專利名稱：基板處理裝置、基板處理方法和存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有載置各個基板并且搬送編號順序已被確定的模塊組，基板依次從模塊組中編號順序較小的模塊被搬送至編號順序較大的模塊而進行規(guī)定的處理的基板處理裝置、基板處理方法和存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
用于在基板上形成抗蝕劑圖案的涂敷、顯影裝置包括作為搬送基板的搬送容器的基板載體被搬入的載體塊；包括在基板上形成抗蝕劑膜的塊和對曝光后的基板進行顯影的塊的處理塊；和與曝光裝置連接的接口塊。例如，在專利文獻1記載有下述結(jié)構(gòu)作為將涂敷膜形成于基板的塊，用于將反射防止膜形成于基板的涂敷塊和用于將抗蝕劑膜形成于基板的涂敷塊上下疊層，進而用于對基板進行顯影的顯影塊對涂敷塊疊層。在這樣的涂敷、顯影裝置中，對各段的塊的每一個形成有水平的直線搬送通路，在該搬送通路的兩側(cè)排列有處理模塊。而且，對各段的塊的每一個，設(shè)置有用于搬入基板的交接模塊和用于搬出由該塊進行的一系列的處理結(jié)束后的基板的交接模塊。這些模塊組利用搬送基板的編號順序已被確定且具有兩個以上的臂的搬送部件，從一個模塊取出基板，在接受下一個模塊的基板之后，將先前的基板交至該下一個基板，這樣通過將置于各模塊的基板移至一個編號順序為后的模塊，實施一個搬送循環(huán)，該搬送循環(huán)重復(fù)進行。為了提高生產(chǎn)率，在模塊組中包括由搬送的編號順序相同且對基板進行相同處理的三個以上的模塊構(gòu)成的多模塊。在多模塊中，由于裝置的問題、維修等，存在模塊不能夠使用的狀態(tài)。如果在涂敷、 顯影裝置運轉(zhuǎn)時出現(xiàn)這樣的不能夠使用的模塊，則該模塊需要排除在搬送行程表之外。此時，在除外對象的模塊內(nèi)存在基板時，在搬送循環(huán)中如何將該基板取出至裝置之外，或者在除外對象的模塊即不能夠使用的模塊變得能夠使用時，如何高效地將該模塊編入搬送行程表中均是需要解決的問題。在專利文獻2中，記載有在出現(xiàn)不能夠使用的模塊時使前一模塊的基板退避至退避模塊的方案，但是，在此情況下，必須準備預(yù)見到可能會出現(xiàn)多個不能夠使用的模塊的情況下的多數(shù)的退避模塊。另外，該專利文獻2中并沒有記載在除外對象的模塊內(nèi)留棄的基板的處理。專利文獻1 日本特開2009-099577專利文獻2 日本特開2006-20300
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的在于提供下述技術(shù)在基板依次從模塊組中編號順序較小的模塊被搬送至編號順序較大的模塊的搬送循環(huán)反復(fù)進行的基板處理裝置中，在出現(xiàn)不能夠使用的模塊而此后該模塊變得能夠使用時，能夠以高生產(chǎn)率處理基板。本發(fā)明的基板處理裝置包括載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組，在模塊組中，包括搬送的編號順序相同且對基板進行相同處理的三個以上的模塊所構(gòu)成的多模塊，利用搬送部件從一個模塊取出基板，在接受下一模塊的基板之后將先前的基板交于該下一模塊，這樣通過將置于各模塊中的基板向一個編號順序為后的模塊移動而進行一個搬送循環(huán)，在進行該一個搬送循環(huán)之后，進入下一搬送循環(huán)，通過依次進行各搬送循環(huán)， 基板依次從上述模塊組中的編號順序小的模塊被搬送至編號順序大的模塊，并被實施規(guī)定的處理，在通常時，從之前的模塊對上述多模塊的各模塊以規(guī)定的順序分配基板，對于構(gòu)成上述多模塊的多個模塊，搬入基板的編號順序已被確定，在向編號順序為最后的模塊搬入基板之后，向編號順序為最前的模塊搬入基板，該基板處理裝置的特征在于，包括存儲部，其存儲對基板分配編號順序，將使基板的編號順序與各模塊相關(guān)聯(lián)并指定搬送循環(huán)的搬送循環(huán)數(shù)據(jù)依時間順序排列而制成的搬送行程表；和控制部，其以參照上述搬送行程表，將寫入搬送循環(huán)數(shù)據(jù)的基板搬送至與該基板對應(yīng)的模塊的方式控制上述搬送部件，由此實施搬送循環(huán)，上述控制部控制上述搬送部件，使得，在從構(gòu)成上述多模塊的模塊中的至少一個模塊不能夠使用且其它的模塊能夠使用的狀態(tài)，不能夠使用的模塊恢復(fù)能夠使用的狀態(tài)時，將從上述多模塊的前一個模塊搬出的基板，對于構(gòu)成多模塊的模塊組中以與該基板搬出時最接近的時刻搬出基板的模塊，在上述基板的搬入順序中搬入下一模塊。例如，構(gòu)成為對上述模塊組中的下游端的模塊，與上述搬送部件不同的其它搬送部件進行基板的接收，上述控制部控制搬送部件，使得在將從上述多模塊的前一個模塊搬出的基板搬入上述不能夠使用的模塊時，在該不能夠使用的模塊內(nèi)存在基板的情況下，取出該基板，由上述其它搬送部件搬送至能夠交接的模塊。此時的特征是，例如在上述不能夠使用的模塊內(nèi)存在的基板的搬送目的地為上述下游端的模塊。例如，分別載置基板并且搬送的編號順序已被確定的模塊組是，在對基板涂敷抗蝕劑并且使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置中使用，用于在曝光前對基板形成涂敷膜的模塊組。載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組是，使用于對基板涂敷抗蝕劑并且使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置中，用于進行在曝光后對基板進行的、包括顯影的處理的模塊組。此外，對用于在曝光前對基板形成涂敷膜的模塊組進行基板的搬送的搬送機構(gòu)，構(gòu)成為能夠沿著水平的直線搬送通路移動，對用于進行作為在曝光后對基板進行的處理的包括顯影的處理的模塊組進行基板的搬送的搬送機構(gòu)，構(gòu)成為能夠沿著與上述直線搬送通路不同的另外設(shè)置的水平的直線搬送通路移動。本發(fā)明的基板處理方法用于基板處理裝置，該基板處理裝置具有載置各基板并且搬送的編號順序已被確定的模塊組，在模塊組中，包括搬送的編號順序相同且對基板進行
