專利名稱：發(fā)光器件及其制造方法、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
由于其物理和化學(xué)特性，III-V族氮化物半導(dǎo)體已經(jīng)被視為用于諸如發(fā)光二極管 (LED)和激光二極管(LD)的發(fā)光器件的核心材料。III-V族氮化物半導(dǎo)體中的每一個(gè)由具有InxAlyGai_x_yN(其中0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料形成。LED是一種半導(dǎo)體器件，其被用作光源或者使用化合物半導(dǎo)體的特性以將電轉(zhuǎn)換為紅外線或者光，從而在其間接收和發(fā)送信號(hào)。這些半導(dǎo)體基LED或者LD被廣泛地用在發(fā)光器件中，并且被應(yīng)用為用于諸如蜂窩電話的鍵區(qū)發(fā)光單元、電光面板以及照明裝置的各種產(chǎn)品的光源。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供具有新結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。實(shí)施例還提供其中多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)相互接合的發(fā)光器件。實(shí)施例還提供其中多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)相互垂直地層壓的發(fā)光器件。實(shí)施例可以改進(jìn)包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)的可靠性。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、以及在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第一有源層；第一電極，該第一電極連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第一反射層；第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第二有源層；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第二反射層；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層和第一反射層之間的結(jié)合層；第一連接構(gòu)件，該第一連接構(gòu)件將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接到第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及第二連接構(gòu)件，該第二連接構(gòu)件將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接到第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第一有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的第一電極；在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第一絕緣層；第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二有源層以及第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的導(dǎo)電支撐構(gòu)件；多個(gè)結(jié)合層，該多個(gè)結(jié)合層被布置在第一絕緣層和第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間并且相互接合；在結(jié)合層和第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間的第二絕緣層；以及連接構(gòu)件，該連接構(gòu)件將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的至少一層連接到第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的至少一層。在又一實(shí)施例中，發(fā)光器件封裝包括主體；在主體上的多個(gè)引線電極；發(fā)光器件，該發(fā)光器件被結(jié)合在多個(gè)引線電極中的至少一個(gè)引線電極上，該發(fā)光器件電連接到多個(gè)引線電極；以及成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件成型發(fā)光器件，其中該發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第一有源層；第一電極，該第一電極連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第一反射層；第二發(fā)光結(jié) 構(gòu)層，該第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第二有源層；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第二反射層；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層和第一反射層之間的結(jié)合層；第一連接構(gòu)件，該第一連接構(gòu)件將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接到第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層； 以及第二連接構(gòu)件，該第二連接構(gòu)件將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接到第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。在附圖和下面的描述中闡述一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)。根據(jù)描述和附圖以及權(quán)利要求，其它的特征將會(huì)是顯然的。


圖1是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。圖2是沿著圖1的線A-A截取的側(cè)截面圖。圖3是示出圖1的發(fā)光器件的光發(fā)射的示例的視圖。圖4至圖23是示出根據(jù)實(shí)施例的制造發(fā)光器件的工藝的視圖。圖24是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的視圖。圖25是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的圖；圖26是示出根據(jù)實(shí)施例的另一顯示裝置的圖；以及圖27是示出根據(jù)實(shí)施例的照明裝置的圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊盤或圖案“上”時(shí)，它能夠直接地在另一層或者襯底上，或者也可以存在中間層。此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)層被稱為在另一層“下”時(shí)，它能夠直接地在另一層下， 并且也可以存在一個(gè)或者多個(gè)中間層。此外，將基于附圖來進(jìn)行關(guān)于每層“上”和“下”的參考。在附圖中，為了描述的方便和清楚起見，每層的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性繪制。而且，每個(gè)元件的尺寸沒有完全反映真實(shí)尺寸。圖1是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。參考圖1，發(fā)光器件100包括至少兩個(gè)芯片結(jié)構(gòu)110和130。在發(fā)光器件100中， 一個(gè)或者多個(gè)第二芯片結(jié)構(gòu)130可以被布置在至少一個(gè)第一芯片結(jié)構(gòu)110上。而且，一個(gè)或者多個(gè)第二芯片結(jié)構(gòu)130可以被布置在多個(gè)第一芯片結(jié)構(gòu)110上。在發(fā)光器件100中， 多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)110和130可以被堆疊為兩層或者三層中。在這里，芯片結(jié)構(gòu)110和130中的每一個(gè)可以具有彼此相同的寬度或者彼此不同的寬度。而且，發(fā)光器件100內(nèi)的芯片結(jié)構(gòu)110和130可以發(fā)射具有彼此相同的波長(zhǎng)或者彼此不同的波長(zhǎng)的光。在下文中，為了描述的方便，將會(huì)描述其中第一芯片結(jié)構(gòu)110和第二芯片結(jié)構(gòu)130被相互垂直地層壓的結(jié)構(gòu)作為示例。芯片結(jié)構(gòu)110和130中的每一個(gè)可以包括用于發(fā)射光的發(fā)光結(jié)構(gòu)層和用于給發(fā)光結(jié)構(gòu)層提供電力的電極。術(shù)語“芯片結(jié)構(gòu)”被用作用于進(jìn)行描述的術(shù)語，并且因此，實(shí)施例不限于術(shù)語。替代地，術(shù)語可以變成諸如發(fā)光部分、芯片部分、發(fā)光單元或者器件部分的其它的術(shù)語。在下文中，為了描述的方便，將會(huì)使用術(shù)語“芯片結(jié)構(gòu)”作為示例。而且，第一芯片結(jié)構(gòu)110可以被布置在第二芯片結(jié)構(gòu)130的至少一部分上，并且結(jié)構(gòu)110和130中的每一個(gè)的側(cè)表面的至少一部分可以具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)，但是不限于此。發(fā)光器件100的第一芯片結(jié)構(gòu)110被布置在器件的上部分上并且包括第一電極 107。第二芯片結(jié)構(gòu)130被布置在第一芯片結(jié)構(gòu)110下面并且包括支撐構(gòu)件136。第 一芯片結(jié)構(gòu)110包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210、第一導(dǎo)電層114、第一絕緣層108、第一連接構(gòu)件115、第二連接構(gòu)件116、第一反射層117以及第一結(jié)合層119。第二芯片結(jié)構(gòu)130包括支撐構(gòu)件136、第二反射層135、第二導(dǎo)電層134、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220、第三導(dǎo)電層140、第三連接構(gòu)件139、第四連接構(gòu)件142、第五連接構(gòu)件138、第三反射層143、第二絕緣層141以及第二結(jié)合層145。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)210包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111、第一有源層112以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113。第一有源層112被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113之間。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111可以由被摻雜有第一導(dǎo)電類型摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體形成。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111可以由從由GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN、 InAlGaN, AlInN, AlGaAs,GaP, GaAs, GaAsP以及AlGaInP組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111可以由具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料形成。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111可以包括N型半導(dǎo)體層。N型半導(dǎo)體層可以被摻雜有諸如Si、Ge、Sn、Se或者Te的N型摻雜物。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111 可以具有單層或者多層結(jié)構(gòu)，但是不限于此。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111可以具有其中彼此不同的半導(dǎo)體層相互堆疊的超晶格結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)可以包括GaN/InGaN結(jié)構(gòu)或者GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)可以包括其中彼此不同的均具有數(shù)A或者更大厚度的至少兩對(duì)或者更多的兩層相互交替地堆疊的結(jié)構(gòu)。替代地，超晶格結(jié)構(gòu)可以包括具有彼此不同的帶隙的至少兩層。第一有源層112可以被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111下面。第一有源層112 可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)以及量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)?？梢允褂肐II-V族化合物半導(dǎo)體材料以阱層/勢(shì)壘層的周期形成第一有源層112。例如，第一有源層112可以具有InGaN/GaN結(jié)構(gòu)、InGaN/AlGaN結(jié)構(gòu)以及InGaN/InGaN結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)。勢(shì)壘層可以由具有大于阱層的帶隙的帶隙的材料形成，但是不限于此。光提取結(jié)構(gòu)IllA可以被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的頂表面上。光提取結(jié)構(gòu)可以包括諸如三角形圖案的多邊形圖案。替代地，光提取結(jié)構(gòu)IllA可以具有形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的頂表面上的不平坦結(jié)構(gòu)或者由不同的材料形成。第一導(dǎo)電類型包覆層可以被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111和第一有源層112 之間。第一導(dǎo)電類型包覆層可以由GaN基半導(dǎo)體形成。第一導(dǎo)電類型包覆層可以具有大于第一有源層112內(nèi)的勢(shì)壘層的帶隙的帶隙并且限制載流子。
