專利名稱：形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例涉及一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件變得較小，對具有精細(xì)圖案的半導(dǎo)體器件的需求持續(xù)增加。然而， 利用光刻將半導(dǎo)體器件圖案化在曝光設(shè)備的分辨率方面有著局限性。因此，要實現(xiàn)更為精細(xì)的圖案的形成會相當(dāng)困難。

發(fā)明內(nèi)容
實施例旨在提供一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法?？梢酝ㄟ^提供一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法來實現(xiàn)上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一種，所述方法包括以下步驟提供可圖案化層；在可圖案化層上形成多個第一光致抗蝕劑層圖案；在可圖案化層和多個第一光致抗蝕層圖案上形成界面層；在界面層上形成平坦化層；在平坦化層上形成多個第二光致抗蝕劑層圖案；利用多個第二光致抗蝕劑層圖案形成多個平坦化層圖案；利用多個平坦化層圖案和多個第一光致抗蝕劑層圖案形成多個層圖案。形成界面層的步驟可以包括在可圖案化層和多個第一光致抗蝕劑層圖案上共形地形成界面層。共形地形成界面層的步驟可以包括ALD (原子層沉積)或LTO (低溫氧化物)沉積。界面層可以具有大約5A至大約50人的厚度。界面層可以包括硅膜、氧化物膜、氮化物膜、金屬膜和它們的組合中的至少一種。平坦化層可以包含有機(jī)材料。有機(jī)材料可以包括SOH、SO和NFC中的至少一種。在界面層上形成平坦化層的步驟可以包括形成所述平坦化層，使得從可圖案化層的頂表面到平坦化層的頂表面的高度大于從可圖案化層的頂表面到界面層的位于第一光致抗蝕劑層圖案上的部分的頂表面的高度。相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案之間的間隔可以大約等于相鄰的第二光致抗蝕劑層圖案之間的間隔。平坦化層圖案之一和與其相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案之間的間隔可以小于相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案之間的間隔或者小于相鄰的第二光致抗蝕劑層圖案之間的間隔。利用多個第二光致抗蝕劑層圖案形成多個平坦化層圖案的步驟可以包括利用所述多個第二光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模來蝕刻平坦化層。利用多個平坦化層圖案和多個第一光致抗蝕劑層圖案形成多個層圖案的步驟可以包括利用多個平坦化層圖案和多個第一光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模來形成可圖案化層。
還可以通過提供一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法來實現(xiàn)上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一種，所述方法包括以下步驟形成具有底部和側(cè)壁的腔，其中，由下覆材料形成所述底部，并通過偶數(shù)列蝕刻掩模來形成所述側(cè)壁；在腔內(nèi)并且在偶數(shù)列蝕刻掩模的表面上形成抗反應(yīng)層；用奇數(shù)列蝕刻掩模層填充內(nèi)部有抗反應(yīng)層的腔；在奇數(shù)列蝕刻掩模層上形成輔助掩模；利用輔助掩模蝕刻奇數(shù)列蝕刻掩模層來形成奇數(shù)列蝕刻掩模；利用偶數(shù)列蝕刻掩模和奇數(shù)列蝕刻掩模來蝕刻下覆材料。抗反應(yīng)層可以防止偶數(shù)列蝕刻掩模在形成奇數(shù)列蝕刻掩模的過程中被蝕刻。形成抗反應(yīng)層的步驟可以包括在腔內(nèi)并且在偶數(shù)列蝕刻掩模的表面上共形地形成所述抗反應(yīng)層?？狗磻?yīng)層可以具有大約5 A至大約50A的厚度?？狗磻?yīng)層可以包括硅膜、氧化物膜、氮化物膜、金屬膜和它們的組合中的至少一種。 奇數(shù)列蝕刻掩?？梢园袡C(jī)材料，所述有機(jī)材料包括SOH、SO和NFC中的至少一種。用奇數(shù)列蝕刻掩模層填充腔的步驟可以包括形成奇數(shù)列蝕刻掩模層，使得從腔的底部到奇數(shù)列蝕刻掩模層的頂表面的高度大約等于從腔的底部到抗反應(yīng)層的位于偶數(shù)列蝕刻掩模上的部分的頂表面的高度。還可以通過提供一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法來實現(xiàn)上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一種，所述方法包括以下步驟提供可圖案化層；在可圖案化層上形成多個第一光致抗蝕層圖案；利用ALD(原子層沉積)或LTO(低溫氧化物)沉積在可圖案化層上并且在多個第一光致抗蝕劑層圖案上共形地形成厚度為大約5A至大約50A的界面層；在界面層上形成平坦化層，使得平坦化層包括含有SOH、SO和NFC中的至少一種的有機(jī)材料； 在平坦化層上形成多個第二光致抗蝕劑層圖案；利用多個第二光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模蝕刻多個平坦化層來形成多個平坦化層圖案；利用多個平坦化層圖案和多個第一光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模蝕刻可圖案化層來形成多個層圖案。


