專利名稱：掩模板用基板、掩模板、轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域中的掩模板(mask blank)用基板的制造方法、掩模板的制造方法、轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法和半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來隨著半導(dǎo)體器件的微細(xì)化，在光刻技術(shù)中使用的曝光光源的波長變短。在透過型的光刻的尖端領(lǐng)域作為曝光光源使用波長200nm以下的ArF準(zhǔn)分子激光器(波長 193nm)。但是，隨著微細(xì)化的要求進(jìn)一步提高，難以僅通過將ArF準(zhǔn)分子激光器作為曝光光源來解決，也需要通過斜入射照明法等實(shí)現(xiàn)高NA化來解決。但是隨著高NA化，曝光裝置的焦點(diǎn)深度逐漸變小。因此，在通過真空吸附等將轉(zhuǎn)印用掩模安置于曝光裝置上(夾裝)時， 如果該轉(zhuǎn)印用掩模變形而導(dǎo)致其平坦度降低，則可能在將轉(zhuǎn)印用掩模的掩模圖案向被轉(zhuǎn)印體即半導(dǎo)體基板轉(zhuǎn)印時發(fā)生焦點(diǎn)位置偏移，降低轉(zhuǎn)印精度。因此提出有一種方案，在將用于掩模板的透明基板安置于曝光裝置時，采用有限元法對該透明基板的形狀進(jìn)行模擬來預(yù)測平坦度。但是，采用有限元法對基板形狀的模擬， 雖然能夠在一定程度上準(zhǔn)確預(yù)測基板主表面的形狀，但是存在模擬所需時間很長的問題。為了解決該課題，JP特開2006-235321號公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中提出了如下方案 在將透明基板安置于曝光裝置時，通過模擬以較短時間對該透明基板的平坦度進(jìn)行算出和預(yù)測，將此時的平坦度的預(yù)測值良好的透明基板選定為掩模板用透明基板，制作掩模板或曝光用掩模(轉(zhuǎn)印用掩模)。在專利文獻(xiàn)1的模擬中，首先對透明基板的表面形狀進(jìn)行測定。接著預(yù)測以下三個變形。這里以重力方向?yàn)閆方向。(1)透明基板因重力沿著X方向(與Z方向垂直)的撓曲(2)在將透明基板安置于曝光裝置時由于來自掩模載臺的吸附而引起的透明基板以掩模載臺為支點(diǎn)沿著X方向的翹曲(3)在將透明基板安置于曝光裝置時由于來自掩模載臺的吸附而引起的與掩模載臺抵接的透明基板沿著Y方向(與X方向和Z方向垂直)的變形接著，利用這些預(yù)測值和預(yù)先測定的透明基板的表面形狀，通過撓曲微分方程式進(jìn)行模擬。根據(jù)通過模擬算出的安置于曝光裝置時的透明基板的表面形狀求出平坦度，在其平坦度符合規(guī)格的情況下，由該透明基板制作掩模板或曝光用掩模。

發(fā)明內(nèi)容
在專利文獻(xiàn)1公開的技術(shù)中，也充分改善了在將轉(zhuǎn)印用掩模的掩模圖案向被轉(zhuǎn)印體即半導(dǎo)體基板轉(zhuǎn)印時產(chǎn)生焦點(diǎn)位置偏移的情況。但是，隨著半導(dǎo)體器件的微細(xì)化要求變得更加嚴(yán)格而導(dǎo)入了液浸曝光技術(shù)，因此獲得了 NA > 1的超高NA，曝光裝置的焦點(diǎn)深度變得非常小。另外，特別是在具有DRAM hp45nm等級以上的微細(xì)圖案的轉(zhuǎn)印用掩模中，伴隨著將轉(zhuǎn)印用掩模在掩模載臺上夾裝前后的基板形狀變化的轉(zhuǎn)印圖案位置相對于掩模載臺上的基準(zhǔn)平面的移動，對轉(zhuǎn)印精度影響增大，因此需要對轉(zhuǎn)印圖案的設(shè)計(jì)圖案進(jìn)行修正。為了實(shí)現(xiàn)該目的，在掩模載臺上夾裝后的基板主表面的形狀預(yù)測，僅僅是平坦度的預(yù)測值(主表面的規(guī)定區(qū)域上的高度信息的最大值與最小值的差)是高精度的是不充分的，必須使基板主表面的規(guī)定區(qū)域全體上的形狀變化的預(yù)測為高精度的。特別是在采用雙重圖形(double patterning)技術(shù)的轉(zhuǎn)印用掩模的情況下，如果夾裝前后的形狀變化的預(yù)測精度較低，則伴隨基板形狀變化而產(chǎn)生的轉(zhuǎn)印圖案相對于掩模載臺上的基準(zhǔn)平面的移動位置的預(yù)測精度也降低，因此對于轉(zhuǎn)印圖案向轉(zhuǎn)印對象物(半導(dǎo)體基板上的抗蝕劑膜等) 上轉(zhuǎn)印的轉(zhuǎn)印精度成為很大的問題。在專利文獻(xiàn)1的模擬中，模擬所需時間較短而生產(chǎn)率良好，但是夾裝后的基板主表面的形狀預(yù)測精度，對用于使用了 DRAM hp45nm等級的轉(zhuǎn)印用掩?；虿捎秒p重圖形技術(shù)的轉(zhuǎn)印用掩模的掩模板用基板來說是不夠的。另外，在采用有限元法的基板形狀的模擬中， 雖然對這些轉(zhuǎn)印用掩模適用也能夠獲得相應(yīng)的精度，但是模擬所需時間非常長，從而生產(chǎn)率上殘留了很大的問題。即，將透光性基板在曝光裝置的掩模載臺上夾裝后的主表面形狀的預(yù)測，需要在較短的模擬時間內(nèi)進(jìn)行高精度的預(yù)測。為了解決上述課題，發(fā)明人針對按照現(xiàn)有技術(shù)選定的掩模板用基板，對通過模擬得到的夾裝在掩模載臺上后的主表面形狀與實(shí)際夾裝在掩模載臺上時的實(shí)測的主表面形狀的差別較大的情況，著力研究了其傾向。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，模擬與實(shí)測之間差較大的掩模板用基板，在獨(dú)立(free standing)實(shí)測的主表面形狀中，全部扭彎傾向較大。并且在模擬中，也考慮了將透光性基板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時在矯正透光性基板的扭彎的方向上作用的變形(以下稱為扭彎變形)。并且發(fā)現(xiàn)，對形成有圖案形成用薄膜的掩模板，測定主表面的形狀，根據(jù)測定的主表面形狀進(jìn)行模擬，從而算出在掩模載臺上夾裝后的主表面形狀， 即在這種情況下也顯示出同樣的傾向。并且，在模擬中也考慮了在將掩模板在曝光裝置的掩模載臺上夾裝時作用于矯正掩模板的扭彎的方向的變形(以下稱為扭彎變形)。即，本發(fā)明一方式的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，包含準(zhǔn)備主表面進(jìn)行了精密研磨的透光性基板的工序；測定上述主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前主表面形狀的形狀測定工序；通過模擬得到將上述透光性基板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時的夾裝后主表面形狀的模擬工序；將根據(jù)上述夾裝后主表面形狀求得的算出區(qū)域內(nèi)的平坦度為規(guī)定值以下者選定為掩模板用基板的選定工序，上述模擬工序，包括算出將上述透光性基板載置于掩模載臺時主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量；分別算出將上述透光性基板在掩模載臺上夾裝時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(c)主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前主表面形狀疊加而算出夾裝后主表面形狀。在該掩模板用基板的制造方法中，優(yōu)選，形狀測定工序包含將測定的透光性基板和夾裝前主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序，模擬工序包含將模擬的透光性基板和夾裝后主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序。本發(fā)明另一方式的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，包含準(zhǔn)備主表面進(jìn)行了精密研磨的透光性基板的工序；測定上述主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前主表面形狀，將該測定的透光性基板和上述夾裝前主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的形狀測定工序；通過模擬得到將上述透光性基板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時夾裝后主表面形狀的模擬工序，上述模擬工序，包括算出將上述透光性基板載置于掩模載臺時主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量；分別算出將上述透光性基板夾裝在掩模載臺上時 (a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(C)主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前主表面形狀疊加而算出夾裝后主表面形狀，將該模擬的透光性基板和上述夾裝后主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置。在這些掩模板用基板的制造方法中，優(yōu)選，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)榘谄毓庋b置的掩模載臺上夾裝的區(qū)域的區(qū)域。并且優(yōu)選，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)閺耐腹庑曰宓牡菇敲娉コ^ Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域的區(qū)域。