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具有薄化結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法

文檔序號(hào):6995450閱讀:167來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:具有薄化結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有薄化結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體發(fā)光元件,例如發(fā)光二極管(LED),在近年來(lái)亮度不斷的提升下,應(yīng)用領(lǐng)域 已從傳統(tǒng)的指示燈或裝飾用途拓展至各類裝置的光源,甚至在不久的將來(lái),極有可能取代 傳統(tǒng)的日光燈,成為新一代照明領(lǐng)域的光源。目前發(fā)光二極管之內(nèi)部量子效率約為50%至80%左右;約有20%至50%的輸入 功率無(wú)法被轉(zhuǎn)換光,而以熱的方式產(chǎn)生在發(fā)光二極管內(nèi)。若無(wú)法有效的將發(fā)光二極管內(nèi)部 的熱導(dǎo)出,會(huì)導(dǎo)致發(fā)光二極管溫度上升,而劣化了發(fā)光二極管的可靠度。另一方面,發(fā)光二 極管產(chǎn)生的光線若無(wú)法有效被取出,部分光線因全反射因素而局限在發(fā)光二極管內(nèi)部來(lái)回 反射或折射,最終被電極或發(fā)光層吸收,使亮度無(wú)法提升。本發(fā)明提供創(chuàng)新的解決方案,通 過(guò)降低發(fā)光二極管的熱阻或提高光取出效率,以解決發(fā)光二極管的熱累積問(wèn)題,并提升元 件的可靠度及發(fā)光效率。本發(fā)明同時(shí)提供可應(yīng)用于高功率輸出的發(fā)光元件,以應(yīng)用于照明 領(lǐng)域。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種發(fā)光元件,包括薄化結(jié)構(gòu);半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)位于薄化結(jié)構(gòu)的一側(cè), 包含第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層;載體位于薄化結(jié)構(gòu)的另一側(cè);以 及至少一溝道形成于所述的薄化結(jié)構(gòu)中。本發(fā)明的另一方面提供一種發(fā)光元件的制造方法,其步驟包括提供基板;形成半 導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)于該基板上;貼合所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至支撐體;薄化所述的基板以形成薄化 結(jié)構(gòu);形成至少一溝道于所述的薄化結(jié)構(gòu)中;以及形成或接合載體至所述的薄化結(jié)構(gòu)。依本發(fā)明的一實(shí)施例,該制造方法還包含以化學(xué)機(jī)械拋光方式薄化所述的基板。依本發(fā)明的一實(shí)施例,該制造方法還包含以激光形成所述的至少一溝道。


圖1為一示意圖,顯示依本發(fā)明的水平式發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例。圖2A至2C為示意圖,顯示依本發(fā)明的垂直式發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的第一至第三實(shí)施例。圖3A及IBB為示意圖,顯示依本發(fā)明水平式發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的第二至第三實(shí)施例。圖4為一示意圖,顯示依本發(fā)明水平式發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例。圖5A至5G顯示形成圖2C的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的各步驟示意圖。圖6A顯示一橢圓偏光儀的示意圖。至6B顯示一激光形成溝道的各步驟示意圖。 圖6C顯示一激光形成溝道的裝置示意圖。 附圖標(biāo)記說(shuō)明 11生長(zhǎng)基板 112半導(dǎo)體緩沖層 121第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 123第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 141、241a、241b、341 中間層 15、25第一導(dǎo)線墊 17、37a、37b 第一溝道 191粘著層
28a,28b,28c,47 導(dǎo)電溝道 49電流分散層
62第二材料層 64激光接收器 Sl上表面 W脈沖時(shí)間寬度
111薄化基板 12半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu) 122有源層 13載體 142,242a,242b 反射層 16J6、26a第二導(dǎo)線墊 181第二溝道 19支撐體 48歐姆接觸層 61第一材料層 63、66激光 65數(shù)據(jù)運(yùn)算處理器
S2下表[
t
pulse
脈沖周期
具體實(shí)施例方式