第二導(dǎo)電類型包覆層可以被布置在第一有源層112和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113 之間。第二導(dǎo)電類型包覆層可以由GaN基半導(dǎo)體形成。第二導(dǎo)電類型包覆層可以具有大于第一有源層112內(nèi)的勢(shì)壘層的帶隙的帶隙并且限制載流子。 第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113可以被布置在第一有源層112下面。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113可以由被摻雜有第二導(dǎo)電類型摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體形成。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 113 可以由從由 GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、 GaAs,GaAsP以及AlGaInP組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113可以由具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料形成。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113可以具有單層或者多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電類型半導(dǎo)體層113具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113可以具有諸如AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的超晶格結(jié)構(gòu)或者具有彼此不同的摻雜物濃度的層的堆疊結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113可以是P型半導(dǎo)體層。P型半導(dǎo)體層包含諸如Mg、Be 或者Zn的P型摻雜物。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113可以用作電極接觸層，但是不限于此。 第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的下表面可以具有光提取結(jié)構(gòu)，但是不限于此。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111可以具有大于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113的厚度的厚度，但是不限于此。第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層可以被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113下面。第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層可以是具有與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113的極性相反的極性的半導(dǎo)體層。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210可以具有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。在這里，附圖標(biāo)記“N”表示N型半導(dǎo)體層，附圖標(biāo)記“P”表示P型半導(dǎo)體層，并且附圖標(biāo)記“-”表示其中兩個(gè)半導(dǎo)體層直接或者間接地彼此堆疊的結(jié)構(gòu)。在下文中，將會(huì)描述其中第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113被布置在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210的最下層上的結(jié)構(gòu)作為示例。第三絕緣層109可以被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111上。第三絕緣層109可以被布置在器件的頂表面和器件的側(cè)表面上，但是不限于此。金屬層和金屬氧化物層中的至少一個(gè)可以被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111 的頂表面上。第一電極107連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的上部。至少一個(gè)第一電極107 可以被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111上。第一電極107可以包括焊盤或者連接到焊盤的臂電極。透射材料可以形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111上。第一電極107可以被布置在透射材料的至少一部分上。第一電極107可以電連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111或/ 和透射材料。第一電極107 可以由 Cu、Ti、Cr、Ta、Al、In、Pd、Co、Ni、Ge、Ag 以及 Au 中的一個(gè)，
或者其中混合多種材料的金屬形成，但是不限于此。第一電極107的頂表面和下表面中的至少一個(gè)表面可以具有不平坦表面。不平坦表面可以改變?nèi)肷涔獾呐R界角。第一導(dǎo)電層114可以被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113下面。第一導(dǎo)電層114 可以用作透射電極層。第一導(dǎo)電層114可以由導(dǎo)電氧化物基材料或者導(dǎo)電氮化物基材料形成。第一導(dǎo)電層114可以由從由銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、銦鋅錫氧化物 (IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ΑΤΟ)、IZO氮化物(IZON)、ZnO、IrOx.RuOx以及NiO組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。替代地，第一導(dǎo)電層114可以由從48、慰、41、詘、？(1、11~、1 11、1%、211、？扒八11、 Hf以及其組合中選擇的材料形成。第一絕緣層108可以被布置在第一導(dǎo)電層114下面。第一絕緣層108可以由諸如 Si02、Si3N4、Al203或者TiO2的透射絕緣材料形成，但是不限于此。第一導(dǎo)電層114的頂表面和下表面中的至少一個(gè)表面可以具有粗糙表面，但是不限于此。第一絕緣層108可以具有用于發(fā)射光的預(yù)定厚度。由于第一絕緣層108的厚度可以改變從第一芯片結(jié)構(gòu)110發(fā)射的光的發(fā)射角。例如，第一絕緣層108可以具有大約ιμπι 或者更大的厚度，并且特別地，大約5μπι或者更大的厚度。第一絕緣層108可以用作用于保證第一芯片結(jié)構(gòu)110內(nèi)的垂直空間的間隔物。另外，由于第一芯片結(jié)構(gòu)110的厚度使得第一絕緣層108可以限制光損 耗。第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116被布置在第一絕緣層108上。第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116可以被定義為將層彼此垂直地連接的導(dǎo)電連接構(gòu)件。導(dǎo)電連接構(gòu)件可以具有貫通結(jié)構(gòu)、導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)或者通孔結(jié)構(gòu)。在下文中，為了便于描述，將會(huì)描述連接構(gòu)件作為示例。當(dāng)從頂側(cè)看時(shí)，第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116中的每一個(gè)可以具有圓形或者多邊形形狀。第一連接構(gòu)件115可以具有不同于第二連接構(gòu)件116的寬度或者直徑的寬度或直徑，或者可以具有與第二連接構(gòu)件116的寬度或者直徑相同的寬度或者直徑，但是不限于此。第一連接構(gòu)件115的數(shù)目可以不同于第二連接構(gòu)件116的數(shù)目。例如，第二連接構(gòu)件116的數(shù)目可以小于、等于或者大于第一連接構(gòu)件115的數(shù)目，但是不限于此。第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116中的每一個(gè)可以由從由Pt、Ni、Rh、Ti、Al、 In、Ta、Pd、C0、Ni、Si、Ge、Ag以及Au組成的組中選擇的至少一個(gè)形成，或者由其合金形成， 但是不限于此。在上述連接構(gòu)件中，第一連接構(gòu)件115的數(shù)目和位置可以被設(shè)置為一個(gè)或者多個(gè)以提供電力。而且，第一連接構(gòu)件115可以具有線結(jié)構(gòu)或者回路結(jié)構(gòu)，但是不限于此?？梢蕴峁┒鄠€(gè)第一連接構(gòu)件115。多個(gè)第一連接構(gòu)件115可以被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113下面并且相互隔開。而且，多個(gè)第一連接構(gòu)件115通過第一絕緣層108 的內(nèi)部。第一連接構(gòu)件115將第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113電連接到第一結(jié)合層119的第一中間連接構(gòu)件120。第二連接構(gòu)件116將第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111電連接到第一結(jié)合層 119的第二中間連接構(gòu)件118。第一連接構(gòu)件115接觸第一導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層114擴(kuò)散通過第一連接構(gòu)件115 施加的電流。第二連接構(gòu)件116被連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的下部并且通過第一絕緣層108的內(nèi)部。第二連接構(gòu)件116的位置可以與第一電極107的位置垂直地錯(cuò)開?？梢愿淖兊诙B接構(gòu)件116的直徑和數(shù)目，但是不限于此。在這里，第一絕緣層108的部分108A被布置在凹槽中，該凹槽通過第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113和第一有源層112的內(nèi)部暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111。而且，第一絕緣層 108絕緣第二連接構(gòu)件116的周緣。