在這些掩模板用基板的制造方法中，優(yōu)選，上述算出區(qū)域是以透光性基板的中心為基準(zhǔn)的邊長132mm的正方形內(nèi)的區(qū)域。并且優(yōu)選，上述平坦度的規(guī)定值為0. 24 Um0在這些掩模板用基板的制造方法中，優(yōu)選，還包括選定根據(jù)上述夾裝前主表面形狀求出的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度為0. 4 μ m以下的透光性基板的工序。本發(fā)明另一方式的掩模板的制造方法，包括在通過上述掩模板用基板的制造方法制造的掩模板用基板的上述主表面上，形成圖案形成用薄膜的薄膜形成工序。本發(fā)明另一方式的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，包含在通過上述掩模板的制造方法制造的掩模板的圖案形成用薄膜上形成轉(zhuǎn)印圖案的工序。本發(fā)明另一方式的掩模板的制造方法，其特征在于，包含準(zhǔn)備在透光性基板的主表面上具有圖案形成用薄膜的掩模板的工序；測定上述掩模板的主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前的主表面形狀的形狀測定工序；通過模擬得到將上述掩模板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時的夾裝后的主表面形狀的模擬工序；選定根據(jù)上述夾裝后的主表面形狀求得的算出區(qū)域內(nèi)的平坦度為規(guī)定值以下者的選定工序，上述模擬工序，包括算出將上述掩模板載置于掩模載臺時主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量；分別算出將上述掩模板在掩模載臺上夾裝時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(c)主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量； 以及向上述夾裝前主表面形狀疊加而算出夾裝后主表面形狀。在該掩模板的制造方法中，優(yōu)選，上述形狀測定工序包含將測定的掩模板和夾裝前的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序，上述模擬工序包含將模擬的掩模板和夾裝后的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序。本發(fā)明另一方式的掩模板的制造方法，其特征在于，包含準(zhǔn)備在透光性基板的主表面上具有圖案形成用薄膜的掩模板的工序；測定上述掩模板的主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前的主表面形狀，將該測定的掩模板與上述夾裝前的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的形狀測定工序；通過模擬得到將上述掩模板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時的夾裝后主表面形狀的模擬工序，上述模擬工序，包括算出將上述掩模板載置于掩模載臺時主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量；分別算出將上述掩模板夾裝在掩模載臺上時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(c)主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前主表面形狀疊加而算出夾裝后主表面形狀，將該模擬的掩模板和上述夾裝后的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置。在這些掩模板的制造方法中，優(yōu)選，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)榘谄毓庋b置的掩模載臺上夾裝掩模板的區(qū)域的區(qū)域。并且優(yōu)選，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)閺耐腹庑曰宓牡菇敲娉コ^ Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域的區(qū)域。在這些掩模板的制造方法中，優(yōu)選，上述算出區(qū)域是以掩模板的中心為基準(zhǔn)的邊長132mm的正方形內(nèi)的區(qū)域。并且優(yōu)選，上述平坦度的規(guī)定值為0. 24 Um0在這些掩模板的制造方法中，優(yōu)選，還包括選定根據(jù)上述夾裝前主表面形狀求出的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度為0. 4 μ m以下的掩模板的工序。并且，本發(fā)明另一方式的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，包括在通過上述掩模板的制造方法制造的掩模板的圖案形成用薄膜上形成轉(zhuǎn)印圖案的工序。本發(fā)明另一方式的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，包含準(zhǔn)備在透光性基板的主表面上具有圖案形成用薄膜的掩模板的工序；測定上述掩模板的主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前的主表面形狀的形狀測定工序；通過模擬得到將上述掩模板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時的夾裝后的主表面形狀的模擬工序；選定根據(jù)上述夾裝后的主表面形狀求得的算出區(qū)域內(nèi)的平坦度為規(guī)定值以下者的選定工序；在通過上述選定工序選定的掩模板的圖案形成用薄膜上形成轉(zhuǎn)印圖案的工序，上述模擬工序，包括算出將上述掩模板載置于掩模載臺時主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量；分別算出將上述掩模板在掩模載臺上夾裝時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(c)主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前的主表面形狀疊加而算出夾裝后主表面形狀。在該轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法中，優(yōu)選，上述形狀測定工序包含將測定的掩模板和夾裝前的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序，上述模擬工序包含將模擬的掩模板和夾裝后的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序。在該轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法中，優(yōu)選，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)榘谄毓庋b置的掩模載臺上夾裝掩模板的區(qū)域的區(qū)域。并且優(yōu)選，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)閺耐腹庑曰宓牡菇敲娉コ^Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域的區(qū)域。在該轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法中，優(yōu)選，上述算出區(qū)域是以掩模板的中心為基準(zhǔn)的邊長132mm的正方形內(nèi)的區(qū)域。并且優(yōu)選，上述平坦度的規(guī)定值為0. 24 Um0在該轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法中，優(yōu)選，還包括選定根據(jù)上述夾裝前主表面形狀求出的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度為0. 4 μ m以下的掩模板的工序。本發(fā)明另一方式的半導(dǎo)體器件的制造方法，使用通過上述轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法制造的轉(zhuǎn)印用掩模，在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖案。在模擬中，考慮將透光性基板夾裝在曝光裝置上時作用于透光性基板的矯正扭彎的方向的變形記扭彎變形，從而能夠更加高精度地預(yù)測將掩模板用基板夾裝在曝光裝置上時該透光性基板的主表面形狀。由此，能夠選定適合用于導(dǎo)入了液浸曝光技術(shù)的曝光裝置的轉(zhuǎn)印用掩模的掩模板用基板的透光性基板。并且，由于能夠精度良好地預(yù)測夾裝后主表面形狀，因此能夠精度良好地預(yù)測轉(zhuǎn)印用掩模相對于夾裝前后的轉(zhuǎn)印圖案的基準(zhǔn)平面的移動，考慮到這一點(diǎn)能夠?qū)υO(shè)計(jì)圖案進(jìn)行修正來制造轉(zhuǎn)印用掩模。并且，在模擬中，考慮將掩模板夾裝在曝光裝置上時作用于掩模板的矯正扭彎的方向的變形記扭彎變形，從而能夠更加高精度地預(yù)測將掩模板在曝光裝置上夾裝時的該掩模板的主表面形狀。由此，能夠選定適合用于導(dǎo)入了液浸曝光技術(shù)的曝光裝置的轉(zhuǎn)印用掩模的掩模板。并且，由于能夠精度良好地預(yù)測夾裝后主表面形狀，因此能夠精度良好地預(yù)測轉(zhuǎn)印用掩模相對于夾裝前后的轉(zhuǎn)印圖案的基準(zhǔn)平面的移動，考慮到這一點(diǎn)能夠?qū)υO(shè)計(jì)圖案進(jìn)行修正來制造轉(zhuǎn)印用掩模。并且，使用考慮了高精度地預(yù)測的夾裝后的主表面形狀來制造的轉(zhuǎn)印用掩模，能夠?qū)⑥D(zhuǎn)印圖案曝光并轉(zhuǎn)印到半導(dǎo)體晶片上的抗蝕劑膜等上。由此，能夠在半導(dǎo)體晶片上形成高精度的電路圖案。


