于后面圖7所示工序的光刻技術(shù)、特別是蝕刻液而言的。但是，支撐體不是必須為薄膜狀的支撐薄膜18， 也可以應(yīng)用具有與支撐薄膜18大致相同的功能的支撐板。對支撐薄膜18粘貼基板16的工序例如以圖5所示的方式進(jìn)行。首先，通過標(biāo)記識別用照相機(jī)19等識別設(shè)于半導(dǎo)體芯片13的對準(zhǔn)標(biāo)記(圖中未表示)。接著，將被識別出對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體芯片13通過拾取裝置20等進(jìn)行拾取。接著，以各半導(dǎo)體芯片13的對準(zhǔn)標(biāo)志成為等間距的方式來相對于支撐薄膜18進(jìn)行對位并粘貼。接著，如圖6所示，在包含多個(gè)半導(dǎo)體芯片13及多個(gè)基板16的支撐薄膜18的下表面形成密封樹脂17。通過密封樹脂17使多個(gè)半導(dǎo)體芯片13及多個(gè)基板16 —體化。密封樹脂17采用由例如環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的感光性絕緣薄膜。接著，如圖7所示，在密封樹脂17中形成使半導(dǎo)體芯片13的外部電極13_1露出的開口 17A。開口 17A可以采用例如光刻技術(shù)來形成。形成開口 17A后，在密封樹脂17的下表面形成配線圖案15。配線圖案15的至少一部分與半導(dǎo)體芯片13的外部電極13-1相連接。配線圖案15例如以下面的方式形成。首先，通過電鍍法等，在密封樹脂17的下表面生長成為配線圖案15的金屬層。接著，通過對金屬層應(yīng)用光刻技術(shù)來形成配線圖案15。光刻技術(shù)是指下述的一系列工序。首先，在密封樹脂17或者金屬層上形成光致抗蝕劑層。接著，采用具有期望的開口圖案的掩模，對光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光。接著，對曝光后的光致抗蝕劑層進(jìn)行顯影。接著，將顯影后的光致抗蝕劑層作為掩模使用，來對密封樹脂 17或金屬層進(jìn)行刻蝕。光刻技術(shù)為上述一系列的工序。另外，雖然未圖示，但是在遍及多層而形成配線圖案的情況下，按照需要反復(fù)進(jìn)行圖7所示的工序即可。接著，如圖8所示，在包含配線圖案15的密封樹脂17的下表面形成阻焊膜14，該阻焊膜14具有使配線圖案15的一部分露出的開口 14A。形成于阻焊膜14的開口 14A應(yīng)用例如上述的光刻技術(shù)來形成即可。另外，按照需要，在形成開口 14A后，可以在從開口 14A露出的配線圖案15的表面進(jìn)行用于防止金屬擴(kuò)散的表面處理。接著，如圖9所示，在阻焊膜14的開口 14A處形成BGA球12。通過在阻焊膜14的開口 14A處形成BGA球12，從而將BGA球12與配線圖案15相連接。通過在阻焊膜14的開口 14A處形成例如焊料來形成BGA球12。接著，如圖10所示，使密封樹脂17殘留在各基板16的側(cè)面地沿著切割線21切斷密封樹脂17及阻焊膜14。通過切割使利用密封樹脂17 —體化后的多個(gè)半導(dǎo)體芯片13單片化。另外，切割線21為各基板16的周圍及其下方的密封樹脂17上的線。最后，如圖11所示，從支撐薄膜18將被密封樹脂17所覆蓋的半導(dǎo)體芯片13剝離。 從支撐薄膜18剝離而得半導(dǎo)體芯片13的方法例如應(yīng)用頂出法(突t上(f法)。頂出法是指，利用頂出銷22以貫通支撐薄膜18的方式來頂出基板16、從而將半導(dǎo)體芯片13從支撐薄膜18剝離而得的方法。通過從支撐薄膜18剝離由密封樹脂17所覆蓋的半導(dǎo)體芯片13，從而形成圖1及圖2所示的半導(dǎo)體裝置11。如上所述，在基于第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11的制造方法中，事先對基板16進(jìn)行了單片化。因此，在對包含有半導(dǎo)體芯片13及基板16的多個(gè)半導(dǎo)體裝置11進(jìn)行單片化時(shí)， 不需要切斷基板16。因此，能夠不降低成品率地統(tǒng)一形成半導(dǎo)體裝置11。并且，通過該方法所制造的半導(dǎo)體裝置11的基板16的下表面及側(cè)面由密封樹脂 17所覆蓋。因此，通過在基板16的上表面形成鍍層16A，能夠抑制基板16的腐蝕。(第二實(shí)施例)接著，參照圖12對基于第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖12表示由基于第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置所制造的半導(dǎo)體裝置，是與圖2相當(dāng)?shù)钠室晥D。從下表面?zhèn)瓤吹降脑摪雽?dǎo)體裝置的平面圖與圖1相同。另外，在圖12中，在與圖2所示的半導(dǎo)體裝置11相同的位置上附有相同的符號，省略對其的說明。如圖12所示，半導(dǎo)體裝置31與圖2所示的半導(dǎo)體裝置11相比較，不同點(diǎn)在于，在基板16的側(cè)面沒有形成密封樹脂32。