專利名稱：形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，更具體地，涉及一種形成 半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，依照該方法精細(xì)圖案通過采用雙圖案化工藝以精細(xì)節(jié)距 (fine pitch)的間隔重復(fù)形成，從而克服現(xiàn)有曝光設(shè)備的分辨率限制。
背景技術(shù)：
在高度集成的半導(dǎo)體器件的制造中形成精細(xì)圖案是重要的。為了在小的區(qū)域內(nèi)集 成許多元件，單個元件的尺寸應(yīng)最小化。此外，為了形成小的元件，與將要形成的每個圖案 的寬度之和相對應(yīng)的節(jié)距以及相鄰圖案之間的間隔應(yīng)設(shè)計(jì)為是小的。而且，隨著近來半導(dǎo) 體器件的設(shè)計(jì)規(guī)則的縮小，由于用于形成制造半導(dǎo)體器件所需的圖案的光刻中的分辨率限 制，所以會存在對形成期望的精細(xì)節(jié)距的圖案的限制。為克服光刻工藝中的分辨率限制，已 經(jīng)提出了一些通過使用雙圖案化工藝形成具有精細(xì)節(jié)距的精細(xì)硬掩模圖案的方法。但是， 由于根據(jù)雙圖案化工藝的沉積和刻蝕工藝是在具有高深寬比和小寬度的精細(xì)開口(fine aperture)中進(jìn)行的，所以工藝復(fù)雜且制造成本高。因此，本領(lǐng)域中需要一種不需要使用昂貴的沉積設(shè)備的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖 案的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供一種利用雙圖案化工藝形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案 的方法，利用該方法，刻蝕掩模圖案通過利用化學(xué)反應(yīng)而無需使用昂貴的沉積設(shè)備在預(yù)定 區(qū)域內(nèi)以雙倍密度形成。根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法。該 方法包括在襯底上沿平行于襯底主表面的方向形成多個第一掩模圖案，使得多個第一掩 模圖案由位于其間的空間彼此分隔開；在多個第一掩模圖案的側(cè)壁和頂表面上形成多個蓋 膜(capping film)，該蓋膜由在溶劑中具有第一溶解度的第一材料形成。該方法還包括 形成由在溶劑中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模層，以便填充位于多個第一掩 模圖案之間的空間，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成多個第二掩模圖案，該多個 第二掩模圖案對應(yīng)于第二掩模層的的剩余部分，在利用溶劑去除多個蓋膜和一部分第二掩 模層之后該剩余部分保留在位于多個第一掩模圖案之間的空間中。多個蓋膜可以由包括具有氮原子的雜環(huán)化合物(heterocyclic compound)的材料 形成。多個蓋膜可以在多個蓋膜的形成過程中通過暴露在多個第一掩模圖案表面的氫原子 與多個蓋膜的氮原子之間的離子鍵附著到多個第一掩模圖案的表面。溶劑可以是堿性水溶液。第二掩模層可形成為填充位于多個第一掩模圖案之間的空間且完全覆蓋形成在 多個第一掩模圖案的上部的多個蓋膜。該方法還包括在去除多個蓋膜之前，利用溶劑去除第二掩模層的覆蓋形成在多個第一掩模圖案的上部的多個蓋膜的部分直到暴露多個蓋膜。第二掩模層可形成為僅填充位于多個第一掩模圖案之間的空間使得在形成第二 掩模層之后多個蓋膜在多個第一掩模圖案的上部暴露。該方法還包括通過去除與第二掩模層的剩余部分相對應(yīng)的多個第二掩模圖案的 部分來減小多個第二掩模圖案中的每個的寬度，其中第二掩模層的剩余部分是在形成多個 第二掩模圖案的過程中去除多個蓋膜之后保留在空間中的部分?？墒褂萌軇p小多個第二 掩模圖案的每個的寬度。該方法還可包括在形成多個蓋膜之前硬化多個第一掩模圖案，以使多個第一掩模 圖案不溶于有機(jī)溶劑。