圖1為表示包含本發(fā)明第一實(shí)施方式的掩模板用基板的制造方法的掩模板的制造方法的流程圖。圖2A為用于說明取得夾裝前主表面形狀時以及通過模擬算出夾裝后主表面形狀時的各測定點(diǎn)的透光性基板的立體圖。圖2B為圖2A所示透光性基板的外周部的斷面圖。圖3A 圖3C為表示在曝光裝置的掩模載臺上安置的透光性基板的圖。圖4為用于說明算出平坦度時的各測定點(diǎn)的透光性基板的立體圖。圖5A和圖5B為表示掩模板的構(gòu)造的斷面圖。圖6為表示包含本發(fā)明第二實(shí)施方式的掩模板的制造方法的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法的流程圖。圖7用于說明本發(fā)明的模擬的精度。圖8用于說明本發(fā)明的模擬的精度。圖9為比較本發(fā)明的模擬與現(xiàn)有模擬的結(jié)果的圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖對本發(fā)明第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1為表示包含本發(fā)明第一實(shí)施方式的掩模板用基板的制造方法的轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序的流程圖。該掩模板用基板的制造方法具有圖1的到透光性基板(合成石英玻璃基板)的準(zhǔn)備工序(Si)、形狀測定工序(S2)、模擬工序(S3)、選定工序(S4)為止的工序。接著，在制造的掩模板用基板的主表面上，通過薄膜形成工序(SO形成圖案形成用薄膜，制造掩模板。 接著，使用制造的掩模板，通過抗蝕劑膜形成工序(S7)和轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序(S8)，制造轉(zhuǎn)印用掩模。并且，如果在透光性基板上形成的圖案形成用薄膜上存在有助于透光性基板的變形的膜應(yīng)力，則為了降低該膜應(yīng)力，也可以設(shè)置膜應(yīng)力控制工序(S6)。并且，在掩模板的制造工序中也可以包含抗蝕劑膜形成工序(S7)。以下依次說明上述各工序。這里，作為透光性基板使用了合成石英玻璃，但是只要能夠用作轉(zhuǎn)印用掩模的基板則沒有特別限定，例如可以采用鈉鈣玻璃(soda lime glass)、 鋁硅酸鹽玻璃(aluminosilicate glass)、硼硅酸鹽玻璃(borosilicate glass)、無堿玻璃、氟化鈣玻璃等。并且在以下說明中，透光性基板的尺寸以約152mmX約152mmX6. 35mm進(jìn)行了敘述，但是沒有特別限定。在比約152mmX約152mmX6. 35mm大或小的透光性基板的情況下，也能夠獲得同樣的效果。并且，關(guān)于根據(jù)基板主表面的夾裝后主表面形狀算出的平坦度，將算出該平坦度的區(qū)域按照透光性基板的大小適當(dāng)設(shè)定。(A)透光性基板的準(zhǔn)備工序(Si)圖2A為透光性基板的立體圖，圖2B為透光性基板的外周部的斷面圖。透光性基板可以從通過一般公知的方法制作的合成石英玻璃錠坯，切出約152. 4mmX約152. 4mmX 約6. 8mm而得到。對得到的合成石英玻璃板實(shí)施倒角加工或主表面等的研磨，接著，對該合成石英玻璃板的表面即主表面1和2、端面3、倒角面4進(jìn)行鏡面研磨，并且對主表面1和2 進(jìn)行精密研磨來準(zhǔn)備透光性基板(合成石英玻璃基板，約152mmX約152mmX6. 35mm) 5。主表面1在薄膜形成工序中形成圖案形成用薄膜(遮光膜、光半透過膜等)。在透光性基板5的準(zhǔn)備工序中，透光性基板5的兩主表面1和2的表面粗糙度，以均方根粗糙度(Rq)計(jì)為約0. 2nm以下，端面3和倒角面4的表面粗糙度，以算術(shù)平均粗糙度(Ra)計(jì)為 0. 03ym 以下。(B)形狀測定工序(S2)作為取得透光性基板5的主表面1的載置于掩模載臺上之前的主表面形狀即夾裝前主表面形狀的手段，可以通過利用了公知的光干涉計(jì)的平坦度測定裝置(未圖示)等獲得。為了盡量抑制透光性基板5因自重產(chǎn)生的撓曲，可以在使透光性基板5處于垂直或大致垂直地立起的狀態(tài)(獨(dú)立(free standing)狀態(tài))測定平坦度。這里所說的夾裝前主表面形狀，如圖2A所示，是指在透光性基板5的主表面1內(nèi)設(shè)置的實(shí)測區(qū)域(aXa)內(nèi)的多個測定點(diǎn)P(XmJn)(其中m，η為整數(shù))距離基準(zhǔn)面7 (通過最小二乘法算出的焦平面)的高度信息Zk (k為整數(shù))。并且，該高度信息Zk優(yōu)選盡可能高精度地進(jìn)行測定，且優(yōu)選按照nm 數(shù)量級(order)進(jìn)行測定。并且在圖2A中，透光性基板5的主表面1內(nèi)的格子是用于表示多個測定點(diǎn)P0(m，Yn)的假想線，并非主表面1上實(shí)際存在的線。測定夾裝前主表面形狀的上述實(shí)測區(qū)域(aXa)，根據(jù)透光性基板5的尺寸或平坦度測定裝置的測定精度、曝光裝置的掩模載臺與透光性基板5的主表面1抵接的區(qū)域等適當(dāng)選定。為了高精度地進(jìn)行后述的模擬，優(yōu)選盡量取得透光性基板5的主表面1的整個面的夾裝前主表面形狀，但是至少設(shè)定為包含曝光裝置的掩模載臺與透光性基板5的主表面 1抵接的區(qū)域(即，在曝光裝置的掩模載臺上夾裝透光性基板5的區(qū)域)。并且，在現(xiàn)有的利用了光干涉計(jì)的平坦度測定裝置的情況下，在透光性基板5的外周部，即，如圖2B所示，在透光性基板5的主表面1和倒角面4的邊界附近，難以高精度地測定上述高度信息Zk。如果考慮到這一點(diǎn)，取得表面形態(tài)信息的主表面1的實(shí)測區(qū)域 (aXa),優(yōu)選為將從透光性基板5的倒角面4起超過Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域b從主表面1的整個面除去的區(qū)域。特別優(yōu)選，將從透光性基板5的倒角面4起0. 5mm以上2. 5mm 以下的周邊部區(qū)域b、進(jìn)一步優(yōu)選將從透光性基板5的倒角面4起Imm以上2mm以下的周邊部區(qū)域b，分別從主表面1的整個面除去的區(qū)域，作為取得夾裝前主表面形狀的實(shí)測區(qū)域 (aX a)。例如，在透光性基板5的尺寸為152mmX 152mm的情況下，優(yōu)選取得夾裝前主表面形狀的實(shí)測區(qū)域(aXa)為146mmX 146mm，進(jìn)一步優(yōu)選為148mmX 148mm。并且，為了高精度地進(jìn)行后述的模擬，優(yōu)選使取得高度信息Zk的測定點(diǎn)P(Xm， Yn)盡量多。但是，雖然增加測定點(diǎn)P(Xm，Yn)能夠取得準(zhǔn)確的模擬結(jié)果，但是模擬所需的時間較多，因此優(yōu)選考慮這些點(diǎn)來決定測定點(diǎn)P(Xm，Yn) 0例如可以使測定點(diǎn)P(Xm，Yn)為 256X256 測點(diǎn)(point)。這里得到的夾裝前主表面形狀的信息(各測定點(diǎn)P和該測定點(diǎn)的高度信息Zk等與基板主表面有關(guān)的各種信息)，優(yōu)選與該測定的透光性基板建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置(PC、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、IC標(biāo)簽等)。該記錄的夾裝前主表面形狀的信息，在后續(xù)工序的轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序中使用。關(guān)于夾裝前主表面形狀的信息與透光性基板的對應(yīng)，可以使用國際公開W02005/085951號公報(bào)記載的方法。并且，對JP特開2006-309143號公報(bào)記載的透光性基板的使用曝光裝置進(jìn)行曝光時沒有影響的部分(端面、倒角面、缺口標(biāo)記(notch mark)部、主表面的轉(zhuǎn)印圖案形成區(qū)域的外周區(qū)域等)的表面照射激光來設(shè)置形成多個凹部而構(gòu)成的標(biāo)志(marker)，將其與夾裝前主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置。并且，在用于建立對應(yīng)關(guān)系的透光性基板上設(shè)置的標(biāo)志，不限于透光性基板的表面，也可以以使得焦點(diǎn)匯聚在基板內(nèi)部的方式從多個激光源照射激光使之局部地變質(zhì)而形成。(C)模擬工序(S3)在該模擬工序中，模擬將透光性基板5安置于曝光裝置的掩模載臺上的狀態(tài)，用透光性基板5的主表面1上的多個測定點(diǎn)P(Xm，^i)，求出距離基準(zhǔn)面7(圖2A)的高度信息^^(其中k為整數(shù))。圖3A 圖3C表示將透光性基板5安置于曝光裝置(未圖示)的掩模載臺8上的狀態(tài)。圖:3B為從上看的圖，圖3A為圖;3B的III-III斷面的斷面圖。如圖所示，掩模載臺8由在重力方向上實(shí)質(zhì)地垂直的X-Y平面上彼此平行配置的兩個吸引夾裝部構(gòu)成。該兩個吸引夾裝部，在彼此在X方向上以距離Ll間隔的位置，配置為長度方向沿著Y方向(與 X方向垂直)。各個吸引夾裝部，X方向的寬度為L2，Y方向的長度為L3。并且，圖3C為圖;3B的III-III斷面的斷面圖的詳細(xì)圖，實(shí)線表示透光性基板5吸引夾裝在掩模載臺8上前的狀態(tài)，虛線表示透光性基板5吸引夾裝在掩模載臺8上后的狀態(tài)。構(gòu)成掩模載臺8的吸引夾裝部，也可以構(gòu)成為在與透光性基板5的主表面1平行地呈線狀延伸的3個支承部9與透光性基板5的主表面1之間形成有2個吸附口 10。透光性基板5放置在掩模載臺8上時，如實(shí)線所示，會因重力而撓曲。如果被吸引夾裝在掩模載臺8 上，則如虛線所示，變形為與掩模載臺8抵接。模擬獲得在曝光裝置上安置透光性基板5時透光性基板5上的多個測定點(diǎn)P (Xm, Yn)的高度信息圖2A)所需的條件是在上述形狀測定工序中得到的透光性基板5的主表面1上的多個測定點(diǎn)P (Xm，Yn)距離基準(zhǔn)面7的高度信息Zk、包含曝光裝置的掩模載臺8與透光性基板5的主表面1抵接的區(qū)域(即，掩模載臺8上的具有X方向的寬度L2和 Y方向的寬度L3的區(qū)域)的該掩模載臺8的形狀信息(上述寬度L2、上述寬度L3、掩模載臺8之間的距離Li)。使用這些信息，按照材料力學(xué)中的撓曲微分方程式，能夠模擬獲得在曝光裝置的掩模載臺8上安置透光性基板5時透光性基板5的主表面1上的多個測定點(diǎn) P(Xm, Yn)距離基準(zhǔn)面7的高度信息Mk。上述撓曲微分方程式在重力方向上配置Z軸正方向，如下求出。(透光性基板吸引夾裝在掩模載臺上時的主表面的高度信息Mk)=(在形狀測定工序中取得的透光性基板的主表面的高度信息Zk)+(透光性基板因重力沿著X方向撓曲的變形的預(yù)測值)[重力變形量]
