專(zhuān)利名稱：形成精細(xì)圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例總的來(lái)說(shuō)涉及形成半導(dǎo)體器件的圖案的方法，更具體而言，涉及形成比曝光分辨極限更精細(xì)的圖案的方法。
背景技術(shù)：
通常通過(guò)使用光刻工藝來(lái)形成半導(dǎo)體器件的圖案。光刻工藝包括在用于目標(biāo)圖案的基礎(chǔ)層上沉積光致抗蝕劑層的工藝、將光致抗蝕劑層曝光的工藝和將曝光的光致抗蝕劑層顯影的工藝。于是，通過(guò)光刻工藝在基礎(chǔ)層上形成光致抗蝕劑圖案。在圖案化半導(dǎo)體器件的圖案時(shí)，使用光致抗蝕劑圖案作為刻蝕掩模。因此，光致抗蝕劑圖案的尺寸起到確定半導(dǎo)體器件的圖案的尺寸的要素的作用。光致抗蝕劑圖案的尺寸是由曝光分辨率來(lái)確定的。因此，由于曝光分辨率極限的原因，光致抗蝕劑圖案的精細(xì)化受到了限制。因此，半導(dǎo)體器件的圖案的精細(xì)化受到限制。 但是，為了使半導(dǎo)體器件高度集成，需要一種能形成比曝光分辨極限更精細(xì)的圖案的方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例涉及一種形成比曝光分辨極限更精細(xì)的圖案的方法。根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的一個(gè)方面，一種形成精細(xì)圖案的方法包括以下步驟在基礎(chǔ)層之上層疊第一輔助層、第二輔助層和第三輔助層各層；在第三輔助層內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有第一寬度的第一酸擴(kuò)散區(qū)，在第二輔助層內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有比第一寬度寬的第二寬度的第二酸擴(kuò)散區(qū)，以及在第一輔助層內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有比第一寬度窄的第三寬度的第三酸擴(kuò)散區(qū)；分別去除第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)，來(lái)形成彼此以第三寬度的間距分隔開(kāi)的第一輔助圖案，形成處在各個(gè)第一輔助圖案上且彼此以第二寬度的間距分隔開(kāi)的第二輔助圖案，以及形成處在各個(gè)第二輔助圖案上且彼此以第一寬度的間距分隔開(kāi)的第三輔助圖案；在第一輔助圖案之間形成第一硬掩模圖案并且在各個(gè)第三輔助圖案下方的第二輔助圖案的每個(gè)的側(cè)壁上形成第二硬掩模圖案；去除第三輔助圖案以暴露第二輔助圖案；去除第二輔助圖案和在第一硬掩模圖案與第二硬掩模圖案之間暴露的第一輔助圖案的一些；以及去除因第二輔助圖案的去除而暴露出的第一輔助圖案中的一些。優(yōu)選地，利用曝光工藝分別在第三輔助層至第一輔助層內(nèi)產(chǎn)生酸并通過(guò)烘焙工藝使酸擴(kuò)散，來(lái)形成第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)。優(yōu)選地，在第一輔助圖案之間以及在第二輔助圖案之間填充硬掩模層，并且使用第三輔助圖案作為刻蝕掩模，來(lái)刻蝕所述硬掩模層的暴露區(qū)域以使第一輔助圖案的上表面的一些暴露，以形成第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案。所述方法優(yōu)選地還包括以下步驟在去除因第二輔助圖案的去除而暴露出的第一輔助圖案的一些的步驟之后，使用第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案作為刻蝕掩模來(lái)刻蝕
基石出層O第一輔助層優(yōu)選地由包括熱致產(chǎn)酸劑(TAG)和光致產(chǎn)酸劑(PAG)中的至少一種、 光吸收樹(shù)脂和交聯(lián)聚合物的混合物形成。所述交聯(lián)聚合物優(yōu)選地由酸來(lái)被解交聯(lián)，使得解交聯(lián)了的聚合物可溶于用來(lái)去除第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)的顯影劑。第二輔助層優(yōu)選地由包括熱致產(chǎn)酸劑(TAG)和光致產(chǎn)酸劑(PAG)中的至少一種、 透光樹(shù)脂和交聯(lián)聚合物的混合物形成。