6相同處理的三個以上的模塊構(gòu)成的多模塊，利用搬送部件從一個模塊取出基板，在接受下一模塊的基板之后將先前的基板交于該下一模塊，這樣通過將置于各模塊的基板向一個編號順序為后的模塊移動而進行一個搬送循環(huán)，在進行該一個搬送循環(huán)之后，進入下一搬送循環(huán)，通過依次進行各搬送循環(huán)，基板依次從上述模塊組中的編號順序小的模塊搬送至編號順序大的模塊，并被實施規(guī)定的處理，在通常時，從之前的模塊對上述多模塊的各模塊以規(guī)定的順序分配基板，對于構(gòu)成上述多模塊的多個模塊，搬入基板的編號順序已被確定，在向編號順序為最后的模塊搬入基板之后，向編號順序為最前的模塊搬入基板，該基板處理方法的特征在于，包括對基板分配編號順序，參照將使基板的編號順序與各模塊相關(guān)聯(lián)并指定搬送循環(huán)的搬送循環(huán)數(shù)據(jù)依時間順序排列而制成的搬送行程表，以將寫入搬送循環(huán)數(shù)據(jù)的基板搬送至與該基板對應(yīng)的模塊的方式控制上述搬送部件，由此實施搬送循環(huán)的工序；和以下述方式控制上述搬送部件的工序在從構(gòu)成上述多模塊的模塊中的至少一個模塊不能夠使用且其它的模塊能夠使用的狀態(tài)，不能夠使用的模塊恢復(fù)能夠使用的狀態(tài)時，將從上述多模塊的前一個模塊搬出的基板，對于構(gòu)成多模塊的模塊組中以與該基板搬出時最接近的時刻搬出基板的模塊，在上述基板的搬入順序中搬入下一模塊。例如特征在于，包括下述工序使用對上述模塊組中的下游端的模塊進行基板的接收的、與上述搬送部件不同的其它搬送部件，在將從上述多模塊的前一個模塊搬出的基板搬入上述不能夠使用的模塊時，在該不能夠使用的模塊內(nèi)存在基板的情況下，取出該基板，由上述其它搬送部件搬送至能夠交接的模塊。例如，在上述不能夠使用的模塊內(nèi)存在的基板的搬送目的地是上述下游端的模塊。此外，分別載置基板并且搬送的編號順序已被確定的模塊組是，在對基板涂敷抗蝕劑并且使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置中使用，用于在曝光前對基板形成涂敷膜的模塊組。例如，分別載置基板并且搬送的編號順序已被確定的模塊組是，在對基板涂敷抗蝕劑并且使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置中使用，用于進行作為在曝光后對基板進行的處理的包括顯影的處理的模塊組。本發(fā)明的存儲介質(zhì)是存儲在基板處理裝置中使用的電腦程序的存儲介質(zhì)，該基板處理裝置包括分別載置基板并且搬送的順序已被確定的模塊組，從模塊組中編號順序較小的模塊向編號順序較大的模塊依次搬送基板并被實施規(guī)定的處理，該存儲介質(zhì)的特征在于上述電腦程序以實施上述基板處理方法的方式編寫步驟組。本發(fā)明，在構(gòu)成多模塊的模塊組中至少一個模塊從不能夠使用的狀態(tài)恢復(fù)到能夠使用的狀態(tài)時，將從多模塊的前一個模塊搬出的基板，不是直接搬入已恢復(fù)的模塊，而是依據(jù)對于構(gòu)成多模塊的模塊組的基板的搬入順序進行搬入，因此，能夠抑制之后的搬送循環(huán)數(shù)，結(jié)果能夠抑制生產(chǎn)率的下降。


圖1是本發(fā)明的涂敷、顯影裝置的平面圖。圖2是上述涂敷、顯影裝置的立體圖。圖3是上述涂敷、顯影裝置的縱截側(cè)面圖。圖4是包含于上述涂敷、顯影裝置的顯影處理單元的立體圖。圖5是表示COT層的搬送變更前的搬送狀況的說明圖。圖6是表示COT層的搬送變更后的搬送狀況的說明圖。圖7是表示COT層的搬送變更前的搬送狀況的說明圖。圖8是表示COT層的搬送變更后的搬送狀況的說明圖。圖9是表示COT層的搬送變更前的搬送狀況的說明圖。圖10是表示COT層的搬送變更后的搬送狀況的說明圖。圖11是表示COT層的搬送變更前的搬送狀況的說明圖。圖12是表示COT層的搬送變更后的搬送狀況的說明圖。圖13是表示COT層的搬送變更前的搬送狀況的說明圖。圖14是表示COT層的搬送變更后的搬送狀況的說明圖。圖15是表示DEV層的搬送變更前的搬送狀況的說明圖。圖16是上述DEV層的搬送行程表。圖17是表示DEV層的搬送變更前的搬送狀況的說明圖。圖18是上述DEV層的搬送行程表。圖19是表示DEV層的搬送變更前的搬送狀況的說明圖。圖20是上述DEV層的搬送行程表。圖21是表示DEV層的搬送變更后的搬送狀況的說明圖。圖22是上述DEV層的搬送行程表。圖23是表示向顯影模塊的搬入搬出狀況的時序圖。圖M是表示向顯影模塊的搬入搬出狀況的時序圖。圖25是表示COT層的晶片的搬送狀況的說明圖。圖沈是表示DEV層的晶片的搬送狀況的說明圖。
圖27是表示COT層的晶片的搬送狀況的說明圖。圖觀是表示DEV層的晶片的搬送狀況的說明圖。附圖標記W 晶片BF交接模塊C 載體Cl載體塊C2處理塊C4 接口塊COT抗蝕劑涂敷模塊
CPL交接模塊
DEV顯影模塊
Fl DEV 層
F2 BCT 層
F3 COT 層
F4 ITC層
Gl搬送臂
G2搬送臂
G3搬送臂
G4搬送臂
HP加熱模塊
1涂敷、顯影裝置
100控制部
20顯影處理單元
具體實施例方式首先，說明作為本發(fā)明的基板處理裝置的涂敷、顯影裝置1的結(jié)構(gòu)和該涂敷、顯影裝置1的搬送路徑。此處說明的搬送路徑是各模塊能夠正常使用時的搬送路徑。此外，模塊是指載置半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)w的部位。圖1中表示曝光裝置C5與涂敷、顯影裝置1連接而成的抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)的平面圖，圖2是該系統(tǒng)的立體圖。此外，圖3是該系統(tǒng)的縱截面圖。在該涂敷、顯影裝置1設(shè)置有載體塊Cl，交接臂12從載置在其載置臺11 上的密閉型的載體C取出晶片W，并交至處理塊C2，交接臂12從處理塊C2接受處理完成的晶片W，并將其送回載體C。載體C具有收納多塊晶片W的支架(擱板)。在該例中，如圖2所示，上述處理塊C2通過從下向上依次疊層用于進行顯影處理的第一塊(DEV層)F1、用于在抗蝕劑膜的下層形成反射防止膜的第二塊(BCT層)F2、用于進行抗蝕劑膜的形成的第三塊(COT層)F3、用于進行形成在抗蝕劑膜的上層的保護膜的形成處理的第四塊(ITC層)F4而構(gòu)成。處理塊C2的各層在俯視時為同樣的結(jié)構(gòu)。舉出圖1所示的第三塊(COT層)F3為例進行說明，COT層F3包括作為涂敷膜例如形成抗蝕劑膜的抗蝕劑膜形成單元13 ；由加熱類的模塊構(gòu)成的支架單元Ul TO ；和設(shè)置于上述抗蝕劑膜形成單元13與支架單元Ul U5之間，在它們之間進行晶片W的交接的搬送臂G3?？刮g劑膜莆成單元13具有4個抗蝕劑涂敷模塊COTl C0T4。此外，上述支架單元Ul TO由沿著搬送臂G3移動的水平直線搬送通路即搬送區(qū)域Rl排列的各個上述疊層的加熱類的模塊構(gòu)成。各支架單元Ul U4通過分別疊層加熱模塊HPl HP8中的兩個而構(gòu)成。加熱模塊HPl HP8加熱抗蝕劑涂敷后的晶片W。第四塊(ITC層)F4和第二塊(BCT層)F2分別設(shè)置有與上述抗蝕劑膜形成模塊相當?shù)谋Ｗo膜形成模塊、反射防止膜形成模塊。而且，在各模塊中，除了代替抗蝕劑而向晶片 W分別供給用于形成保護膜的藥液、用于形成反射防止膜的藥液作為涂敷液之外，這些BCT 層F2和ITC層F4與COT層F3為同樣的結(jié)構(gòu)。