第一結(jié)合層11 9和第一反射層117被布置在第一絕緣層108下面。第一反射層 117反射通過第一絕緣層108入射的光。第一反射層117可以具有粗糙表面以提取光。第一反射層117可以具有單層或者多層結(jié)構(gòu)。第一反射層117可以由從由Ag、Ni、 Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及其組合組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。第一反射層117可以被嵌入在第一結(jié)合層119的上部中。第一反射層117的頂表面可以從第一結(jié)合層119暴露。而且，第一反射層117可以被布置在第一結(jié)合層119的頂表面上，但是不限于此。第一反射層117可以具有小于或者等于發(fā)光器件100的寬度的寬度，但是不限于此。第一中間連接構(gòu)件120和第二中間連接構(gòu)件118被布置在第一結(jié)合層119上。第一中間連接構(gòu)件120對(duì)應(yīng)于第一連接構(gòu)件115。第一中間連接構(gòu)件120可以具有大于第一連接構(gòu)件115的直徑的直徑以使第一中間連接構(gòu)件120和第一連接構(gòu)件115接觸，但是不限于此。第二中間連接構(gòu)件118對(duì)應(yīng)于第二連接構(gòu)件116。第二中間連接構(gòu)件118可以具有大于第二連接構(gòu)件116的直徑的直徑以使第二中間連接構(gòu)件118和第二連接構(gòu)件116接觸，但是不限于此。絕緣材料122和121被布置在第一中間連接構(gòu)件120和第二中間連接構(gòu)件118周圍。絕緣材料122和121可以由從第一絕緣層108的材料選擇的一個(gè)形成，但是不限于此。第一和第二結(jié)合層119和145包括金屬層?？梢允褂糜糜诠踩酃に嚨膯螌踊蛘叨鄬咏饘俳Y(jié)合第一結(jié)合層119。通過共熔工藝使用諸如Au/Sn、SnPb、或者無Pb焊料的合金可以結(jié)合共熔金屬。第一結(jié)合層119結(jié)合在第二芯片結(jié)構(gòu)130的第二結(jié)合層145上。使用用于共熔工藝的單層或者多層金屬(在下文中，被稱為共熔金屬)可以結(jié)合第二結(jié)合層145。通過共熔工藝使用諸如Au/SruSnPb或者無Pb焊料的合金可以結(jié)合共熔金屬。替代地，第一和第二結(jié)合層119和145中的每一個(gè)可以形成為絕緣粘附層。絕緣粘附層可以不包括用于使中間連接構(gòu)件118、120、146以及144相互絕緣的絕緣層。第一和第二結(jié)合層119和145可以由具有高傳導(dǎo)性的金屬或者非金屬材料形成以將熱散發(fā)到外部。第三中間連接構(gòu)件146和第四中間連接構(gòu)件144被布置在第二結(jié)合層145上。第三中間連接構(gòu)件146對(duì)應(yīng)于第一結(jié)合層119的第一中間連接構(gòu)件120。第三中間連接構(gòu)件 146接觸第一中間連接構(gòu)件120。第四中間連接構(gòu)件144對(duì)應(yīng)于第一結(jié)合層119的第二中間連接構(gòu)件118。第四中間連接構(gòu)件114接觸第二中間連接構(gòu)件118。絕緣材料151和149被布置在第三中間連接構(gòu)件146和第四中間連接構(gòu)件144周圍。絕緣材料151和149可以由從第一絕緣層108的材料中選擇的一個(gè)形成，但是不限于此。第三反射層143被布置在第二結(jié)合層145下面。第三反射層143可以由從第一反射層117的材料選擇的一個(gè)形成。第三反射層143被布置在第二結(jié)合層145下面。而且， 第三反射層143可以被布置在除了中間連接構(gòu)件144和146之外的區(qū)域中以反射光。第三反射層143可以被嵌入在第二結(jié)合層145的下部中。第三反射層143的下表面可以從第二結(jié)合層145暴露。而且，第二反射層143可以被布置在第二結(jié)合層145的下表面下面，但是不限于此。第二絕緣層141可以被布置在第二結(jié)合層145和第三反射層143下面。第二絕緣層141可以由從第一絕緣層108的材料選擇的一個(gè)形成。
第二絕緣層141可以具有預(yù)定的厚度。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以提供從第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220向上發(fā)射的光通過其水平地發(fā)射的空間。第二絕緣層141可以具有足以確保第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220和第二結(jié)合層145之間的空間以有效地發(fā)射從第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220發(fā)射的光的厚度。例如，第二絕緣層141可以具有大約Iym或者更大的厚度，并且特別地，大約 5μπι或者更大的厚度。 第二絕緣層141包括第三連接構(gòu)件139和第四連接構(gòu)件142。第三連接構(gòu)件139 和第四連接構(gòu)件142中的每一個(gè)可以由從由Pt、Ni、Rh、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、 Ag以及Au組成的組中選擇的至少一個(gè)形成，或者由其合金形成，但是不限于此。上述連接構(gòu)件可以被定義為導(dǎo)電連接構(gòu)件，其將層相互垂直地連接。連接構(gòu)件中的每一個(gè)可以具有貫通結(jié)構(gòu)、導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)或者通孔結(jié)構(gòu)。在下文中，為了便于描述，將會(huì)描述連接構(gòu)件作為示例。第三連接構(gòu)件139電接觸第二結(jié)合層145的第三中間連接構(gòu)件146。第四連接構(gòu)件142電接觸第二結(jié)合層145的第四中間連接構(gòu)件144。第三連接構(gòu)件139和第四連接構(gòu)件142可以具有考慮第三中間連接構(gòu)件146和第四中間連接構(gòu)件144的每個(gè)接觸程度的位置和直徑。第三導(dǎo)電層140被布置在第二絕緣層141下面。第三導(dǎo)電層140可以歐姆接觸第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131。第三導(dǎo)電層140接觸第四連接構(gòu)件142并且擴(kuò)散從第四連接構(gòu)件142施加的電流?？梢圆惶峁┑谌龑?dǎo)電層140，但是不限于此。而且，是光提取結(jié)構(gòu)的粗糙或者預(yù)定圖案可以被布置在第三導(dǎo)電層140或者第三反射層143上。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220被布置在第三導(dǎo)電層140下面。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以包括由III-V族化合物半導(dǎo)體形成的多個(gè)半導(dǎo)體層。例如，第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以由從由 GaN, A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 以及 AlGaInP 組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以由具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1， 0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的III-V族氮化物半導(dǎo)體形成，但是不限于此。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220包括第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131、第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133以及在第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131和第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133之間的第二有源層132。第二有源層132可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)中的一個(gè)?？梢砸杂蒊II-V族化合物半導(dǎo)體材料形成的阱層/勢(shì)壘層的周期形成第二有源層132。勢(shì)壘層可以由具有大于阱層的帶隙的帶隙的材料形成。阱層/勢(shì)壘層的周期可以具有InGaN/GaN結(jié)構(gòu)、InGaN/AlGaN結(jié)構(gòu)或者InGaN/InGaN結(jié)構(gòu)，但是不限于此。在這里，第三導(dǎo)電類型可以是N型半導(dǎo)體，并且第四導(dǎo)電類型可以是P型半導(dǎo)體。 而且，N型半導(dǎo)體層或者P型半導(dǎo)體層可以被布置在第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133下面。第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131可以包括具有與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的極性相同的極性的半導(dǎo)體層，并且第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133可以包括具有與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層112的極性相同的極性的半導(dǎo)體層。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131可以具有至少大于第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133的厚度的厚度，但是不限于此。諸如不平坦或者粗糙的光提取結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步被布置在第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131的頂表面上。將會(huì)參考第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210的每層描述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220的每層。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以具有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。 其它層可以被添加在層之間，但是不限于此。第二導(dǎo)電層134可以被布置在第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133下面。第二導(dǎo)電層134 可以由透明電極材料形成。第二導(dǎo)電層134可以歐姆接觸第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133的下表面并且用作電流擴(kuò)散層。粗糙可以形成在第二導(dǎo)電層134的上表面上，但是不限于此。第二反射層135被布 置在第二導(dǎo)電層134下面。第二反射層135可以具有單層或者多層結(jié)構(gòu)，并且可以由從由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其組合組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。第二反射層135可以形成為粗糙形狀。第二反射層135可以具有大于第二導(dǎo)電層134的下表面的面積以增加反射效果，但是不限于此。第二導(dǎo)電層134和第二反射層135中的每一個(gè)可以具有等于或者小于支撐構(gòu)件 136的寬度的寬度。而且，第二導(dǎo)電層134和第二反射層135中的至少一個(gè)可以具有與發(fā)光器件的寬度相同的寬度，但是不限于此。第五連接構(gòu)件138被布置在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220上。第五連接構(gòu)件138被布置在與第三連接構(gòu)件139的位置相對(duì)應(yīng)的位置處以電接觸第三連接構(gòu)件139。第五連接構(gòu)件138 可以由從上述連接構(gòu)件的材料中選擇的一個(gè)形成。第五連接構(gòu)件138可以具有考慮與第三連接構(gòu)件139的接觸面積和電氣特性的數(shù)目和直徑。第五連接構(gòu)件138通過第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220，并且絕緣材料137被布置在第五連接構(gòu)件138周圍。絕緣材料137防止第五連接構(gòu)件138電短路到其它層131、132以及133。 絕緣材料137可以延伸直到第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133的下表面，但是不限于此。第五連接構(gòu)件138可以電連接到第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133、第三導(dǎo)電層134、第二反射層135以及支撐構(gòu)件136中的至少一個(gè)。第五連接構(gòu)件138可以連接到第二反射層 135或/和支撐構(gòu)件136。支撐構(gòu)件136被布置在第三反射層135下面。支撐構(gòu)件136可以用作導(dǎo)電支撐構(gòu)件。支撐構(gòu)件136被布置在器件底側(cè)。支撐構(gòu)件136可以由Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W或者諸如 Si、Ge、GaAs, ZnO以及SiC的載具晶圓形成?？梢酝ㄟ^電鍍或者以片的形狀形成支撐構(gòu)件 136，但是不限于此。支撐構(gòu)件136可以被用作通過其提供具有第二極性的電力的路徑。替代地，支撐構(gòu)件136可以包括絕緣構(gòu)件。在這樣的情況下，可以通過另一側(cè)表面或者導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)提供電力。具有第一極性的電力被提供到第一芯片結(jié)構(gòu)110的第一電極107。具有第二極性的電力被提供到第二芯片結(jié)構(gòu)130的支撐構(gòu)件136。通過第二連接構(gòu)件116、第二中間連接構(gòu)件118、第四中間連接構(gòu)件144以及第四連接構(gòu)件142，具有第一極性的電力可以被提供到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111和第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131。