通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性實施例，上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將變得更加清楚，在附圖中圖1示出了根據(jù)實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法的流程圖；圖2至圖7示出了根據(jù)實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法中的各階段的剖視圖；圖8和圖9示出了根據(jù)另一實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法中的各階段的剖視圖。
具體實施例方式于2010年2月12日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2010-0013582號、題目為 "Method for Forming Fine Patterns of Semiconductor Device (形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法)”的韓國專利申請，其全部內(nèi)容通過引用包含于此。
現(xiàn)在，將在下文中將參照附圖來更充分地描述示例實施例；然而，這些示例實施例可以以不同的形式來實施，而不應(yīng)被解釋為局限于在這里提出的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完全的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了圖示的清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層或元件被稱作“在”另一層或基底“上”時，該層或元件可以直接在另一層或基底上，或者也可以存在中間層。此外，應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作“在”另一層“下”時，該層可以直接在另一層下，或者也可以存在一個或多個中間層。此外，還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作“在”兩個層之間時，該層可以是這兩層之間唯一的層，或者也可以存在一個或多個中間層。相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列項目的任意組合和所有組合。這里使用的術(shù)語僅為了描述特定實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解的是， 當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/ 或它們的組。應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二等來描述不同的元件，但是這些元件并不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件與另一元件區(qū)分開來。因此， 在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，例如，下面討論的第一元件、第一組件或第一部分可被命名為第二元件、第二組件或第二部分。在此參照作為理想實施例的示意性圖示的剖視圖來描述示例性實施例。這樣，預(yù)計出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀變化。因此，實施例不應(yīng)該被理解為限制于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而是要包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域典型地可以具有粗糙的和/或非線性的特征。另外，示出的銳角可以被倒圓。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出區(qū)域的精確形狀，并且不意圖限制實施例的范圍。除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。應(yīng)該進(jìn)一步理解的是，除非這里明確定義，否則術(shù)語例如在通用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文和本公開中它們的意思相同的意思，而不是理想地或者過于正式地解釋它們的意 )思ο在下文中，將參照圖1至圖7來描述根據(jù)實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法。