根據(jù)下面的結(jié)合附圖的具體描述，將更具體地理解本發(fā)明的示范 性實(shí)施例，附圖 中圖IA到IH是用于描述根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的 方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。但 是，本發(fā)明可以以許多不同的方式實(shí)施，且不應(yīng)解釋為限于在此闡明的示范性實(shí)施例。在附 圖中，為了清楚起見夸大了層和區(qū)域的厚度。附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。圖IA到IH是用于描述根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的 方法的截面圖。參考圖1A，要被刻蝕的膜110 (to-be-etched film)形成在襯底110上，多個第一 掩模圖案120形成在要被刻蝕的膜110上。多個第一掩模圖案120在與襯底100的主表面平行的方向上由空間Sl彼此相等 地分隔開。例如，多個第一掩模圖案120可以以第一節(jié)距2P為間隔重復(fù)地形成，其中第一節(jié) 距2P是將要形成在要被刻蝕的膜110上(將要由要被刻蝕的膜110形成)的多個精細(xì)圖 案的節(jié)距P的兩倍大。每個第一掩模圖案120的寬度WMl可等于將要形成在要被刻蝕的膜 110上的每個精細(xì)圖案的寬度。每個第一掩模圖案120的寬度WMl也可小于或大于將要形 成在要被刻蝕的膜110上的每個精細(xì)圖案的寬度。襯底100可以是例如硅襯底。要被刻蝕的膜110可以根據(jù)將要形成在要被刻蝕的膜110上的精細(xì)圖案的用途由 任何材料形成。如果柵電極形成在襯底100上，則要被刻蝕的膜110可以是導(dǎo)電層，例如，摻雜多 晶硅層或包括摻雜多晶硅層和金屬硅化物層的層疊結(jié)構(gòu)。如果位線形成在襯底100上，則 要被刻蝕的膜110可由金屬例如鎢或鋁形成?？蛇x地，要被刻蝕的膜110可以是，例如，在 金屬鑲嵌方法(damascene method)中用作模層(mold layer)的絕緣膜。如果最終要形成 的精細(xì)圖案是通過刻蝕襯底100形成的，則可以不形成要被刻蝕的膜110。例如，如果通過使用根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的方法在襯底100中定義有源區(qū)，則可以不形成要被刻蝕的 膜110。在某些情況下，在第一掩模圖案120形成在要被刻蝕的膜110上之前，由例如有機(jī) 材料、無機(jī)材料或其組合形成的抗反射層可進(jìn)一步形成在要被刻蝕的膜110上。 第一掩模圖案120可由，例如，有機(jī)材料形成。例如，第一掩模圖案120可以是由 常規(guī)抗蝕劑組合物形成的抗蝕劑圖案。為了形成第一掩模圖案120，例如，抗蝕劑膜可以通 過用光致抗蝕劑材料涂覆要被刻蝕的膜110的頂表面而形成，然后，抗蝕劑膜可根據(jù)典型 的光刻工藝經(jīng)過曝光和顯影從而形成具有暴露要被刻蝕的膜110的頂表面的部分的開口 的抗蝕劑圖案。該部分可具有預(yù)定的寬度，例如，空間Sl的寬度。例如，第一掩模圖案120可由包括光生酸劑(PAG)的正性化學(xué)放大型抗蝕劑組合 物形成。在這點(diǎn)上，第一掩模圖案120可由，例如，用于KrF受激準(zhǔn)分子激光器(248nm)的 抗蝕劑組合物、用于ArF受激準(zhǔn)分子激光器(193nm)的抗蝕劑組合物或用于EUV(13. 5nm) 的抗蝕劑組合物形成?？蛇x地，第一掩模圖案120可由，例如，負(fù)性抗蝕劑組合物形成。參考圖1B，第一掩模圖案120可經(jīng)歷硬化122。硬化122可通過，例如，熱處理、Ar 等離子體處理或HBr等離子體處理進(jìn)行。如果熱處理用于硬化第一掩模圖案120，則其上 形成有第一掩模圖案120的所得到的(resultant)襯底在例如約50°C至約200°C的溫度范 圍內(nèi)熱處理約幾秒鐘到約幾分鐘，例如，1分鐘。如果HBr等離子體處理用于硬化第一掩模 圖案120，則通過將其上形成有第一掩模圖案120的得到的襯底100加載到等離子體處理 室的靜電卡盤上、引入HBr氣體到等離子體處理室并施加功率到該室而產(chǎn)生等離子體。如 果需要，約IOW至約2000W的電源施加到等離子體處理室的上電極，且約OW的偏壓電源施 加到等離子體處理室內(nèi)的靜電卡盤，以在等離子體處理室中產(chǎn)生HBr等離子體。選自由例 如H2、N2和CxHy(其中χ和y是從1到10的整數(shù))組成的組中的至少一種氣體也可引入到 等離子體處理室。