具有第二極性的電力被提供到支撐構(gòu)件136。而且，具有第二極性的電力通過第五連接構(gòu)件138、第三連接構(gòu)件139、第二結(jié)合層145的第三中間連接構(gòu)件146以及第一結(jié)合層119的第一中間連接構(gòu)件120，經(jīng)由第一連接構(gòu)件115被提供到第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 113。因此，第一和第二有源層112和132可以發(fā)射光。第一芯片結(jié)構(gòu)110的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210可以被并行地連接到第二芯片結(jié)構(gòu)130 的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220以提高光效率。而且，因?yàn)榈谝恍酒Y(jié)構(gòu)110和第二芯片結(jié)構(gòu)130被并行地連接，因此，即使發(fā)光結(jié)構(gòu)層中的任意一個(gè)是有缺陷的，其它的發(fā)光結(jié)構(gòu)也可以正常地操作。在當(dāng)前實(shí)施例中，第一芯片結(jié)構(gòu)Iio可以串聯(lián)地被連接到第二芯片結(jié)構(gòu)130。在這樣的情況下，第一芯片結(jié)構(gòu)110和第二芯片結(jié)構(gòu)130可以以N-P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)相互連接。 通過垂直地布置在發(fā)光器件內(nèi)的多個(gè)連接構(gòu)件可以并行地相互連接第一芯片結(jié)構(gòu)110內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體層111、112以及113和第二芯片結(jié)構(gòu)130內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體層131、 132以及133。替代地，對(duì)于彼此相互的極性或者彼此相反的極性，連接構(gòu)件可以將第一芯片結(jié)構(gòu)110內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體層111、112以及113連接到第二芯片結(jié)構(gòu)130內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體層131、132以及133。極性可以是N型半導(dǎo)體層或者P型半導(dǎo)體層。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210可以發(fā)射第一光，并且第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以發(fā)射第一光或者不同于第一光的第二光。例如，第一光可以包括具有藍(lán)色、綠色、紅色或者紫外(UV)波長(zhǎng)的光，并且第二光可以包括藍(lán)色、黃色、紫色、綠色、紅色或者UV光。圖2是沿著圖1的線A-A截取的側(cè)截面圖。參考圖2，在第二絕緣層141中，多個(gè)第三連接構(gòu)件139分別被布置在邊緣區(qū)域中。 第四連接構(gòu)件142被布置在中心區(qū)域中。第三連接構(gòu)件139可以具有圓形或者多邊形形狀。 替代地，第三連接構(gòu)件139可以具有環(huán)形，S卩，開口回路或者封閉回路形狀。第四連接構(gòu)件142可以具有圓形、多邊形以及分支結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)。圖3是示出圖1的發(fā)光器件的光發(fā)射的示例的視圖。參考圖3，第一芯片結(jié)構(gòu)110和第二芯片結(jié)構(gòu)130相互并行地連接。因此，可以基本上同時(shí)地操作第一芯片結(jié)構(gòu)110和第二芯片結(jié)構(gòu)130。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210發(fā)射第一光Li。在除了向下方向的全方向上發(fā)射第一光Li。 在這里，通過第一反射層117橫向地和向上地反射并且發(fā)射第一光Ll的一部分。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210的第一光Ll可以具有綠色、紅色、黃色以及UV波長(zhǎng)帶中的至少一個(gè)。從第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220發(fā)射的第二光L2可以具有綠色、紅色、黃色以及UV波長(zhǎng)帶中的至少一個(gè)。第二芯片結(jié)構(gòu)130可以橫向地輻射從第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220發(fā)射的第二光L2。第二芯片結(jié)構(gòu)130的第二反射層135和第三反射層143反射從第二有源層132發(fā)射的第二光 L2以提高光提取效率。發(fā)光器件100可以發(fā)射白光。例如，通過第二芯片結(jié)構(gòu)130可以發(fā)射紅或者綠光， 并且通過第一芯片結(jié)構(gòu)110可以發(fā)射藍(lán)光。因此，通過混合多種顏色可以發(fā)射白光由于發(fā)射白光，所以熒光體可以不單獨(dú)地添加到封裝上密封發(fā)光器件芯片的成型構(gòu)件。在當(dāng)前實(shí)施例中，第一和第二有源層112和132可以發(fā)射具有彼此不同的波長(zhǎng)的光或者具有彼此相同的波長(zhǎng)的光，但是不限于此。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例，可以提供包括圖1的發(fā)光器件100的封裝。在封裝中，當(dāng)圖1的發(fā)光器件發(fā)射藍(lán)光時(shí)，可以添加至少一種熒光體。在這樣的情況下，光強(qiáng)度可以是具有相同尺寸的其它芯片的1. 5倍或更大。而且，當(dāng)圖1的發(fā)光器件發(fā)射具有多種顏色的光時(shí)，在封裝上通過多種顏色可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)光(例如，白光)。單獨(dú)的熒光體可以不添加到成型構(gòu)件， 可以減少熒光體的種類。圖4至圖23是示出根據(jù)實(shí)施例的制造發(fā)光器件的工藝的視圖。將會(huì)參考圖4至圖7描述制造第一芯片結(jié)構(gòu)的工藝。
參考圖4和圖5，第一生長(zhǎng)襯底160被加載在生長(zhǎng)設(shè)備上，并且由多個(gè)化合物半導(dǎo)體形成的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210形成在第一生長(zhǎng)襯底160上。生長(zhǎng)設(shè)備可以包括電子束蒸鍍器、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體激光沉積(PLD)、復(fù)型熱蒸鍍器、濺射以及金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)，但是不限于此。第一生 長(zhǎng)設(shè)備160 可以由從藍(lán)寶石(Al2O3)、GaN, SiC、ZnO、Si、GaP、InP, GaAs 以及Ga2O3中選擇的一個(gè)形成。粗糙(未示出)可以形成在第一生長(zhǎng)襯底160上。粗糙可以具有半球形或者條紋形狀。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210可以形成在第一生長(zhǎng)襯底160上。使用其它半導(dǎo)體，例如，II 至VI族化合物半導(dǎo)體(例如，ZnO、GaN)的用于減少晶格常數(shù)差或者提高光提取效率的層或者結(jié)構(gòu)可以被布置在第一生長(zhǎng)襯底160和第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210之間并且可以形成為不平坦圖案或者粗糙。而且，緩沖層或/和未摻雜的半導(dǎo)體層可以形成在第一生長(zhǎng)襯底160上。緩沖層可以由從由使用III-V族化合物半導(dǎo)體的GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, AlInN、 AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。未摻雜的半導(dǎo)體層可以具有小于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性的導(dǎo)電性。未摻雜的半導(dǎo)體層可以由GaN 基半導(dǎo)體形成并且具有N型半導(dǎo)體特性。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111、第一有源層112以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111可以由被摻雜有第一導(dǎo)電類型摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體形成，例如，由從由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、 AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111可以包括N型半導(dǎo)體層。N型半導(dǎo)體層可以被摻雜有諸如Si、Ge、Sn、Se或者Te 的N型摻雜物。第一有源層112可以具有使用III-V族化合物半導(dǎo)體形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111上的單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。例如，可以以InGaN阱層/GaN勢(shì)壘層的周期形成第一有源層112。阱層可以由具有小于勢(shì)壘層的帶隙的帶隙的材料形成。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113形成在第一有源層112上。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113 可以由被摻雜有第二導(dǎo)電類型摻雜物的化合物半導(dǎo)體形成，例如，由從由GaN、InN、A1N、 InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN、AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113可以是P型半導(dǎo)體層，并且P型半導(dǎo)體層可以包括諸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的P型摻雜物。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111 的被布置為更加鄰近第一生長(zhǎng)襯底160的層可以變得較厚。在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210中，第一導(dǎo)電類型可以被實(shí)現(xiàn)為N型半導(dǎo)體，并且第二導(dǎo)電類型可以被實(shí)現(xiàn)為P型半導(dǎo)體，反之亦然。具有與第二導(dǎo)電類型的極性相反的極性的半導(dǎo)體層可以形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113上。因此，第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210可以具有N-P 結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。第一導(dǎo)電層114可以被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113上。第一導(dǎo)電層114 可以由從由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ΑΤΟ)、IZO氮化物(IZON)、ZnO, IrOx、RuOx以及NiO組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。替代地，第一導(dǎo)電層114可以由從Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其組合中選擇的材料形成。使用掩模圖案可以執(zhí)行掩模工藝以在其中沒有形成掩模圖案的區(qū)域中形成第一導(dǎo)電層114。至少一個(gè)第一孔163形成在第一導(dǎo)電層114中。至少一個(gè)第二孔161形成在第一導(dǎo)電層114 中。對(duì)第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210執(zhí)行蝕刻工藝以暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的一部分。通過蝕刻工藝形成第二孔161。第二孔161可以形成在與第二芯片結(jié)構(gòu)的第二連接構(gòu)件(參見圖6的附圖標(biāo)記116)的位置相對(duì)應(yīng)的位置處。在蝕刻工藝中，使用掩模圖案可以執(zhí)行掩模工藝，并且然后，可以在想要的區(qū)域中干法蝕刻第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111直到暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111。在這里，可以交換形成第一導(dǎo)電層114的工藝和蝕刻工藝的順序，并且可以執(zhí)行濕法蝕刻工藝作為蝕刻工藝。