專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
近來(lái)，顯示設(shè)備已形成為薄的便攜式的平板顯示設(shè)備。作為這樣的平板顯示設(shè)備中的自發(fā)射顯示裝置，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置因諸如視角寬、對(duì)比度優(yōu)異和響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)已引起注意來(lái)作為下一代顯示裝置。與使用用于發(fā)射層的無(wú)機(jī)化合物的無(wú)機(jī)發(fā)光設(shè)備相比，使用用于發(fā)射層的有機(jī)化合物的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的亮度、驅(qū)動(dòng)電壓和響應(yīng)時(shí)間特性優(yōu)異，并且能夠?qū)崿F(xiàn)多色彩顯示器。在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，有機(jī)發(fā)射層設(shè)置在陰極和陽(yáng)極之間，在將電壓施加到陰極和陽(yáng)極時(shí)，連接到陰極和陽(yáng)極的有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見光。從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的可見光在順序地透過(guò)陰極或陽(yáng)極以及諸如平坦化層的其他構(gòu)件時(shí)熄滅(extinguish)。因此，從用戶的角度來(lái)講，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光效率受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例的特征在于提供一種具有改善的發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。上面和其它特征及優(yōu)點(diǎn)的至少一種可以通過(guò)提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備而實(shí)現(xiàn)， 該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基底；光轉(zhuǎn)換層，在基底上，光轉(zhuǎn)換層包含氧化物半導(dǎo)體；鈍化層，覆蓋光轉(zhuǎn)換層；第一電極，在鈍化層上；中間層，在第一電極上，中間層包括有機(jī)發(fā)射層；第二電極，在中間層上。光轉(zhuǎn)換層可以設(shè)置在由中間層產(chǎn)生的光的傳播通路上。光轉(zhuǎn)換層的折射率可以比鈍化層的折射率高。鈍化層可以包含氧化硅。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括設(shè)置在基底和光轉(zhuǎn)換層之間的緩沖層。緩沖層可以包含氮化硅。光轉(zhuǎn)換層可以以預(yù)定的圖案形成以包括多個(gè)通孔。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括設(shè)置在鈍化層和基底之間的薄膜晶體管，薄膜晶體管電連接到第一電極，薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極。有源層可以由用于形成光轉(zhuǎn)換層的材料形成。有源層可以形成在上面形成有光轉(zhuǎn)換層的層上。柵絕緣膜可以使柵電極與有源層絕緣，柵絕緣膜可以在基底和光轉(zhuǎn)換層之間。柵絕緣膜可以包含氧化硅。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括在有源層與源電極和漏電極之間的蝕刻阻止件。蝕刻阻止件可以在光轉(zhuǎn)換層和鈍化層之間。蝕刻阻止件可以包括多個(gè)通孔，通孔暴露光轉(zhuǎn)換層的部分。
蝕刻阻止件可以包含氧化硅。源電極或漏電極可以延伸達(dá)到光轉(zhuǎn)換層的邊緣，以阻擋光進(jìn)入光轉(zhuǎn)換層周圍的區(qū)域，延伸達(dá)到光轉(zhuǎn)換層邊緣的源電極或漏電極可以包括面向光轉(zhuǎn)換層的通孔。延伸達(dá)到光轉(zhuǎn)換層的邊緣的源電極或漏電極可以圍繞光轉(zhuǎn)換層的邊緣。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括設(shè)置在基底和光轉(zhuǎn)換層之間的光阻擋層，光阻擋層阻擋光進(jìn)入光轉(zhuǎn)換層周圍的區(qū)域。光阻擋層可以包括面向光轉(zhuǎn)換層的通孔。光阻擋層可以由用于形成柵電極的材料形成。由中間層產(chǎn)生的光可以射向基底。一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素。 第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一個(gè)可以包括在基底上的鈍化層、在鈍化層上的第一電極、在第一電極上并包括有機(jī)發(fā)射層的中間層以及在中間層上的第二電極。第二子像素還可以包括第二子像素光轉(zhuǎn)換層和第二子像素鈍化層，第二子像素光轉(zhuǎn)換層包含氧化物半導(dǎo)體，第二子像素光轉(zhuǎn)換層在基底上，第二子像素鈍化層在第二子像素光轉(zhuǎn)換層上。第三子像素還可以包括在基底上的第三子像素光轉(zhuǎn)換層并且還可以包括在第三子像素光轉(zhuǎn)換層上的蝕刻阻止件，第三子像素光轉(zhuǎn)換層包含氧化物半導(dǎo)體，第三子像素鈍化層在蝕刻阻止件上。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)地描述示例實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)講，上述和其他特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯，其中圖1示出根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；圖2示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；圖3示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；圖4示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；圖5示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；圖6示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；圖7示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；圖8示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視具體實(shí)施例方式這里參照于2010年3月2日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2010-0018567號(hào)的名稱為“Organic Light Emitting Display Apparatus”(有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備)的韓國(guó)專利申請(qǐng)，并將其全部?jī)?nèi)容包含于此?，F(xiàn)在，將在下文中參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例；然而，它們可以以不同的形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)該解釋為局限于在這里提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底和完全的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了示出的清晰，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層或元件被稱作“在”另一層或基底“上”時(shí)，它可以直接在另一層或基底上，或也可以存在中間層。另外，應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作“在”另一層“下”時(shí)，它可以直接在另一層下，或也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。