在HBr等離子體處理工藝中可產(chǎn)生少量的UV曝光或熱。此外，各種活性 物質(zhì)，例如，離子和基團(tuán)(radical)可在等離子體處理工藝中附帶地產(chǎn)生。這些附帶能量或 活性物質(zhì)(reactive species)可硬化第一掩模圖案120到硬化122不影響第一掩模圖案 120的線寬的程度。執(zhí)行硬化122以防止當(dāng)?shù)谝谎谀D案120暴露于有機(jī)溶劑時第一掩模圖案120在 后續(xù)工藝中溶解在有機(jī)溶劑中以及與相鄰的層混和。由于硬化122，第一掩模圖案120可在 有機(jī)溶劑例如丙二醇甲醚醋酸鹽(PGMEA，propyleneglycol methyl ether acetate)、乳酸 乙酯(EL)和環(huán)己酮中具有不溶性。如果第一掩模圖案120在后續(xù)工藝中不暴露于有機(jī)溶劑，則可不執(zhí)行圖IB所示的 第一掩模圖案120的硬化122。參考圖1C，多個蓋膜(capping film) 130分別形成在多個第一掩模圖案120的側(cè)
壁和頂表面上。蓋膜130可由例如親水有機(jī)化合物形成。此外，蓋膜130可由例如具有氮原子的 雜環(huán)化合物或包括具有氮原子的雜環(huán)化合物取代基的聚合物形成。例如，蓋膜130可包括 吡咯酮基聚合物(pyrrolidone-based polymer) 0蓋膜130可由例如水溶性聚合物形成。 所述水溶性聚合物可以是，例如，包括吡咯酮基第一重復(fù)單元和具有不同于吡咯酮基第一 重復(fù)單元的結(jié)構(gòu)的第二重復(fù)單元的共聚物。第二重復(fù)單元可包括，例如，選自由丙烯酰胺 (acrylamide)型單體單元、乙烯基(vinyl)型單體單元、亞烷基乙二醇(akylene glycol)型單體單元、順丁烯二酸酐(maleic anhydride)單體單元、乙烯亞胺(ethyleneimine)單 體單元、包括噁唑啉(oxazoline)基團(tuán)的單體單元、丙烯腈(acrylonitrile)單體單元、烯 丙基酰胺(allylamide)單體單元、3，4_ 二氫吡喃(3，4-dihydropyran)單體單元和2，3-二 氫呋喃(2，3-dihydrofuran)單體單元組成的組中的至少一種單體單元。例如，蓋膜130可通過在第一掩模圖案120上涂覆包括水溶性聚合物和去離子水 的蓋組合物并且通過在約25°C至約180°C的溫度范圍內(nèi)烘焙產(chǎn)物(the resultant)約20 秒到約180秒將水溶性聚合物附著到第一掩模圖案120暴露的表面上而形成(其中水溶性 聚合物包括具有氮原子的雜環(huán)化合物)。蓋膜130形成后，可通過使用例如去離子水的清洗 工藝去除殘留在蓋膜130表面上的殘留物。蓋膜130也可通過例如在第一掩模圖案120上 旋涂包括R-607和去離子水的蓋組合物，并且通過在約140°C至約150°C的溫度范圍內(nèi)烘焙 產(chǎn)生物約1分鐘將R-607附著到第一掩模圖案120暴露的表面上而形成，其中，R-607是AZ Electronic Materials生產(chǎn)的化學(xué)收縮輔助分辨率增強(qiáng)光刻(Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink，RELCAS )。然后，可通過使用例如去離子水 的清洗工藝去除殘留在蓋膜130表面上的殘留物。蓋膜130的厚度可根據(jù)期望的圖案的寬度而變化。例如，當(dāng)從側(cè)面觀察時，每個蓋 膜130的寬度WCl可設(shè)計(jì)為是每個第一掩模圖案120的寬度WMl的一半或比每個第一掩模 圖案120的寬度WMl更小。如果用于形成蓋膜130的水合物(aqueous composition)包括具有氮原子的雜環(huán) 化合物，則通過包括在雜環(huán)化合物中的氮原子與暴露在第一掩模圖案120表面上的氫原子 之間的離子鍵，雜環(huán)化合物可附著到第一掩模圖案120的表面而形成蓋膜130。蓋膜130還可包括，例如，生酸劑(acid generator)。生酸劑可以是例如熱生酸劑 (TAG)的潛在酸(potential acid)或酸?？梢杂酶鞣N酸，并且酸的類型不受限制。例如，可 使用諸如CH3SO3H的磺酸。包括在蓋膜130里的生酸劑可以，例如，擴(kuò)散入在后續(xù)的工藝中 形成在蓋膜130之間的空間S 1中的第二掩模層140(圖1D)且用于控制第二掩模層140 的寬度，后面將更具體地描述。