+(吸引夾裝引起的透光性基板以掩模載臺為支點(diǎn)沿著X方向的翹曲(杠桿效應(yīng)) 的預(yù)測值)[杠桿變形量]+(吸引夾裝引起的透光性基板沿著Y方向(掩模載臺的長度方向)的變形的預(yù)測值)[仿照變形量]+(將透光性基板安置在掩模載臺上時透光性基板的作用于矯正扭彎的方向的變形(扭彎變形)的預(yù)測值)[扭彎變形量]這里，X方向和Y方向如圖:3B所示，X方向是與掩模載臺8的長度方向正交的方向，Y方向?yàn)檠刂谀］d臺8的長度方向的方向。并且，“透光性基板與掩模載臺抵接的沿著Y方向的區(qū)域”，根據(jù)作為掩模載臺8的形狀信息的、掩模載臺8與透光性基板5的主表面1抵接的區(qū)域求出。在上述模擬工序中，透光性基板通常著眼于具有扭彎成分，也考慮將透光性基板在掩模載臺上安置(吸引夾裝)時透光性基板的作用于矯正扭彎的方向的變形(扭彎變形)進(jìn)行模擬，因此能夠獲得比以往更加準(zhǔn)確的模擬。并且，作為上述的掩模載臺的形狀信息，除了掩模載臺8與透光性基板5的主表面 1抵接的區(qū)域(具有X方向的寬度L2和Y方向的寬度L3的區(qū)域)之外，也可以包括掩模載臺8與透光性基板5的主表面1抵接的上述區(qū)域(面)上的該掩模載臺8的平坦度的信息。這里得到的夾裝后主表面形狀的信息(各測定點(diǎn)P的模擬后的高度信息ZSk等通過模擬得到的與夾裝后的基板主表面有關(guān)的各種信息、與掩模載臺8有關(guān)的信息等)，優(yōu)選與該測定的透光性基板建立對應(yīng)關(guān)系地，通過與記錄夾裝前主表面形狀的信息時同樣的手段，記錄在記錄裝置(PC、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、IC標(biāo)簽等)中。(D)選定工序(S4)圖4用于說明根據(jù)在模擬工序中得到的夾裝后主表面形狀的信息算出平坦度的順序，是透光性基板5的立體圖。對于透光性基板5，與圖2A相同的構(gòu)成，以相同編號表示。 這里是，如圖4所示，根據(jù)通過上述模擬工序得到的主表面1距離基準(zhǔn)面的高度信息^k，在包含轉(zhuǎn)印用掩模(未圖示)的轉(zhuǎn)印區(qū)域的算出區(qū)域(cXd)中求出最大值和最小值，根據(jù)它們的差分，算出在曝光裝置上安置上述透光性基板5時該透光性基板5的主表面1的平坦度的工序。該平坦度有利于使用曝光裝置的圖案轉(zhuǎn)印時良好的轉(zhuǎn)印圖案的形成。包含上述轉(zhuǎn)印用掩模的轉(zhuǎn)印區(qū)域的算出區(qū)域(cXd)，根據(jù)曝光波長或半導(dǎo)體基板上形成的微細(xì)圖案 (電路圖案)的種類等決定。例如，在掩模板的尺寸為152mmX152mm的情況下，考慮以基板主表面的中心為基準(zhǔn)的104mmX 132mm的矩形狀、旋轉(zhuǎn)90度來配置轉(zhuǎn)印圖案的情況，能夠?qū)D(zhuǎn)印用掩模的轉(zhuǎn)印區(qū)域的算出區(qū)域(cXd)作成為132mmX 132mm的正方形。并且，對于132mmX 132mm的外周區(qū)域也優(yōu)選保證平坦度，例如可以將142mmX 142mm的正方形作為算出區(qū)域。并且，對于這里得到的夾裝后主表面形狀的平坦度，也優(yōu)選與透光性基板建立對應(yīng)關(guān)系地，通過與記錄夾裝前主表面形狀的信息時同樣的手段，記錄在記錄裝置(PC、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、IC標(biāo)簽等)中。并且，也可以模擬工序時不在記錄裝置中記錄夾裝后主表面形狀的信息，而在該階段與平坦度一并記錄。將按照以上的順序算出的夾裝后主表面的平坦度和預(yù)定的規(guī)格(平坦度的規(guī)定值等)進(jìn)行比較，判定是否符合該規(guī)格。將判定為符合該規(guī)格的透光性基板5確定為掩模板用基板5A，僅對該掩模板用基板5A實(shí)施在該基板5A上形成圖案形成用薄膜的薄膜形成工序，制作掩模板。對于判定為不符合規(guī)格的透光性基板5，再次對透光性基板5的主表面 1進(jìn)行研磨加工來準(zhǔn)備透明基板，使模擬的平坦度滿足規(guī)格。從上述(A)透明基板的準(zhǔn)備工序到(D)選定工序，是掩模板用基板的制造方法。并且，上述規(guī)格根據(jù)曝光波長、曝光裝置的掩模載臺的基板夾裝方式等的不同，算出對掩模板(或轉(zhuǎn)印用掩模)能夠容許的平坦度來決定。例如，在曝光光源為ArF準(zhǔn)分子激光器(曝光波長193nm)，具有基板夾裝方式(透光性基板5的支承部構(gòu)造)，如圖3C所示， 在與透光性基板5的主表面1平行地線狀延伸的3個支承部9之間形成2個吸附口 10，在上述支承部9上抵接透明基板5而通過吸引夾裝進(jìn)行支承的構(gòu)造的情況下，上述規(guī)格在包含轉(zhuǎn)印用掩模的轉(zhuǎn)印區(qū)域的算出區(qū)域(104mmX 132mm)中平坦度為0. M μ m以下。并且，在采用雙重圖形技術(shù)的轉(zhuǎn)印用掩模的情況下，優(yōu)選在與上述相同的算出區(qū)域平坦度為0. 12ym 以下。(E)薄膜形成工序(S5)在上述選定工序中，判定為透光性基板5被安置在曝光裝置的掩模載臺8上時該透光性基板5的平坦度符合規(guī)格的情況下，通過濺射法形成用于在該透光性基板5 (即掩模板用基板5Α)的主表面1上形成掩模圖案的圖案形成用薄膜來制作掩模板。該圖案形成用薄膜11的成膜，例如使用DC磁控濺射裝置來進(jìn)行。圖5Α表示掩模板14的斷面局部。掩模板14在掩模板用基板5Α之上具有圖案形成用薄膜11。圖案形成用薄膜可以采用遮光膜、半色調(diào)型的相移膜、用于增強(qiáng)器掩模(enhancer mask)等的光半透過膜，還可以使用設(shè)置在這些膜之上或者用于制作無鉻相移膜的蝕刻掩模用膜等。作為構(gòu)成遮光膜的材料，可以舉出鉻、由過渡金屬和硅元素構(gòu)成的材料(過渡金屬硅化物)、鉭。遮光膜可以舉出單層的情況，從基板側(cè)起遮光層、表面反射防止層的2層積層構(gòu)造，以及從基板側(cè)起背面反射防止層、遮光層、表面反射防止層的3層積層構(gòu)造等。 表面反射防止層或背面反射防止層，優(yōu)選在用于遮光層的材料中添加氧或氮的材料。作為過渡金屬硅化物中的過渡金屬，可以采用Mo、W、Ta、Ti、Hf、Zr、Pd、Nb、Ru、Ni、V、Rh、Cr 等。并且，作為相移膜或光半透過膜的材料，優(yōu)選，如果是鉻系材料，則可以是CrO、CrON, CrOCN等，如果是過渡金屬硅化物系材料，則可以是MSiON (M 過渡金屬，下同)、MSiO、MSiN、 MSiOC、MSiOCN等，如果是鉭系材料，則可以是!"aN、TaO, TaON, TaBO, TaBON等。圖案形成用薄膜可以通過濺射法成膜。作為濺射裝置，可以采用DC磁控濺射裝置、RF磁控濺射裝置、離子束濺射裝置等。在向掩模板用基板上濺射遮光性膜時，優(yōu)選在使基板旋轉(zhuǎn)并且使濺射靶從基板的旋轉(zhuǎn)軸傾斜規(guī)定角度的位置配置靶進(jìn)行成膜。通過這樣的成膜法，減小遮光膜的面內(nèi)的偏差而均勻地形成。特別是在相移掩模或光半透過膜的情況下，在使基板旋轉(zhuǎn)并且使濺射靶從基板的旋轉(zhuǎn)軸傾斜規(guī)定角度的位置配置靶進(jìn)行成膜時，相位角和透過率的面內(nèi)的分布，也隨著基板和靶的位置關(guān)系變化。優(yōu)選采用JP特開 2003-280174號公報(bào)記載的那種成膜方法。(F)膜應(yīng)力控制工序(S6)該膜應(yīng)力控制工序，例如，在圖案形成用薄膜形成時和/或薄膜形成后將掩模板以150°C以上的溫度進(jìn)行加熱處理時，如圖5B所示，存在使在掩模板用透明基板5A上形成的圖案形成用薄膜為多層，例如薄膜11為具有壓縮應(yīng)力的層，薄膜12為具有拉伸應(yīng)力的層，對它們進(jìn)行積層可以將各層11、12的膜應(yīng)力抵消的情形。在以下表示的實(shí)施例中，對前者(加熱處理)的情況進(jìn)行說明。(G)抗蝕劑膜形成工序(S7)接著，在掩模板的上述圖案形成用薄膜11的表面上涂布抗蝕劑，然后進(jìn)行加熱處理而形成抗蝕劑膜。抗蝕劑優(yōu)選能夠形成微細(xì)圖案的電子線描畫曝光用類型，特別優(yōu)選化學(xué)放大型。從上述(A)透光性基板的準(zhǔn)備工序到(E)薄膜形成工序(根據(jù)需要可以直到 (F)膜應(yīng)力控制工序)或者直到(G)抗蝕劑膜形成工序是掩模板的制造方法。(H)轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序(S8)對掩模板上的抗蝕劑膜上描畫規(guī)定的圖案并對該圖案進(jìn)行顯影處理，形成抗蝕劑圖案。