另外，還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作“在”兩個(gè)層“之間”時(shí)，它可以是該兩個(gè)層之間的唯一層，或也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終代表相同的元件。圖1示出根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的示意性剖視圖。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100包括基底101、薄膜晶體管 TFT、光轉(zhuǎn)換層107、鈍化層111、第一電極112、中間層114和第二電極115。薄膜晶體管TFT 包括柵電極103、有源層106、源電極109和漏電極110。雖然未在圖1中示出，但實(shí)施例可以應(yīng)用到不包括薄膜晶體管的無(wú)源矩陣(PM)型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。更具體地講，在圖1中示出的實(shí)施例中，例如，基底101可以由包含氧化硅(SiO2) 作為主要成分的透明玻璃形成。基底101不限于此，基底101可以由透明塑料形成。用于形成基底101的透明塑料可以為例如諸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺 (PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯 (polyallylate)、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)或醋酸丙酸纖維素(CAP) 的絕緣有機(jī)材料的有機(jī)材料。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，緩沖層102形成在基底101上。緩沖層102在基底101頂部上提供了的平坦的表面，并防止了濕氣和雜質(zhì)穿透基底101。緩沖層102可以包括折射率相對(duì)高的氮化硅(SiNx)。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，柵電極103形成在緩沖層102上。柵電極103可以由諸如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Al:Nd合金、Mo:W合金等的金屬或合金形成。然而， 本發(fā)明不限于此，柵電極103可以由任何不同導(dǎo)電材料形成。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，柵絕緣膜105形成在柵電極103上。柵電極103 和有源層106通過(guò)柵絕緣膜105彼此絕緣。柵絕緣膜105包括折射率比緩沖層102的折射率低的材料，緩沖層102接觸柵絕緣膜105。例如，柵絕緣膜105可以包括氧化硅(SiOx)。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，有源層106形成在柵絕緣膜105上。有源層106 可以包括任何不同材料。有源層106可以包括氧化物半導(dǎo)體。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層107形成在柵絕緣膜105上，并包括與用于形成有源層106的材料相同的材料。換句話說(shuō)，光轉(zhuǎn)換層107包括用于形成有源層106 的氧化物半導(dǎo)體。包括氧化物半導(dǎo)體的光轉(zhuǎn)換層107可以吸收特定波長(zhǎng)段的光。由于氧化物半導(dǎo)體的折射率比氧化硅的折射率高，所以包括氧化物半導(dǎo)體的光轉(zhuǎn)換層107反射一部分從中間層114發(fā)射的可見光，從而獲得光可以諧振的微腔效應(yīng)。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件108形成在有源層106上。源電極109 和漏電極110形成在蝕刻阻止件108上。源電極109和漏電極110與有源層106的未被蝕刻阻止件108覆蓋并被暴露的部分接觸。因此，用作溝道的有源層106的上表面的一部分被蝕刻阻止件108保護(hù)。當(dāng)源電極109和漏電極110通過(guò)蝕刻進(jìn)行圖案化時(shí)，有源層106 的上表面可能被損壞。通過(guò)蝕刻阻止件108可以防止這樣的損壞。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件108包括折射率比光轉(zhuǎn)換層107的折射率低的材料。具體地講，蝕刻阻止件108可以包括氧化硅(SiO2)。源電極109和漏電極110可以由諸如Au、Pd、Pt、Ni、Rh、Ru、Ir或Os的金屬形成，或可以由諸如Al:Mo、Al:Nd合金或Mo:W合金等的各種材料的合金形成，但本實(shí)施例不限于此。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，鈍化層111形成在光轉(zhuǎn)換層107、源電極109和漏電極110上。鈍化層111可以由任何不同的絕緣材料形成。鈍化層111可以由折射率比用于形成光轉(zhuǎn)換層107的折射率低的絕緣材料形成。具體地講，鈍化層111可以包括氧化硅。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，第一電極112形成在鈍化層111上。第一電極112 電連接到漏電極110。第一電極112可以包括逸出功相對(duì)高的ITO、IZO、ai0、AZ0(鋁摻雜的氧化鋅)或^203。第一電極112可以具有包括Ag的多層薄膜結(jié)構(gòu)。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，像素限定膜113形成在第一電極112上。像素限定膜113包括任何不同絕緣材料，形成為暴露第一電極112的預(yù)定部分，并在第一電極112 的暴露部分上形成中間層114。第二電極115形成在中間層114上。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，中間層114包括有機(jī)發(fā)射層(未示出)。當(dāng)電壓施加到第一電極112和第二電極115時(shí)，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射出可見光。有機(jī)發(fā)射層可以為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光層。當(dāng)中間層114的有機(jī)發(fā)射層由低分子量有機(jī)材料形成時(shí)，空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)可以堆疊在有機(jī)發(fā)射層和第一電極112之間，電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)堆疊在有機(jī)發(fā)射層和第二電極115之間。如果需要，則可以堆疊各種其他層。 中間層114可以包括諸如銅酞菁(CuPc)、N，N' -二(萘-1-基)-N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺 (NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(AlqIB)的任何不同材料。當(dāng)中間層114的有機(jī)發(fā)射層由聚合物有機(jī)材料形成時(shí)，可以只將空穴傳輸層(HTL)設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層和第一電極112之間?？昭▊鬏攲?HTL)可以在第一電極112上通過(guò)例如噴墨印刷或旋涂由聚_(2，4)_乙烯二羥基噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)等形成。中間層114的有機(jī)發(fā)射層可以由聚對(duì)苯乙烯撐(PPV)、可溶PPV、腈基PPV、聚芴形成。中間層114的有機(jī)發(fā)射層可以通過(guò)使用諸如噴墨印刷、旋涂或熱轉(zhuǎn)移(thermal transferring)的典型的圖案化方法形成為圖案。在圖1中示出的示例實(shí)施例中，第二電極115形成為覆蓋全部的像素。在實(shí)施方案中，顯示設(shè)備可以為底發(fā)射的，第二電極115可以為反射的。然而，實(shí)施例不限于此。第二電極115可以由任何不同導(dǎo)電材料形成。第二電極115可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、 Nd、Ir、Cr、Li、Ca 等形成。