圖1示出了根據(jù)實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法的流程圖。圖2至圖 7示出了根據(jù)實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法中的各階段的剖視圖。參照圖1，可以在將要被圖案化的層或可圖案化層(patternable layer)上形成多個第一光致抗蝕劑層圖案(SlOO)。參照圖2，可以在可圖案化層100上涂覆第一光致抗蝕劑層(未示出)；可以執(zhí)行圖案化工藝，從而形成多個第一光致抗蝕劑層圖案110。例如，可以通過涂覆工藝然后進(jìn)行預(yù)焙燒工藝，在可圖案化層100上涂覆第一光致抗蝕劑層(未示出)。然后，可以對第一光致抗蝕劑層執(zhí)行包括曝光和顯示的連續(xù)步驟的圖案化工藝，從而形成多個第一光致抗蝕劑層圖案110。可圖案化層100可以包含將要制成精細(xì)圖案的下覆材料(imderlyingmaterial)；第一光致抗蝕劑層圖案110可以形成將要用于形成下覆材料的精細(xì)圖案中的偶數(shù)列圖案的偶數(shù)(例如，第2η)列蝕刻掩模。接下來，參照圖1，可以在可圖案化層和多個第一光致抗蝕劑層圖案上形成界面層(SllO)。參照圖3，可以在可圖案化層100和多個第一光致抗蝕劑層圖案110上共形地 (conformally)地形成界面層120。例如，可以利用ALD(原子層沉積)或LTO(低溫氧化物)沉積在可圖案化層100 和多個第一光致抗蝕劑層圖案110上共形地形成包括硅膜、氧化物膜、氮化物膜、金屬膜和它們的組合中的至少一種的界面層120。界面層120可以防止第一光致抗蝕劑層圖案110 與將要在后續(xù)工藝中形成的平坦化層(圖6中的13 —起被蝕刻。例如，界面層120可以 M-OiJxJMM (anti-reactivelayer)。界面層120可以具有大約5人至大約50A的厚度。將界面層120的厚度保持在大約5A或更大可以有助于確保界面層120完全起到抗反應(yīng)層的作用。將界面層120的保持在50人或者更小可以有助于確保界面層120能夠在隨后的階段(在該階段，在可圖案化層 100上將要形成精細(xì)圖案)中被有效地蝕刻。再次參照圖1，可以在界面層上形成平坦化層(S120)。參照圖4，可以在界面層120 上形成包含有機(jī)材料的平坦化層130。在一個實施方案中，平坦化層130可以是包含例如 SOH、SO和/或NFC的有機(jī)平坦化層。如圖4所示，可以這樣形成平坦化層130，S卩，從可圖案化層100的頂表面到平坦化層130的頂表面的高度大于從可圖案化層100的頂表面到界面層120的位于第一光致抗蝕劑層圖案110上的部分的頂表面的高度。可以對平坦化層130進(jìn)行蝕刻，然后使其在隨后的工藝中用作奇數(shù)(例如，第On+1))列蝕刻掩模(圖6中的135)。因此，平坦化層130 可以形成奇數(shù)列蝕刻掩模層。再次參照圖1，可以在平坦化層130上形成多個第二光致抗蝕劑層圖案(S130)。參照圖5，可以在平坦化層130上涂覆第二光致抗蝕劑層(未示出)，并將該第二光致抗蝕劑層圖案化，從而形成多個第二光致抗蝕劑層圖案140。例如，可以通過涂覆方法然后進(jìn)行預(yù)焙燒工藝在平坦化層130上涂覆第二光致抗蝕劑層。然后，可以對第二光致抗蝕劑層執(zhí)行包括例如曝光和顯影的連續(xù)步驟的圖案化工藝，從而形成多個第二光致抗蝕劑層圖案140。第二光致抗蝕劑層圖案140可以形成將要用于圖案化奇數(shù)列蝕刻掩模(圖6中的135)的輔助掩模。在一個實施方案中，相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案110之間的間隔Wl可以大約等于相鄰的第二光致抗蝕劑層圖案140之間的間隔W2?？梢栽谙噜彽牡谝还庵驴刮g劑層圖案110之間形成第二光致抗蝕劑層圖案140，以不與第一光致抗蝕劑層圖案110疊置，如圖 5所示。再次參照圖1，可以利用多個第二光致抗蝕劑層圖案形成多個平坦化層圖案 (S140)。參照圖5和圖6，可以利用多個第二光致抗蝕劑層圖案140作為蝕刻掩模來蝕刻平坦化層130，從而形成多個平坦化層圖案135。如上所述，平坦化層圖案135可以形成用于圖案化可圖案化層100(作為下覆材料)的精細(xì)圖案中的奇數(shù)列圖案的奇數(shù)(例如，第On+1))列蝕刻掩模。參照圖6，在一個實施方案中，一個平坦化層圖案135和與這個平坦化層圖案135 相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案110之間的間隔W3可以小于相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案 110之間的間隔Wl和/或相鄰的第二光致抗蝕劑層圖案140之間的間隔WZ0再次參照圖1，可以利用多個平坦化層圖案和多個第一光致抗蝕劑層圖案形成多個層圖案(S150)。參照圖6和圖7，可以利用多個平坦化層圖案135和多個第一光致抗蝕劑層圖案110作為蝕刻掩模來蝕刻可圖案化層100，從而形成層圖案105。