所述交聯(lián)聚合物優(yōu)選地由酸來(lái)被解交聯(lián)，使得解交聯(lián)了的聚合物可溶于用來(lái)去除第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)的顯影劑。第三輔助層優(yōu)選地包括光致抗蝕劑。優(yōu)選地，在第一輔助層至第三輔助層中混入用于激發(fā)酸擴(kuò)散的添加劑。添加劑在第二輔助層中的含量?jī)?yōu)選地比在第三輔助層中的含量高，而在第一輔助層中的含量比在第三輔助層中的含量低。第一硬掩模圖案中的每個(gè)優(yōu)選地都具有與第二硬掩模圖案中的每個(gè)相同的寬度。 第三輔助圖案中的每個(gè)優(yōu)選地在第二輔助圖案的兩側(cè)上都突出第三寬度。第二輔助圖案中的每個(gè)優(yōu)選地都具有第三寬度。第一輔助圖案中的每個(gè)優(yōu)選地在第三輔助圖案的兩側(cè)上都
突出第三寬度。硬掩模層優(yōu)選地由具有與第一輔助層至第三輔助層的材料的刻蝕速率不同的刻蝕速率的材料形成。硬掩模層優(yōu)選地由含碳的混合物形成。


圖IA至圖IG是表示根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的一個(gè)示例性實(shí)施例的形成精細(xì)圖案的方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖詳細(xì)地描述本說(shuō)明書(shū)的示例性實(shí)施例。提供附圖是為了使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例的范圍。圖IA至圖IG是表示根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的一個(gè)示例性實(shí)施例的形成精細(xì)圖案的方法的截面圖。參照?qǐng)D1A，將第一輔助層至第三輔助層103、105和107層疊在用于目標(biāo)圖案的基礎(chǔ)層101之上。基礎(chǔ)層101優(yōu)選地是半導(dǎo)體襯底、形成在半導(dǎo)體襯底上的絕緣層、形成在半導(dǎo)體襯底上的導(dǎo)電層或形成在絕緣層或?qū)щ妼由系妮o助硬掩模層中的一種。第一輔助層至第三輔助層103、105和107中的每個(gè)優(yōu)選地由包含可以通過(guò)光來(lái)產(chǎn)生酸的光致產(chǎn)酸劑(PAG)的材料形成。此外，第一輔助層至第三輔助層103、105和107中的每個(gè)優(yōu)選地由可以通過(guò)顯影工藝將第一輔助層至第三輔助層103、105和107中產(chǎn)生了酸的暴光區(qū)域去除的材料形成。此外，第二輔助層105和第三輔助層107優(yōu)選地由可以透光的材料形成，從而使得從第一輔助層103上方發(fā)出的光線經(jīng)過(guò)第二輔助層106與第三輔助層107而透射至第一輔助層103。另外優(yōu)選地，在顯影工藝中，第二輔助層105具有比第一輔助層103和第三輔助層 107高的顯影劑溶解性，而第一輔助層103具有比第三輔助層107低的顯影劑溶解性。為此，可以在第一輔助層至第三輔助層103、105和107中混入用于激發(fā)酸擴(kuò)散的添加劑。優(yōu)選地，第二輔助層105具有比第三輔助層107高的添加劑含量，而第一輔助層103具有比第三輔助層107低的添加劑含量。據(jù)此，由熱或光產(chǎn)生的酸在第二輔助層105中的擴(kuò)散速率比在第三輔助層107中的擴(kuò)散速率高并且在第一輔助層103中的擴(kuò)散速率比在第三輔助層 107中的擴(kuò)散速率低。例如，第三輔助層107可以由光致抗蝕劑形成。所述光致抗蝕劑優(yōu)選地由包含透光樹(shù)脂、光致產(chǎn)酸劑(PAG)和熱致產(chǎn)酸劑(TAG)的混合物來(lái)形成。此外，第二輔助層105優(yōu)選地由包含光致產(chǎn)酸劑(PAG)和熱致產(chǎn)酸劑(TAG)中的至少一種、透光樹(shù)脂和交聯(lián)聚合物的混合物來(lái)形成，所述交聯(lián)聚合物被酸解交聯(lián)并因此可溶于顯影劑。此外，第一輔助層103 優(yōu)選地由可溶于顯影劑的底部抗反射涂覆(D-BARC)層形成。D-BARC層優(yōu)選地由包含光致產(chǎn)酸劑(PAG)和熱致產(chǎn)酸劑(TAG)中的至少一種、光吸收樹(shù)脂和交聯(lián)聚合物的混合物來(lái)形成，所述交聯(lián)聚合物被酸解交聯(lián)并因此可溶于顯影劑。