密封構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在第二電極115上。密封構(gòu)件形成為保護(hù)中間層 114和其他層免受濕氣、氧等的影響，并可以由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件可以具有通過(guò)玻璃、塑料得到的多層結(jié)構(gòu)，或可以具有無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100中，光轉(zhuǎn)換層107形成在由中間層114 產(chǎn)生的光傳播的通路上。例如，光轉(zhuǎn)換層107設(shè)置在第一電極112之下。光轉(zhuǎn)換層107包括折射率比包括在鈍化層111中的氧化硅的折射率高的氧化物半導(dǎo)體。因此，來(lái)自由中間層114產(chǎn)生的光中的射向基底101的光被鈍化層111和光轉(zhuǎn)換層107之間的界面部分地反射。被鈍化層111和光轉(zhuǎn)換層107之間的界面反射的光射回中間層114，而又被第一電極 112或中間層114反射。因此，由中間層114產(chǎn)生的光可以在中間層114和光轉(zhuǎn)換層107之間的空間中諧振。由此可以產(chǎn)生微腔效應(yīng)。因諧振得到的增強(qiáng)的光向基底提取出，使得如從使用者的角度所看到的，發(fā)光效率提高。光轉(zhuǎn)換層107可以吸收特定頻率的光。換句話說(shuō)，包括氧化物半導(dǎo)體的光轉(zhuǎn)換層 107吸收在由中間層114產(chǎn)生的光中的特定頻率的光。例如，光轉(zhuǎn)換層107吸收與除了可見光的主波長(zhǎng)段之外的波長(zhǎng)段對(duì)應(yīng)的光。因此，可以獲得光譜(optical spectrum)得到改善的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100中，柵絕緣膜105和緩沖層102設(shè)置在光轉(zhuǎn)換層107與基底101之間。由中間層114發(fā)射的光中的射向基底101的光被光轉(zhuǎn)換層 107部分地反射，且部分透射過(guò)光轉(zhuǎn)換層107。透射過(guò)光轉(zhuǎn)換層107的光被柵絕緣膜105和緩沖層102之間的界面部分地反射，例如，在該處包括氮化硅的緩沖層102的折射率比包括氧化硅的柵絕緣膜105的折射率高。因此，可以通過(guò)改變層之間的空間和/或改變折射率的差異來(lái)改變光傳播的有效通路的長(zhǎng)度。被緩沖層102和光轉(zhuǎn)換層107之間的界面反射的光射回中間層114，并被第一電極 112或中間層114再次反射。因此，由中間層114發(fā)射的光在中間層114和緩沖層102之間的空間中諧振。因諧振得到的增強(qiáng)的光被提取且向基底101輸出，從而如從用戶的角度所看到的，發(fā)光效率得到改善。如上所述，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100中，光諧振發(fā)生在中間層114 和光轉(zhuǎn)換層107之間的空間中以及中間層114和緩沖層102之間的空間中。由于發(fā)生光諧振的兩個(gè)空間的有效長(zhǎng)度不同，所以各種波長(zhǎng)范圍的發(fā)光效率可以得到提高。另外，當(dāng)形成光轉(zhuǎn)換層107以獲得光諧振，光轉(zhuǎn)換層107形成在與上面形成有有源層106的層相同的層上且由與有源層106的材料相同的材料形成時(shí)，工藝便利性提高且有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的整體厚度未增加，從而便于使有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100變薄。圖2示出了根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的示意性剖視圖。為了解釋的方便，現(xiàn)在將針對(duì)本實(shí)施例和前面圖1的實(shí)施例之間的差異描述圖2的本實(shí)施例。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200包括基底201、薄膜晶體管 TFT、光轉(zhuǎn)換層207、鈍化層211、第一電極212、中間層214和第二電極215。薄膜晶體管TFT 包括柵電極203、有源層206、源電極209和漏電極210。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，緩沖層202形成在基底201上。柵電極203形成在緩沖層202上。柵絕緣膜205形成在柵電極203上。有源層206形成在柵絕緣膜205上。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層207形成在柵絕緣膜205上并包括與用于形成有源層206的材料相同的材料。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件208形成在有源層206上。此時(shí)，蝕刻阻止件208形成為覆蓋光轉(zhuǎn)換層207。因此，蝕刻阻止件208也設(shè)置在光轉(zhuǎn)換層207和鈍化層211之間。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，源電極209和漏電極210形成在蝕刻阻止件208 上。源電極209和漏電極210與有源層206未被蝕刻阻止件208覆蓋且被暴露的部分接觸。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，鈍化層211形成在源電極209、漏電極210及蝕刻阻止件208的覆蓋光轉(zhuǎn)換層207的部分上。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，第一電極212形成在鈍化層211上。第一電極212 電連接到漏電極210。像素限定膜213形成在第一電極212上。像素限定膜213形成為暴露第一電極212的預(yù)定部分，并在第一電極212的暴露部分上形成中間層214。第二電極 215形成在中間層214上。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，中間層214包括有機(jī)發(fā)射層(未示出)。當(dāng)電壓施加到第一電極212和第二電極215時(shí)，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見光。密封構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在第二電極215上。密封構(gòu)件可以形成為保護(hù)中間層214和其它層免受外部濕氣、氧等的影響，密封構(gòu)件可以由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件可以具有由玻璃、塑料得到多層結(jié)構(gòu)，或可以具有無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)。用于形成根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的組件的材料與用于前面的實(shí)施例的材料相同，因此，將不重復(fù)其詳細(xì)描述。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200中，由中間層214產(chǎn)生的光在中間層214 和光轉(zhuǎn)換層207之間的空間中諧振，因此，光效率得以改善。光轉(zhuǎn)換層207可以吸收具有特定頻率的光，因此可以得到具有改善的光譜的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200中，由中間層214發(fā)射的光還在中間層 214和緩沖層202之間的空間中諧振，因此，光效率得到改善。另外，光轉(zhuǎn)換層207形成在與上面形成有有源層206的層相同的層上，并由與有源層206的材料相同的材料形成。因此，工藝便利性提高，且有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的整體厚度未增加，從而便于使有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200變薄。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200中，由于蝕刻阻止件208設(shè)置在光轉(zhuǎn)換層207上，所以光諧振的空間加長(zhǎng)。與圖1相比，在中間層214和光轉(zhuǎn)換層207之間的發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度增加了與蝕刻阻止件208的厚度對(duì)應(yīng)的量。