對于第一塊(DEV層)Fl來說，在一個DEV層Fl內(nèi)疊層有兩層與抗蝕劑膜形成單元13對應(yīng)的顯影處理單元20。一個顯影處理單元20具有四個顯影模塊DEV，由此在DEV 層Fl設(shè)置有共計8個顯影模塊DEVl DEV8。此外，DEV層Fl與COT層F3同樣具有支架單元Ul TO，但各支架單元Ul U5分別由各三個疊層的加熱模塊構(gòu)成。包含于這些支架單元Ul TO的加熱模塊有的對曝光后顯影前的晶片W進行加熱處理，有的對顯影處理后的晶片W進行加熱處理。在該實施方式中，支架單元U3 TO的加熱模塊構(gòu)成為對顯影處理后的晶片W進行加熱處理的HPl HP9。使用圖4說明顯影處理單元20的結(jié)構(gòu)。如上所述顯影處理單元20上下疊層，圖 4中表示下層側(cè)的顯影處理單元20。圖4的顯影處理單元20設(shè)置有四個顯影模塊DEVl DEV4和噴出顯影液的兩上顯影噴嘴21A、21B。顯影噴嘴21A、21B分別獨立，向顯影模塊 DEVl DEV4供給顯影液，進行顯影處理。即，兩個顯影噴嘴相對四個顯影模塊共用。例如能夠設(shè)定為由顯影噴嘴21A進行DEVl和DEV2的處理，由顯影噴嘴21B進行DEV3和DEV4 的處理。顯影模塊DEVl DEV4包括保持晶片W并且一同繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)的載置部22 ；包圍載置部22的罩23 ；和清洗被供給顯影液的晶片W的清洗噴嘴M。圖4中僅表示了一個清洗噴嘴對，但對各罩23的每一個都設(shè)置有清洗噴嘴M。上層側(cè)的顯影處理單元20與下層側(cè)的顯影處理單元20為同樣的結(jié)構(gòu)，顯影噴嘴21C、21D對顯影模塊DEV5 DEV8共用。例如能夠設(shè)定為由顯影噴嘴21C進行DEV5和DEV6的處理，由顯影噴嘴21C進行DEV7和DEV8 的處理。上述抗蝕劑涂敷處理單元13與該顯影處理單元20為大致相同的結(jié)構(gòu)，差別在于具有抗蝕劑涂敷模塊COTl C0T4所共用的抗蝕劑涂敷噴嘴。此外，抗蝕劑涂敷模塊 COTl C0T4分別具有為了除去抗蝕劑膜的周緣部而供給溶劑的周緣部除去噴嘴?；氐紻EV層Fl的說明，在該DEV層Fl內(nèi)設(shè)置有用于向包含于兩層顯影處理單元 20的各模塊和各加熱模塊搬送晶片W的搬送臂Gl。S卩，采用搬送臂Gl對兩層的顯影處理單元20共用的結(jié)構(gòu)。進一步，在處理塊C2，如圖1和圖3所示設(shè)置有支架單元TO，來自載體塊Cl的晶片W被依次搬送至上述支架單元U6的一個交接模塊，例如作為第二塊的BCT層F2的交接模塊CPLl CPL3中的任一個。第二塊(BCT層)F2內(nèi)的搬送臂G2從該交接模塊CPLl CPL3接受晶片W，搬送至反射防止膜形成模塊，將形成有反射防止膜的晶片W搬送至加熱模塊。之后，搬送臂G2將晶片W搬送至支架單元TO的交接模塊BF10。交接模塊BFlO的晶片 W由升降自由的交接臂Dl依次搬送至支架單元TO中設(shè)置于與第三塊(COT層)F3對應(yīng)的高度位置的交接模塊CPL21 CPL23中的任一個。第三塊(COT層)F3內(nèi)的搬送臂G3從這些交接模塊CPL21 CPL23接受晶片W，搬送至抗蝕劑涂敷模塊⑶Tl C0T4中的任一個，在形成抗蝕劑膜之后，搬送至加熱模塊HPl HP8中的任一個。在由加熱模塊HPl HP8進行加熱處理之后，由搬送臂G3將晶片W搬送至支架單元U7的交接模塊BF2。接著，由升降自由的交接臂D2搬送至支架單元U7中設(shè)置于與第四模塊(ITC層)F4對應(yīng)的高度位置的交接模塊CPL31 CPL33中的任一個。之后，經(jīng)由搬送臂G4搬入ITC層F4，由與抗蝕劑涂敷模塊COT相當?shù)谋Ｗo膜形成模塊在抗蝕劑膜的上層形成浸液曝光用的保護膜。進一步，晶片W在由搬送臂G4搬送至加熱模塊之后，被搬送至支架單元TO的交接模塊BF3。另一方面，在DEV層Fl內(nèi)的上部，設(shè)置有作為用于從設(shè)置于支架單元U6的交接部 14向設(shè)置于支架單元U7的交接部15直接搬送晶片W的專用搬送部件的穿梭件16。形成有保護膜的晶片W由交接臂Dl從交接模塊BF3搬入交接部14，并交至穿梭件16。然后，穿梭件16將晶片W搬送至支架單元U7的交接部15，輔助塊C3的搬送臂17從穿梭件16接受晶片W。搬送臂17向設(shè)置于輔助塊C3的支架單元U8的交接模塊搬送晶片W，該晶片W被交至設(shè)置于接口塊C4的接口臂18，被搬送至接口塊C4。另外，圖3中標有CPL的交接模塊兼用作溫度調(diào)節(jié)的冷卻模塊，標有BF的交接模塊兼用作能夠載置多塊晶片W的緩沖模塊。接著，晶片W由接口臂18搬送至曝光裝置C5，此處例如進行利用浸液曝光的曝光處理。之后，晶片W按照接口臂18—支架單元(擱板單元)U8的交接模塊一搬送臂17的順序被搬送，搬送臂17將晶片W搬送至輔助塊C3的保護膜除去模塊，在此處除去保護膜。接著，晶片W由搬送臂17搬送至支架單元U7的交接模塊TRSll或TRS12，由第一塊(DEV層) Fl的搬送臂Gl搬送至支架單元Ul、U2的加熱模塊，接受加熱(曝光光烘烤)處理。之后，晶片W由搬送臂Gl搬送至支架單元U7的交接模塊CPL41 CPL42中的任一個，之后搬送至顯影模塊DEVl DEV8中的任一個，接受顯影處理。之后，被搬送至加熱模塊HPl HP8中的任一個，接受加熱處理。然后，由搬送臂Gl交至支架單元TO的交接模塊TRSl或TRS2。