參照?qǐng)D1B，在第三輔助層107內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有第一寬度Wl的第一酸擴(kuò)散區(qū)。在第二輔助層105內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有比第一寬度Wl寬的第二寬度W2的第二酸擴(kuò)散區(qū)。在第一輔助層103內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有比第一寬度Wl 窄的第三寬度W3的第三酸擴(kuò)散區(qū)。通過(guò)去除第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)，來(lái)形成彼此以第三寬度W3分隔開(kāi)的第一輔助圖案103a、分別形成在第一輔助圖案103a上且彼此以第二寬度W2分隔開(kāi)的第二輔助圖案10 和分別形成在第二輔助圖案10 上且彼此以第一寬度Wl分隔開(kāi)的第三輔助圖案107a。優(yōu)選地，通過(guò)執(zhí)行用于在第一輔助層至第三輔助層內(nèi)的選定區(qū)域中產(chǎn)生酸的曝光工藝、然后執(zhí)行用于使第一輔助層至第三輔助層的曝光區(qū)域中所產(chǎn)生的酸擴(kuò)散的曝光后烘焙(PEB)工藝，來(lái)形成第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)。在曝光工藝中，將第一輔助層至第三輔助層的選定區(qū)域暴露在穿過(guò)曝光裝置的掩模板(reticle)(未示出)的光線下。掩模板包括形成在透明基底上的遮光圖案。遮光圖案用于限定第一輔助層至第三輔助層的曝光區(qū)域。在此，優(yōu)選地，形成在掩模板中的遮光圖案的寬度比所要形成的半導(dǎo)體襯底的圖案的寬度寬。與此同時(shí)，為了形成精細(xì)圖案，在曝光工藝中例如可以使用具有ArF 193nm光源的浸沒(méi)式曝光裝置。由于在第一輔助層至第三輔助層中混入的添加劑含量不同，所以通過(guò)曝光后烘焙 (PEB)工藝所導(dǎo)致的酸擴(kuò)散在第二輔助層中進(jìn)行得比在第三輔助層中快，但是在第一輔助層中進(jìn)行得比在第三輔助層中慢。據(jù)此，在第三輔助層內(nèi)形成的第一酸擴(kuò)散區(qū)具有第一寬度W1，在第二輔助層內(nèi)形成的第二酸擴(kuò)散區(qū)具有比第一寬度Wl寬的第二寬度W2，而在第一輔助層內(nèi)形成的第三酸擴(kuò)散區(qū)具有比第一寬度Wl窄的第三寬度W3。由于酸的原因，在第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)中發(fā)生解交聯(lián)反應(yīng)，并且第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)變得可溶于顯影劑。然后，通過(guò)使用諸如四甲基氫氧化銨(TMAH，tetra-methyl-ammoniumhydroxide) 的顯影劑的顯影工藝來(lái)去除第一酸擴(kuò)散區(qū)至第三酸擴(kuò)散區(qū)。據(jù)此，形成第一輔助圖案至第三輔助圖案103a、105a和107a。每個(gè)第三輔助圖案107a的兩側(cè)都比每個(gè)第二輔助圖案10 的兩側(cè)突出得遠(yuǎn)，并且每個(gè)第一輔助圖案103a的兩側(cè)都比每個(gè)第三輔助圖案107a的兩側(cè)突出得遠(yuǎn)。據(jù)此，去除了第二酸擴(kuò)散區(qū)的部分的邊緣被第三輔助圖案107a所保護(hù)?？梢酝ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)用于控制酸擴(kuò)散的添加劑含量來(lái)控制第一輔助圖案至第三輔助圖案103a、10fe和107a中的每個(gè)的各自的寬度和間距。例如，為了使隨后形成的第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案的寬度和間距相等地形成，通過(guò)控制添加劑含量來(lái)使第二輔助圖案 105a中的每個(gè)優(yōu)選地被形成為具有第三寬度W3。此外，第三輔助圖案107a的兩側(cè)優(yōu)選地都被形成為使得它們比第二輔助圖案10 的兩側(cè)突出第三寬度W3。此外，第一輔助圖案 103a的兩側(cè)優(yōu)選地被形成為使得它們比第三輔助圖案107a的兩側(cè)突出第三寬度W3。