參考圖5和圖6，第一絕緣層108形成在第一導(dǎo)電層114上。第一絕緣層108可以由諸如Si02、Si3N4^Al2O3或者TiO2的絕緣材料形成，但是不限于此。在第一絕緣層108的形成中，在使用掩模圖案(例如，光刻膠圖案)執(zhí)行掩模工藝之后可以形成第一孔163和第二孔161。第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116分別形成在第一孔163和第二孔161中。 第一連接構(gòu)件115電接觸第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113和第一導(dǎo)電層114。第二連接構(gòu)件116 電接觸第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111并且通過第一絕緣層108與其它層絕緣。可以相互交換形成第一絕緣層108和連接構(gòu)件115和116的順序，但是不限于此。在執(zhí)行沉積或者濺射工藝之后通過鍍工藝形成第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116，但是不限于此。第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116可以由從由Pt、Ni、Rh、Ti、Al、In、Ta、Pd、 Co、Ni、Si、Ge、Ag以及Au組成的組中選擇的至少一個(gè)形成，或者由其合金形成，但是不限于此。上面定義的連接構(gòu)件可以被定義為將層相互電連接的構(gòu)件。連接構(gòu)件中的每一個(gè)可以具有貫通結(jié)構(gòu)、導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)或者通孔結(jié)構(gòu)。在下文中，為了便于描述，將會(huì)描述連接構(gòu)件作為示例?？梢栽趯?shí)施例的技術(shù)范圍內(nèi)不同地改變第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116的構(gòu)造和數(shù)目，并且本公開不限于這些結(jié)構(gòu)。在這里，可以提供多個(gè)連接構(gòu)件115和116或者連接構(gòu)件115和116具有分支結(jié)構(gòu)以提高電流提供效率。另外，連接構(gòu)件115和116中的每一個(gè)可以具有考慮光提取效率的適當(dāng)?shù)某叽?。參考圖6和圖7，第一反射層117形成在第一絕緣層108上，并且第一結(jié)合層119 形成在第一反射層117上。第一反射層117可以由上述金屬材料中的一個(gè)形成。另外，第一反射層117可以包括具有至少50%或者更大含量的反射金屬。第一反射層117可以與第一連接構(gòu)件115和第二連接構(gòu)件116電分離。使用沉積、濺射或者鍍工藝可以形成第一反射層117，但是不限于此。第一中間連接構(gòu)件120和第二中間連接構(gòu)件118被布置在第一結(jié)合層119中。絕緣材料被布置在第一中間連接構(gòu)件120和第二中間連接構(gòu)件118周圍以使第一和第二中間連接構(gòu)件120和118與其它材料電分離。第一結(jié)合層119包括金屬層。使用用于共熔工藝的單層或多層金屬可以結(jié)合第一結(jié)合層119。通過共熔工藝使用諸如Au/SruSnPb或者無Pb焊料的合金可以結(jié)合共熔金屬。 第一結(jié)合層119的第一中間連接構(gòu)件120電連接到第一連接構(gòu)件115，并且第二中間連接構(gòu)件118電連接到第二連接構(gòu)件116。因此，可以形成發(fā)射第一光的第一芯片結(jié)構(gòu) IOOA0在第一芯片結(jié)構(gòu)IlOA的形成中，在使用激光或者鉆削工藝形成孔之后可以形成連接構(gòu)件和中間連接構(gòu)件以使用絕緣材料絕緣孔。然而，本公開不限于連接構(gòu)件的形成工藝。圖8至圖16是示出形成第二芯片結(jié)構(gòu)的工藝的視圖。參考圖8和圖9，第二生長(zhǎng)襯底150被加載在生長(zhǎng)設(shè)備上，并且由多個(gè)化合物半導(dǎo)體形成的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220形成在第二生長(zhǎng)襯底150上。生長(zhǎng)設(shè)備可以包括電子束蒸鍍器、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體激光沉積(PLD)、復(fù)型熱蒸鍍器、濺射以及金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)，但是不限于此。第二生長(zhǎng)襯底150 可以由從藍(lán)寶石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、GaAs 以及Ga2O3中選擇的一個(gè)形成。粗糙(未示出)可以形成在第二生長(zhǎng)襯底150上。粗糙可以形成為點(diǎn)或者透鏡形狀的圖案或者條紋狀圖案。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以形成在第二生長(zhǎng)襯底150上。使用其它的半導(dǎo)體，例如， II至VI族化合物半導(dǎo)體(例如，ZnO、GaN)的用于改進(jìn)晶體結(jié)構(gòu)和光提取效率的層或者結(jié)構(gòu)可以被布置在第二生長(zhǎng)襯底150和第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220之間并且可以形成為不平坦圖案或者粗糙。而且，緩沖層或/和未摻雜的半導(dǎo)體層可以形成在第二生長(zhǎng)襯底150上。緩沖層可以由從由使用III-V族化合物半導(dǎo)體的GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, AlInN、 AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。未摻雜的半導(dǎo)體層具有小于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性的導(dǎo)電性。未摻雜的半導(dǎo)體層可以由GaN基半導(dǎo)體形成并且具有N型半導(dǎo)體特性。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層200包括第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131、第二有源層132以及第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133。第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131可以由III-V族化合物半導(dǎo)體形成，例如，由從由 GaN, A1N、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP以及AlGaInP組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以由具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料形成。第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131可以包括N型半導(dǎo)體層。N型半導(dǎo)體層可以被摻雜有諸如Si、Ge、Sn、 Se或者Te的N型摻雜物。第二有源層132可以具有使用III-V族化合物半導(dǎo)體形成在第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131上的單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。阱層可以由具有小于勢(shì)壘層的帶隙的帶隙的材料形成。第一有源層132和第二層132可以由彼此相同的材料或者彼此不同的材料形成并且可以具有彼此相同的帶隙或者彼此不同的帶隙。第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133形成在第二有源層132上。第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133 可以由被摻雜有第二導(dǎo)電類型摻雜物的化合物半導(dǎo)體中的一個(gè)形成，例如，由從由GaN、 InN、A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 以及 AlGaInP 組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133可以是P型半導(dǎo)體層，并且P型半導(dǎo)體層可以包括諸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的P型摻雜物。
第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220的第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133和第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131 的被布置為更靠近第二生長(zhǎng)襯底150的層可以變得較厚。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220的第三導(dǎo)電類型可以被實(shí)現(xiàn)為N型半導(dǎo)體，并且第四導(dǎo)電類型可以被實(shí)現(xiàn)為P型半導(dǎo)體，反之亦然。具有與第四導(dǎo)電類型的極性相反的極性的半導(dǎo)體層，例如，N型 半導(dǎo)體層可以進(jìn)一步形成在第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113上。因此，第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220可以具有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。至少一個(gè)第五孔137B形成在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220中。第五孔137B穿過第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220。而且，第五孔137B可以具有暴露第二生長(zhǎng)襯底150或者第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133被蝕刻的深度。絕緣材料137形成在第五孔137B中。絕緣材料137可以由諸如Si02、Si3N4、Al2O3 或者TiO2的絕緣材料形成，但是不限于此。使用沉積或者濺射工藝可以形成絕緣材料137。第五孔137B形成在絕緣材料137中?？梢栽诮^緣材料137形成之后或者之前執(zhí)行掩模或者蝕刻工藝以形成第五孔137B，但是不限于此。絕緣材料137可以延伸到第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133的空穴的周緣，但是不限于此。參考圖9和圖10，第二導(dǎo)電層134可以被布置在第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133上。 第二導(dǎo)電層134可以由從由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ΑΤΟ)、IZO氮化物(IZON)、Zn0、Ir0x、RuOx以及NiO組成的組中選擇的至少一個(gè)形成。替代地，第二導(dǎo)電層134可以由從Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其組合中選擇的材料形成。第二導(dǎo)電層134可以形成為多個(gè)圖案或者層。第二導(dǎo)電層134可以歐姆接觸第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133。在這里，可以不提供第二導(dǎo)電層134。第五連接構(gòu)件138形成在第五孔137B中。第五連接構(gòu)件138可以由從由Pt、Ni、 Rh、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag以及Au組成的組中選擇的至少一個(gè)形成，或者由其合金形成，但是不限于此。在這里，可以相互交換第五連接構(gòu)件138和絕緣材料137的形成工藝，但是不限于此。參考圖10和圖11，第二反射層135形成在第一導(dǎo)電層134上，并且支撐構(gòu)件136 形成在第二反射層135上。第二反射層135 可以由從由 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 以及其