圖1揭示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的水平式發(fā)光元件1,包括薄化基板111,具有上表 面Sl及下表面S2 ;半導(dǎo)體緩沖層112位于薄化基板111的上表面;半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12形 成于半導(dǎo)體緩沖層112上,包含第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121、有源層122、以及第二導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層123,其中,部分的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12被部分移除以裸露出部分的第一導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層121 ;反射層142形成于薄化基板111的下表面;載體13通過(guò)中間層141貼附于反射 層142 ;第一導(dǎo)線墊15及第二導(dǎo)線墊16分別與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層123及第一導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層121電性連接,且第一導(dǎo)線墊15及第二導(dǎo)線墊16位于載體13的同一側(cè);以及多個(gè) 第一溝道17穿透薄化基板111并延伸至半導(dǎo)體緩沖層112的深度。其中,薄化基板111為 薄化一用以生長(zhǎng)半導(dǎo)體緩沖層112及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12的生長(zhǎng)基板后所形成。生長(zhǎng)基板 的材料包括至少一材料選自于砷化鎵、藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵以及氮化鋁所組成的材料群 組等,其導(dǎo)熱系數(shù)通常不大于載體的導(dǎo)熱系數(shù)。為降低發(fā)光元件的熱阻,于完成生長(zhǎng)半導(dǎo)體 緩沖層112及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12于生長(zhǎng)基板之后,進(jìn)行薄化以使生長(zhǎng)基板的厚度由原來(lái)約 200或300 μ m以上減至約不大于50 μ m以形成薄化基板111,以有效降低元件的熱阻。薄 化基板111的厚度較佳為不大于20 μ m ;更佳為不大于5 μ m。此外,為保持工藝的可靠度, 半導(dǎo)體緩沖層112作為薄化生長(zhǎng)基板時(shí)的緩沖層,以避免于薄化過(guò)程中,因薄化速率或均 勻度的差異所造成的工藝變異,使半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12受到損壞。薄化基板111及半導(dǎo)體 緩沖層112所形成的薄化結(jié)構(gòu)仍要保有一定的厚度,較佳為不小于2 μ m,以保持工藝的可 靠度。載體13的導(dǎo)熱系數(shù)不小于薄化基板111的導(dǎo)熱系數(shù),以降低發(fā)光元件的熱阻。載 體13包含導(dǎo)熱系數(shù)不小于50W/m · °C的材料;較佳為不小于100W/m · °C,例如包含硅化物、 碳化物、金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬?gòu)?fù)合材料、鉆石、類金剛石碳等材料,并可加入低膨脹系數(shù)材料以降低載體產(chǎn)生的應(yīng)力。第一溝道17包含透明材料例如氧化硅、氮化硅、 有機(jī)高分子或空氣,其折射率與薄化基板111的折射率差異至少大于0. 1,以增加光摘出效 率。第一溝道17亦可包含高導(dǎo)熱透明材料,例如碳化硅、氧化鋅或鉆石等材料,以降低元 件的熱阻,并提高光摘出效率。在一實(shí)施例中,多個(gè)第一溝道17穿透薄化基板111并延伸 至半導(dǎo)體緩沖層112的深度,較佳為0. 1 1 μ m,使得薄化基板111及多個(gè)第一溝道17與 半導(dǎo)體緩沖層112相接觸的界面為凹凸的上表面Sl以增加光散射,并進(jìn)而增加光摘出效 率。多個(gè)第一溝道17呈周期性二維排列,但亦可以準(zhǔn)周期性、變周期性、或非周期性排列; 例如為以直徑1 IOym的圓柱或多邊形柱狀體形成的二維排列,或以多長(zhǎng)條形溝槽彼此 交聯(lián)(cross-linking),例如呈網(wǎng)狀。中間層141可作為粘著層以粘著載體13及反射層 142 ;于另一實(shí)施例中,中間層141可作為電鍍籽晶層,使得載體13得以電鍍形成于其上; 于另一實(shí)施例,中間層141亦可作為擴(kuò)散阻障層,以抑制反射層141與載體13的交互擴(kuò)散 而影響材料特性。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121、有源層122或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層123的材料 包含 Alp^iJn (i-p-q)P 或 AlxInyGa(1_x_y) N,其中0彡p,q彡1 ;p、q、x、y均為正數(shù);(p+q)彡1 ; (x+y) ^ K第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121包括第一導(dǎo)電型束縛層,第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層123包 括第二導(dǎo)電型束縛層。圖2A揭示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的垂直式發(fā)光元件加,相較于圖1所示的發(fā)光元件 1,發(fā)光元件加的第一導(dǎo)線墊25及第二導(dǎo)線墊沈位于載體13的相異側(cè);此外,發(fā)光元件加 還包含至少一個(gè)傳導(dǎo)溝道28a穿透薄化基板111及半導(dǎo)體緩沖層112以與第一導(dǎo)電性半導(dǎo) 體層121電性連接;其中傳導(dǎo)通道28a延伸至該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12的一深度。