即，半導(dǎo)體裝置31是通過與基板16的下表面相接觸的密封樹脂32而密封有半導(dǎo)體芯片13的裝置。在半導(dǎo)體裝置31中，基板16的上表面及側(cè)面從密封樹脂32露出。因此，在基板16由容易腐蝕的材料構(gòu)成時(shí)，優(yōu)選在基板16的上表面及側(cè)面形成由金等構(gòu)成的鍍層33。半導(dǎo)體裝置31可以按下面的方式形成。即，首先，按照圖3至圖6所示的工序在支撐薄膜18的下表面形成密封樹脂32。接著，以使基板16的側(cè)面露出的方式(在基板16的側(cè)面不殘留密封樹脂32)，刻蝕除去密封樹脂32的一部分從而形成槽34。該槽34是為了省略圖10所示的切斷工序而形成的。圖13為從下側(cè)看到的、通過刻蝕將密封樹脂32的一部分除去后的密封樹脂32的平面圖。并且，圖14表示將沿圖13的點(diǎn)劃線C-C’的剖面的一部分?jǐn)U大后的圖。如圖13、圖14所示，通過將各基板16的周圍及其下方的密封樹脂32除去，來形成使基板16的側(cè)面全部露出的槽34。在密封樹脂32中形成槽34后，通過按照圖7至圖11 所示的工序，能夠形成圖12所示的半導(dǎo)體裝置31。另外，通過槽34的形成已對多個(gè)半導(dǎo)體芯片31進(jìn)行單片化，因此，不需要圖10所示的切斷工序。并且，在圖7、圖8所示的工序中，成為配線圖案15的金屬及成為阻焊膜14的材料在密封樹脂32的槽34中也形成。在槽34內(nèi)形成有成為配線圖案15及阻焊膜14的材料時(shí)，利用形成配線圖案15及阻焊膜14時(shí)的刻蝕工序，將槽34中所形成的各材料也除去即可。在基于第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置31的制造方法中，不需要將密封樹脂32及阻焊膜14切斷的工序。因此，基于第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置31的制造方法，與基于第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11的制造方法相比，能夠更加容易地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置31的單片化。并且，通過該方法所制造的半導(dǎo)體裝置31，基板16的下表面通過密封樹脂32所覆蓋。因此，通過在基板16的上表面及側(cè)面形成鍍層33，從而抑制基板16的腐蝕。另外，在基于第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，如圖13所示，形成了使基板 16的側(cè)面全部露出的槽34。但是，槽也可以按照使基板16的側(cè)面的一部分露出的方式來形成。圖15為從下側(cè)看到的、通過刻蝕將密封樹脂41的一部分除去后的密封樹脂41的平面圖。也可以如圖15所示、以使基板16的角部上的密封樹脂41殘留的方式形成槽42。通過如圖15所示地形成槽42，能夠穩(wěn)定地鍍生長用于形成配線圖案15的金屬。應(yīng)用在密封樹脂41中形成槽42的方法時(shí)，則需要圖10所示的密封樹脂41的切斷工序。但是，由于不需要切斷基板16，因此能夠不使成品率降低地統(tǒng)一形成包含半導(dǎo)體芯片13及基板16的多個(gè)半導(dǎo)體裝置31。此外，雖然需要切斷密封樹脂41的工序，但切斷的密封樹脂41的量與在第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11的制造方法中被切斷的密封樹脂17的量相比較少。因此，能夠更容易地使半導(dǎo)體裝置31單片化。此外，應(yīng)用在密封樹脂41中形成槽42的方法時(shí)，以使一部分密封樹脂41殘留的方式在密封樹脂41中形成槽42。因此，與如圖13、圖14所示地在密封樹脂32中形成槽33 的情況相比，能夠穩(wěn)定地鍍生長用于形成配線圖案15的金屬。另外，即使是應(yīng)用在密封樹脂41中形成槽42的方法所制造出的半導(dǎo)體裝置31，也通過在基板16的上表面及側(cè)面形成鍍層33來抑制基板16的腐蝕。(第3實(shí)施例)接著，參照圖16對基于第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。由于通過基于第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置所制造的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造與圖1、圖2所示的構(gòu)造相同，因此省略對其的說明，對與基于第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11的制造方法不同的工序進(jìn)行說明?；诘?實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法與基于第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11的制造方法相比，不同點(diǎn)在于圖10所示的切斷工序。