同樣，與圖1相比，在中間層214和緩沖層202之間的發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度增加了蝕刻阻止件208的厚度。被提取的光的特性根據(jù)發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度而變化。在本實(shí)施例中，通過(guò)調(diào)整蝕刻阻止件208的厚度來(lái)控制發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度，從而可以通過(guò)光在長(zhǎng)度被控制的空間中發(fā)生諧振容易地得到最佳光效率。圖3示出了根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的示意性剖視圖。為了解釋的方便，現(xiàn)在將針對(duì)本實(shí)施例與前面的圖1和圖2的實(shí)施例之間的差異來(lái)描述圖3的本實(shí)施例。在圖3中示出的示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300包括基底301、薄膜晶體管 TFT、光轉(zhuǎn)換層307、鈍化層311、第一電極312、中間層314和第二電極315。薄膜晶體管TFT 包括柵電極303、有源層306、源電極309和漏電極310。在圖3中示出的示例實(shí)施例中，緩沖層302形成在基底301上。柵電極303形成在緩沖層302上。柵絕緣膜305形成在柵電極303上。有源層306形成在柵絕緣膜305上。在圖3中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層307形成在柵絕緣膜305上并包括與用于形成有源層306的材料相同的材料。在圖3中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層307具有預(yù)定的圖案，例如，形成為具有多個(gè)通孔307a。因光轉(zhuǎn)換層307的圖案，入射在光轉(zhuǎn)換層307上的光被散射。在圖3中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件308形成在有源層306上。源電極309 和漏電極310形成在蝕刻阻止件308上。源電極309和漏電極310與有源層306未被蝕刻阻止件308覆蓋并被暴露的部分接觸。在圖3中示出的示例實(shí)施例中，鈍化層311形成在光轉(zhuǎn)換層307、源電極309和漏電極310上。在圖3中示出的示例實(shí)施例中，第一電極312形成在鈍化層311上。第一電極312 電連接到漏電極310。像素限定膜313形成在第一電極312上。像素限定膜313形成為暴露第一電極312的預(yù)定區(qū)域，并在第一電極312的暴露部分上形成中間層314。第二電極 315形成在中間層314上。在圖3中示出的示例實(shí)施例中，中間層314包括有機(jī)發(fā)射層(未示出)。當(dāng)電壓施加到第一電極312和第二電極315時(shí)，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見光。密封構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在第二電極315上。密封構(gòu)件可形成為保護(hù)中間層 314和其它層免受濕氣、氧等的影響，且密封構(gòu)件可以由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件可以具有由玻璃、塑料得到的多層結(jié)構(gòu)或無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)。用于形成根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的組件的材料與用于前面的實(shí)施例的材料相同，因此，將不再重復(fù)其詳細(xì)描述。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300中，由中間層314產(chǎn)生的光在中間層314 和光轉(zhuǎn)換層307之間的空間中諧振，因此光效率得到改善。光轉(zhuǎn)換層307可以吸收特定頻率的光，因此，可以得到具有改善的光譜的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300中，由中間層314發(fā)射的光還在中間層 314和緩沖層302之間的空間中諧振，因此，光效率得到改善。另外，光轉(zhuǎn)換層307形成在與上面形成有有源層306的層相同的層上，并由與有源層306的材料相同的材料形成。因此，工藝便利性提高，并且有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300的整體厚度未增加，從而便于使有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300變薄。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300中，光轉(zhuǎn)換層307包括以預(yù)定圖案形成的多個(gè)通孔307a。因光轉(zhuǎn)換層307的圖案，由中間層314產(chǎn)生并射向光轉(zhuǎn)換層307的一部分光在光轉(zhuǎn)換層307的通孔307a的角和內(nèi)表面上被散射。因此，從用戶的角度所看到的是， 大量的光被提取，因此，光效率得到改善。圖4示出了根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400的示意性剖視圖。為了解釋的方便，現(xiàn)在將針對(duì)本實(shí)施例與前面圖1、圖2和圖3的實(shí)施例之間的差異描述圖4的本實(shí)施例。在圖4中示出的示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400包括基底401、薄膜晶體管 TFT、光轉(zhuǎn)換層407、鈍化層411、第一電極412、中間層414和第二電極415。薄膜晶體管TFT 包括柵電極403、有源層406、源電極409和漏電極410。在圖4中示出的示例實(shí)施例中，緩沖層402形成在基底401上。柵電極403形成在緩沖層402上。柵絕緣膜405形成在柵電極403上。有源層406形成在柵絕緣膜405上。在圖4中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層407形成在柵絕緣膜405上并包括與用于形成有源層406的材料相同的材料。在圖4中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層407具有預(yù)定的圖案，例如，被形成為具有多個(gè)通孔407a。因光轉(zhuǎn)換層407的圖案，向光轉(zhuǎn)換層407入射的光被散射。
在圖4中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件408形成在有源層406上。此時(shí)，蝕刻阻止件408形成為覆蓋光轉(zhuǎn)換層407。因此，蝕刻阻止件408也設(shè)置在光轉(zhuǎn)換層407和鈍化層411之間。源電極409和漏電極410與有源層406未被蝕刻阻止件408覆蓋且被暴露的部分接觸。在圖4中示出的示例實(shí)施例中，鈍化層411形成在源電極409、漏電極410及蝕刻阻止件408的覆蓋光轉(zhuǎn)換層407的部分上。在圖4中示出的示例實(shí)施例中，第一電極412形成在鈍化層411上。第一電極412 電連接到漏電極410。像素限定膜413形成在第一電極412上。像素限定膜413形成為暴露第一電極412的預(yù)定部分，且在第一電極412的暴露部分上形成中間層414。第二電極 415形成在中間層414上。在圖4中示出的示例實(shí)施例中，中間層414包括有機(jī)發(fā)射層(未示出)。當(dāng)電壓施加到第一電極412和第二電極415時(shí)，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見光。密封構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在第二電極415上。密封構(gòu)件可以形成為保護(hù)中間層414和其它層免受外部濕氣、氧等的影響，密封構(gòu)件可以由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件可以具有由玻璃、塑料得到多層結(jié)構(gòu)，或可以具有無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)。