組合組成的組中選擇的至少一個(gè)形成，但是不限于此。第二反射層135可以延伸直到絕緣材料137和第五連接構(gòu)件138的頂表面。第二反射層135提供具有第二極性的電力以反射入射光。支撐構(gòu)件136可以形成在第二反射層134、絕緣材料137以及第五連接構(gòu)件138上。支撐構(gòu)件136可以形成為導(dǎo)電支撐構(gòu)件。例如，支撐構(gòu)件136可以由Cu、Au、Ni、 Mo、Cu-W或者諸如Si、Ge、GaAs、ZnO以及SiC的載具晶圓形成。使用鍍方法或者以板形狀可以粘附支撐構(gòu)件136，但是不限于此。參考圖11和圖12，消除襯底152形成在支撐構(gòu)件136上。消除襯底152可以是附著襯底。消除襯底152可以由諸如玻璃或者藍(lán)寶石的襯底材料形成，其中能夠執(zhí)行激光剝離(LLO)工藝。消除 襯底152可以粘附或者可以單獨(dú)地沉積，但是不限于此。參考圖12和圖13，翻轉(zhuǎn)第二芯片結(jié)構(gòu)，并且然后，消除襯底152被布置在底部以移除第二生長(zhǎng)襯底150。使用其中具有預(yù)定的波長(zhǎng)的激光被照射到第二生長(zhǎng)襯底150的激光剝離方法或者諸如濕法蝕刻工藝的化學(xué)方法可以移除第二生長(zhǎng)襯底150，但是不限于此。參考圖13和圖14，當(dāng)移除第二生長(zhǎng)襯底150時(shí)，第三導(dǎo)電層140形成在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131上。然后，第二絕緣層141形成在第三導(dǎo)電層140 上。在除了連接構(gòu)件的孔之外的區(qū)域中使用掩模層可以將第三導(dǎo)電層140形成為層或者多個(gè)圖案，但是不限于此。第二絕緣層141可以使用諸如Si02、Si3N4、Al203或者TiO2的絕緣材料形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)層和第三導(dǎo)電層140上。然而，本公開不限于材料。第三反射層143形成在第二絕緣層141上。第三反射層143可以反射透射第二絕緣層141的光。粗糙(未示出)可以形成在第二絕緣層141的頂表面上。因?yàn)榈谌瓷鋵?143具有粗糙表面，所以可以提高光提取效率。第二絕緣層141可以提供其中在橫向方向上有效地發(fā)射從第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220發(fā)射的光的空間。使用彼此相鄰的介質(zhì)的折射率的差，第二絕緣層141可以橫向地發(fā)射可能丟失到芯片中的光。第三和第四孔153和154形成在第二絕緣層141中。與第五連接構(gòu)件138的位置對(duì)應(yīng)地形成第三孔153。第四孔154可以形成以暴露第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131。第四孔 154可以形成以進(jìn)一步暴露第三導(dǎo)電層140的頂表面，但是不限于此。至少一個(gè)第三孔153可以被定義在器件周圍。至少一個(gè)第四孔154可以被定義在器件的中心處?？梢越粨Q兩個(gè)連接構(gòu)件的孔的位置或者其可以具有不同的布置結(jié)構(gòu)，但是不限于此。而且，可以在第二絕緣層141形成之后或者之前使用蝕刻工藝形成第三和第四孔 153 和 154。可以在第三和第四孔153和154形成之前或者之后形成第三反射層143，但是不限于此。圖15是圖14中形成第三反射層之前的平面圖。參考圖15，形成在第二絕緣層141中的第三和第四孔153和154可以具有彼此相同的尺寸(例如，直徑)或數(shù)目或者具有彼此不同的尺寸或者數(shù)目，但是不限于此。第三孔153可以具有環(huán)形，例如，封閉回路或者開口回路形狀。而且，第三孔153 可以形成為變化的臂形式和多個(gè)臂結(jié)構(gòu)，但是不限于此。參考圖14和圖16，第三連接構(gòu)件139形成在第三孔153中，并且第四連接構(gòu)件142 形成在第四孔154中。通過使用掩模圖案執(zhí)行掩模工藝并且使用電極材料執(zhí)行同一工藝或者單獨(dú)的工藝可以形成第三和第四連接構(gòu)件139和142。第三連接構(gòu)件139和第四連接構(gòu)件142中的每一個(gè)可以具有與第二絕緣層141類似的厚度或者具有大于第二絕緣層141的厚度，但是不限于此。第四連接構(gòu)件142可以具有小于其上直徑的下直徑，但是不限于此。第四連接構(gòu)件142可以接觸第三導(dǎo)電層140。因此，通過第三導(dǎo)電層140可以擴(kuò)散電流。
第二結(jié)合層145形成在第二絕緣層141上。第二結(jié)合層145可以由用于共熔工藝的金屬，例如，諸如Au/Sn、SnPb或者無Pb焊料的合金形成。因此，可以完成第二芯片結(jié)構(gòu) 130A。在第二芯片結(jié)構(gòu)130A的形成中，使用激光或者鉆削工藝形成孔之后可以形成連接構(gòu)件和中間連接構(gòu)件以使用絕緣材料絕緣孔。然而，本公開不限于連接構(gòu)件的形成工藝。 在第二結(jié)合層145的形成中，第三中間連接構(gòu)件146和第四中間連接構(gòu)件144可以使用掩模圖案形成在第二結(jié)合層145上。替代地，先前形成的第三和第四中間連接構(gòu)件 146和144可以被設(shè)置在第二結(jié)合層145上。第三連接構(gòu)件139電接觸第三中間連接構(gòu)件146的下部，并且第四連接構(gòu)件142 電接觸第四中間連接構(gòu)件144的下部。第二結(jié)合層145可以具有其中第三和第四連接構(gòu)件146和144相互電分離的結(jié)構(gòu)?？梢愿鶕?jù)第三和第四連接構(gòu)件139和142的位置改變電分離結(jié)構(gòu)。通過絕緣材料151 和149可以使第三和第四中間連接構(gòu)件146和144與第二結(jié)合層145絕緣以防止第三和第四中間連接構(gòu)件146和144被不必要地短路?？梢栽诘诙Y(jié)合層145形成之后使用鉆孔或者激光形成第三和第四中間連接構(gòu)件 146 和 144。圖17至圖23是示出通過多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)的層壓制造發(fā)光器件的工藝的視圖。參考圖17，第一芯片結(jié)構(gòu)IlOA被布置在第二芯片結(jié)構(gòu)130A上，并且然后，第二結(jié)合層145和第一結(jié)合層119被相互接合。在第二結(jié)合層145和第一結(jié)合層119的接合中， 兩個(gè)層被對(duì)準(zhǔn)。其后，第一中間連接構(gòu)件120對(duì)應(yīng)于第三中間連接構(gòu)件146，并且第二中間連接構(gòu)件118對(duì)應(yīng)于第四中間連接構(gòu)件144?？梢匀缟纤龅貙?duì)準(zhǔn)第二結(jié)合層145和第一結(jié)合層119，并且可以執(zhí)行共熔工藝以將第二結(jié)合層145接合到第一結(jié)合層119，但是不限于此。當(dāng)?shù)诙Y(jié)合層145和第一結(jié)合層119相互接合時(shí)，第二結(jié)合層145的第三中間連接構(gòu)件146接觸第一結(jié)合層119的第一中間連接構(gòu)件120。另外，第二結(jié)合層145的第四中間連接構(gòu)件144接觸第一結(jié)合層119的第二中間連接構(gòu)件118。參考圖17至圖19，移除第一芯片結(jié)構(gòu)IlOA上的第一生長(zhǎng)襯底160。使用物理或 /和化學(xué)方法可以移除第一生長(zhǎng)襯底160。在物理方法中，可以執(zhí)行LLO工藝以移除第一生長(zhǎng)襯底160。在化學(xué)方法中，濕蝕刻劑可以被注入到第一發(fā)光結(jié)構(gòu)210的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111和第一生長(zhǎng)襯底160之間的層。參考圖19和圖20，當(dāng)移除第一芯片結(jié)構(gòu)IlOA的第一生長(zhǎng)襯底160時(shí)，粗糙IllA 可以形成在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)210的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的頂表面上以形成能夠提高外量子效率的結(jié)構(gòu)。第三絕緣層109可以形成在第一芯片結(jié)構(gòu)IlOA的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的頂表面上。第三絕緣層109可以形成在除了第一電極107的區(qū)域之外的頂表面上，但是不限于此。在這里，第三絕緣層109可以形成在發(fā)光器件的頂表面上和發(fā)光器件的外圍上。在這樣的情況下，可以使第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層210與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220絕緣。另外，第三絕緣層 109可以防止?jié)駳鉂B入。第一電極107形成在第一芯片結(jié)構(gòu)110的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111上?？梢孕纬蓡蝹€(gè)或者多個(gè)第一電極107，或者以具有臂形狀的預(yù)定的圖案形成第一電極107。粗糙可以形成在第一電極107的頂表面處。在這里，導(dǎo)電層(未示出)可以形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111的表面上。此電極層可以將電流均勻地?cái)U(kuò)散到整個(gè)表面上。參考圖21至圖23，通過去結(jié)合工藝可以移除被布置在第二芯片結(jié)構(gòu)130的底側(cè)的消除襯底152。當(dāng)移除消除襯底152時(shí)，支撐構(gòu)件136被布置在第二芯片結(jié)構(gòu)130的底側(cè)。因?yàn)榈谝恍酒Y(jié)構(gòu)110被一體地結(jié)合在第二芯片結(jié)構(gòu)130上，所以可以提供具有多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)110和130的發(fā)光器件100。具有第一極性的電力被提供到第一芯片結(jié)構(gòu)110的第一電極107。具有第二極性的電力被提供到第二芯片結(jié)構(gòu)130的支撐構(gòu)件136。通過第二連接構(gòu)件116、第二中間連接構(gòu)件118、第四中間連接構(gòu)件144以及第四連接構(gòu)件142可以將具有第一極性的電力提供到第二芯片結(jié)構(gòu)130的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層131和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層111。通過支撐構(gòu)件136將具有第二極性的電力提供到第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層133。另夕卜，通過第五連接構(gòu)件138、第三連接構(gòu)件139、第二結(jié)合層145的第三中間連接構(gòu)件146以及第一結(jié)合層119的第一中間連接構(gòu)件120經(jīng)由第一連接構(gòu)件115將具有第二極性的電力提供到第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層113。因此，結(jié)構(gòu)110和130中的每一個(gè)的有源層112和132 可以發(fā)射光。因?yàn)榈谝话l(fā)光結(jié)構(gòu)層210和第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層220相互并行地連接，所以可以并行地操作第一芯片結(jié)構(gòu)Iio和第二芯片結(jié)構(gòu)130以提高光提取效率。而且，由于并行結(jié)構(gòu)，使得即使在驅(qū)動(dòng)中發(fā)光結(jié)構(gòu)層中的任何一個(gè)是有缺陷的，也可以正常地操作其它發(fā)光結(jié)構(gòu)。 在另一實(shí)施例中，第一芯片結(jié)構(gòu)110可以被串聯(lián)地連接到第二芯片結(jié)構(gòu)130。在這樣的情況下，第一芯片結(jié)構(gòu)110和第二芯片結(jié)構(gòu)130可以以N-P-N-P或者P-N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)相互連接。發(fā)光器件100可以通過第二芯片結(jié)構(gòu)130橫向地發(fā)射光并且通過第一芯片結(jié)構(gòu) 110橫向地和向上地發(fā)射光。而且，第二芯片結(jié)構(gòu)130可以發(fā)射諸如紅、綠以及藍(lán)光或者UV光的彩色光。第一芯片結(jié)構(gòu)110可以發(fā)射諸如紅、綠以及藍(lán)光或者UV光的彩色光。因此，第二芯片結(jié)構(gòu)130 和第一芯片結(jié)構(gòu)110可以發(fā)射具有彼此相同的顏色或者彼此不同的顏色的光。例如，通過一個(gè)發(fā)光器件100可以發(fā)射具有多種顏色的光，并且通過混合具有多種顏色的光可以實(shí)現(xiàn)白光。因?yàn)榘l(fā)射白光，所以熒光體沒有單獨(dú)地添加到封裝上密封發(fā)光器件芯片的成型構(gòu)件。根據(jù)實(shí)施例，可以制造包括圖1的發(fā)光器件100的封裝，并且封裝可以包括空腔或 /和透鏡。在封裝中，當(dāng)圖1的發(fā)光器件的所有芯片結(jié)構(gòu)發(fā)射藍(lán)光時(shí)，可以添加至少一種熒光體。在這樣的情況下，光強(qiáng)度可以是具有相同尺寸的其它芯片的1.5倍或者更大。而且， 當(dāng)圖1的發(fā)光器件發(fā)射具有多種顏色的光時(shí)，在封裝上通過多種顏色可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)光(例如，白光)?？梢圆粚为?dú)的熒光體添加到成型構(gòu)件，可以減少熒光體的種類。根據(jù)實(shí)施例，相互隔開的多個(gè)第一芯片結(jié)構(gòu)110可以被布置在第二芯片結(jié)構(gòu)130 上。多個(gè)第一芯 片結(jié)構(gòu)110可以通過上述連接構(gòu)件電連接(例如，并行地和/或串行地連接)到第二芯片結(jié)構(gòu)130并且發(fā)射具有彼此相同的顏色或者彼此不同的顏色的光。圖24是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的視圖。參考圖24，發(fā)光器件封裝30包括主體20 ；第一和第二引線電極32和33，該第一和第二引線電極32和33被布置在主體20上；根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100，其被布置在主體20上并且電連接到第一和第二引線電極32和33 ；以及成型構(gòu)件40，該成型構(gòu)件40包圍發(fā)光器件100。