參照?qǐng)D1C，在第二輔助圖案10 之間以及在第一輔助圖案103a之間填充多功能硬掩模(MFHM)層(以下稱為“硬掩模層”)109。在此，優(yōu)選地將硬掩模層109的高度形成為到達(dá)第三輔助圖案107a，以使硬掩模層109可以完全地填充第二輔助圖案10 之間的間隔和第一輔助圖案103a之間的間隔。優(yōu)選地，根據(jù)基礎(chǔ)層101的厚度和類(lèi)型來(lái)選擇用作硬掩模層109的材料。還優(yōu)選地，由對(duì)于第一輔助層至第三輔助層具有相對(duì)較高的刻蝕選擇性的材料來(lái)形成硬掩模層 109。因此，優(yōu)選地由相對(duì)于第一輔助層至第三輔助層各自的刻蝕速率具有更高的刻蝕速率的材料來(lái)形成硬掩模層109。此外，優(yōu)選地由流動(dòng)性的且可以被涂敷的材料來(lái)形成硬掩模層 109。優(yōu)選地使用含碳的混合物作為硬掩模層109的材料。參照?qǐng)D1D，通過(guò)使用第三輔助圖案107a作為刻蝕掩模的回蝕工藝來(lái)將硬掩模層去除至選定的高度，以使不與第三輔助圖案107a重疊的第一輔助圖案103a上表面的選定區(qū)域暴露。據(jù)此，硬掩模層保留作為處在第一輔助圖案103a之間的各個(gè)第一硬掩模圖案 109a并且還作為處在第三輔助圖案107a下方的第二輔助圖案10 的側(cè)壁上的第二硬掩模圖案109b。每個(gè)第一硬掩模圖案109a和每個(gè)第二硬掩模圖案109b的寬度都可以變得比曝光分辨極限窄，這是因?yàn)閷挾仁怯蓴U(kuò)散程度的差異來(lái)確定的。參照?qǐng)D1E，去除第三輔助圖案，并且去除第一輔助圖案的暴露區(qū)域以及第二輔助圖案，從而形成第四輔助圖案10北。下面詳細(xì)描述形成第四輔助圖案10 的方法。首先，去除第三輔助圖案以使第二輔助圖案暴露。將暴露的第二輔助圖案和在第一硬掩模圖案109a與第二硬掩模圖案109b 之間暴露的第一輔助圖案的一些去除，以使基礎(chǔ)層101暴露。在去除在第一硬掩模圖案 109a與第二硬掩模圖案109b之間暴露的第一輔助圖案的選定區(qū)域之后，第一輔助層保留作為第四輔助圖案10北。參照?qǐng)D1F，通過(guò)去除因第二輔助圖案的去除而在第二硬掩模圖案109b之間暴露的第四輔助圖案，來(lái)形成第五輔助圖案103c。據(jù)此，基礎(chǔ)層101被具有比曝光分辨率極限窄的寬度和間距的第一硬掩模圖案109a和第二硬掩模圖案109b覆蓋或暴露。參照?qǐng)D1G，使用如圖IF所描述的第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案作為刻蝕掩模來(lái)刻蝕基礎(chǔ)層。在基礎(chǔ)層101是半導(dǎo)體襯底的情況下，可以在從去除了基礎(chǔ)層101的區(qū)域中形成每個(gè)都具有比曝光分辨極限窄的寬度的用于隔離的溝槽T，并且可以在溝槽T之間限定比曝光分辨率極限窄的有源區(qū)A。本發(fā)明不限于基礎(chǔ)層是半導(dǎo)體襯底的情況，而可以應(yīng)用于基礎(chǔ)層101是導(dǎo)電層、絕緣層或輔助硬掩模層的情況。如上所述，根據(jù)本說(shuō)明書(shū)，通過(guò)利用第一輔助層至第三輔助層中的酸擴(kuò)散速率的差異，第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案的寬度和間距可以比曝光分辨極限窄。如果使用根據(jù)本發(fā)明的形成精細(xì)圖案的方法，可以形成IOnm級(jí)別的精細(xì)圖案。與此同時(shí)，當(dāng)形成比曝光分辨極限窄的硬掩模圖案時(shí)，可以使用間隔件形成工藝。 下面詳細(xì)描述使用間隔件來(lái)形成硬掩模圖案的方法。首先，在用光致抗蝕劑圖案形成的輔助圖案的側(cè)壁上形成間隔件。優(yōu)選地通過(guò)使用氧化物層或氮化物層沿著由輔助圖案限定的臺(tái)階以使輔助圖案之間的間隔不被填滿的方式沉積間隔件層、然后執(zhí)行諸如回蝕工藝的刻蝕工藝，來(lái)形成間隔件。在這種情況下，在沉積間隔件的工藝中必須考慮由于臺(tái)階覆蓋特性而引起的問(wèn)題。此外，形成在臺(tái)階的邊緣部分的間隔件層中可能產(chǎn)生傾斜，因此間隔件的上表面可能傾斜。如果使用間隔件來(lái)執(zhí)行圖案化工藝，則存在的問(wèn)題是，使用間隔件形成的圖案具有非對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。