之后，晶片W經(jīng)由交接臂12回到載置在載體C時的原本的位置。該涂敷、顯影裝置1中，由控制部100控制各部分的動作?？刂撇?00例如由電腦構(gòu)成，具有未圖示的程序存儲部。在該程序存儲部存儲有以進行上述和后述的搬送、實施搬送循環(huán)的方式編寫命令的例如軟件構(gòu)成的程序。通過由控制部100讀出該程序，控制部100 向涂敷、顯影裝置1的各部分發(fā)送控制信號。從而控制各模塊的動作和模塊間的晶片W的交接等。該程序以例如存儲于硬盤、光盤、磁光盤或存儲卡等存儲介質(zhì)中的狀態(tài)存儲于程序存儲部。處理塊C2的各加熱模塊、抗蝕劑敷模塊COT和顯影模塊DEV —塊一塊地處理搬入的晶片W。此外，處理塊C2的各層的搬送臂G具有兩個相互獨立地訪問模塊的叉狀的晶片保持部，各晶片保持部能夠保持晶片W。詳細說明搬送臂G的動作。令為在一個保持部沒有晶片W，在另一個保持部保持有晶片W的狀態(tài)，在該狀態(tài)下搬送臂G移動至一個模塊的跟前。然后，由一個保持部取出置于一個模塊的晶片W。然后，將另一個保持部保持的晶片W交至空的該模塊內(nèi)。然后，搬送臂 G為了將一個保持部的晶片W交至下游側(cè)的另一模塊而移動。這樣，在各層中搬送臂G例如從前段側(cè)的模塊開始，依次將晶片W—塊一塊地向編號順序為后的模塊移動。由此，搬送臂G執(zhí)行一次搬送循環(huán)，在實施該一次搬送循環(huán)之后， 移至下一搬送循環(huán)。各搬送循環(huán)依次實施。通過像這樣各搬送臂G進行動作，維持從載體C 先送出的晶片W與從載體C后送出的晶片W相比位于下游側(cè)的模塊的狀態(tài)，在模塊間如上所述按照編號順序移動各晶片W。這樣的利用搬送臂G的搬送在處理塊C2的各層的每一個中獨立進行。此外，控制部100按照從載體C搬入涂敷、顯影裝置1的順序，對晶片W分配編號順序。此處，將從一個載體送出的多個同種類的晶片W的集合稱作批次A，將該批次A的晶片W稱作晶片A。而且，將批次A的后續(xù)的批次稱作批次B，將該批次B的晶片W稱作晶片B。上述控制部100對各批次A、批次B和其后續(xù)的批次的各晶片，分別按照從載體送出的順序分配編號順序。具體地說，控制部100對批次A的晶片W按照搬入涂敷、顯影裝置1的順序以晶片A1、A2、A3……的方式分配編號順序。然后，控制部100基于搬送行程表向顯影裝置1的搬送臂G等各晶片的搬送部件發(fā)送控制信號，由此搬送部件將晶片W搬送至各模塊。此處，搬送行程表是對晶片W分配編號順序，將使晶片W的編號順序和各模塊相關(guān)聯(lián)并指定搬送循環(huán)(階段)的搬送循環(huán)數(shù)據(jù)依時間順序排列而制成的。該搬送行程表例如存儲于控制部100所包括的存儲部。該涂敷、顯影裝置1中，如上所述進行晶片W的搬送，但在晶片W的搬送中模塊發(fā)生故障時，或出現(xiàn)進行維修的需要時，不能夠?qū)υ撃K進行晶片W的搬入搬出。將這樣的不能夠進行晶片W的搬入搬出的模塊稱作除外對象模塊。此外，由于像這樣模塊變得不能夠使用，因此使用與現(xiàn)有的搬送行程表不同的搬送行程表搬送晶片W。將這樣利用與本來的搬送行程表不同的搬送行程表進行的搬送稱作特殊搬送，將通過該特殊搬送被排除在晶片的搬送之外的模塊稱作除外中模塊(不能夠使用的模塊、處于排除之外中的模塊)。向特殊搬送的變更能夠選擇自動地進行或者根據(jù)用戶的指示來實施。此外，將位于這些除外對象模塊和除外中模塊的晶片W稱作留棄晶片U。此外，將例如C0T1、C0T2、C0T3、C0T4等在晶片W的一系列的處理工序中在相同的階段對晶片W進行相同處理的模塊的組稱作多模塊。設(shè)定為對構(gòu)成多模塊的各模塊，從之前的模塊以規(guī)定的順序搬入晶片W，在晶片W被搬入編號順序最后的模塊后，再次將晶片W 搬入編號順序最前的模塊，以后依次搬入晶片W。此外，抗蝕劑涂敷模塊COT和顯影模塊DEV中使用的各噴嘴，進行目的不在于晶片的處理的藥液噴出處理，即所謂的準分配(dummy dispense).各噴嘴例如在每次經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的時間時進行準分配。此外，在處理的晶片W的批次切換時也進行這樣的準分配。此外，抗蝕劑涂敷模塊COT和顯影模塊DEV中進行罩清洗、噴嘴清洗和排氣管道等的清洗處理。在加熱模塊中也進行排氣管道清洗。這些清洗處理例如在各模塊中每次經(jīng)過例如預(yù)先設(shè)定的時間時進行。這些清洗處理和準分配對搬送造成的影響在下述的搬送規(guī)則中說明。接著，說明除外中模塊恢復(fù)為能夠使用的狀態(tài)，向該模塊的搬送變得可能的情況下的搬送規(guī)則。作為一個規(guī)則，在向除外中模塊的搬送變得可能的時刻，從該處理工序(步驟)中沒有搬送的晶片開始再次向上述除外中模塊搬送。即，沒有向恢復(fù)為能夠使用的狀態(tài)的除外中模塊所屬于的多模塊搬送的晶片，被搬送至該除外中模塊。但是，在模塊恢復(fù)能夠使用的狀態(tài)時如果進行上述準分配或清洗處理的條件成立，在這些準分配或清洗處理進行之后再次開始向該模塊的晶片W的搬送。此外，作為一個規(guī)則，即使除外中模塊恢復(fù)為能夠使用的狀態(tài)，能夠進行搬送，也依據(jù)對該除外中模塊所屬于的多模塊預(yù)先設(shè)定的搬送順序搬送晶片。即，將從多模塊的前一個模塊搬出的晶片W，依據(jù)對該多模塊預(yù)先設(shè)定的編號順序，搬入構(gòu)成多模塊的模塊組中上述晶片W的前一個晶片所搬入的模塊的下一個編號順序的模塊。由此，即使除外中模塊能夠進行搬送，也不會立即向該模塊搬入晶片W，根據(jù)除外中模塊恢復(fù)能夠使用的狀態(tài)的時刻，不會向該模塊立即搬入晶片。此外，作為搬送的規(guī)則，在除外中模塊變得能夠搬送的時刻，沒有搬送至該除外中