主體20可以包括由硅形成的導(dǎo)電基板、諸如PPA的合成樹脂材料、陶瓷基板、絕緣基板、或者金屬基板(例如，MCPCB)。傾斜表面可以被布置在發(fā)光器件100的周圍。主體20 可以具有貫通孔結(jié)構(gòu) ，但是實(shí)施例不限于此。具有預(yù)定深度的空腔22可以被定義在主體20的上部中。引線電極32和33和發(fā)光器件100被布置在空腔22中。根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件可以用作發(fā)光器件100，但是不限于此。主體20可以具有平坦頂表面。在這樣的情況下，可以不提供空腔22。第一和第二引線電極32和33相互電分離，以將電力提供給發(fā)光器件100。而且， 第一和第二引線電極32和33可以反射從發(fā)光器件100發(fā)射的光以提高光效率。另外，第一和第二引線電極32和33可以將在發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱發(fā)散到外部。發(fā)光器件100能夠被布置在主體20上，或者第一和第二引線電極32和33上。引線電極32和33中的每一個(gè)可以包括引線框架結(jié)構(gòu)、貫通孔結(jié)構(gòu)以及鍍層中的至少一個(gè)。發(fā)光器件100包括根據(jù)前述實(shí)施例的器件。發(fā)光器件100可以貼片結(jié)合在第一引線電極32上并且使用布線25結(jié)合到第二引線電極33。成型構(gòu)件40可以由諸如硅或者環(huán)氧樹脂的樹脂基材料形成。成型構(gòu)件40可以圍繞發(fā)光器件100以保護(hù)發(fā)光器件100。而且，成型構(gòu)件40可以包含熒光體，以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長(zhǎng)。透鏡可以被布置在成型構(gòu)件40上。透鏡能夠接觸成型構(gòu)件或者可以不接觸成型構(gòu)件。發(fā)光器件100可以發(fā)射藍(lán)光，并且至少一種熒光體可以被包含在成型構(gòu)件40中。 在這樣的情況下，光強(qiáng)度可以是具有相同尺寸的其它芯片的1.5倍或者更多。而且，當(dāng)發(fā)光器件100發(fā)射具有多種顏色的光時(shí)，在封裝上通過多種顏色可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)光(例如，白光)。 可以不將單獨(dú)的熒光體添加到成型構(gòu)件，可以減少熒光體的種類。根據(jù)前述實(shí)施例的至少一個(gè)發(fā)光器件可以被安裝在發(fā)光器件封裝30中，但是不限于此。發(fā)光器件100可以包括如圖1中所示的多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)。而且，發(fā)光器件100可以被布置在主體上或者第一或者第二引線電極32或者33上。〈照明系統(tǒng)〉可以提供多個(gè)根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝。多個(gè)發(fā)光器件或者多個(gè)發(fā)光器件封裝可以被排列在基板上。諸如導(dǎo)光板、棱鏡片和擴(kuò)散片的光學(xué)構(gòu)件可以被布置在從發(fā)光器件發(fā)射的光的路徑上。發(fā)光器件封裝、基板以及光學(xué)構(gòu)件可以用作照明單元。可以制造頂視圖型或者側(cè)視圖型的照明單元。因此，可以提供照明單元作為用于便攜式終端、 筆記本計(jì)算機(jī)等等的顯示裝置，或者被不同地應(yīng)用于照明裝置、指示裝置等等。而且，在另一實(shí)施例中，照明單元可以被實(shí)現(xiàn)為包括根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件封裝或者發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。例如，照明系統(tǒng)可以包括照明燈、交通燈、車輛頭燈以及標(biāo)識(shí)牌。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以被封裝在由樹脂材料或者硅形成的半導(dǎo)體基板、絕緣基板、或者陶瓷基板上并且用作用于指示裝置、照明裝置以及顯示裝置的光源。而且，前述實(shí)施例中的每一個(gè)可以不限于實(shí)施例中的每一個(gè)并且被應(yīng)用于前述其它的實(shí)施例，但是不限于此。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以被應(yīng)用于照明單元。照明單元包括其中排列多個(gè)發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的結(jié)構(gòu)。例如，照明單元可以包括照明燈、交通燈、車輛頭燈以及標(biāo)識(shí)牌。 明系統(tǒng)可以包括圖25和圖26中所示的顯示裝置、圖27中所示的照明裝置、照明燈、信號(hào)燈、車輛的頭燈、電子顯示器等等。圖25是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖。參考圖25，根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置1000可以包括導(dǎo)光板1041 ；發(fā)光模塊1031， 發(fā)光模塊1031將光提供給導(dǎo)光板1041 ；反射構(gòu)件1022，該反射構(gòu)件1022在導(dǎo)光板1041的下面；光學(xué)片1051，該光學(xué)片1051在導(dǎo)光板1041上；顯示面板1061，該顯示面板1061在光學(xué)片1051上；以及底蓋1011，該底蓋1011存儲(chǔ)導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構(gòu)件 1022 ；然而，不限于此。底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041以及光學(xué)片1051可以被定義為燈單元1050。導(dǎo)光板1041用于擴(kuò)散光，以使其聚集為表面光源。利用透明材料形成導(dǎo)光板 1041，并且導(dǎo)光板1041例如可以包括從由諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯烴共聚合物(COC)以及聚萘二甲酸乙二酯 (PEN)樹脂組成的組中選擇的至少一個(gè)。發(fā)光模塊1031將光提供給導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)，并且最終用作顯示裝置的光源。包括至少一個(gè)發(fā)光模塊1031，并且發(fā)光模塊1031可以直接或者間接地在導(dǎo)光板1041的一側(cè)處提供光。發(fā)光模塊1031包括根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30和基板 1033。發(fā)光器件封裝30可以以預(yù)定的間隔布置在基板1033上?；?033可以是包括電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。然而，基板1033 不僅可以包括典型的PCB，而且可以包括金屬核PCB (MCPCB)以及柔性PCB (FPCB)，并且它不限于此。在發(fā)光器件封裝30被安裝在底蓋1011的側(cè)面上或者散熱板上的情況下，可以消除基板1033。在此，散熱板的一部分可以接觸到底蓋1011的上表面。多個(gè)發(fā)光器件封裝30可以安裝在基板1033上，使得發(fā)光表面與導(dǎo)光板1041分離預(yù)定的距離，并且對(duì)此不存在限制。發(fā)光器件封裝30可以直接地或者間接地將光提供給導(dǎo)光板1041的光進(jìn)入部分，即，導(dǎo)光板1041的一側(cè)，并且對(duì)此不存在限制。反射構(gòu)件1022可以被布置在導(dǎo)光板1041的下方。反射構(gòu)件1022在向上方向上反射入射到導(dǎo)光板1041的下表面的光，從而可以提高燈單元1050的亮度。例如，可以利用例如PET、PC或者PVC (聚氯乙烯)樹脂來形成反射構(gòu)件1022;然而，它不限于此。反射構(gòu)件1022可以是底蓋1011的上表面；然而，對(duì)此不存在限制。底蓋1011可以存儲(chǔ)導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構(gòu)件1022。為此，底蓋 1011可以具有存儲(chǔ)單元1012，其具有其上表面開口的盒狀形狀，并且對(duì)此不存在限制。底蓋1011可以與頂蓋組合，并且對(duì)此不存在限制?？梢岳媒饘俨牧匣蛘邩渲牧蟻硇纬傻咨w1011，并且可以使用壓制或者擠壓成型工藝來制造底蓋1011。底蓋1011還可以包括具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性的金屬或者非金屬材料， 并且對(duì)此不存在限制。
顯示面板1061是例如，IXD面板，并且包括透明的第一和第二基板，以及在第一和第二基板之間的液晶層。在顯示面板1061的至少一側(cè)上，可以附著偏振板；然而，附著結(jié)構(gòu)不限于此。顯示面板1061通過穿過光學(xué)片1051的光來顯示信息。顯示裝置1000可以被應(yīng)用于各種蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、膝上計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器以及電視。光學(xué)片 1051被布置在顯示面板1061和導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)半透明片。光學(xué)片1051可以包括例如擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光。水平或/和垂直棱鏡片將入射光集中在顯示區(qū)域上。亮度增強(qiáng)片重新使用丟失的光以增強(qiáng)亮度。保護(hù)片可以被布置在顯示面板1061上，并且對(duì)此不存在限制。在此，在發(fā)光模塊1031的光路徑上，導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以被包括作為光學(xué)構(gòu)件；然而，對(duì)此不存在限制。圖26是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的圖。參考圖26，顯示裝置1100包括底蓋1152、基板1120、光學(xué)構(gòu)件1154、以及顯示面板1155。在此，上述發(fā)光器件封裝30被排列在基板1120上。基板1120和發(fā)光器件封裝30可以被定義為發(fā)光模塊1060。底蓋1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1060以及光學(xué)構(gòu)件1154可以被定義為燈單元。底蓋1152可以具有存儲(chǔ)單元1153，并且對(duì)此不存在限制。在此，光學(xué)構(gòu)件1154可以包括透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)?？梢岳肞C材料或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料來形成導(dǎo)光板， 并且可以消除該導(dǎo)光板。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光。水平或/和垂直棱鏡片將入射光集中到顯示區(qū)域。亮度增強(qiáng)片重新使用丟失的光以增強(qiáng)亮度。光學(xué)構(gòu)件1154被布置在發(fā)光模塊1060上。光學(xué)構(gòu)件1154將從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為表面光源，或者擴(kuò)散光或者集中光。圖27是示出根據(jù)實(shí)施例的照明裝置的透視圖。參考圖27，照明裝置1500包括殼體1510 ；發(fā)光模塊1530，該發(fā)光模塊1530被安裝到殼體1510 ；以及連接端子1520，該連接端子1520被安裝到殼體1510，并且被提供有來自于外部電源的電力。優(yōu)選地，利用具有優(yōu)異的散熱特性的材料來形成殼體1510。例如，可以利用金屬材料或者樹脂材料來形成殼體1510。發(fā)光模塊1530可以包括基板1532，和被安裝在基板1532上的根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30。多個(gè)發(fā)光器件封裝30可以以矩陣的形式排列，或者以預(yù)定的間隔相互分離地排列?；?532可以是其中印有電路圖案的絕緣體。例如，基板1532可以包括PCB、金屬核PCB、柔性PCB、陶瓷PCB以及FR-4基板。基板1532還可以利用有效地反射光的材料形成，或者它的表面可以被涂覆有有效地反射光的顏色，例如，白色或者銀色。至少一個(gè)發(fā)光器件封裝30可以被安裝在基板1532上。每個(gè)發(fā)光器件封裝30可以包括至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片。LED芯片可以包括諸如紅、綠、藍(lán)或者白色的可見光的發(fā)光二極管，或者發(fā)射紫外線(UV)的UV發(fā)光二極管。