在一個實施方案中，相鄰的層圖案105之間的間隔W3可以大約等于所述平坦化層圖案135與所述相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案110之間的間隔W3。例如，與傳統(tǒng)的單獨(dú)形成第一光致抗蝕劑層圖案110和第二光致抗蝕劑層圖案140的精細(xì)圖案形成方法相比，在根據(jù)當(dāng)前實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法中，可以形成具有更高可靠性的半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案。接下來，將參照圖8和圖9描述根據(jù)另一實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法。圖8和圖9示出了根據(jù)另一實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法中的各階段的剖視圖。在下面的描述中，將參照圖8和圖9來描述根據(jù)本實施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，其與前一實施例具有相似的特征，并將省略重復(fù)的描述。首先參照圖8，可以形成具有底部和側(cè)壁的腔(cavity) 125?？梢酝ㄟ^可圖案化層 100或下覆材料來形成底部；可以通過第一光致抗蝕劑層圖案110或偶數(shù)列蝕刻掩模來形成側(cè)壁。然后，可以在腔125內(nèi)并且在第一光致抗蝕劑層圖案110的表面上形成界面層或抗反應(yīng)層120。如上所述，可圖案化層100可以是下覆材料，第一光致抗蝕劑層圖案110可以形成偶數(shù)(例如，第2η)列蝕刻掩模，界面層120可以是抗反應(yīng)層。接下來，參照圖9，可以用平坦化層130填充其內(nèi)形成有界面層120的腔125。在根據(jù)本實施例的方法中，從可圖案化層100的頂表面(即，腔的底部)到平坦化層130的頂表面(即，偶數(shù)列蝕刻掩模的頂表面)的高度Η2可以大約等于從可圖案化層100的頂表面 (即，腔的底部)到界面層或抗反應(yīng)層120的位于第一光致抗蝕劑層圖案110上的部分的頂表面的高度HI。與前一實施例一樣，平坦化層130可以形成奇數(shù)(例如，第On+1))列蝕刻掩模層；將要形成的平坦化層圖案135可以形成奇數(shù)(例如，第On+1))列蝕刻掩模。該方法的其他方面可以與前一實施例的其他方面基本相同，因而將省略對它們重復(fù)的詳細(xì)描述。實施例提供了一種形成可靠性增大的半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法。已經(jīng)在此公開了示例性實施例，雖然采用了特定術(shù)語，但是僅僅是在普通和描述性的意義上，而不是出于局限的目的來使用和解釋這些術(shù)語，因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不脫離由權(quán)利要求書所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，所述方法包括以下步驟 提供可圖案化層；在所述可圖案化層上形成多個第一光致抗蝕劑層圖案；在所述可圖案化層和所述多個第一光致抗蝕層圖案上形成界面層；在所述界面層上形成平坦化層；在所述平坦化層上形成多個第二光致抗蝕劑層圖案；利用所述多個第二光致抗蝕劑層圖案形成多個平坦化層圖案；利用所述多個平坦化層圖案和所述多個第一光致抗蝕劑層圖案形成多個層圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成界面層的步驟包括在所述可圖案化層和所述多個第一光致抗蝕劑層圖案上共形地形成所述界面層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，共形地形成所述界面層的步驟包括原子層沉積或低溫氧化物沉積。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述界面層具有5入至50A的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述界面層包括硅膜、氧化物膜、氮化物膜、金屬膜和它們的組合中的至少一種。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述平坦化層包含有機(jī)材料。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述有機(jī)材料包括SOH、SO和NFC中的至少一種。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述界面層上形成平坦化層的步驟包括形成所述平坦化層，使得從所述可圖案化層的頂表面到所述平坦化層的頂表面的高度大于從所述可圖案化層的所述頂表面到所述界面層的位于所述第一光致抗蝕劑層圖案上的部分的頂表面的高度。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案之間的間隔大約等于相鄰的第二光致抗蝕劑層圖案之間的間隔。