反射層對(duì)加 及中間層Mla為導(dǎo)電材料,于正向偏壓下,傳導(dǎo)通道電性連接半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12及載 體13,于第一導(dǎo)線墊25及第二導(dǎo)線墊沈之間形成通路。如圖2B所示的發(fā)光元件2b,傳導(dǎo) 通道28a延伸至該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12的一深度;傳導(dǎo)溝道28b亦可穿透反射層M2b,并且 具有與中間層Mlb相同的材料。圖2C揭示另一垂直式發(fā)光元件2c,相較于圖2A所示的發(fā) 光元件2a,發(fā)光元件2c的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12的一部分被部分移除以裸露出部分的第一導(dǎo) 電型半導(dǎo)體層121,并且包含至少一個(gè)傳導(dǎo)溝道^c自裸露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121延伸 至反射層142。傳導(dǎo)溝道^a、28b或^c的數(shù)量及排列為使得電流分布具有較佳的效果; 除此之外,傳導(dǎo)溝道^a、28b或28c因具有較第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層121為高的導(dǎo)熱系數(shù),可 將半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12所產(chǎn)生的熱直接傳導(dǎo)至載體13。傳導(dǎo)溝道^a、28b或^c的材料包 含金屬、金屬合金、金屬氧化物、或?qū)щ姼叻肿拥葘?dǎo)電導(dǎo)熱材料。圖3A揭示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的水平式發(fā)光元件3a,相較于圖1所示的發(fā)光元 件1,發(fā)光元件3a具有透明載體33及多個(gè)透明的第一溝道37a,并且以透明中間層341粘 著于薄化基板111。如圖3B所示,溝道37b亦可僅形成于薄化基板111內(nèi),而不穿透薄化基 板111。中間層341可為透明粘著層,其材料包含苯并環(huán)丁烯(BCB)、過(guò)氟環(huán)丁烷(PFBC)、 環(huán)氧樹脂(Epoxy)、硅膠(Silicone)等有機(jī)高分子材料。溝道37a及37b包含透明材料例 如氧化硅、氮化硅、有機(jī)高分子、或空氣,其折射率與薄化基板111的折射率差異至少大于 0. 1,以增加光摘出效率。溝道37a及37b亦可包含高導(dǎo)熱透明材料,例如氮化鎵、氮化鋁、 碳化硅、氧化鋅或鉆石等材料,以降低元件熱阻,并提高光摘出效率。溝道37a或37b可具 有與中間層341相同或不同材料。圖4揭示依本發(fā)明另一水平式發(fā)光元件的實(shí)施例。相較于圖1所示的發(fā)光元件1,原先用以生長(zhǎng)半導(dǎo)體緩沖層112及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12的生長(zhǎng)基板,于本實(shí)施例中,在完成 半導(dǎo)體緩沖層112及半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12的生長(zhǎng)后完全移除。發(fā)光元件4的詳細(xì)結(jié)構(gòu)包含 載體13 ;中間層141形成于載體13上;反射層142形成于中間層141上;電流分散層49形 成于反射層142上;半導(dǎo)體緩沖層112形成于電流分散層49上;半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12形成于 半導(dǎo)體緩沖層112的第一區(qū)域上,包含第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121、有源層122、以及第二導(dǎo)電 型半導(dǎo)體層123 ;第一導(dǎo)線墊15形成于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層123上;第二導(dǎo)線墊16形成于 半導(dǎo)體緩沖層112的第二區(qū)域上;多個(gè)導(dǎo)電溝道47穿透半導(dǎo)體緩沖層112,以與半導(dǎo)體發(fā) 光結(jié)構(gòu)12電性連接;其中導(dǎo)電通道47延伸至該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12的一深度,并且一部分 的多個(gè)導(dǎo)電溝道47形成于第二導(dǎo)線墊16與電流分散層49之間以形成電性導(dǎo)通;另一部分 的多個(gè)導(dǎo)電溝道47介于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121及電流分散層49之間以分散電流。導(dǎo)電 溝道47及電流分散層49為透明導(dǎo)電材料,包含金屬氧化物,例如為氧化銦錫或?qū)щ娦粤己?的半導(dǎo)體層,例如摻雜碳、硅或鎂的GaP或GaN材料。發(fā)光元件4還包含歐姆接觸層48形 成于溝道47與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121之間,以降低結(jié)電阻;歐姆接觸層48的材料可為高 載流子(電子或空穴)濃度的半導(dǎo)體層。為保持工藝的可靠度,半導(dǎo)體緩沖層112具有一 厚度,較佳地,半導(dǎo)體緩沖層112的厚度大于2 μ m,以避免于生長(zhǎng)基板的去除過(guò)程中,因工 藝的變異造成半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12受到損壞。半導(dǎo)體緩沖層112的厚度介于2至20 μ m ;較 佳為介于2至10 μ m。圖5A至5G揭示形成圖2C的發(fā)光元件2c的工藝方法,包含以下步驟1.