接著，掩蔽該抗蝕劑圖案，對圖案形成用薄膜11進(jìn)行蝕刻，形成轉(zhuǎn)印圖案(掩模圖案)。最后，除去上述抗蝕劑圖案，獲得在掩模板用基板5A上形成了轉(zhuǎn)印圖案的轉(zhuǎn)印用掩模 (曝光用掩模)。(I)半導(dǎo)體器件的制造工序?qū)⒌玫降霓D(zhuǎn)印用掩模安置(夾裝)在曝光裝置的掩模載臺上，使用該轉(zhuǎn)印用掩模， 將ArF準(zhǔn)分子激光器作為曝光光，使用光刻技術(shù)將轉(zhuǎn)印用掩模的轉(zhuǎn)印圖案轉(zhuǎn)印到在半導(dǎo)體基板上形成的抗蝕劑膜上，在該半導(dǎo)體基板上形成所需的電路圖案，制造半導(dǎo)體器件。在上述的掩模板用基板的制造方法中，將在(B)形狀測定工序中測定透光性基板 5的夾裝前主表面形狀得到的內(nèi)容全部經(jīng)(C)模擬工序算出夾裝后主表面形狀。在該制造方法的情況下，只要按照夾裝后主表面形狀算出的主表面的平坦度在規(guī)格的范圍內(nèi)，則即使按照夾裝前主表面形狀算出的主表面的平坦度并非良好也可以選定為掩模板用基板。通過該制造方法，能夠獲得制造成品率大幅改善這樣大的效果。但是，夾裝前主表面的平坦度并非良好而夾裝后平坦度處于規(guī)格范圍內(nèi)的變好的透光性基板，具有在夾裝前后主表面形狀變化大的特性。在使用主表面形狀變化大的透光性基板制造的轉(zhuǎn)印用掩模中，通過圖案形成用薄膜形成的轉(zhuǎn)印圖案夾裝前后在X-Y平面上的移動量比較大。在用于比采用液浸曝光技術(shù)的DRAM hp45等級微細(xì)的圖案的轉(zhuǎn)印用掩模的掩模板用基板的情況下，如果夾裝前后的轉(zhuǎn)印圖案的移動量(位置偏移)大則對轉(zhuǎn)印精度影響大，因而不優(yōu)選。特別是在用于采用雙重圖形技術(shù)的轉(zhuǎn)印用掩模的掩模板用基板的情況下，轉(zhuǎn)印圖案的位置精度嚴(yán)格，轉(zhuǎn)印圖案的移動量(位置偏移)大就特別成問題。在這樣一些對轉(zhuǎn)印圖案的位置偏移要求嚴(yán)格的情況下，優(yōu)選在⑶形狀測定工序中測定夾裝前主表面形狀后，算出夾裝前主表面形狀的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度，僅選定該算出的平坦度為規(guī)定值以下者，向后續(xù)工序即(C)模擬工序供給。算出夾裝前主表面形狀的平坦度的規(guī)定區(qū)域，可以與算出夾裝后主表面形狀的平坦度的算出區(qū)域相同，但是優(yōu)選保證比其更寬的區(qū)域。在透光性基板的尺寸為152mmX 152mm的情況下，在以基板主表面的中心為基準(zhǔn)的132mmX 132mm的正方形狀的區(qū)域保證平坦度即可，優(yōu)選在142mmX 142mm的正方形狀的區(qū)域保證平坦度。平坦度的規(guī)定值，在用于比采用液浸曝光技術(shù)的DRAM hp45等級微細(xì)的圖案的轉(zhuǎn)印用掩模的掩模板用基板的情況下，優(yōu)選為0.4μπι以下。并且，在用于采用雙重圖形技術(shù)的轉(zhuǎn)印用掩模的掩模板用基板的情況下，優(yōu)選為0. 3μπι。接著參照附圖對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖6為表示包含第二實(shí)施方式的掩模板的制造方法的轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序的流程圖。該轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法具有到透光性基板的準(zhǔn)備工序(S21)、薄膜形成工序 (S22)、形狀測定工序(SM)、模擬工序(S25)、選定工序(S^O為止的工序。接著，使用制造的掩模板，通過抗蝕劑膜形成工序(S28)和轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序(S^)，制造轉(zhuǎn)印用掩模。并且，當(dāng)在透光性基板上形成的圖案形成薄膜上存在有助于透光性基板的變形的膜應(yīng)力時，為了降低該膜應(yīng)力，也可以設(shè)置膜應(yīng)力控制工序(S2!3)。并且，掩模板的制造工序中有時也會包含抗蝕劑膜形成工序(S28)。對于上述各工序，以與上述圖1的流程圖不同的部分為中心依次進(jìn)行說明。并且，沒有特別說明的事項(xiàng)則與上述第一實(shí)施方式相同。在該第二實(shí)施方式中，最初，按照與第一實(shí)施方式的透光性基板的準(zhǔn)備工序(Si) 相同的順序進(jìn)行透光性基板的準(zhǔn)備工序(S21)，準(zhǔn)備透光性基板1。接著，按照與第一實(shí)施方式的薄膜形成工序(SO同樣的順序進(jìn)行薄膜形成工序(S22)，準(zhǔn)備在透光性基板5的主表面1上形成了圖案形成用薄膜11的掩模板14(從透光性基板的準(zhǔn)備工序(S21)到薄膜形成工序(S22)相當(dāng)于掩模板準(zhǔn)備工序)。在必要情況下，按照與第一實(shí)施方式的膜應(yīng)力控制工序(S6)相同的順序進(jìn)行膜應(yīng)力控制工序(S23)，降低圖案形成用薄膜的應(yīng)力。圖案形成用薄膜11的膜應(yīng)力，主表面1的膜形成前后的變化量的絕對值，按照TIRCTotal Indicated Reading)至少需要控制為0. 1 μ m以下，優(yōu)選為不到0. 1 μ m，理想是在50nm以下。接著，對掩模板14，按照與第一實(shí)施方式的形狀測定工序(S》相同的順序進(jìn)行形狀測定工序(SM)，取得掩模板14的主表面在掩模載臺上載置之前的主表面形狀即夾裝前的主表面形狀。這里，通過平坦度測定裝置取得的掩模板的夾裝前的主表面形狀，是在透光性基板5的主表面1上形成的圖案形成用薄膜11的表面形狀。但是，通過濺射法成膜的圖案形成用薄膜11的膜厚分布非常高。并且，圖案形成用薄膜11的膜應(yīng)力被控制為非常低。 因此，圖案形成用薄膜11的表面形狀，即使與透光性基板5的主表面1的夾裝前主表面形狀等價(jià)也不會實(shí)質(zhì)地影響模擬精度。接著，使用得到的掩模板14的夾裝前的主表面形狀，按照與第一實(shí)施方式的模擬工序(S； )相同的順序，進(jìn)行模擬工序(S25)，取得掩模板14的夾裝后的主表面形狀。在該模擬工序(S25)中使用的撓曲微分方程式與透光性基板有關(guān)。但是，相對于透光性基板的厚度約6mm的情況，圖案形成用薄膜的膜厚為IOOnm以下，對斷面2次彎矩等的影響非常小。并且，圖案形成用薄膜的膜應(yīng)力被控制為非常低。因此，即使通過基于和透光性基板有關(guān)的撓曲微分方程式的模擬算出掩模板14的夾裝后的主表面形狀，也不會實(shí)質(zhì)地影響模擬精度。并且，這里得到的掩模板14的夾裝后的主表面形狀，可以與透光性基板的夾裝后主表面形狀等價(jià)。接著，使用得到的掩模板14的夾裝后的主表面形狀，按照與第一實(shí)施方式的選定工序(S4)相同的順序，進(jìn)行選定工序6 )，選定夾裝后的主表面的算出區(qū)域內(nèi)的平坦度為規(guī)定值以下的掩模板。這里，沒有選定的掩模板，被送至再利用工序(S27)。在再利用工序(S27)中，根據(jù)該掩模板，區(qū)分為作為面向低等級的轉(zhuǎn)印用掩模制作的掩模板進(jìn)行選定的，剝離圖案形成用薄膜11，再次向透光性基板的準(zhǔn)備工序(S21)輸送、或者進(jìn)行廢棄處理的等，分別進(jìn)行處理。在選定工序(S26)中選定為滿足規(guī)格的掩模板，按照與第一實(shí)施方式的抗蝕劑膜形成工序(S7)同樣的順序，進(jìn)行抗蝕劑膜形成工序(S^)，形成抗蝕劑膜。從以上的透光性基板的準(zhǔn)備工序(S21)到選定工序(S26)或者直到抗蝕劑膜形成工序(S28)是掩模板的制造方法。接著，對具有所得抗蝕劑膜的掩模板，按照與第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序(S8)同樣的順序，進(jìn)行轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序(S^)，得到轉(zhuǎn)印用掩模(曝光用掩模)。并且，使用得到的轉(zhuǎn)印用掩模，將ArF準(zhǔn)分子激光器作為曝光光，使用光刻技術(shù)將轉(zhuǎn)印用掩模的轉(zhuǎn)印圖案轉(zhuǎn)印到在半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)上形成的抗蝕劑膜上。這樣，在半導(dǎo)體基板上形成所需的電路圖案，制造半導(dǎo)體器件。(實(shí)施例)以下用實(shí)施例具體地對包含掩模板用基板的制造工序、掩模板的制造工序的轉(zhuǎn)印用掩模的制造工序進(jìn)行說明。(I)透光性基板的準(zhǔn)備工序?qū)φ叫蔚耐腹庑曰?合成石英玻璃基板)的主表面進(jìn)行精密研磨、洗凈，準(zhǔn)備 20 張透光性基板(約 l52mmX 152mmX6. 35mm)。(II)形狀測定工序?qū)ι鲜?0張透光性基板，使用利用光干涉計(jì)的平坦度測定裝置(康寧TROPEL公司制造UltraFlat200M)，在透光性基板的主表面(形成圖案形成用薄膜的主表面)的實(shí)測區(qū)域(148mmX 148mm)，對256X 256的各測定點(diǎn)取得夾裝前主表面形狀的信息(距離通過最小二乘法算出的焦平面(假想絕對平面)的高度信息)，與該測定的透光性基板(基板搬送用箱所附的條碼)建立對應(yīng)關(guān)系地保存于計(jì)算機(jī)(記錄裝置)。并且為了盡量抑制透光性基板因自重而產(chǎn)生的撓曲，在使透光性基板垂直或大致垂直立起的狀態(tài)(獨(dú)立狀態(tài))下測定平坦度。(III)模擬工序根據(jù)在形狀測定工序中得到的夾裝前主表面形狀的信息和、曝光裝置的掩模載臺與透光性基板的主表面抵接的區(qū)域(從透光性基板的相對的兩個端面起分別約 IOmmX 132mm的區(qū)域)的該掩模載臺的形狀信息，使用上述撓曲微分方程式對各測定點(diǎn)，通過模擬算出將在曝光裝置上安置透光性基板時距離基準(zhǔn)面的高度信息(夾裝后主表面形狀)。