而在本說(shuō)明書(shū)中，通過(guò)定量地控制酸在第一輔助層至第三輔助層中的擴(kuò)散速率的差異，可以定量地調(diào)節(jié)第一輔助圖案至第三輔助圖案的寬度和間距。因此，可以使用本說(shuō)明書(shū)均勻地形成由第一輔助圖案至第三輔助圖案的寬度和間距限定的第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案的寬度和間距。此外，在本說(shuō)明書(shū)中，由于用流動(dòng)性的硬掩模層填充第二輔助圖案之間的間隔和第三輔助圖案之間的間隔，因此不需要考慮臺(tái)階覆蓋問(wèn)題。此外，在本說(shuō)明書(shū)中，由于硬掩模層不是通過(guò)使用間隔件來(lái)形成的，因此可以改善由于間隔件上表面的傾斜而出現(xiàn)的非對(duì)稱性圖案問(wèn)題。根據(jù)本說(shuō)明書(shū)，在順序地層疊的第一輔助層至第三輔助層內(nèi)形成具有不同寬度的酸擴(kuò)散區(qū)。然后，通過(guò)去除酸擴(kuò)散區(qū)，來(lái)形成彼此分隔開(kāi)的第一輔助圖案、分別形成在第一輔助圖案上且彼此以比第一輔助圖案的間距寬的寬度分隔開(kāi)的第二輔助圖案以及分別形成在第二輔助圖案上且彼此以比第二輔助圖案的間距窄的寬度分隔開(kāi)的第三輔助圖案。然后，在第一輔助圖案之間形成各個(gè)第一硬掩模圖案，在第三輔助圖案下方的第二輔助圖案的側(cè)壁上形成第二硬掩模圖案。根據(jù)本說(shuō)明書(shū)，由于通過(guò)以上方法形成第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案，所以可以通過(guò)控制第一輔助層至第三輔助層內(nèi)的酸擴(kuò)散區(qū)的寬度來(lái)限定第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案的寬度和間距。據(jù)此，第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案的寬度和間距可以比曝光分辨極限窄。此外，根據(jù)本說(shuō)明書(shū)，可以通過(guò)使用克服曝光分辨極限而精細(xì)地形成的第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案作為刻蝕掩模來(lái)圖案化半導(dǎo)體器件的圖案。因此，半導(dǎo)體器件的每個(gè)圖案的寬度都可以比曝光分辨極限窄。
權(quán)利要求
1.一種形成精細(xì)圖案的方法，包括以下步驟在基礎(chǔ)層之上層疊第一輔助層、第二輔助層和第三輔助層各層；在所述第三輔助層內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有第一寬度的第一酸擴(kuò)散區(qū)，在所述第二輔助層內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有比所述第一寬度寬的第二寬度的第二酸擴(kuò)散區(qū)，以及在所述第一輔助層內(nèi)形成彼此分隔開(kāi)且每個(gè)都具有比所述第一寬度窄的第三寬度的第三酸擴(kuò)散區(qū)；分別去除所述第一酸擴(kuò)散區(qū)至所述第三酸擴(kuò)散區(qū)，形成彼此以所述第三寬度的間距分隔開(kāi)的第一輔助圖案，形成處在各個(gè)所述第一輔助圖案上且彼此以所述第二寬度的間距分隔開(kāi)的第二輔助圖案，以及形成處在各個(gè)所述第二輔助圖案上且彼此以所述第一寬度的間距分隔開(kāi)的第三輔助圖案；在所述第一輔助圖案之間形成第一硬掩模圖案，并且在各個(gè)所述第三輔助圖案下方的所述第二輔助圖案的每個(gè)的側(cè)壁上形成第二硬掩模圖案；去除所述第三輔助圖案以暴露所述第二輔助圖案；去除所述第二輔助圖案和在所述第一硬掩模圖案與所述第二硬掩模圖案之間暴露的所述第一輔助圖案的一些；以及去除因所述第二輔助圖案的去除而暴露出的所述第一輔助圖案的一些。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，包括以下步驟利用曝光工藝分別在所述第三輔助層、所述第二輔助層和所述第一輔助層內(nèi)產(chǎn)生酸并利用烘焙工藝使所述酸擴(kuò)散，來(lái)形成所述第一酸擴(kuò)散區(qū)、所述第二酸擴(kuò)散區(qū)和所述第三酸擴(kuò)散區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，包括以下步驟在所述第一輔助圖案之間和在所述第二輔助圖案之間填充硬掩模層，并使用所述第三輔助圖案作為刻蝕掩模來(lái)刻蝕所述硬掩模層的暴露區(qū)域以使所述第一輔助圖案的上表面的一些暴露，來(lái)形成所述第一硬掩模圖案和所述第二硬掩模圖案。