參考圖1D，填充要被刻蝕的膜110上的空間Sl的第二掩模層140形成在蓋膜130上。第二掩模層140可由，例如，抗蝕劑組合物形成。在這點(diǎn)上，形成第二掩模層140 的抗蝕劑組合物可以是正性或負(fù)性的化學(xué)放大抗蝕劑組合物。例如，第二掩模層140可由 用于KrF受激準(zhǔn)分子激光器(248nm)的抗蝕劑組合物、用于ArF受激準(zhǔn)分子激光器(193nm) 的抗蝕劑組合物或用于EUV(13.5nm)的抗蝕劑組合物形成。由于第二掩模層140在后續(xù)工 藝中不經(jīng)歷曝光或酸處理，所以不包括潛在酸例如光生酸劑(PAG)或TAG的材料可作為用 于形成第二掩模層140的抗蝕劑組合物。第二掩模層140由在溶劑中具有溶解性的材料形成，該溶劑例如是諸如標(biāo)準(zhǔn) 2. 氫氧化四甲銨(TMAH，tetramethylammonium hydroxide)水溶液的堿性水溶液， 其中第二掩模層140的溶解性小于蓋膜130的溶解性。例如，形成第二掩模層140的材料在 堿性水溶液中的溶解度可以是約1到約ΙΟΑ/see。第二掩模層140可由，例如，具有暗侵蝕 (dark erosion)的抗蝕劑材料形成，在暗侵蝕中抗蝕劑膜的未曝光區(qū)域被顯影液溶解或顯 影。但是，第二掩模層140是利用與蓋膜130相比具有相對低的暗侵蝕水平的抗蝕劑材料形成的，因此第二掩模層140在顯影液中的溶解度小于蓋膜130的溶解度。與R-607(其是 RELACS )相比，本領(lǐng)域中公知的大部分抗蝕劑材料具有較低的暗侵蝕。例如，第二掩模層 140可由包括具有多羥基苯乙烯(PHS，polyhydroxy styrene)單體單元的聚合物、具有縮 酸保護(hù)基團(tuán)(acetal protectinggroup)或(甲基)丙煉酸酉旨基((meth) acrylate-based) 單體單元的聚合物的抗蝕劑材料形成。用于形成第二掩模層140的材料不受限制，且任 何本領(lǐng)域中常用的且具有期望的暗侵蝕程度的抗蝕劑材料都可使用。如果蓋膜130由 R-607形成，且第二掩模層140在2. 38wt%的氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液中具有約1到約
1 OA/sec的溶解度，則第二掩模層140在顯影液中的溶解性可小于蓋膜130的溶解性。雖然在圖ID中示出第二掩模層140形成為具有高于蓋膜130的頂表面的頂表 面，但本發(fā)明不限于這種形式。此外，形成第二掩模層140后，第二掩模層140可形成為具 有與每個蓋膜130的頂表面相等或更低的高度，以使蓋膜130在第一掩模圖案120的上部 暴露。即，第二掩模層140可僅形成于空間Sl中。第二掩模層140可通過，例如，在要被刻 蝕的膜110和蓋膜130上旋涂通過在有機(jī)溶劑中溶解抗蝕劑材料得到的溶液并且通過干燥 或烘焙工藝去除有機(jī)溶劑而形成。
如果蓋膜130包括生酸劑，則生酸劑可在第二掩模層140形成時擴(kuò)散入第二掩模 層140至預(yù)定的距離。如果生酸劑是TAG，則由TAG產(chǎn)生的酸在涂覆抗蝕劑組合物之后的烘 焙工藝期間擴(kuò)散入第二掩模層140。如果生酸劑是酸，則酸可在第二掩模層140形成時擴(kuò)散 入第二掩模層140。在后續(xù)工藝中從第二掩模層140得到的多個第二掩模圖案140A的寬度 可根據(jù)，例如，酸在第二掩模層140中的擴(kuò)散距離而控制。參考圖1E，用溶劑溶解第二掩模層140的頂表面直至蓋膜130被暴露。溶劑可以 是，例如，堿性水溶液，諸如，標(biāo)準(zhǔn)2. 38wt%的TMAH水溶液。因?yàn)樯w膜130被暴露，所以多個第二掩模圖案140A在第一掩模圖案120之間的空 間Sl中形成。如果第二掩模層140形成為具有與每個蓋膜130的頂表面相等或更低的高度，如 圖ID所示，則參考圖IE描述的工藝可省略。參考圖1F，在參考圖IE描述的工藝之后，用溶劑溶解多個第二掩模圖案140A和暴 露的蓋膜130。結(jié)果，由于第二掩模層140和蓋膜130在溶劑中的溶解度差異，蓋膜130在第二掩 模層140之前被去除。去除蓋膜130的同時，第二掩模層140的暴露于堿性水溶液的表面 也可以去除預(yù)定厚度Dl。參考圖1G，在參考圖IF描述的工藝之后，通過用溶劑去除多個第二掩模圖案140A 的暴露表面的部分而形成每個具有期望的寬度WM2的多個第二掩模圖案140B。