這里，為了檢驗(yàn)本實(shí)施例的模擬精度而如下進(jìn)行。首先，按照以往的撓曲微分方程式(不考慮扭彎變形量)進(jìn)行夾裝后主表面形狀的模擬。接著，在與曝光裝置的掩模載臺相同構(gòu)造的載臺上實(shí)際地吸引夾裝各透光性部件，通過平坦度測定裝置對與上述相同的測定點(diǎn)實(shí)測夾裝后主表面形狀。并且，根據(jù)得到的各夾裝后主表面形狀，對132mmX104mm的內(nèi)側(cè)區(qū)域分別算出平坦度，分別算出根據(jù)本實(shí)施例的模擬的夾裝后主表面形狀算出的平坦度和根據(jù)實(shí)測的夾裝后主表面形狀算出的平坦度之差，以及根據(jù)以往的不考慮扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀算出的平坦度和根據(jù)實(shí)測的夾裝后主表面形狀算出的平坦度之差，進(jìn)行比較。其結(jié)果如圖7所示。在圖7中，橫軸為20張透光性基板的Lot編號，縱軸為平坦度或與實(shí)測值的平坦度之差。在圖7中，□表示根據(jù)本實(shí)施例的考慮了扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀算出的平坦度。并且，Δ為根據(jù)本實(shí)施例的該夾裝后主表面形狀算出的平坦度和根據(jù)實(shí)測的夾裝后主表面形狀算出的平坦度之差，〇為根據(jù)以往的不考慮扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀算出的平坦度和根據(jù)實(shí)測的夾裝后主表面形狀算出的平坦度之差。在不考慮扭彎變形量的模擬的情況下，如圖7的〇圖形所示，根據(jù)夾裝前主表面的形狀，在夾裝后的實(shí)測平坦度和模擬的算出平坦度之間差略大(士0.05 μ m以上)者產(chǎn)生多張。與此相對，如圖7的Δ圖形所示，在考慮了扭彎變形量的模擬的情況下，即使對任何夾裝前主表面的形狀，也能夠在夾裝后的實(shí)測平坦度和模擬的算出平坦度之間將差收斂在0. 03 μ m以內(nèi)，能夠精度良好地預(yù)測。接著，為了檢驗(yàn)對主表面上的各測定點(diǎn)的模擬的預(yù)測精度而如下進(jìn)行。最初，以實(shí)測的夾裝后主表面形狀為基準(zhǔn)，將主表面上的各測定點(diǎn)的高度信息的差異定義為矢量差， 對考慮了扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀、不考慮扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀，分別算出矢量差。接著，對各測定點(diǎn)，在算出的各測定點(diǎn)的矢量差中將絕對值最大值定義為矢量最大差，對考慮了扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀、不考慮扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀，分別求出矢量最大差。其結(jié)果如圖8所示。在圖8中，▲為本實(shí)施例的考慮了扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀和實(shí)測的夾裝后主表面形狀的矢量最大差， 為以往不考慮扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀和實(shí)測的夾裝后主表面形狀的矢量最大差。在不考慮扭彎變形量的模擬的情況下，如圖8 的 圖形所示，矢量最大差相對于任意的透光性基板也為0. Iym以上，各測定點(diǎn)的移動量的預(yù)測難言充分。與此相對，在考慮了扭彎變形量的模擬的情況下，如圖8的▲圖形所示， 矢量最大差即使相對于任意的基板也收斂于0. 06 μ m以下，可以高精度地進(jìn)行各測定點(diǎn)的移動量的預(yù)測。在圖9中表示關(guān)于進(jìn)行了上述檢驗(yàn)的透光性基板中的1張(LotNo. 1)的詳細(xì)結(jié)果。圖9之(1)為獨(dú)立地進(jìn)行實(shí)際測定的夾裝前主表面形狀。(1)上部的圖為透光性基板的等高線圖，橫軸為X方向而縱軸為Y方向(掩模載臺的長度方向)。相同濃度的部分表示高度0.02ym以內(nèi)的部分。在等高線圖中，線密集的部分表示透明基板表面的高度變化大的位置。相反地線不密的部分表示高度變化小的平坦部分。(1)下部的圖表為表示通過透光性基板的中心而沿著X方向和Y方向的方向上的透光性基板表面的高度變化的中心斷面圖表?？v軸表示高度(μ m)，橫軸表示基板的位置(mm)。在圖表中，(a)的線表示X方向的高度變化，(b)的線表示Y方向的高度變化。圖9( 是關(guān)于通過考慮了扭彎變形量的模擬算出的夾裝后主表面形狀，同樣地表示等高線圖和中心斷面圖表的圖。圖9(3)是關(guān)于通過不考慮扭彎變形量的模擬算出的夾裝后主表面形狀，同樣地表示等高線圖和中心斷面圖表的圖。對于132mmX104mm的內(nèi)側(cè)區(qū)域的平坦度，在夾裝前主表面形狀中為0. 144 μ m，在實(shí)測的夾裝后主表面形狀中為 0. 100 μ m，在考慮了扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀中為0. 097 μ m，在不考慮扭彎變形量的模擬的夾裝后主表面形狀中為0. 102μπι，在全部模擬中都可以高精度地預(yù)測。但是，關(guān)于矢量最大差，在考慮了扭彎變形量的模擬中為0. 04 μ m，與此相對在不考慮扭彎變形量的模擬中為0. Iym以上時，預(yù)測精度會產(chǎn)生較大的偏差。對兩者的等高線圖進(jìn)行比較也可以明了預(yù)測結(jié)果存在差異。根據(jù)以上結(jié)果，本實(shí)施例的模擬與實(shí)測的差小，因而可以說能夠高精度地進(jìn)行預(yù)測。并且，本實(shí)施例的模擬所需的時間與以往不考慮扭彎變形量的模擬所需時間相差不大，生產(chǎn)率和基于有限元法的模擬相比也非常良好。(IV)選定工序
根據(jù)上述的模擬結(jié)果，求出包含轉(zhuǎn)印用掩模的轉(zhuǎn)印區(qū)域的算出區(qū)域 (132mmX 132mm)距離基準(zhǔn)面的最大值與最小值之差，算出該規(guī)定區(qū)域的平坦度。其結(jié)果，選定平坦度為閾值0. 12ym(132mmX132mm)以下的透光性基板(16張為合格品)，將該透光性基板用作掩模板用基板。(V)薄膜形成工序?qū)x定的掩模板用基板，形成在主表面上具有遮光層和表面反射防止層的遮光膜 (圖案形成用薄膜)。在單張式DC磁控濺射裝置內(nèi)設(shè)置透光性基板，濺射靶使用鉬(Mo)與硅(Si)的混合靶(原子％比Mo Si = 21 79)，在氬氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w環(huán)境中，形成MoSiN膜。 其次，濺射靶使用鉬(Mo)與硅(Si)的混合靶(原子％比Mo Si = 4 96)，在氬氣、氮?dú)狻⒀鯕?、氦氣的混合氣體環(huán)境中，形成MoSiON膜。根據(jù)以上，形成由膜厚50nm的MoSiN膜 (膜組成比Mo :14. 7原子％，Si :56. 2原子％，N :29. 1原子％ )的遮光層和膜厚IOnm的 MoSiON(膜組成比Mo :2. 6原子％，Si :57. 1原子％，0 :15. 9原子％，N :24. 4原子％ )的表面反射防止層的2層積層構(gòu)造的MoSi系材料構(gòu)成的遮光膜。并且，遮光膜的各層的元素分析，使用盧瑟福背散射分析法。該遮光膜的光學(xué)濃度(OD)，相對于ArF準(zhǔn)分子激光器的曝光光的波長為3.0。(VI)膜應(yīng)力控制工序?qū)π纬闪苏诠饽さ难谀０逵没?，?50°C進(jìn)行30分鐘加熱處理(退火處理)，進(jìn)行降低遮光膜的膜應(yīng)力的處理，實(shí)質(zhì)地使上述遮光膜的膜應(yīng)力為零。(VII)薄膜(蝕刻掩模用膜)形成工序?qū)档土苏诠饽さ哪?yīng)力的掩模板用基板，在遮光膜上形成蝕刻掩模用膜(濺射形成用薄膜)。在單張式DC磁控濺射裝置內(nèi)設(shè)置透光性基板，濺射靶使用鉻(Cr)，在氬氣、二氧化碳?xì)?、氮?dú)狻⒑獾幕旌蠚怏w環(huán)境中，作為蝕刻掩模用膜將CrOCN膜形成為膜厚lOnm。(VIII)膜應(yīng)力控制工序?qū)π纬闪宋g刻掩模的掩模板用基板，以比遮光膜的退火處理低的溫度進(jìn)行加熱處理(退火處理)，從而進(jìn)行降低蝕刻掩模用膜的膜應(yīng)力的處理。并且，進(jìn)行規(guī)定的洗凈，制造出掩模板。(IX)抗蝕劑膜形成工序在制造出的掩模板的蝕刻掩模用膜上通過旋涂法形成抗蝕劑膜(電子線描畫曝光用化學(xué)放大型抗蝕劑富士膠片電子材料公司制造的PRL009)，進(jìn)行預(yù)焙處理形成膜厚 IOOnm的抗蝕劑膜，獲得帶有抗蝕劑膜的掩模板。(X)轉(zhuǎn)印用掩模(組)的制造工序使用雙重圖形技術(shù)，將相當(dāng)于DRAM hp32nm等級的微細(xì)/高密度的一個設(shè)計(jì)圖案分割為2個比較疏的設(shè)計(jì)圖案。從制造的帶有抗蝕劑膜的掩模板(以下稱為掩模板)選擇 2張，決定在各個遮光膜上形成的設(shè)計(jì)圖案。下載與掩模板(透光性基板)建立對應(yīng)關(guān)系地保管于服務(wù)器的各掩模板的夾裝前主表面形狀，以及夾裝后主表面形狀相關(guān)的信息。根據(jù)下載的信息算出與夾裝前后的主表面形狀變化相伴的掩模板的遮光膜的移動傾向，以此為基礎(chǔ)修正各設(shè)計(jì)圖案。對先前決定了已修正的各設(shè)計(jì)圖案的掩模板的抗蝕劑膜進(jìn)行基于電子線描畫的曝光，進(jìn)行規(guī)定的顯影/洗凈處理，形成具有轉(zhuǎn)印圖案的抗蝕劑圖案。