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟在去除因所述第二輔助圖案的去除而暴露出的所述第一輔助圖案的一些的步驟之后，使用所述第一硬掩模圖案和所述第二硬掩模圖案作為刻蝕掩模來(lái)刻蝕所述基礎(chǔ)層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一輔助層包括具有熱致產(chǎn)酸劑和光致產(chǎn)酸劑中的至少一種、光吸收樹(shù)脂和交聯(lián)聚合物的混合物。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，包括以下步驟利用酸使所述交聯(lián)聚合物解交聯(lián)，使得解交聯(lián)了的聚合物可溶于用來(lái)去除所述第一酸擴(kuò)散區(qū)至所述第三酸擴(kuò)散區(qū)的顯影劑。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二輔助層包括具有熱致產(chǎn)酸劑和光致產(chǎn)酸劑中的至少一種、透光樹(shù)脂和交聯(lián)聚合物的混合物。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，包括以下步驟利用酸使所述交聯(lián)聚合物解交聯(lián)，使得解交聯(lián)了的聚合物可溶于用來(lái)去除所述第一酸擴(kuò)散區(qū)至所述第三酸擴(kuò)散區(qū)的顯影劑。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第三輔助層包括光致抗蝕劑。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，包括以下步驟在所述第一輔助層至所述第三輔助層中混入用于激發(fā)酸擴(kuò)散的添加劑，其中所述添加劑在所述第二輔助層的含量比在所述第三輔助層中的含量高，而在所述第一輔助層中的含量比在所述第三輔助層中的含量低。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一硬掩模圖案中的每個(gè)都具有與所述第二硬掩模圖案中的每個(gè)相同的寬度。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第三輔助圖案中的每個(gè)在所述第二輔助圖案的兩側(cè)上都突出所述第三寬度。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二輔助圖案中的每個(gè)都具有所述第三寬度。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一輔助圖案中的每個(gè)在所述第三輔助圖案的兩側(cè)上都突出所述第三寬度。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述硬掩模層包括具有與所述第一輔助層至所述第三輔助層的材料的刻蝕速率不同的刻蝕速率的材料。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述硬掩模層包括含碳的混合物。
全文摘要
形成精細(xì)圖案的方法包括在基礎(chǔ)層之上層疊第一、第二和第三輔助層；分別在第三、第二和第一輔助層內(nèi)形成彼此分開(kāi)且每個(gè)分別具有第一、第二和第三寬度的第一、第二和第三酸擴(kuò)散區(qū)；分別去除第一至第三酸擴(kuò)散區(qū)，形成彼此間距第三寬度的第一輔助圖案、在各第一輔助圖案上且彼此間距第二寬度的第二輔助圖案、和在各第二輔助圖案上且彼此間距第一寬度的第三輔助圖案；在第一輔助圖案之間形成第一硬掩模圖案，并在各第三輔助圖案下的每個(gè)第二輔助圖案的側(cè)壁上形成第二硬掩模圖案；去除第三輔助圖案以暴露第二輔助圖案；去除第二輔助圖案和暴露在第一與第二硬掩模圖案之間的一些第一輔助圖案；和去除因去除第二輔助圖案暴露的一些第一輔助圖案。
文檔編號(hào)H01L21/308GK102376545SQ20101058472
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月4日
發(fā)明者金大祐 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司