如果通過完全去除蓋膜130得到的第二掩模圖案140A中的每個通過參考圖IF描 述的工藝而具有期望的寬度，則可省略參考圖IG描述的工藝。如果蓋膜130在如圖IC所示的形成過程中形成為包括生酸劑，則通過酸在第二掩 模層140中的擴(kuò)散而在第二掩模層140中形成的酸擴(kuò)散區(qū)域可易于溶解在溶劑中。例如， 如果堿性水溶液用作所述溶劑，則酸擴(kuò)散區(qū)域通過酸堿反應(yīng)可容易地溶解和去除。這樣，當(dāng) 生酸劑包括在蓋膜130中時，與沒有生酸劑包括在蓋膜130中的情況相比，在去除蓋膜130 之后剩下的每個第二掩模圖案140A的寬度根據(jù)例如酸所擴(kuò)散的距離而減小?？蛇x地，第二掩模圖案140A的側(cè)壁可根據(jù)，例如，酸所擴(kuò)散的距離，而具有優(yōu)秀的輪廓形狀。如果需要，多個第二掩模圖案140B可以以第一節(jié)距2P為間隔重復(fù)地形成，第一節(jié) 距2P是將形成在要被刻蝕的膜110上的多個精細(xì)圖案的節(jié)距P的兩倍大。每個第二掩模 圖案140B的寬度WM2可與將形成在要被刻蝕的膜110上的每個精細(xì)圖案的寬度相同。參考圖1H，用多個第一掩模圖案120和多個第二掩模圖案140B作為刻蝕掩?？涛g 要被刻蝕的膜110以形成多個精細(xì)圖案110A。在形成精細(xì)圖案IlOA之后，保持在精細(xì)圖案IlOA上的多個第一掩模圖案120和 多個第二掩模圖案140B被去除。例如，可進(jìn)行灰化或剝離工藝來去除所述多個第一掩模圖 案120和所述多個第二掩模圖案140B。多個精細(xì)圖案IlOA可以以精細(xì)節(jié)距P為間隔重復(fù)地形成，精細(xì)節(jié)距P是第一節(jié)距 2P(圖1A)的一半。如果在參考圖IA描述的工藝中省略要被刻蝕的膜110的形成，則可用第一掩模圖 案120和第二掩模圖案140B作為刻蝕掩?？涛g襯底100。已描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，還需注意的是，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離由所附權(quán)利要求的邊界和范圍定義的本發(fā)明的精神和范圍的前提下可做出各種修改。本申請要求于2008年10月9日提交的韓國專利申請No. 10-2008-0099345的權(quán) 益，其公開以參考方式全部合并在此。
權(quán)利要求
一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，該方法包括在襯底上形成多個第一掩模圖案，使得所述多個第一掩模圖案沿平行于所述襯底的主表面的方向由位于其間的空間彼此分隔開；在所述多個第一掩模圖案的側(cè)壁和頂表面上形成多個蓋膜，所述多個蓋膜由在溶劑中具有第一溶解度的第一材料形成；形成由在所述溶劑中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模層，以便填充位于所述多個第一掩模圖案之間的所述空間，其中所述第二溶解度小于所述第一溶解度；以及形成多個第二掩模圖案，所述多個第二掩模圖案對應(yīng)于所述第二掩模層的剩余部分，所述第二掩模層的所述剩余部分是在用所述溶劑去除所述多個蓋膜和一部分所述第二掩模層之后保留在位于所述多個第一掩模圖案之間的所述空間中的部分。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個蓋膜由包括具有氮原子的雜環(huán)化合物的材 料形成。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個蓋膜通過與暴露在所述多個第一掩模圖案 的表面上的氫原子的離子鍵而附著到所述多個第一掩模圖案的所述表面。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述多個蓋膜通過暴露在所述多個第一掩模圖案的 所述表面上的氫原子和所述多個蓋膜的氮原子之間的離子鍵而附著到所述多個第一掩模 圖案的所述表面。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述溶劑是堿性水溶液。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述溶劑是標(biāo)準(zhǔn)2.38wt%的氫氧化四甲銨水溶液。