12模塊所屬于的多模塊的晶片的搬送，以使用全部能夠搬送的模塊的方式進行。即，能夠使用的多模塊以全部使用的方式進行搬送。根據(jù)該規(guī)則，無論在搬送目的地的模塊中是否有留棄晶片W，都進行向該模塊的搬送。但是，如果在模塊恢復(fù)能夠使用的狀態(tài)時進行上述準分配或清洗處理的條件成立，則在進行這些準分配或清洗處理之后再次開始向該模塊的晶片 W的搬送。對依據(jù)這些規(guī)則的搬送變更，參照表示具體的各個例子的圖進行說明。圖5是展開COT層F3的各模塊進行平面顯示的展開圖。對該COT層F3的抗蝕劑涂敷模塊COT來說， 在不進行特殊搬送的情況下，以COTl — C0T2 — C0T3 — C0T4 — COTl —……的順序搬送晶片W。此外，對于加熱模塊來說，在不進行特殊搬送的情況下，與抗蝕劑涂敷模塊COT同樣， 依該加熱模塊的編號順序搬送晶片W。(搬送變更例1)在圖5所示的例子中，抗蝕劑涂敷模塊C0T4發(fā)生故障，該C0T4成為除外中模塊。 由此，進行特殊搬送，以COTl — C0T2 — C0T3 — COTl —……的順序反復(fù)進行晶片的搬送。 另外，該圖5之后的各圖中，對除外中模塊畫有多個點以進行表示，各圖中標有S的編號表示搬送目的地的多模塊中的搬送順序。圖5的COT層F3中，在抗蝕劑涂敷模塊COTl、C0T2、 C0T3分別停留有晶片A1、A2、A3。然后，向交接模塊CPL21、CPL22、CPL23分別搬入晶片A4、 A5、A6。如上所述抗蝕劑涂敷模塊C0T4不能夠使用，因此設(shè)定搬送行程表，使得這些晶片 A4、A5、A6從編號較小的模塊開始如圖中箭頭所示依次搬送至抗蝕劑涂敷模塊C0T1、C0T2、 C0T3。從該圖5所示的狀態(tài)，如圖6所示抗蝕劑涂敷模塊C0T4從故障中恢復(fù)，成為能夠進行晶片W的搬入搬出的狀態(tài)。根據(jù)上述規(guī)則，在該時刻能夠?qū)]有向抗蝕劑涂敷模塊 COTl C0T4搬送的晶片W搬送至該抗蝕劑涂敷模塊C0T4。于是，因為以COTl、C0T2、C0T3 的編號順序搬入有晶片W，所以依據(jù)上述編號順序以將接下來的晶片W搬入C0T4的方式變更搬送行程表。由此，如圖6中箭頭所示，以將晶片A4搬入該C0T4的方式變更搬送行程表。 此外，晶片A5、A6分別搬入C0T1、C0T2。(搬送變更例2)以下，說明與搬送變更例1同樣變更向抗蝕劑涂敷模塊COT的搬送的例子。圖7表示抗蝕劑涂敷模塊C0T3、C0T4由于故障而成為除外中模塊的狀態(tài)?？刮g劑涂敷模塊C0T1、 C0T2中分別停留有晶片Al、A2。然后，向交接模塊CPL21、CPL22、CPL23分別搬入晶片A3、 A4、A5。如上所述抗蝕劑涂敷模塊C0T3、C0T4不能夠使用，因此設(shè)定搬送行程表，使得這些晶片A3、A4、A5如箭頭所示從編號較小的模塊依次搬送至抗蝕劑涂敷模塊C0T1、C0T2、 COT1。從該圖7所示的狀態(tài)，如圖8所示抗蝕劑涂敷模塊C0T3變?yōu)槟軌蜻M行晶片W的搬入搬出的狀態(tài)。與搬送變更例1同樣，在這樣變?yōu)槟軌虬崛氚岢龅臅r刻，能夠?qū)]有搬送至抗蝕劑涂敷模塊COTl C0T4的晶片W搬入已恢復(fù)的該抗蝕劑涂敷模塊C0T3。而且，因為以C0T1、C0T2的編號順序搬入晶片W，所以依據(jù)編號順序以將下一晶片W搬入C0T3的方式變更搬送行程表。由此，如圖8中箭頭所示，以將晶片A3搬入該C0T3的方式變更搬送行程表。晶片A4、A5分別搬入C0T1、C0T2。(搬送變更例3)
圖9表示抗蝕劑涂敷模塊COTl由于故障而成為除外中模塊的狀態(tài)。抗蝕劑涂敷模塊C0T2中停留有晶片Al。然后，向交接模塊CPL21、CPL22、CPL23分別搬入晶片A4、A2、 A3。因為抗蝕劑涂敷模塊COTl不能夠使用，所以設(shè)定搬送行程表，使得這些晶片A2、A3、A4 依次搬送至抗蝕劑涂敷模塊C0T3、C0T4、C0T2。從該圖9所示的狀態(tài)，如圖10所示抗蝕劑涂敷模塊COTl從故障恢復(fù)，變?yōu)槟軌蜻M行晶片W的搬入搬出的狀態(tài)。依據(jù)上述規(guī)則，在這樣恢復(fù)的時刻，以能夠?qū)]有搬送至抗蝕劑涂敷模塊COTl C0T4的晶片W搬入已恢復(fù)的該抗蝕劑涂敷模塊COTl的方式變更搬送行程表。此處，因為晶片Al已搬入至C0T2，所以接著搬入COT的晶片A2、A3依據(jù)COT內(nèi)的搬送順序搬入C0T3、C0T4。然后，以將接著的晶片A4搬入COTl的方式設(shè)定上述搬送行程表。另外，晶片A4之后的晶片A5、A6、A7、A8……按照C0T2、C0T3、C0T4、C0T1……的順序搬送。(搬送變更例4)圖11與搬送變更例3同樣表示抗蝕劑涂敷模塊COTl由于故障而成為除外中模塊的狀態(tài)，在COTl中停留有留棄晶片U。在抗蝕劑涂敷模塊C0T2中停留有晶片A13。然后， 向交接模塊CPL21、CPL22、CPL23分別搬入晶片A14、A15、A16。因為抗蝕劑涂敷模塊COTl 不能夠使用，所以設(shè)定搬送行程表，使得這些晶片A16、A14、A15依次搬入抗蝕劑涂敷模塊 C0T3、C(yr4、C0T2。從該圖11所示的狀態(tài)，如圖12所示抗蝕劑涂敷模塊COTl恢復(fù)，變?yōu)槟軌蚴褂玫臓顟B(tài)。此處，因為晶片A13已搬入至⑶T2，所以設(shè)定上述搬送行程表，使得接著搬入COT的晶片A14、A15依據(jù)COT內(nèi)的搬送順序搬入C0T3、C0T4，將接著的晶片A16搬入C0T1。即使像這樣存在留棄晶片U，在模塊能夠使用時也將晶片W搬送至該模塊。抗蝕劑涂敷模塊COTl 的留棄晶片U向交接模塊BF2搬送。另外，晶片A16之后的晶片A17、A18、A19、A20……按照 C0T2、C0T3、C0T4、COTl......的順序搬送。(搬送變更例5)圖13表示加熱模塊HPl HP8由于故障而成為除外中模塊的狀態(tài)。而且，在加熱模塊HPl HP3和HP5 HP7停留有留棄晶片U。在抗蝕劑涂敷模塊COTl C0T4停留有晶片Al A4。從該圖13所示的狀態(tài)，如圖14所示加熱模塊HPl HP8從故障恢復(fù)，成為能夠進行晶片W的搬入搬出的狀態(tài)。依據(jù)上述規(guī)則，無論是否存在留棄晶片U,以依據(jù)在加熱模塊HP內(nèi)設(shè)定的編號順序搬入晶片的方式設(shè)定搬送行程表。作為其結(jié)果，如圖14中箭頭所示，晶片A1、A2、A3、A4分別依次向加熱模塊HP1、HP2、HP3、HP4搬送。從加熱模塊HPl HP3搬出的各留棄晶片U向交接模塊BF2搬送。對留棄晶片U的搬送路徑在后面進行詳細敘述。(搬送變更例6)接著說明DEV層Fl的搬送例。DEV層Fl的顯影模塊DEV，在不進行特殊搬送時，
設(shè)定為以 DEVl — DEV5 — DEV2 — DEV6 — DEV3 — DEV7 — DEV4 — DEV8 — DEVl —......的