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述平坦化層圖案之一和與其相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案之間的間隔小于相鄰的第一光致抗蝕劑層圖案之間的間隔或者小于相鄰的第二光致抗蝕劑層圖案之間的間隔。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用所述多個第二光致抗蝕劑層圖案形成多個平坦化層圖案的步驟包括利用所述多個第二光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模來蝕刻所述平坦化層。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用所述多個平坦化層圖案和所述多個第一光致抗蝕劑層圖案形成多個層圖案的步驟包括利用所述多個平坦化層圖案和所述多個第一光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模來形成所述可圖案化層。
13.一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，所述方法包括以下步驟形成具有底部和側(cè)壁的腔，其中，由下覆材料形成所述底部，并通過偶數(shù)列蝕刻掩模來形成所述側(cè)壁；在所述腔內(nèi)并且在所述偶數(shù)列蝕刻掩模的表面上形成抗反應(yīng)層； 用奇數(shù)列蝕刻掩模層填充內(nèi)部有所述抗反應(yīng)層的所述腔； 在所述奇數(shù)列蝕刻掩模層上形成輔助掩模；利用所述輔助掩模蝕刻所述奇數(shù)列蝕刻掩模層來形成奇數(shù)列蝕刻掩模；利用所述偶數(shù)列蝕刻掩模和所述奇數(shù)列蝕刻掩模來蝕刻所述下覆材料。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述抗反應(yīng)層防止所述偶數(shù)列蝕刻掩模在形成奇數(shù)列蝕刻掩模的過程中被蝕刻。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述形成抗反應(yīng)層的步驟包括在所述腔內(nèi)并且在所述偶數(shù)列蝕刻掩模的表面上共形地形成所述抗反應(yīng)層。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述抗反應(yīng)層具有5入至50A的厚度。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述抗反應(yīng)層包括硅膜、氧化物膜、氮化物膜、金屬膜和它們的組合中的至少一種。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述奇數(shù)列蝕刻掩模包含有機(jī)材料，所述有機(jī)材料包括SOH、SO和NFC中的至少一種。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，用奇數(shù)列蝕刻掩模層填充所述腔的步驟包括形成所述奇數(shù)列蝕刻掩模層，使得從所述腔的所述底部到所述奇數(shù)列蝕刻掩模層的頂表面的高度大約等于從所述腔的所述底部到所述抗反應(yīng)層的位于所述偶數(shù)列蝕刻掩模上的部分的頂表面的高度。
20.一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，所述方法包括以下步驟提供可圖案化層；在所述可圖案化層上形成多個第一光致抗蝕層圖案；利用原子層沉積或低溫氧化物沉積在所述可圖案化層上并且在所述多個第一光致抗蝕劑層圖案上共形地形成厚度為5A至50A的界面層；在所述界面層上形成平坦化層，使得所述平坦化層包括含有SOH、SO和NFC中的至少一種的有機(jī)材料；在所述平坦化層上形成多個第二光致抗蝕劑層圖案；利用所述多個第二光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述多個平坦化層來形成多個平坦化層圖案；利用所述多個平坦化層圖案和所述多個第一光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述可圖案化層來形成多個層圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，所述方法包括以下步驟提供可圖案化層；在可圖案化層上形成多個第一光致抗蝕劑層圖案；在可圖案化層和多個第一光致抗蝕層圖案上形成界面層；在界面層上形成平坦化層；在平坦化層上形成多個第二光致抗蝕劑層圖案；利用多個第二光致抗蝕劑層圖案形成多個平坦化層圖案；利用多個平坦化層圖案和多個第一光致抗蝕劑層圖案形成多個層圖案。
文檔編號H01L21/02GK102169825SQ20111003645
公開日2011年8月31日 申請日期2011年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者全祐撤, 南瑞祐, 吳憐默, 張鐘光, 李周范, 李命柱 申請人:三星電子株式會社