用于形成根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400的組件的材料與用于前面的實(shí)施例的材料相同，因此，將不重復(fù)其詳細(xì)描述。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400中，由中間層414產(chǎn)生的光在中間層414 和光轉(zhuǎn)換層407之間的空間中諧振，因此，光效率得以改善。光轉(zhuǎn)換層407可以吸收具有特定頻率的光，因此可以得到具有改善的光譜的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400中，由中間層414發(fā)射的光還在中間層 414和緩沖層402之間的空間中諧振，因此，光效率得到改善。另外，光轉(zhuǎn)換層407形成在與上面形成有有源層406的層相同的層上，并由與有源層406的材料相同的材料形成。因此，工藝便利性提高，且有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400的整體厚度未增加，從而便于使有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400變薄。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400中，光轉(zhuǎn)換層407包括以預(yù)定圖案形成的多個(gè)通孔407a。因光轉(zhuǎn)換層407的圖案，由中間層414產(chǎn)生并射向光轉(zhuǎn)換層407的光的一部分在光轉(zhuǎn)換層407的通孔407a的角和內(nèi)表面上被散射。因此，從用戶的角度所看到的是，大量的光被提取，因此，光效率得到改善。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400中，由于蝕刻阻止件408設(shè)置在光轉(zhuǎn)換層407上，所以光諧振的空間長(zhǎng)。與圖1相比，發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度增加了與蝕刻阻止件408的厚度對(duì)應(yīng)的量。發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度通過(guò)調(diào)整蝕刻阻止件408的厚度來(lái)控制， 從而通過(guò)光在長(zhǎng)度被控制的空間中發(fā)生諧振容易地得到最佳光效率。圖5示出了根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500的示意性剖視圖。為了解釋的方便，現(xiàn)在將針對(duì)本實(shí)施例與前面圖1至圖4的實(shí)施例之間的差異描述圖5的本實(shí)施例。在圖5中示出的示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500包括基底501、薄膜晶體管 TFT、光轉(zhuǎn)換層507、鈍化層511、第一電極512、中間層514和第二電極515。薄膜晶體管TFT 包括柵電極503、有源層506、源電極509和漏電極510。
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在圖5中示出的示例實(shí)施例中，緩沖層502形成在基底501上。柵電極503形成在緩沖層502上。柵絕緣膜505形成在柵電極503上。有源層506形成在柵絕緣膜505上。在圖5中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層507形成在柵絕緣膜505上并包括與用于形成有源層506的材料相同的材料。在圖5中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件508形成在有源層506上。此時(shí)，蝕刻阻止件508形成為覆蓋光轉(zhuǎn)換層507。蝕刻阻止件508具有預(yù)定的圖案，被形成為具有多個(gè)通孔508a以暴露光轉(zhuǎn)換層507的預(yù)定部分。全部通孔508a面向光轉(zhuǎn)換層507。因蝕刻阻止件508的圖案，入射在光轉(zhuǎn)換層507上的光被散射。在圖5中示出的示例實(shí)施例中，源電極509和漏電極510與有源層506的未被蝕刻阻止件508覆蓋且被暴露的部分接觸。在圖5中示出的示例實(shí)施例中，鈍化層511形成在源電極509、漏電極510及蝕刻阻止件508的覆蓋光轉(zhuǎn)換層507的部分上。在圖5中示出的示例實(shí)施例中，第一電極512形成在鈍化層511上。第一電極512 電連接到漏電極510。像素限定膜513形成在第一電極512上。像素限定膜513形成為暴露第一電極512的預(yù)定部分，且在第一電極512的暴露部分上形成中間層514。第二電極 515形成在中間層514上。在圖5中示出的示例實(shí)施例中，中間層514包括有機(jī)發(fā)射層(未示出)。當(dāng)電壓施加到第一電極512和第二電極515時(shí)，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見光。密封構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在第二電極515上。密封構(gòu)件可以形成為保護(hù)中間層514和其它層免受外部濕氣、氧等的影響，密封構(gòu)件可以由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件可以具有由玻璃、塑料得到多層結(jié)構(gòu)，或可以具有無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)。用于形成根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500的組件的材料與用于前面的實(shí)施例的材料相同，因此，將不重復(fù)其詳細(xì)描述。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500中，由中間層514產(chǎn)生的光在中間層514 和光轉(zhuǎn)換層507之間的空間中諧振，因此，光效率得以改善。光轉(zhuǎn)換層507可以吸收具有特定頻率的光，因此可以得到具有改善的光譜的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500中，由中間層514發(fā)射的光還在中間層 514和緩沖層502之間的空間中諧振，因此，光效率得到改善。另外，光轉(zhuǎn)換層507形成在與上面形成有有源層506的層相同的層上，并由與有源層506的材料相同的材料形成。因此，工藝便利性提高，且有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500的整體厚度未增加，從而便于使有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500變薄。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備500中，蝕刻阻止件508包括以預(yù)定圖案形成的多個(gè)通孔508a。因蝕刻阻止件508的圖案，由中間層514產(chǎn)生并射向光轉(zhuǎn)換層507的光的一部分在蝕刻阻止件508的通孔508a的角和內(nèi)表面上被散射。因此，從用戶的角度所看到的是，大量的光被提取，因此，光效率得到改善。另外，通過(guò)調(diào)整蝕刻阻止件508的厚度來(lái)控制發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度，從而可以通過(guò)光在長(zhǎng)度被控制的空間中發(fā)生諧振容易地得到最佳光效率。圖6示出了根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600的示意性剖視圖。為了解釋的方便，現(xiàn)在將針對(duì)本實(shí)施例與前面圖1至圖5的實(shí)施例之間的差異描述圖6的本實(shí)施例。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600包括基底601、薄膜晶體管 TFT、光轉(zhuǎn)換層607、鈍化層611、第一電極612、中間層614和第二電極615。薄膜晶體管TFT 包括柵電極603、有源層606、源電極609和漏電極610。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，緩沖層602形成在基底601上。柵電極603形成在緩沖層602上。柵絕緣膜605形成在柵電極603上。有源層606形成在柵絕緣膜605上。