各種發(fā)光器件 封裝30的組合可以被布置在發(fā)光模塊1530中，以獲得顏色色調(diào)和亮度。例如，為了確保高顯色指數(shù)(CRI)，可以組合并且布置白光發(fā)光二極管、紅光發(fā)光二極管以及綠光發(fā)光二極管。連接端子1520可以電連接到發(fā)光模塊1530以提供電力。連接端子1520以插座的方法螺紋連接到外部電源；然而，對(duì)此不存在限制。例如，可以將連接端子1520形成為插頭的形狀以將其插入到外部電源，或者可以通過布線將其連接到外部電源。一種制造根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的方法包括形成包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、 第一有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層；形成第一芯片結(jié)構(gòu)，包括在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層上形成第一結(jié)合層；形成第二芯片結(jié)構(gòu)，包括形成包括第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二有源層以及第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層，在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層上形成支撐構(gòu)件，以及在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面形成第二結(jié)合層；將第一芯片結(jié)構(gòu)的第一結(jié)合層結(jié)合在第二芯片結(jié)構(gòu)的第二結(jié)合層上；以及在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成第一電極。實(shí)施例可以提高光提取效率。而且，通過垂直地接合多個(gè)LED芯片，實(shí)施例可以提高芯片產(chǎn)率。而且，通過將電極層布置在芯片結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的至少側(cè)面上，實(shí)施例可以提高光提取效率。而且，通過并行地相互連接多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)，實(shí)施例還提高光提取效率。而且，根據(jù)實(shí)施例，因?yàn)槎鄠€(gè)芯片結(jié)構(gòu)相互并行地連接，因此即使一個(gè)芯片結(jié)構(gòu)是有缺陷的也可以正常地操作其它芯片結(jié)構(gòu)。而且，多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)可以相互連接以有效地操作芯片結(jié)構(gòu)。在本說明書中，任何對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引用意味著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中，在各處出現(xiàn)的這類短語不必都表示相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出許多將落入本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍內(nèi)的其它修改和實(shí)施例。更加具體地，在本公開內(nèi)容、附圖、和所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，主題的組合布置的組成部件和/或布置方面的各種變化和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置方面的變化和修改之外，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，替代使用也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層，所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第一有源層；第一電極，所述第一電極連接到所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；在所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第一反射層；第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層，所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在所述第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第二有源層；在所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第二反射層；在所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層和所述第一反射層之間的結(jié)合層；第一連接構(gòu)件，所述第一連接構(gòu)件將所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接到所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及第二連接構(gòu)件，所述第二連接構(gòu)件將所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接到所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的每一個(gè)包括N型半導(dǎo)體層，并且所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括P型半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述結(jié)合層之間的第一絕緣層；和在所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層和所述結(jié)合層之間的第二絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第二連接構(gòu)件經(jīng)過所述第一絕緣層、所述結(jié)合層、所述第二絕緣層以及所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層以將所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層電連接到所述第二反射層，并且所述第一連接構(gòu)件經(jīng)過所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的一部分、所述第一絕緣層、所述結(jié)合層以及所述第二絕緣層，以將所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層電連接到所述第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括絕緣材料，用于防止所述第一和第二連接構(gòu)件接觸被布置在所述第一和第二連接構(gòu)件的周圍的其它層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及第三導(dǎo)電層中的至少一個(gè)，其中所述第一導(dǎo)電層被布置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第一絕緣層之間以被連接到所述第二連接構(gòu)件；所述第二導(dǎo)電層被布置在所述第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二絕緣層之間并且被連接到所述第一連接構(gòu)件；所述第三導(dǎo)電層位于所述第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二反射層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第一至第三導(dǎo)電層包括透射材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述結(jié)合層包括在所述第一絕緣層下面的第一結(jié)合層；和第二結(jié)合層，所述第二結(jié)合層被布置在所述第二絕緣層和所述第一結(jié)合層之間并且被接合到所述第一結(jié)合層。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接構(gòu)件和所述第二連接構(gòu)件中的至少一個(gè)被設(shè)置為多個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第二反射層下面的導(dǎo)電支撐構(gòu)件，其中所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件電連接到所述第二連接構(gòu)件和所述第二反射層。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述結(jié)合層和所述第二絕緣層之間的第三反射層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層和所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的至少一個(gè)表面上的光提取結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一反射層和所述第二反射層的至少一部分被嵌入在所述結(jié)合層中。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層發(fā)射具有從由綠、藍(lán)、 紅、黃以及紫外波長(zhǎng)帶組成的組中選擇的至少一種顏色的光，并且所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層發(fā)射具有從由綠、藍(lán)、紅、黃以及紫外波長(zhǎng)帶組成的組中選擇的至少一種顏色的光。
15.一種發(fā)光器件封裝，包括主體；在所述主體上的多個(gè)引線電極；發(fā)光器件，所述發(fā)光器件結(jié)合在所述多個(gè)引線電極中的至少一個(gè)引線電極上，所述發(fā)光器件電連接到所述多個(gè)引線電極；以及成型構(gòu)件，所述成型構(gòu)件成型所述發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層，所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第一有源層；第一電極，所述第一電極連接到所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；在所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第一反射層；第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層，所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在所述第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第二有源層；在所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第二反射層；在所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層和所述第一反射層之間的結(jié)合層；第一連接構(gòu)件，所述第一連接構(gòu)件將所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接到所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及第二連接構(gòu)件，所述第二連接構(gòu)件將所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接到所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第四導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。
全文摘要
本發(fā)明提供發(fā)光器件及其制造方法、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。該發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括包括多個(gè)半導(dǎo)體層的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層、在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的第一電極、在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第一絕緣層、在第一反射層下面的包括多個(gè)半導(dǎo)體層的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層、在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層下面的第二反射層、在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層和第一反射層之間的結(jié)合層、以及將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)層并行地連接到第二發(fā)光結(jié)構(gòu)層的多個(gè)連接構(gòu)件。
文檔編號(hào)H01L33/36GK102214756SQ201110051540
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月1日
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