如圖5A所示,首先提供生長(zhǎng)基板11,并于生長(zhǎng)基板11上依序生長(zhǎng)半導(dǎo)體緩沖 層112、半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12,包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121、有源層122、及第二導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層123于生長(zhǎng)基板11的一側(cè),接著以光刻蝕刻方式去除一部分的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu),以裸 露一部分第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的表面;2.如圖5B所示,以CO2激光照射裸露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的表面以形成第 二溝道181 ;3.如圖5C所示,提供支撐體19,并通過(guò)一粘著層191貼附于半導(dǎo)體發(fā)光疊層的表4.如圖5D所示,研磨生長(zhǎng)基板11的另一側(cè)至預(yù)定厚度以形成薄化基板111,并露 出第二溝道181 ;5.如圖5E所示,自薄化基板的另一側(cè)向內(nèi)形成多個(gè)第一溝道17穿透薄化基板 111并延伸至半導(dǎo)體緩沖層112的深度,較佳為0. 1 lym,其中,形成溝道的方法包括以 激光光束照射;6.如圖5F所示,填充透明材料或形成空洞于第一溝道17內(nèi),接著形成反射層142 于薄化基板111的表面;7.提供載體13及中間層141形成于載體上;8.貼附中間層141及載體13至反射層142 ;9.如圖5G所示,移除粘著層191及支撐體19 ;以及10.如圖2C的發(fā)光元件2c所示,覆蓋導(dǎo)電材料于第二溝道181內(nèi)使成為傳導(dǎo)溝道 28c,并形成第一導(dǎo)線墊15于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層123上,以及形成第二導(dǎo)線墊26a于載體 13的外表面。
步驟4的研磨的方法包括化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing ;CMP) 方法,運(yùn)用化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備,通過(guò)研磨墊以及化學(xué)研磨液(chemicalslurry),同時(shí)以物理 性及化學(xué)性地移除基板。于本發(fā)明的一實(shí)施例,生長(zhǎng)基板的材料為厚度約200 400 μ m的 藍(lán)寶石,化學(xué)研磨液包含具化學(xué)反應(yīng)性的化學(xué)研磨顆粒,例如Silica(硅土)膠體,分布于 KOH溶液中,并于研磨中與藍(lán)寶石反應(yīng)產(chǎn)生Al2Si2O7而被磨除。在一實(shí)施例中,膠體尺寸可 選擇直徑0. 1 μ m以下,以得到光滑的表面;于另一實(shí)施例,膠體尺寸可選擇直徑0. 1 μ m至 Iym之間,以得到與發(fā)光波長(zhǎng)相近尺寸的漫射面。為達(dá)到兼具研磨效率及維持良好的均勻 度,并避免過(guò)度研磨而損壞半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)12,于研磨初期使用研磨速率較快的研磨方式, 例如使用傳統(tǒng)機(jī)械研磨設(shè)備,以純機(jī)械研磨方式快速研磨基板至接近目標(biāo)值,例如研磨速 率約為100 μ m/hr,將藍(lán)寶石基板快速研磨至約60 μ m(目標(biāo)值為20 μ m),再使用化學(xué)機(jī)械 拋光設(shè)備,以化學(xué)機(jī)械拋光方式研磨,以提高研磨均勻度及精準(zhǔn)度,例如以直徑約1 μ m的 Silica膠體研磨,研磨速率約為60 μ m/hr。此外,若欲完全研磨去除生長(zhǎng)基板(如本發(fā)明 圖4的實(shí)施例),并停止于半導(dǎo)體緩沖層112上,半導(dǎo)體緩沖層112的材料可選用對(duì)Silica 無(wú)化學(xué)反應(yīng)性或化學(xué)反應(yīng)性差的材料,例如為氮化鎵(feN)為主的材料,以作為去除藍(lán)寶 石基板的停止層,并使用較細(xì)小的膠體研磨,例如直徑約0. 1 μ m的Silica膠體,以提高藍(lán) 寶石基板對(duì)半導(dǎo)體緩沖層112的選擇比(藍(lán)寶石基板的研磨速率與半導(dǎo)體緩沖層112的研 磨速率的比值),其對(duì)藍(lán)寶石的研磨速率約為6 μ m/hr ;對(duì)具有GaN半導(dǎo)體緩沖層112的研 磨速率約為1 μ m/hr ;藍(lán)寶石基板對(duì)GaN半導(dǎo)體緩沖層112的選擇比約為6。于步驟9的中間層141為粘著層用以粘著載體13及薄化基板111 ;粘著層141可 為有機(jī)粘著層或金屬粘著層。于另一實(shí)施例,中間層141為電鍍籽晶層,且載體13電鍍形 成于此電鍍籽晶層上,電鍍形成的載體13的材料包含電鍍銅;中間層141更可包含擴(kuò)散阻 絕層形成于反射層142及所述的電鍍籽晶層之間,以抑制反射層142與載體13的交互擴(kuò)散 而影響材料特性。圖6A至6C揭示關(guān)于步驟2或步驟5的激光光照射形成溝道的裝置及方法。如圖 6A所示為傳統(tǒng)量測(cè)膜厚的橢圓偏光儀6的示意圖包含待測(cè)疊層結(jié)構(gòu)包含第一材料61及第 二材料62、激光63、激光接收器64、以及數(shù)據(jù)運(yùn)算處理裝置65,用以于形成溝道前量測(cè)第一 材料61及第二材料62的膜厚。請(qǐng)同時(shí)參考圖6B及圖6C揭示依本發(fā)明形成溝道的方法, 包括以下步驟1.提供疊層結(jié)構(gòu)包含第一材料層61 (例如為GaN、或如圖2C的121及112)及第 二材料層62 (例如為Sapphire或如圖2C的111);2.