將抗蝕劑圖案作為掩模，用氯氣和氧氣的混合氣對蝕刻掩模用膜進(jìn)行干蝕刻，將轉(zhuǎn)印圖案轉(zhuǎn)印到蝕刻掩模用膜上。接著，將蝕刻掩模用膜作為掩模，對遮光膜進(jìn)行干蝕刻形成轉(zhuǎn)印圖案。此時，作為蝕刻氣體，使用SF4和He的混合氣。最后，通過基于氯氣和氧氣的混合氣的干蝕刻將蝕刻掩模用膜剝離，實(shí)施規(guī)定的洗凈處理，制作出雙重圖形用的2張轉(zhuǎn)印用掩模(組)。(IX)半導(dǎo)體器件的制造工序使用制作的2張轉(zhuǎn)印用掩模(組)，進(jìn)行基于雙重圖形技術(shù)(雙重曝光技術(shù))的半導(dǎo)體器件的制造。將第一張轉(zhuǎn)印用掩模安置(吸引夾裝)在曝光裝置的掩模載臺上，通過 AfF曝光光在半導(dǎo)體基板上的抗蝕劑膜上進(jìn)行第一個轉(zhuǎn)印圖案的曝光轉(zhuǎn)印。接著，將第二張轉(zhuǎn)印用掩模安置(吸引)夾裝在曝光裝置的掩模載臺上，通過ArF曝光光在半導(dǎo)體基板上與先前基本相同的抗蝕劑膜上進(jìn)行第二個轉(zhuǎn)印圖案的曝光轉(zhuǎn)印。由此，在半導(dǎo)體基板上的抗蝕劑膜上進(jìn)行與DRAM hp32nm等級相當(dāng)?shù)?個微細(xì)/高密度的轉(zhuǎn)印圖案的曝光轉(zhuǎn)印。在半導(dǎo)體基板上的抗蝕劑膜上進(jìn)行規(guī)定的顯影，在處于抗蝕劑膜的圖案之下薄膜上通過干蝕刻轉(zhuǎn)印電路圖案。檢查轉(zhuǎn)印后的電路圖案時，可以確認(rèn)沒有短路或斷線部位，能夠正常地轉(zhuǎn)印。即可證明，能夠形成與轉(zhuǎn)印用掩模夾裝在掩模載臺上時的主表面形狀的變化對應(yīng)的轉(zhuǎn)印圖案，并且對透光性基板的模擬的精度足夠高。使用同樣地制作的其它轉(zhuǎn)印用掩模組，在半導(dǎo)體基板上依次形成電路圖案的積層構(gòu)造，做成半導(dǎo)體器件。對得到的半導(dǎo)體器件進(jìn)行檢查的結(jié)果是可以確認(rèn)該半導(dǎo)體器件正常工作。以上參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限于該實(shí)施例。例如， 透光性基板的尺寸即使為約152mmX約152mmX6. 35mm以外的尺寸，也能夠獲得與實(shí)施例同樣的效果。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)實(shí)施各種變形例或修正例，這些實(shí)施也屬于本發(fā)明技術(shù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種掩模板用基板的制造方法，其特征在于，包含 準(zhǔn)備主表面進(jìn)行了精密研磨的透光性基板的工序；測定上述主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前主表面形狀的形狀測定工序； 通過模擬得到將上述透光性基板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時夾裝后主表面形狀的模擬工序；將根據(jù)上述夾裝后主表面形狀求得的算出區(qū)域內(nèi)的平坦度為規(guī)定值以下者選定為掩模板用基板的選定工序， 上述模擬工序，包括算出將上述透光性基板載置于掩模載臺時主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量；分別算出將上述透光性基板夾裝在掩模載臺上時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(C) 主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前主表面形狀疊加而算出夾裝后主表面形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，上述形狀測定工序包含將測定的透光性基板和夾裝前主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序，上述模擬工序包含將模擬的透光性基板和夾裝后主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)榘谄毓庋b置的掩模載臺上夾裝上述透光性基板的區(qū)域的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)閺耐腹庑曰宓牡菇敲娉コ^Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，上述算出區(qū)域是以透光性基板的中心為基準(zhǔn)的邊長132mm的正方形內(nèi)的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，上述平坦度的規(guī)定值為 0. 24μ 0
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，還包括選定根據(jù)上述夾裝前主表面形狀求出的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度為0.4μπ 以下的透光性基板的工序。
8.一種掩模板的制造方法，其特征在于，包含在通過權(quán)利要求1所述的掩模板用基板的制造方法制造的掩模板用基板的上述主表面上，形成圖案形成用薄膜的薄膜形成工序。
9.一種轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，包含在通過權(quán)利要求8所述的掩模板的制造方法制造的掩模板的圖案形成用薄膜上形成轉(zhuǎn)印圖案的工序。
10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，使用通過權(quán)利要求9所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法制造的轉(zhuǎn)印用掩模，在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖案。
11.一種掩模板用基板的制造方法，其特征在于，包含 準(zhǔn)備主表面進(jìn)行了精密研磨的透光性基板的工序；測定上述主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前主表面形狀，將該測定的透光性基板和上述夾裝前主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的形狀測定工序；通過模擬得到將上述透光性基板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時夾裝后主表面形狀的模擬工序，上述模擬工序，包括算出將上述透光性基板載置于掩模載臺時的主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量；分別算出將上述透光性基板夾裝在掩模載臺上時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(C) 主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前主表面形狀疊加而算出夾裝后主表面形狀，將該模擬的透光性基板和上述夾裝后主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)榘谄毓庋b置的掩模載臺上夾裝上述透光性基板的區(qū)域的區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)閺耐腹庑曰宓牡菇敲娉コ^Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域的區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模板用基板的制造方法，其特征在于，還包括 選定根據(jù)上述夾裝前主表面形狀求出的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度為0.4μπι以下的透光性基板的工序。
15.一種掩模板的制造方法，其特征在于，包含在通過權(quán)利要求11所述的掩模板用基板的制造方法制造的掩模板用基板的上述主表面上，形成圖案形成用薄膜的薄膜形成工序。
16.一種轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，包含在通過權(quán)利要求15所述的掩模板的制造方法制造的掩模板的圖案形成用薄膜上形成轉(zhuǎn)印圖案的工序。
17.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，使用通過權(quán)利要求16所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法制造的轉(zhuǎn)印用掩模，在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖案。