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層607形成在柵絕緣膜605上并包括與用于形成有源層606的材料相同的材料。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件608形成在有源層606上。此時(shí)，蝕刻阻止件608形成為覆蓋光轉(zhuǎn)換層607。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，源電極609和漏電極610形成在蝕刻阻止件608 上。源電極609和漏電極610與有源層606的未被蝕刻阻止件608覆蓋且被暴露的部分接觸。源電極609或漏電極610可以延伸達(dá)到光轉(zhuǎn)換層607的邊緣。在本實(shí)施例中，漏電極610延伸達(dá)到光轉(zhuǎn)換層607的邊緣，即，漏電極610在接近光轉(zhuǎn)換層607的邊緣的上方延伸。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，漏電極610包括形成為面向光轉(zhuǎn)換層607的通孔 610a。因此，從中間層614發(fā)射的光不透過(guò)光轉(zhuǎn)換層607周圍的區(qū)域，但透過(guò)通孔610a從而向光轉(zhuǎn)換層607傳播。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，鈍化層611形成在源電極609、漏電極610及蝕刻阻止件608的覆蓋光轉(zhuǎn)換層607的部分上。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，第一電極612形成在鈍化層611上。第一電極612 電連接到漏電極610。像素限定膜613形成在第一電極612上。像素限定膜613形成為暴露第一電極612的預(yù)定部分，且在第一電極612的暴露部分上形成中間層614。第二電極 615形成在中間層614上。在圖6中示出的示例實(shí)施例中，中間層614包括有機(jī)發(fā)射層(未示出)。當(dāng)電壓施加到第一電極612和第二電極615時(shí)，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見光。密封構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在第二電極615上。密封構(gòu)件可以形成為保護(hù)中間層614和其它層免受外部濕氣、氧等的影響，密封構(gòu)件可以由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件可以具有由玻璃、塑料得到多層結(jié)構(gòu)，或可以具有無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)。用于形成根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600的組件的材料與用于前面的實(shí)施例的材料相同，因此，將不重復(fù)其詳細(xì)描述。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600中，由中間層614產(chǎn)生的光在中間層614 和光轉(zhuǎn)換層607之間的空間中諧振，因此，光效率得以改善。由中間層614發(fā)射的光還在中間層614和緩沖層602之間的空間中諧振，因此，光效率得到改善。光轉(zhuǎn)換層607可以吸收具有特定頻率的光，因此可以得到具有改善的光譜的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600。另外，光轉(zhuǎn)換層607形成在與上面形成有有源層606的層相同的層上，并由與有源層606的材料相同的材料形成。因此，工藝便利性提高，且有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600的整體厚度未增加，從而便于使有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600變薄。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600中，蝕刻阻止件608設(shè)置在光轉(zhuǎn)換層607 上，并可以通過(guò)調(diào)節(jié)蝕刻阻止件608的厚度來(lái)控制發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度，從而可以通過(guò)光在長(zhǎng)度被控制的空間中發(fā)生諧振容易地得到最佳光效率。另外，漏電極610在光轉(zhuǎn)換層607的邊緣的上方延伸。因此，防止了由中間層614 產(chǎn)生的光透過(guò)光轉(zhuǎn)換層607周圍的區(qū)域，因此，更高百分比的光透過(guò)了光轉(zhuǎn)換層607，從而提高了光效率。因此，顯示對(duì)比度提高。雖然未示出，但本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到在光轉(zhuǎn)換層607上未安裝蝕刻阻止件 608的結(jié)構(gòu)、光轉(zhuǎn)換層607被圖案化的結(jié)構(gòu)以及其他各種結(jié)構(gòu)。圖7示出了根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700的示意性剖視圖。為了解釋的方便，現(xiàn)在將針對(duì)本實(shí)施例與前面圖1至圖6的各實(shí)施例之間的差異描述圖7的本實(shí)施例。在圖7中示出的示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700包括基底701、光阻擋層 704、薄膜晶體管TFT、光轉(zhuǎn)換層707、鈍化層711、第一電極712、中間層714和第二電極715。 薄膜晶體管TFT包括柵電極703、有源層706、源電極709和漏電極710。在圖7中示出的示例實(shí)施例中，緩沖層702形成在基底701上。柵電極703形成在緩沖層702上。光阻擋層704也形成在緩沖層702上并與柵電極703分開。光阻擋層704 由與用于形成柵電極703的材料相同的材料形成。光阻擋層704包括通孔70 ，用于阻擋入射在光轉(zhuǎn)換層707周圍區(qū)域上的光的，其詳細(xì)描述將在下面進(jìn)行。在圖7中的示例實(shí)施例中，柵絕緣膜705形成在柵電極703和光阻擋層704上。有源層706形成在柵絕緣膜705上。在圖7中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層707形成在柵絕緣膜705上并包括與用于形成有源層706的材料相同的材料。光轉(zhuǎn)換層707形成為面向光阻擋層704的通孔7(Ma。 因此，由中間層714發(fā)射的光中的未透過(guò)光轉(zhuǎn)換層707周圍區(qū)域但向光轉(zhuǎn)換層707傳播的光通過(guò)通孔70 被提取。在圖7中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件708形成在有源層706上。此時(shí)，蝕刻阻止件708形成為覆蓋光轉(zhuǎn)換層707。在圖7中示出的示例實(shí)施例中，源電極709和漏電極710形成在蝕刻阻止件708 上。源電極709和漏電極710與有源層706的未被蝕刻阻止件708覆蓋且被暴露的部分接觸。在圖7中示出的示例實(shí)施例中，鈍化層711形成在源電極709、漏電極710及蝕刻阻止件708的覆蓋光轉(zhuǎn)換層707的部分上。在圖7中示出的示例實(shí)施例中，第一電極712形成在鈍化層711上。第一電極712 電連接到漏電極710。像素限定膜713形成在第一電極712上。像素限定膜713形成為暴露第一電極712的預(yù)定部分，且在第一電極712的暴露部分上形成中間層714。第二電極 715形成在中間層714上。在圖7中示出的示例實(shí)施例中，中間層714包括有機(jī)發(fā)射層(未示出)。當(dāng)電壓施加到第一電極712和第二電極715時(shí)，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見光。密封構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在第二電極715上。密封構(gòu)件可以形成為保護(hù)中間層714和其它層免受外部濕氣、氧等的影響，密封構(gòu)件可以由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件可以具有由玻璃、塑料得到多層結(jié)構(gòu)，或可以具有無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)。