測(cè)得第一材料層61的膜厚值Tl,以及第二材料層62的膜厚值T2 ;3.使用激光66以第一激光參數(shù)組合移除照射于第一材料層61的第一照射區(qū)域使 形成接近Tl深度的溝道,以裸露出第二材料層62 ;以及4.以第二激光參數(shù)組合,于前一步驟中所形成的溝道,移除照射于第二材料層62 的第二照射區(qū)域,使形成接近(T1+T3)深度的溝道,其中T3 ^ T2。前述的第一及第二激光參數(shù)組合包含激光種類、強(qiáng)度、脈沖周期tpulse、脈沖時(shí)間寬 度W等參數(shù)設(shè)定,以調(diào)整激光光照射的強(qiáng)度及照射時(shí)間,以控制移除的深度及移除效率。本發(fā)明所列舉的各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明,并非用以限制本發(fā)明的范圍。任何 人對(duì)本發(fā)明所作的任何顯而易知的修飾或變更皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件,包含 一載體;一半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu),形成于該載體上;一導(dǎo)電通道,延伸至該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的一深度;一第一導(dǎo)線墊,透過(guò)該導(dǎo)電通道與該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)電性連接;以及一第二導(dǎo)線墊,電性連接該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,還包含一歐姆接觸層,形成于該導(dǎo)電通道與該半導(dǎo) 體發(fā)光結(jié)構(gòu)之間。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,還包含一中間層,形成在該導(dǎo)電通道及該載體之間。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件,還包含一反射層,形成在該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及該中 間層之間。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該導(dǎo)電通道形成于該載體上且該導(dǎo)電通道與該 第一導(dǎo)線墊形成于該載體的同一側(cè)。
6.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件,包含 一載體;一半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu),形成于該載體上;一傳導(dǎo)通道,延伸至該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的一深度,電性連接該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及該載體;一第一導(dǎo)線墊,電性連接該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu);以及 一第二導(dǎo)線墊,電性連接該載體;其中,該第一導(dǎo)線墊及第二導(dǎo)線墊分別形成于該載體的相異側(cè)。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件,還包含一中間層,形成于該傳導(dǎo)通道及該載體之間。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件,其中該傳導(dǎo)通道與該中間層具有相同材質(zhì)。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件,還包含一反射層,形成在該半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及該中 間層之間。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件,其中該傳導(dǎo)通道穿透該反射層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種具有薄化結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件及其制造方法。該發(fā)光元件包含半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)、載體及薄化結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及載體之間。其制造方法包括以下步驟形成多層半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)于基板上;貼合該多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至支撐體;薄化該基板以形成薄化結(jié)構(gòu);形成或接合載體至該薄化結(jié)構(gòu);以及移除該支撐體。
文檔編號(hào)H01L33/14GK102136537SQ201110044028
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2008年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月28日
發(fā)明者葉瑞鴻, 呂志強(qiáng), 吳俊毅, 彭韋智, 洪世欽, 涂育維, 王健源, 謝明勛, 陳彥文 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司
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