18.—種掩模板的制造方法，其特征在于，包含準(zhǔn)備在透光性基板的主表面上具有圖案形成用的薄膜的掩模板的工序； 測定上述掩模板的主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前的主表面形狀的形狀測定工序； 通過模擬得到將上述掩模板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時夾裝后的主表面形狀的模擬工序；選定根據(jù)上述夾裝后的主表面形狀求得的算出區(qū)域內(nèi)的平坦度為規(guī)定值以下者的選定工序，上述模擬工序，包括算出將上述掩模板載置于掩模載臺時的主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量；分別算出將上述掩模板夾裝在掩模載臺上時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(c)主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前的主表面形狀疊加而算出夾裝后的主表面形狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的掩模板的制造方法，其特征在于，上述形狀測定工序包含將測定的掩模板和夾裝前的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序，上述模擬工序包含將模擬的掩模板和夾裝后的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的掩模板的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)榘谄毓庋b置的掩模載臺上夾裝掩模板的區(qū)域的區(qū)域。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的掩模板的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)閺耐腹庑曰宓牡菇敲娉コ^Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域的區(qū)域。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的掩模板的制造方法，其特征在于，上述算出區(qū)域是以掩模板的中心為基準(zhǔn)的邊長132mm的正方形內(nèi)內(nèi)的區(qū)域。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的掩模板的制造方法，其特征在于， 上述平坦度的規(guī)定值為0. 24 μ m。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的掩模板的制造方法，其特征在于，還包括選定根據(jù)上述夾裝前的主表面形狀求出的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度為0. 4 μ m以下的掩模板的工序。
25.—種轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，還包括在通過權(quán)利要求18所述的掩模板的制造方法制造的掩模板的圖案形成用的薄膜上形成轉(zhuǎn)印圖案的工序。
26.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，使用通過權(quán)利要求25所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法制造的轉(zhuǎn)印用掩模，在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖案。
27.一種掩模板的制造方法，其特征在于，包含準(zhǔn)備在透光性基板的主表面上具有圖案形成用的薄膜的掩模板的工序； 測定上述掩模板的主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前的主表面形狀，將該測定的掩模板與上述夾裝前的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的形狀測定工序；通過模擬得到將上述掩模板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時夾裝后主表面形狀的模擬工序，上述模擬工序，包括算出將上述掩模板載置于掩模載臺時主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量； 分別算出將上述掩模板夾裝在掩模載臺上時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(C)主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前的主表面形狀疊加而算出夾裝后的主表面形狀，將該模擬的掩模板和上述夾裝后的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的掩模板的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)榘谄毓庋b置的掩模載臺上夾裝掩模板的區(qū)域的區(qū)域。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的掩模板的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)閺耐腹庑曰宓牡菇敲娉コ^Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域的區(qū)域。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的掩模板的制造方法，其特征在于，還包括選定根據(jù)上述夾裝前的主表面形狀求出的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度為0. 4 μ m以下的掩模板的工序。
31.一種轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，包括在通過權(quán)利要求27所述的掩模板的制造方法制造的掩模板的圖案形成用薄膜上形成轉(zhuǎn)印圖案的工序。
32.—種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，使用通過權(quán)利要求31所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法制造的轉(zhuǎn)印用掩模，在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖案。
33.一種轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，包含準(zhǔn)備在透光性基板的主表面上具有圖案形成用的薄膜的掩模板的工序； 測定上述掩模板的主表面的實(shí)測區(qū)域內(nèi)的夾裝前的主表面形狀的形狀測定工序； 通過模擬得到將上述掩模板夾裝在曝光裝置的掩模載臺上時夾裝后的主表面形狀的模擬工序；選定根據(jù)上述夾裝后的主表面形狀求得的算出區(qū)域內(nèi)的平坦度為規(guī)定值以下者的選定工序；在通過上述選定工序選定的掩模板的圖案形成用的薄膜上形成轉(zhuǎn)印圖案的工序， 上述模擬工序，包括算出將上述掩模板載置于掩模載臺時主表面因重力而產(chǎn)生的變形量即重力變形量； 分別算出將上述掩模板夾裝在掩模載臺上時(a)主表面的以掩模載臺為支點(diǎn)的杠桿變形的杠桿變形量、(b)主表面的仿照掩模載臺的形狀的變形的仿照變形量以及(c)主表面的矯正扭彎的變形的扭彎變形量；以及向上述夾裝前主表面形狀疊加而算出夾裝后主表面形狀。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，上述形狀測定工序包含將測定的掩模板和夾裝前的主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序，上述模擬工序包含將模擬的掩模板和夾裝后主表面形狀的信息建立對應(yīng)關(guān)系地記錄于記錄裝置的工序。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)榘谄毓庋b置的掩模載臺上夾裝掩模板的區(qū)域的區(qū)域。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，上述實(shí)測區(qū)域?yàn)閺耐腹庑曰宓牡菇敲娉コ^Omm而在3mm以下的周緣部區(qū)域的區(qū)域。
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，上述算出區(qū)域是以掩模板的中心為基準(zhǔn)的邊長132mm的正方形內(nèi)內(nèi)的區(qū)域。
38.根據(jù)權(quán)利要求33所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，上述平坦度的規(guī)定值為 0. 24μ 0
39.根據(jù)權(quán)利要求33所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法，其特征在于，還包括選定根據(jù)上述夾裝前的主表面形狀求出的規(guī)定區(qū)域內(nèi)的平坦度為0. 4 μ m以下的掩模板的工序。
40.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，使用通過權(quán)利要求33所述的轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法制造的轉(zhuǎn)印用掩模，在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖案。
全文摘要
本發(fā)明涉及掩模板用基板、掩模板、轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法。在模擬工序中，基于主表面形狀的信息和掩模載臺的形狀信息，使用考慮了扭彎變形的撓曲微分方程式，模擬得到將透光性基板安置于曝光裝置時的多個測定點(diǎn)的高度信息。基于進(jìn)行該模擬所得的高度信息，在平坦度算出工序中，算出將透光性基板安置于曝光裝置時的該透光性基板的平坦度。在選定工序中判定該平坦度是否符合規(guī)格，將平坦度符合規(guī)格的透光性基板用作掩模板用基板。
文檔編號H01L21/027GK102169286SQ20111003262
公開日2011年8月31日 申請日期2011年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者田邊勝 申請人:Hoya株式會社