用于形成根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700的組件的材料與用于前面的實(shí)施例組件的材料相同，因此，將不重復(fù)其詳細(xì)描述。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700中，由中間層714產(chǎn)生的光在中間層714 和光轉(zhuǎn)換層707之間的空間中諧振，因此，光效率得以改善。由中間層714發(fā)射的光還在中間層714和緩沖層702之間的空間中諧振，因此，光效率得到改善。另外，光轉(zhuǎn)換層707可以吸收具有特定頻率的光，因此可以得到具有改善的光譜的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700。另外，光轉(zhuǎn)換層707形成在與上面形成有有源層706的層相同的層上，并由與有源層706的材料相同的材料形成。因此，工藝便利性提高，且有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700的整體厚度未增加，從而便于使有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700變薄。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700中，蝕刻阻止件708設(shè)置在光轉(zhuǎn)換層707 上，并可以通過(guò)調(diào)節(jié)蝕刻阻止件708的厚度來(lái)控制發(fā)生光諧振的空間的長(zhǎng)度，從而可以通過(guò)光在長(zhǎng)度被控制的空間中發(fā)生諧振容易地得到最佳光效率。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備700中，光阻擋層704形成在緩沖層702上。 因此，防止了由中間層714產(chǎn)生的光透過(guò)光轉(zhuǎn)換層707周圍的區(qū)域，因此，更高百分比的光透過(guò)光轉(zhuǎn)換層707，從而提高了光效率。因此，顯示對(duì)比度提高。雖然未示出，但本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到在光轉(zhuǎn)換層707上未安裝蝕刻阻止件 708的結(jié)構(gòu)、光轉(zhuǎn)換層707被圖案化的結(jié)構(gòu)以及其他各種結(jié)構(gòu)。圖8示出了根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備800的示意性剖視圖。為了解釋的方便，現(xiàn)在將針對(duì)本實(shí)施例與前面圖1至圖7的實(shí)施例之間的差異描述圖8的本實(shí)施例。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備800包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以為不同顏色的子像素。為了解釋的方便，在圖8中示出了一個(gè)單獨(dú)的第一子像素SP1、一個(gè)單獨(dú)的第二子像素SP2和一個(gè)單獨(dú)的第三子像素SP3。然而，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備800可以包括多個(gè)第一子像素SP1、多個(gè)第二子像素SP2和多個(gè)第三子像素SP3。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，第一子像素SP1包括鈍化層811、第一電極812、包括第一有機(jī)發(fā)射層的第一中間層81 以及第二電極815。第二子像素SP2包括包含氧化物半導(dǎo)體的光轉(zhuǎn)換層807、鈍化層811、第一電極812、包括第二有機(jī)發(fā)射層的第二中間層814b 以及第二電極815。第三子像素SP3包括光轉(zhuǎn)換層807、蝕刻阻止件808、鈍化層811、第一電極812、包括第三有機(jī)發(fā)射層的第三中間層SHc以及第二電極815。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素 SP3包括薄膜晶體管TFT。每個(gè)薄膜晶體管TFT包括柵電極803、有源層806、源電極809和漏電極810。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，緩沖層802形成在基底801上。柵電極803形成在緩沖層802上。柵絕緣膜805形成在柵電極803上。有源層806形成在柵絕緣膜805上。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層807形成在柵絕緣膜805上并包括與用于形成有源層806的材料相同的材料。光轉(zhuǎn)換層807形成在第二子像素SP2和第三子像素 SP3 中。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，蝕刻阻止件808形成在有源層806上。此時(shí)，蝕刻阻止件808形成為覆蓋第三子像素SP3的光轉(zhuǎn)換層807。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，源電極809和漏電極810形成在蝕刻阻止件808 上。源電極809和漏電極810與有源層806的未被蝕刻阻止件808覆蓋且被暴露的部分接觸。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，鈍化層811形成在光轉(zhuǎn)換層807、蝕刻阻止件808、 源電極809和漏電極810上。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，第一電極812形成在鈍化層811上。第一電極812 電連接到漏電極810。像素限定膜813形成在第一電極812上。像素限定膜813形成為暴露第一電極812的預(yù)定部分，且在第一電極812的暴露部分上形成中間層814。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，中間層814包括有機(jī)發(fā)射層(未示出)。當(dāng)電壓施加到第一電極812和第二電極815時(shí)，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見光。中間層814包括第一中間層814a、第二中間層814b和第三中間層8Hc。第一中間層81 形成在第一子像素 SPl中。第二中間層814b形成在第二子像素SP2中。第三中間層SHc形成在第三子像素 SP3中。第一中間層81 包括第一有機(jī)發(fā)射層，第二中間層814b包括第二有機(jī)發(fā)射層，第三中間層8Hc包括第三有機(jī)發(fā)射層，從而第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素 SP3可以發(fā)射不同的顏色。在實(shí)施方案中，白光源可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3來(lái)同時(shí)顯示具有色彩的光而形成。從而例如，可以通過(guò)在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的一個(gè)或多個(gè)中改變光諧振效果來(lái)調(diào)節(jié)顯示的白光的色溫。在圖8中示出的示例實(shí)施例中，第二電極815跨過(guò)第一子像素SP1、第二子像素 SP2和第三子像素SP3形成在中間層814上。密封構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在第二電極815上。密封構(gòu)件可以形成為保護(hù)中間層814和其它層免受外部濕氣、氧等的影響，密封構(gòu)件可以由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件可以具有由玻璃、塑料得到多層結(jié)構(gòu)，或可以具有無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)。用于形成根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備800的組件的材料與用于前面的實(shí)施例組件的材料相同，因此，將不重復(fù)其詳細(xì)描述。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備800中，在第一子像素SP1、第二子像素SP2 和第三子像素SP3中的中間層814和緩沖層802之間的距離不同。