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二掩模層由抗蝕劑組合物形成。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二掩模層包括具有多羥基苯乙烯單體單元的 聚合物。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二掩模層包括具有縮醛保護(hù)基團(tuán)的聚合物。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個蓋膜還包括生酸劑。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二掩模層形成為填充位于所述多個第一掩 模圖案之間的所述空間且完全覆蓋形成在所述多個第一掩模圖案的上部的所述多個蓋膜。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在去除所述多個蓋膜之前，使用所述溶劑去除 所述第二掩模層的覆蓋形成在所述多個第一掩模圖案的上部上的所述多個蓋膜的部分直 到暴露所述多個蓋膜。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二掩模層形成為僅填充位于所述多個第一 掩模圖案之間的所述空間，以使在形成所述第二掩模層之后所述多個蓋膜在所述多個第一 掩模圖案的上部暴露。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過去除與所述第二掩模層的剩余部分相對應(yīng) 的所述多個第二掩模圖案的部分來減小所述多個第二掩模圖案中的每個的寬度，所述第二 掩模層的所述剩余部分是在形成所述多個第二掩模圖案的過程中去除所述多個蓋膜之后 保留在位于所述多個第一掩模圖案之間的所述空間中的部分。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中使用所述溶劑減小所述多個第二掩模圖案中的每 個的所述寬度。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個第一掩模圖案由有機(jī)材料形成。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在形成所述多個蓋膜之前硬化所述多個第一掩 模圖案，以使所述多個第一掩模圖案不溶于有機(jī)溶劑。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中使用選自由熱處理和等離子體處理組成的組中的 至少一種處理來硬化所述多個第一掩模圖案。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述多個蓋膜包括在所述多個第一掩模圖案的暴露的表面上涂覆包括水溶性聚合物和水的蓋組合物；以及熱處理涂覆蓋組合物的產(chǎn)物。
20.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括使用所述多個第一掩模圖案和所述多個第二掩 模圖案作為刻蝕掩模來刻蝕所述襯底。
全文摘要
本發(fā)明提供一種形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法。該方法包括在襯底上形成多個第一掩模圖案，使得多個第一掩模圖案在平行于襯底的主表面的方向上由位于其間的空間彼此分隔開；在多個第一掩模圖案的側(cè)壁和頂表面形成多個蓋膜，該蓋膜由在溶劑中具有第一溶解度的第一材料形成。該方法還包括形成由在該溶劑中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模層，以填充位于多個第一掩模圖案之間的空間，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成與所述第二掩模層的剩余部分相對應(yīng)的多個第二掩模圖案，其中所述第二掩模層的剩余部分是在利用溶劑去除多個蓋膜和一部分第二掩模層之后保留在位于多個第一掩模圖案之間的空間中的部分。
文檔編號H01L21/00GK101814421SQ200910258448
公開日2010年8月25日 申請日期2009年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月9日
發(fā)明者姜律, 尹辰永, 崔成云, 金亨姬 申請人:三星電子株式會社