圖16為沿著圖3的點(diǎn)劃線B-B’表示基于第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。如圖16所示，在基于第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，不完全切斷各基板16的周圍以及其下方的密封樹脂17，而是以其一部分殘留在支撐薄膜51的下表面的方式切斷密封樹脂17。其結(jié)果是，多個(gè)基板16的周圍及其下方的密封樹脂17的一部分成為殘留在支撐薄膜51的下表面的狀態(tài)。另外，通過該制造方法所使用的支撐薄膜51具有能夠被頂出銷22貫通的開口 52，該頂出銷22應(yīng)用于從支撐薄膜51對被密封樹脂17覆蓋的半導(dǎo)體芯片13進(jìn)行剝離的工序。使密封樹脂17的一部分殘留在支撐薄膜51的下表面地切斷密封樹脂17后，通過頂出法將被密封樹脂17所覆蓋的半導(dǎo)體芯片13從支撐薄膜51剝離。當(dāng)從支撐薄膜51將半導(dǎo)體芯片13剝離時(shí)，需要以使支撐薄膜51的下表面所殘留的密封樹脂17被扯斷的程度來通過頂出銷22將基板16向上方頂出。通過上述方法，能夠形成與圖1、圖2相同的半導(dǎo)體裝置11。即使是基于上面所示的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法也不需要切斷基板 16。因此，能夠不使成品率降低地統(tǒng)一形成包含有半導(dǎo)體芯片13及基板16的多個(gè)半導(dǎo)體裝置11。另外，根據(jù)基于第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在切斷密封樹脂17的工序中，以密封樹脂17的一部分殘留在支撐薄膜51的下表面的方式來切斷密封樹脂17。因此， 能夠抑制在切斷密封樹脂17時(shí)支撐薄膜51發(fā)生損傷。并且，頂出銷22穿過事先設(shè)置的開口 52并頂出基板16。因此，通過頂出銷22也能夠抑制支撐薄膜51發(fā)生損傷。因此，根據(jù)基于第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠使支撐薄膜51實(shí)現(xiàn)再利用。另外，由基于第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法所制造的半導(dǎo)體裝置11與由基于第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法所制造的半導(dǎo)體裝置11是相同的。因此，由基于第 3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法所制造的半導(dǎo)體裝置11通過在基板16的上表面形成鍍層16A從而能夠抑制基板16的腐蝕。雖然已對特定的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是這些實(shí)施方式只是本發(fā)明的示例，并不以這些實(shí)施方式來限定本發(fā)明。實(shí)際上，在此說明的這些新的半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法可以有各種其他形式，并且能夠在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，進(jìn)行各種半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法的構(gòu)成要素的省略、替代以及變更。被所附的要求保護(hù)的技術(shù)方案及其等同的技術(shù)方案所覆蓋的上述的方式以及變形落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備將分別搭載有半導(dǎo)體芯片的多個(gè)基板以規(guī)定的間隔粘著到支撐體的工序； 將密封樹脂形成于所述支撐體、以使得該密封樹脂覆蓋所述多個(gè)基板及多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的工序；將配線圖案形成于所述密封樹脂、以使得該配線圖案與各個(gè)所述半導(dǎo)體芯片電連接的工序；將配線保護(hù)膜形成于包含所述配線圖案的所述密封樹脂、并使得所述配線圖案的一部分露出的工序；形成外部電極、以使得該外部電極與從所述配線保護(hù)膜露出的所述配線圖案相接觸的工序；切斷所述密封樹脂及所述配線保護(hù)膜的工序；和將被所述密封樹脂覆蓋的所述半導(dǎo)體芯片及所述基板從所述支撐體剝離的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，切斷所述密封樹脂的工序，是使所述密封樹脂殘留在所述基板的整個(gè)側(cè)面地切斷所述密封樹脂的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述基板含有不銹鋼、銅、陶瓷中的某一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