換句話說(shuō)，在第一子像素SPl中的第一電極812和柵絕緣膜805之間的距離、在第二子像素SP2中的第一電極812 和光轉(zhuǎn)換層807之間的距離以及在第三子像素SP3中的第一電極812和覆蓋光轉(zhuǎn)換層807 的蝕刻阻止件808之間的距離可以相同。因此，第一電極812和緩沖層802之間的距離在第一子像素SP 1中最短，在第三子像素SP3中最長(zhǎng)。因此，從由中間層814產(chǎn)生的光中的射向基底801、被緩沖層802反射并射回中間層814的光的光學(xué)通路的長(zhǎng)度對(duì)于每個(gè)子像素不同，從而光諧振在每個(gè)子像素中獨(dú)立地發(fā)生。因此，在發(fā)射不同顏色的子像素中可以得到各自最佳的光諧振效果。在另一實(shí)施方案中，可以通過(guò)使其中的層的構(gòu)造不同來(lái)提供在各個(gè)子像素中的光學(xué)通路的有效差異，例如，設(shè)置不同的層和/或使層的厚度不同來(lái)改變部分地反射光的折射率界面的相對(duì)位置。例如，第二子像素SP2和第三子像素SP3可以在各個(gè)第一電極812 和緩沖層802之間具有相同的的距離。在第二子像素SP2中，光轉(zhuǎn)換層807可以與第一電極812以預(yù)定的距離分開，有效通路長(zhǎng)度可以限定在第一電極812和光轉(zhuǎn)換層807/鈍化層 811的界面之間。在第三子像素SP3中，光轉(zhuǎn)換層807也可以與第一電極812以相同的預(yù)定距離分開，不同的有效通路長(zhǎng)度可以限定在第三子像素SP3中的第一電極812和蝕刻阻止件808/鈍化層811界面之間。同樣，在每個(gè)子像素中的各個(gè)第一電極和緩沖層之間的距離可以恒定，然而同時(shí)，在每個(gè)子像素中提供了不同的有效通路長(zhǎng)度和不同的諧振頻率。另外，在第二子像素SP2和第三子像素SP3中，由中間層814產(chǎn)生的光在中間層 814和光轉(zhuǎn)換層807之間的空間中諧振，從而光效率得到改善。具體地講，在第三子像素SP3 中，蝕刻阻止件808設(shè)置在光轉(zhuǎn)換層807和鈍化層811之間，因此，發(fā)生光諧振的距離增加。 因此，在中間層814和光轉(zhuǎn)換層807之間發(fā)生的光諧振在第二子像素SP2和第三子像素SP3 中可以不同。另外，光轉(zhuǎn)換層807可以吸收特定頻率的光，從而可以得到具有改善的光譜的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備800。這里已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，雖然使用了特定的術(shù)語(yǔ)，但這些術(shù)語(yǔ)僅解釋為通常和描述意義，而非限制性目的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求闡述的精神和范圍的情況下，可以做形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括 基底；光轉(zhuǎn)換層，在基底上，光轉(zhuǎn)換層包含氧化物半導(dǎo)體； 鈍化層，覆蓋光轉(zhuǎn)換層； 第一電極，在鈍化層上；中間層，在第一電極上，中間層包括有機(jī)發(fā)射層； 第二電極，在中間層上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，光轉(zhuǎn)換層設(shè)置在由中間層產(chǎn)生的光的傳播通路上。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，光轉(zhuǎn)換層的折射率比鈍化層的折射率高。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，鈍化層包含氧化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括設(shè)置在基底和光轉(zhuǎn)換層之間的緩沖層。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，緩沖層包含氮化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，光轉(zhuǎn)換層以預(yù)定的圖案形成以包括多個(gè)通孔。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括設(shè)置在鈍化層和基底之間的薄膜晶體管，薄膜晶體管電連接到第一電極，薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，有源層由用于形成光轉(zhuǎn)換層的材料形成。
10.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，有源層形成在上面形成有光轉(zhuǎn)換層的層上。
11.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中 柵絕緣膜使柵電極與有源層絕緣，柵絕緣膜在基底和光轉(zhuǎn)換層之間。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，柵絕緣膜包含氧化硅。
13.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括在有源層與源電極和漏電極之間的蝕刻阻止件。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，蝕刻阻止件在光轉(zhuǎn)換層和鈍化層之間。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，蝕刻阻止件包括多個(gè)通孔，通孔暴露光轉(zhuǎn)換層的部分。
16.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，蝕刻阻止件包含氧化硅。
17.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中源電極或漏電極延伸達(dá)到光轉(zhuǎn)換層的邊緣，以阻擋光進(jìn)入光轉(zhuǎn)換層周圍的區(qū)域， 延伸達(dá)到光轉(zhuǎn)換層邊緣的源電極或漏電極包括面向光轉(zhuǎn)換層的通孔。
18.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，延伸達(dá)到光轉(zhuǎn)換層的邊緣的源電極或漏電極圍繞光轉(zhuǎn)換層的邊緣。
19.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括設(shè)置在基底和光轉(zhuǎn)換層之間的光阻擋層，光阻擋層阻擋光進(jìn)入光轉(zhuǎn)換層周圍的區(qū)域。
20.如權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，光阻擋層包括面向光轉(zhuǎn)換層的通孔。
21.如權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，光阻擋層由用于形成柵電極的材料形成。
22.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，由中間層產(chǎn)生的光射向基底。
23.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一個(gè)包括在基底上的鈍化層、在鈍化層上的第一電極、在第一電極上并包括有機(jī)發(fā)射層的中間層以及在中間層上的第二電極，第二子像素還包括第二子像素光轉(zhuǎn)換層和第二子像素鈍化層，第二子像素光轉(zhuǎn)換層包含氧化物半導(dǎo)體，第二子像素光轉(zhuǎn)換層在基底上，第二子像素鈍化層在第二子像素光轉(zhuǎn)換層上，第三子像素還包括在基底上的第三子像素光轉(zhuǎn)換層并且還包括在第三子像素光轉(zhuǎn)換層上的蝕刻阻止件，第三子像素光轉(zhuǎn)換層包含氧化物半導(dǎo)體，第三子像素鈍化層在蝕刻阻止件上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基底；光轉(zhuǎn)換層，在基底上，光轉(zhuǎn)換層包含氧化物半導(dǎo)體；鈍化層，覆蓋光轉(zhuǎn)換層；第一電極，在鈍化層上；中間層，在第一電極上，中間層包括有機(jī)發(fā)射層；第二電極，在中間層上。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102195000SQ20111000678
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月2日
發(fā)明者樸惠香, 樸賢善, 金武謙 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社