順序搬送晶片W。在顯影后進行加熱處理的加熱模塊HP，在不進行特殊搬送的情況下，設(shè)定為按照其編號順序，即HPl — HP2 — HP3 —……的順序搬送晶片W。圖15是展開DEV層Fl 的各模塊并平面顯示的展開圖。在該圖15所示的例子中，在顯影模塊DEV5發(fā)生故障，該 DEV5成為除外中模塊。此外，在顯影模塊DEV5停留有留棄晶片U。圖16表示此時的各晶片W的搬送行程表。觀察顯影模塊，因為不能夠向DEV5搬送晶片，所以在DEVl后接著將晶片搬入DEV2，以后與正常時同樣地以DEV6 — DEV3 — DEV7 — DEV4 — DEV8的順序，向上層側(cè)、下層側(cè)的顯影模塊20交替地搬送晶片W。在該行程表和后面表示的行程表中，對模塊不能夠使用的循環(huán)畫有多個點以進行表示。在表中，為了方便說明，在晶片W的各編號的最前添加0，以3位數(shù)字表示。該圖15表示圖16的搬送行程表的循環(huán)數(shù)4的狀態(tài)，向交接模塊CPL41、CPL42、 CPL43分別搬入晶片A18、A19、A17。然后，以這些晶片分別搬入顯影模塊DEV8、DEVI、DEV2 的方式設(shè)定行程表。在循環(huán)數(shù)4的期間顯影模塊DEV5從故障恢復(fù)，成為能夠使用的狀態(tài)。這樣的話， 依據(jù)上述規(guī)則，以在這樣恢復(fù)的時刻能夠?qū)]有向顯影模塊DEVl DEV8搬送的晶片W向已恢復(fù)的該顯影模塊DEV5搬送的方式變更搬送行程表。此處，在循環(huán)數(shù)4的時刻，在DEV4 中已搬入晶片A16。于是，因為按照對DEV設(shè)定的編號順序搬入晶片W，所以如圖17所示后續(xù)的晶片A17依據(jù)該編號順序搬入DEV8。接著的晶片A18也依據(jù)該編號順序搬入DEVI。之后，晶片A19依據(jù)編號順序搬入已恢復(fù)的DEV5，DEV5的留棄晶片U代替晶片A19從該DEV5 搬出。這之后也按照編號順序向DEV搬入晶片。以這樣進行搬送的方式進行晶片的搬送行程表的變更。圖18表示變更后的搬送行程表。與圖16的搬送行程表進行比較，說明圖18的搬送行程表。通過變更晶片A19的搬送目的地以及增加能夠使用的顯影模塊DEV的數(shù)量，各晶片的DEV的停留循環(huán)數(shù)增加一個循環(huán)。此外，循環(huán)數(shù)7中，在將上述留棄晶片U向TRSl搬送之后，將加熱模塊HP3的晶片 A3搬送至交接模塊TRS2。表中的ABORT表示留棄晶片U。因為這樣將留棄晶片U搬送至交接模塊TRS，所以在該搬送之后，向晶片的各加熱模塊HP的搬入間隔空開一個循環(huán)的量。 此外，循環(huán)數(shù)7中將兩塊晶片向TRS搬送，因此循環(huán)數(shù)16中不向TRS搬入晶片W。(搬送變更例7)在該例中在各顯影處理單元20設(shè)置有三個顯影模塊DEV。在下層側(cè)的顯影處理單元20設(shè)置有顯影模塊DEVl DEV3，在上層側(cè)的顯影處理單元20設(shè)置有顯影模塊 DEV4 DEV6。顯影處理模塊20除了顯影模塊DEV的數(shù)量不同之外與其它各實施方式為同樣的結(jié)構(gòu)。在下層側(cè)的顯影處理單元20，例如由顯影模塊DEVl和DEV2使用噴嘴21A， 由顯影模塊DEV3使用噴嘴21B。此外，在上層側(cè)的顯影處理單元20，例如由顯影模塊DEV4 和DEV5使用噴嘴21C，由顯影模塊DEV6使用噴嘴21D。在不進行特殊搬送時，設(shè)定為以 DEVl — DEV4 — DEV3 — DEV2 — DEV5 — DEV6的順序反復(fù)進行晶片W的搬送。此外，在該例中，在DEV層Fl中，進行顯影后的加熱的加熱模塊設(shè)置有HPl HP6這六個。在圖19所示的例子中，顯影模塊DEV4成為除外中模塊。此外，在該顯影模塊 DEV4停留有留棄晶片U。圖20表示此時的各晶片W的搬送行程表。觀察顯影模塊，因為不能夠向DEV4搬送晶片，所以在DEVl之后接著將晶片搬入DEV3，之后與正常時同樣地以 DEV2 — DEV5 — DEV6的順序反復(fù)搬送晶片W。該圖19表示圖20的搬送行程表的循環(huán)數(shù)4的狀態(tài)，向交接模塊CPL41、CPL42、 CPL43分別搬入晶片A15、A13、A14。然后，以這些晶片分別搬入顯影模塊DEV6、DEVI、DEV3 的方式設(shè)定行程表。如圖21所示，在循環(huán)數(shù)4的期間顯影模塊DEV4從故障恢復(fù)。此處，在循環(huán)數(shù)4的時刻，在DEV5中已搬入晶片A12。于是，因為按照對DEV設(shè)定的編號順序搬入晶片W，所以后續(xù)的晶片A13依據(jù)該編號順序搬入DEV6。接著的晶片A14也依據(jù)該編號順序搬入DEVI。之后，晶片A15依據(jù)編號順序搬入已恢復(fù)的DEV4，DEV4的留棄晶片U代替晶片A15從該DEV4 搬出。這之后也按照編號順序向DEV搬入晶片。以這樣進行搬送的方式進行晶片的搬送行程表的變更。圖22表示變更后的搬送行程表。與圖20的搬送行程表進行比較可知，與搬送變更例6同樣DEV中的晶片W的停留循環(huán)數(shù)等發(fā)生變化。接著，參照圖23、圖M說明像搬送變更例7那樣構(gòu)成的DEV層Fl的其它的搬送例。圖23、圖對是表示各顯影模塊DEV中的晶片處理狀況的時序圖。圖23(a)表示在各顯影模塊DEVl DEV6中沒有發(fā)生故障的狀態(tài)的處理狀況，圖23(b)表示在晶片Al搬入顯影模塊之前在DEV5發(fā)生故障時的處理狀況。如圖23(a)所示，在該例中，也設(shè)定為晶片按照顯影模塊 DEVl — DEV4 — DEV3 — DEV2 — DEV5 — DEV6 的順序搬送。此外，圖24(a)是在晶片A7替換時DEV5恢復(fù)，依據(jù)上述規(guī)則搬入晶片W時的處理狀況。此外，圖24(b)是在晶片A7替換時DEV5恢復(fù)，不依據(jù)上述規(guī)則，立即向已恢復(fù)的 DEV5搬入晶片W時的處理狀況。在該例中，在處理晶片W的噴嘴成為能夠使用的狀態(tài)時，該晶片W向模塊搬入。表中的入、替、出的文字分別表示晶片W的搬入、替換、搬出。在從該入到替或出的寫有晶片W的編號的區(qū)間，表示對該晶片W由模塊進行處理的處理區(qū)間。在圖中的表中，在與各顯影噴嘴21對應(yīng)的最上段顯示模塊編號的位置，表示顯影噴嘴21對顯示該編號的模塊使用的區(qū)間。畫有斜線的區(qū)間表示顯影模塊DEV5不能夠使用的區(qū)間。比較圖對⑷和圖M(b)的晶片W的處理狀況，在圖中，由于顯影噴嘴21被占用，出現(xiàn)晶片向顯影模塊的搬入等待，由此可知生產(chǎn)率與圖所示的例子相比下降。