述基板的上表面形成有鍍層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，切斷所述密封樹脂的工序，是使所述密封樹脂的一部分殘留在所述支撐體的下表面地切斷所述密封樹脂的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，將所述半導(dǎo)體芯片及所述基板從所述支撐體剝離的工序，是通過利用貫通所述支撐體的頂出銷來頂出所述半導(dǎo)體芯片及所述基板、從而將殘留在所述支撐體下表面的所述密封樹脂切斷、并且將所述半導(dǎo)體芯片及所述基板從所述支撐體剝離的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述支撐體具有所述頂出銷能夠貫通的開口。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述基板包含不銹鋼、銅、陶瓷中的某一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述基板的上表面形成有鍍層。
10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備，將分別搭載有半導(dǎo)體芯片的多個(gè)基板以規(guī)定的間隔粘著到支撐體的工序； 將密封樹脂形成于所述支撐體、以使得該密封樹脂覆蓋所述多個(gè)基板及多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的工序；在所述密封樹脂中形成使所述基板的側(cè)面露出的槽的工序；將配線圖案形成于所述密封樹脂、以使得該配線圖案與各個(gè)所述半導(dǎo)體芯片電連接的工序；將配線保護(hù)膜形成于包含所述配線圖案的所述密封樹脂、并使得所述配線圖案的一部分露出的工序；形成外部電極、以使得該外部電極與從所述配線保護(hù)膜露出的所述配線圖案相接觸的工序；和將被所述密封樹脂覆蓋的所述半導(dǎo)體芯片及所述基板從所述支撐體剝離的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述基板包含不銹鋼、銅、陶瓷中的某一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述基板的上表面及側(cè)面形成有鍍層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述密封樹脂中形成使所述基板的側(cè)面露出的槽的工序，是在所述密封樹脂中形成使所述基板的側(cè)面的一部分露出的槽的工序， 該半導(dǎo)體裝置的制造方法還具有，在將所述半導(dǎo)體芯片及所述基板從所述支撐體剝離的工序之前切斷所述密封樹脂的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述基板包含不銹鋼、銅、陶瓷中的某一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述基板的上表面及側(cè)面形成有鍍層。
16.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備， 基板，與半導(dǎo)體芯片的上表面相接觸；密封樹脂，形成為覆蓋所述基板的側(cè)面及下表面、并且覆蓋所述半導(dǎo)體芯片； 配線圖案，形成在所述密封樹脂的下表面，并與所述半導(dǎo)體芯片電連接； 配線保護(hù)膜，形成在包含所述配線圖案的所述密封樹脂的下表面，使所述配線圖案的一部分露出；和外部電極，形成為與從該配線保護(hù)膜露出的所述配線圖案相接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述基板包含不銹鋼、銅、陶瓷中的某一種。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述基板的上表面形成有鍍層。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述密封樹脂，是以覆蓋所述基板的側(cè)面的一部分及下表面、并且覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的方式形成的密封樹脂，在所述基板的上表面及側(cè)面形成有鍍層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述基板包含不銹鋼、銅、陶瓷中的某一種。
全文摘要
基于本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含以下工序覆蓋工序，使多個(gè)基板互相分離地對分別搭載有半導(dǎo)體芯片的多個(gè)基板用密封樹脂進(jìn)行覆蓋；及切斷工序，切斷多個(gè)基板間的密封樹脂。
文檔編號H01L21/78GK102194716SQ20111005223
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月5日
發(fā)明者飯島利恒 申請人:株式會(huì)社東芝