因此，與向已恢復(fù)的模塊立即搬入晶片W相比，依據(jù)上述規(guī)則按照編號順序向模塊搬入晶片W更能夠提高生產(chǎn)率。在這樣的涂敷、顯影裝置1中，在構(gòu)成顯影模塊DEV組、加熱模塊HP組、抗蝕劑涂敷模塊組等多模塊的模塊中，一個模塊從不能夠使用的狀態(tài)恢復(fù)到能夠使用的狀態(tài)時，對從多模塊的前一個模塊搬出的晶片，依據(jù)對于構(gòu)成多模塊的模塊組的晶片W的搬入順序進行搬入。由此，能夠防止搬送行程表從本來的搬送行程表大幅變更，能夠抑制晶片向模塊的搬入間隔擴大。由此，能夠防止搬送中的晶片的批次的生產(chǎn)率的下降。此外，因為使用全部的能夠使用的模塊進行搬送，所以根據(jù)該點也能夠抑制生產(chǎn)率的下降。此外，因為在搬入晶片W的同時回收留棄晶片U，所以能夠減少后述的進行晶片的回收處理的時間。接著，說明對由于在涂敷、顯影裝置1起動時發(fā)生故障而不能夠進行晶片的回收的模塊的晶片W的搬送。在例如抗蝕劑涂敷模塊COT、顯影模塊DEV、進行周緣曝光的周緣曝光模塊，在模塊內(nèi)設(shè)置有檢測晶片的傳感器。具有上述傳感器的模塊在上述特殊搬送中能夠進行晶片W的搬入搬出時，如果在該模塊內(nèi)沒有晶片，則用于搬送。但是，在模塊內(nèi)有晶片的情況下，在進行后述的全部晶片回收處理之后，使用該模塊。上述周緣曝光模塊例如設(shè)置于COT層F3的支架單元Ul U5，對涂敷有抗蝕劑的晶片W的周緣部進行曝光。此外，例如在加熱模塊HP沒有設(shè)置上述傳感器。這樣不具有傳感器的模塊在特殊搬送中能夠進行晶片W的搬送時，也是在全部晶片回收處理后進行晶片W的搬送。S卩，在不具有上述傳感器的模塊中，無論該模塊內(nèi)有沒有晶片，均在全部晶片回收處理后能夠進行搬送。
全部晶片回收處理是指在涂敷、顯影裝置1中，使用各搬送部件使位于全部的模塊的晶片W回到載體的處理，根據(jù)用戶的指示進行。在能夠從除外對象模塊搬出晶片W時， 通過該處理搬出該晶片W。該利用全部晶片回收的搬送，與后述的留棄晶片U的搬送同樣， 不經(jīng)由對晶片進行處理的模塊，將晶片向搬送路徑的下游側(cè)依次搬送，回到載體C。進行該全部晶片回收處理，則表示模塊內(nèi)的晶片不能夠搬出的警報消除。此外，如果在全部晶片回收處理后不能夠向除外中模塊搬送晶片，則產(chǎn)生表示該狀況的警報。接著，說明留棄晶片U的搬送。留棄晶片被搬送至位于出口側(cè)(搬送路徑的下游側(cè))的交接模塊。這是為了避免超越搬送留棄晶片的層中的正常的晶片。具體地說，在圖 25所示的COT層F3中，各留棄晶片U向交接模塊BF2搬送。該留棄晶片U在BF2的下游側(cè)例如依次通過ITC層F4、穿梭件16、交接模塊TRSll或TRS12、DEV層Fl回到載體C。此外，在圖沈中，表示將顯影模塊DEVl DEV8的留棄晶片U向交接模塊TRS1、TRS2搬送的例子。留棄晶片U如上所述不搬入曝光裝置C5。此外，在處理塊C2中，不經(jīng)由例如加熱模塊、保護膜形成模塊、顯影模塊等對晶片進行處理的模塊，回到載體C。因為像這樣搬送， 所以留棄晶片U比接受通常的處理的晶片W更早回到載體C。此外，控制部100向?qū)琖進行處理的各模塊傳送方案，基于該方案，處理晶片 W。但是，留棄晶片U如上所述被搬送，因此即使向各模塊傳送的方案與對該留棄晶片U設(shè)定的方案不同，用于處理該留棄晶片U的方案也不向各模塊傳送。此外，留棄晶片U所屬的批次不會結(jié)束處理，直至該留棄晶片U存儲于載體C。由此，例如送出該留棄晶片U的載體C載置在載體塊Cl，直至存儲留棄晶片U。在不能夠?qū)⒘魲壘琔搬送至交接模塊的情況下，搬送臂G維持保持留棄晶片的狀態(tài)待機，直至能夠搬送至該交接模塊。圖27、圖觀中表示這樣的搬送臂G待機的狀態(tài)的例子。圖27中，在COT層F3中，在交接模塊BF2中已搬入有晶片，不是空的。由此，搬送臂 G2維持保持從抗蝕劑涂敷模塊COTl接受的留棄晶片U的狀態(tài)待機。圖觀中，在DEV層Fl中，在交接模塊TRS1、TRS2中分別搬入有晶片A1、A2。由此， 搬送臂Gl維持保持從顯影模塊DEV2接受的留棄晶片U的狀態(tài)待機，直至交接模塊TRS1、 TRS2變空。另外，留棄晶片U在上述例子中經(jīng)由搬入通常的晶片W的模塊被回收。但是，為了回收留棄晶片U,也可以設(shè)置搬入該留棄晶片U的專用的模塊。例如在COT層F3中，也可以設(shè)置疊層于交接模塊BF2的交接模塊BF5，將留棄晶片U搬入該BF5，另一方面，向交接模塊 BF2搬入通常的晶片W。BF5的留棄晶片U與通常的晶片W同樣由交接臂D2向ITC層F4搬送，之后以上述路徑搬送。
1權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其包括載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組，在模塊組中，包括搬送的編號順序相同且對基板進行相同處理的三個以上的模塊所構(gòu)成的多模塊，利用搬送部件從一個模塊取出基板，在接受下一模塊的基板之后將先前的基板交于該下一模塊，這樣通過將置于各模塊中的基板向一個編號順序為后的模塊移動來進行一個搬送循環(huán)，在進行該一個搬送循環(huán)之后，進入下一搬送循環(huán)，通過依次進行各搬送循環(huán)，基板依次從所述模塊組中的編號順序小的模塊被搬送至編號順序大的模塊，并被實施規(guī)定的處理，在通常時，從之前的模塊對所述多模塊的各模塊以規(guī)定的順序分配基板，對于構(gòu)成所述多模塊的多個模塊，搬入基板的編號順序已被確定，在向編號順序為最后的模塊搬入基板之后，向編號順序為最前的模塊搬入基板，該基板處理裝置的特征在于，包括存儲部，其存儲對基板分配編號順序，將使基板的編號順序與各模塊相關(guān)聯(lián)并指定搬送循環(huán)的搬送循環(huán)數(shù)據(jù)依時間順序排列而制成的搬送行程表；和控制部，其以參照所述搬送行程表，將寫入搬送循環(huán)數(shù)據(jù)的基板搬送至與該基板對應(yīng)的模塊的方式控制所述搬送部件，由此實施搬送循環(huán)，所述控制部控制所述搬送部件，使得，在從構(gòu)成所述多模塊的模塊中的至少一個模塊不能夠使用且其它的模塊能夠使用的狀態(tài)，不能夠使用的模塊恢復(fù)為能夠使用的狀態(tài)時，將從所述多模塊的前一個模塊搬出的基板，對于構(gòu)成多模塊的模塊組中以與該基板搬出時最接近的時刻搬出基板的模塊，在所述基板的搬入順序中搬入下一模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于構(gòu)成為對所述模塊組中的下游端的模塊，與所述搬送部件不同的其它搬送部件進行基板的接收，所述控制部控制搬送部件，使得在將從所述多模塊的前一個模塊搬出的基板搬入所述不能夠使用的模塊時，在該不能夠使用的模塊內(nèi)存在基板的情況下，取出該基板，由所述其它搬送部件搬送至能夠交接的模塊。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于在所述不能夠使用的模塊內(nèi)存在的基板的搬送目的地為所述下游端的模塊。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組是，使用于對基板涂敷抗蝕劑并且使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置中，用于在曝光前對基板形成涂敷膜的模塊組。
5.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組是，使用于對基板涂敷抗蝕劑并且使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置中，用于進行在曝光后對基板進行的、包括顯影的處理的模塊組。
6.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于對用于在曝光前對基板形成涂敷膜的模塊組進行基板的搬送的搬送機構(gòu)，構(gòu)成為能夠沿著水平的直線搬送通路移動，對用于進行在曝光后對基板進行的、包括顯影的處理的模塊組進行基板的搬送的搬送機構(gòu)，構(gòu)成為能夠沿著與所述直線搬送通路不同的另外設(shè)置的水平的直線搬送通路移動。
7.一種基板處理方法，其用于基板處理裝置，該基板處理裝置具有載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組，在模塊組中，包括搬送的編號順序相同且對基板進行相同處理的三個以上的模塊構(gòu)成的多模塊，利用搬送部件從一個模塊取出基板，在接受下一模塊的基板之后將先前的基板交于該下一模塊，這樣通過將置于各模塊的基板向一個編號順序為后的模塊移動來進行一個搬送循環(huán)，在進行該一個搬送循環(huán)之后，進入下一搬送循環(huán)，通過依次進行各搬送循環(huán)，基板依次從所述模塊組中的編號順序小的模塊被搬送至編號順序大的模塊，并被實施規(guī)定的處理，在通常時，從之前的模塊對所述多模塊的各模塊以規(guī)定的順序分配基板，對于構(gòu)成所述多模塊的多個模塊，搬入基板的編號順序已被確定，在向編號順序為最后的模塊搬入基板之后，向編號順序為最前的模塊搬入基板，該基板處理方法的特征在于，包括對基板分配編號順序，參照將使基板的編號順序與各模塊相關(guān)聯(lián)并指定搬送循環(huán)的搬送循環(huán)數(shù)據(jù)依時間順序排列而制成的搬送行程表，以將寫入搬送循環(huán)數(shù)據(jù)的基板搬送至與該基板對應(yīng)的模塊的方式控制所述搬送部件，由此實施搬送循環(huán)的工序；和以下述方式控制所述搬送部件的工序在從構(gòu)成所述多模塊的模塊中的至少一個模塊不能夠使用且其它的模塊能夠使用的狀態(tài)，不能夠使用的模塊恢復(fù)為能夠使用的狀態(tài)時，將從所述多模塊的前一個模塊搬出的基板，對于構(gòu)成多模塊的模塊組中以與該基板搬出時最接近的時刻搬出基板的模塊，在所述基板的搬入順序中搬入下一模塊。
8.如權(quán)利要求7所述的基板處理方法，其特征在于，包括下述工序使用對所述模塊組中的下游端的模塊進行基板的接收用的、與所述搬送部件不同的其它搬送部件，在將從所述多模塊的前一個模塊搬出的基板搬入所述不能夠使用的模塊時，在該不能夠使用的模塊內(nèi)存在基板的情況下，取出該基板，由所述其它搬送部件搬送至能夠進行交接的模塊。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于在所述不能夠使用的模塊內(nèi)存在的基板的搬送目的地是所述下游端的模塊。
10.如權(quán)利要求7 9中任一項所述的基板處理方法，其特征在于載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組是，使用于對基板涂敷抗蝕劑并且使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置中，用于在曝光前對基板形成涂敷膜的模塊組。
11.如權(quán)利要求7 9中任一項所述的基板處理方法，其特征在于載置各基板且搬送的編號順序已被確定的模塊組是，使用于對基板涂敷抗蝕劑并且使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置中，用于進行在曝光后對基板進行的、包括顯影的處理的模塊組。
12. —種存儲介質(zhì)，其存儲在基板處理裝置中使用的電腦程序，該基板處理裝置包括載置各基板且搬送的順序已被確定的模塊組，從模塊組中編號順序較小的模塊向編號順序較大的模塊依次搬送基板并對基板實施規(guī)定的處理，該存儲介質(zhì)的特征在于所述電腦程序以實施權(quán)利要求7 9中任一項所述的基板處理方法的方式編寫步驟組。
全文摘要
本發(fā)明提供基板處理裝置、基板處理方法和存儲介質(zhì)。本發(fā)明提供在反復(fù)進行從模塊組中編號順序小的模塊向編號順序大的模塊依次搬送基板的搬送循環(huán)的基板處理裝置中，在出現(xiàn)不能夠使用的模塊，之后該模塊變得能夠使用時，能夠以高生產(chǎn)率處理基板的技術(shù)?？刂瓢崴筒考?，使得將從多模塊的前一個模塊搬出的基板，對于構(gòu)成多模塊的模塊組中以與該基板的搬出時最接近的時刻搬出基板的模塊，在上述基板的搬入順序中搬入下一模塊。
文檔編號H01L21/677GK102194729SQ20111004735
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月24日
發(fā)明者松山健一郎, 松本武志 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社